1.

nh ngha:
Lng ng hi ha hc l mt phng php m nh vt liu rn c lng
ng t pha hi thng qua cc phn ng ha hc xy ra gn b mt c
nung nng.

2. gii thiu chung

Trong CVD, vt liu rn thu c l dng lp ph, bt hoc n tinh th. Bng
cch thay i iu kin th nghim, vt liu , nhit , th nh phn cu to ca
hn hp kh phn ng, p sut.c th t c nhng c tnh khc nhau ca vt
liu.
im c bit ca cng ngh CVD l c th ch to c mng vi dy ng
u v t b xp ngay c khi hnh dng phc tp. mt im c tr ng khc ca
CVD l c th lng ng chn lc, lng ng gii hn trong mt khu vc n o
trn c trang tr hoa vn. CVD c s dng ch to nhiu loi m ng mng.
v d ch to cc mng ng dng trong cng ngh vi in t nh : mng cch in,
dn in, lp chng g, chng oxi ha v lp epitaxy. Ch to si quang chu
nhit, v c bn tt. s dng c vi nhng vt liu nng chy nhit cao
v ch to pin mt tri, si composit nhit cao, cc vt liu si u dn nhit
cao.

Phng php CVD c th c m t nh sau:

Hnh 1. s m t qu trnh to mng bng phng php CVD.

Kh precursor a c dng i lu vn chuyn, gp mi trng nhit cao

hay plasma s xy ra hin tng va chm gia cc electron vi ion hay electron
vi notron cng c th l electron va chm vi electron to ra gc t do. Sau
, cc phn t gc t do khuch tn xung , gp mi tr ng nhit cao ti
s xy ra cc phn ng to mng ti b mt . Sn phm ph sinh ra sau khi phn
ng sau s khuch tn ng c vo dng cht lu, dng cht lu a kh
precursor d, sn phm ph, kh c ra khi bung.
Ta c th m t qu trnh CVD bng phng trnh:
to,plasma
precursor( kh bay hi)

mng( r n) + sn phm ph

Trong CVD xy ra phn ng pha kh gn hoc tr n b mt c nung nng:

tc cht th kh to thnh vt liu rn cng vi sn phm th kh.

3. c ch ca qu trnh
1 Khuch tn ca cht phn ng ti b mt
2 S hp ph ca cht phn ng v o b mt
3 Xy ra cc phn ng ha hc
4 Gii hp ca cc sn phm kh sau khi phn ng
5 Khuch tn cc sn phm ph ra b n ngoi

C 5 vng phn ng quan trng trong sut qu tr nh l:

Tnh cht ca mng s b nh hng bi cc qu trnh tng tc xy ra trong cc

vng phn ng ny. Hn hp kh chy qua pha tr n ca b mt mng hay . Do
ng hc ca dng chy m lp bin ng st pha hi ti mng hoc . Trong
sut qu trnh lng ng cc cht phn ng pha kh hoc sn phm phn ng pha
kh c vn chuyn ngang qua lp bi n. Trong vng phn ng 1 cng nh trong
dng kh c th xy ra phn ng homogeneous ph a hi dn n s to thnh
homogeneous nucleation v k t qu l mng khng bm dnh t t v d bong ra
thnh tng mnh.phn ng heterogenous xy ra bi n gii pha hi v mng (vng
2) quyt nh tc lng ng v tnh cht ca mng
Nhit tng i cao c th c s dng trong CVD. Cc phn ng trng thi
rn khc nhau: bin i pha, s lng ng, kt tinh, pht trin ht c th xy ra
trong sut qu trnh( vng 3 v 5). Trong vng 4, l vng khu ch tn, cc pha
trung gian khc nhau c th to thnh. Phn ng trong vng ny quan trng i
vi s bm dnh ca mng vo .

4.cc c ch vn chuyn trong CVD.

a.Vn chuyn nhit:
Hu nh cc qu trnh CVD u lm vic nhit khc nhit ph ng. i khi
ch c mu b un nng (th nh bnh lnh ), trong mt s trng hp khc bung

b nung nng(thnh bnh nng). i khi cc qu trnh xy ra nhit thp( v d

lng ng ca parylene t dimer precursor).
S thay i ca nhit i hi s vn chuyn nhit (nng l ng nhit) t mt b
phn cp nhit ti mu. Nhit ca dng kh s b nh hng bi mi trng
xung quanh n (bao gm thnh bung v c nung nng), v nhit ny s
nh hng tr li phn ng ha hc pha kh.
S truyn nhit xy ra theo 3 cch ch yu:
dn nhit: s vn chuyn nhit trong cht rn ,cht lng, hoc cht kh. S truyn
nhit trong cht kh c c ch ging nh trong vn chuyn khi. vn chuyn nhit
trong cht rn c th ngh ging nh s khuch tn ca phonon (s dao ng
mng) . s dn nhit rt khc nhau trong nh ng vt liu khc nhau.
S i lu: xy ra trong mi trng cht lng hoc kh, khi c gradient nhit
dn n s gin n nhit khc nhau. C ch ny cng ging nh trong vn chuyn
khi ta s xt bn di.
Bc x nhit: xy ra ngay c trong chn khng bi s vn chuyn ca cc
photon.
b.Vn chuyn khi:
Trong CVD, s vn chuyn ca nhit hay khi l ng vt cht c c bi khuch
tn v i lu.
Ta xem hnh nh dng cht lu chy qua mt khc quanh:

Jconv:

thng lng dng i lu (dng chy ca cht lng).

Jdiff

thng lng dng khuych tn.

D
n

h s khuych tn.
nng .

Dng i lu khng th a vt cht xung xung . S lng ng( chuyn vt

cht t dng chy xung ) c c bi dng khuch tn

hin tng khuch tn:

l s dch chuyn ca vt cht khi c gradient nng .
khuch tn tnh: thng lng dng khuch tn t l vi gradent nng v
tun theo nh lut Fick 1:

J D

dn
dx

khuch tn ng: tun theo nh lut Fick 2:

C
2C
D 2
t
x

Trong C l nng ca vt cht.

h s khuch tn:

H s khuch tn D bng s phn t p v o mt phng A-A sau mt qung

ng t do trung bnh v chuyn ng vi vn tc chuyn ng nhit.

k B T 3/2
D
3 m Pa 2

D ph thuc mnh vo p sut khi p sut thp.

Hin tng khuch tn l hin tng gy ra lng ng trong CVD. Trong lp
bin ng vai tr quan trng.
di khuch tn thu c khi gii phng trnh khuch tn vi iu kin bi n
cho trc: di m qua nng gim i e ln

Ld Dt
di khuch tn c trng cho kt. N tng theo cn b c 2 ca thi gian.

Tuy nhin trong h thng hu hn ,(nh lng ng hi ha hc ) th kt qu s

thay i ph thuc vo h thng ln nh th no so vi di khuch tn .

Nu di khuch tn rt ln hn kch thc h , profile ca nng phi l

ng thng, v khng ph thuc vo thi gian.trong trng hp ny, vn tc
chy thng khng quan trng. vn chuyn ch yu l khuch tn. Nng gim
khng ng k trong bung.

Nu di khuch tn l rt nh so vi kch thc h: gradient c th rt ln, v

nng ph thuc nhiu v o thi gian. S thay i ln ca nng trong mt
vng c th khng nh hng n cc vng khc nu thi gian khuch tn ngn

 di khuch tn nh. Lc ny nng gim rt nhanh theo h m exp(-x/L )

trong bung.

hin tng i lu.

l s dch chuyn ca ca cht kh ngay c khi khng c gradient nng .
i lu thng xut hin khi c gradient nhit v cht kh trong mt th
tch ln.
Ch dng chy:
Khi qung ng t do trung bnh di hn kch thc h th dng chy trong ch
nht, nu qung ng t do trung bnh ca cht kh rt ngn h n kch thc
ca bnh phn ng th s c hai trng hp. dng chy lp nu vn tc chy nh
v dng chy ri nu vn tc chy ln. c tr ng cho ch dng chy l gi tr
ca s Reynold, Re:

Khi Re < 1100 th dng ch y theo lp, khi Re > 2100 d ng chy ri v 1100 < Re
< 2100 dng chy bao gm c dng chy lp v dng chy ri. s Reynold cho
bit tnh cht ca dng chy trong mi trng ng nhit. trong mi tr ng khng
ng nhit nh trong bnh phn ng c thnh bnh lnh th tn ti i lu t nhin
dn n dng chy ri khi vn tc chy nh.khi gradient nhit nh th khng c
s di chuyn ca cht kh, khi gradient nh it tng ln cht kh bt u chuyn
ng, ban u l dng chy lp, khi gradient nhit ln d ng chy tr ln ri
lon.

Khi p sut cao th ch dng chy l rt quan trng i vi ng

u v dy v thnh phn ca mng nhng p sut thp th khuch tn c
gia tng v ch dng chy t quan trng hn.

Khi Re nh, dng chy rt u n.

.khi Re gia tng dng tr thnh phc tp: trc tin s quay vng v xoy
xut hin v sau dng chy tr nn ri lon: khng th d on c s thay
i theo thi gian

lp bin.
Lp bin vn tc sinh ra do nht ca d ng kh v ma st gia dng kh vi
thnh bung.
Lp bin nng sinh ra do s hp ph cht phn ng v o . N gy ra gradient
nng , dn ti khuch tn.
Lp bin nng c dng tng t nh lp bin vn tc:

 dy ca lp bin c tnh theo cng thc:

x
Re

Cng vo su trong bung, lp bin cng dy do gradient n ng cng nh nn

dy mng cng khng ng u.

Do vy, ta cn t nghing song song vi b mt lp bin lm gim dy

lp bin do mng c dy ng u hn.

 dy lp bin tng khi dng kh nh v khong cch t li vo bung n

hng dng tri tng. Lp bin mng hay dy th nh hng n tc phn ng.
5. hnh dng cc profile vn tc, profile nng , profile nhit .
profile vn tc:
Cho bit s phn b ca vn tc d ng kh trong bung. profile vn tc c dng:

Khi va vo bung th kh c vn tc nh nhau, trong qu trnh vn chuyn vo

su trong bung th cc lung kh gn thnh bung b ma st vi thnh bung nn
vn tc gim, tng t cc lung kh tip theo cng b ma st vi cc lung kh ln
cn.vn tc bng khng st th nh bung v ln nht gia bung.
Trong trng hp ng dn l hnh tr v dng chy dc theo trc ca ng th s
phn b vn tc l:

 profile nhit .
Cho bit s phn b nhit ca d ng kh trong bung. profile nhit c
dng:

profile nng :
kh va vo bung c nng nh nhau, trong qu trnh vn chuyn vo su
trong bung th cc lung kh gn thnh bung khuch tn xung th nh bung,
nng ca precursor gim n n hnh thnh profile ca nng .

H s Damkohler:
Hy xem trng hp di khuch tn rt di hn kch thc h .trong trng
hp ny ,tt vn chuyn ch yu l khuch tn: s i lu ko ng k trong bung.
Nu lng ng hoc bt c phn ng n o khc xy ra ti b mt, s c mu b mt
vo thnh bung. nh vy chng ta xem ng thi xy ra s khuch tn v mt
mt bi lng ng,nh biu din bn di trong trng hp vng mng ni m
nng gn nh l hng s theo trc y v chng ta xem nh ch vn chuyn theo
trc x.

Trng hp ny thng thy trong thc t ,th d trong bnh phn ng vi n

ti p sut thp (v dng chy nh --chm hn) hoc s vn chuyn gia cc
ming trong mt bung dng ng.
S Damkohler l t s gia s tiu tn v s khuch tn ti b mt.

KH
consumptionatsurface KC
Damkohler
s s
diffusiontosurface DCH D

Ks: l hng s tiu tn b mt.

Rs: vn tc tiu tn b mt.
Rs=Ks.n
Dng khuch tn qua b rng H.
J=D(dC/dx) ~ D(C/H).

Khi s Damkohler >>1: tiu tn nhanh hn khuch tn ti b mt v nng gim

mnh ti hai thnh bung. vn tc khuch tn xung quyt nh tc lng
ng.

Khi s Damkohler << 1: tiu tn chm hn khuch tn.nng gn nh khng i

theo chiu rng bung phn ng. vn tc phn ng ti b mt quyt nh tc
lng ng.

Tng kt li cc trng hp vn chuyn c th xy ra:

Khuch tn tri hn i lu :
vn chuyn Thiele.
i lu tri hn theo trc x
v khuch tn nhanh hn
theo trc y.

i lu tri hn theo trc x,

phn ng b mt nhanh

Thng lng ca tc cht vn chuyn qua lp bin:

Thng lng dng phn ng ti b mt :

Vn tc phn ng ti b mt :

Ti nhit cao, phn ng ti b mt nhanh h n khuch tn. Vn chuyn khi b

gii hn:

Ti nhit thp, khuch tn nhanh h n phn ng ti b mt. phn ng t i b mt

b gii hn.

6. ha hc trong CVD.

ngng t:
Trong cng ngh lng ng, vic u tin l phi to ra ngun cung cp pha h i t
vt liu gc. hi s ngng t trn b mt khi tn ti pha hi qu bo ha trn
. Dng ngng t l hm ph thuc vo dng ti. ti nhit xc nh,
dng ti c mt gi tr gii hn gi l dng gii hn. khi dng ti ln hn dng
gii hn th mng c hnh thnh v nh hn th khng nhn c lng ng.
nhit cng cao th dng gii hn cng ln.
Hp ph:

Hp ph thng c chia ra thnh hp ph vt l ( lc bm dnh v bn cht

thng l lc van der Waals) v hp ph ha hc ( lin kt cng ha tr mnh
c hnh thnh gia phn t v b mt). to mng th cc nguyn t phi hp
ph ha hc ln trn . Khi cc phn t trn b mt, chng c th thay i v tr
xung quanh mt cht. V c th c cc phn ng trn b mt to thnh mng.
Chuyn ng ca nhng mu tr n b mt kim loi v bn dn l ln nht, ni m
nhng lin kt l khng nh hng, v hn ch i vi b mt in mi n i m
lin kt cng ha tr nh hng cao dn n s gi cht mt phn t mt ch
khi n b hp th ho hc. khi mt phn t hay nguy n t ti b mt, c s hp
ph n cn c nng lng ln hn ro th Ea, tng ng vi nng lng ph v
nhng lin kt trn b mt v thit lp lin kt mi.
bao ph b mt:

Mc bao ph l t s ca nhng ch hp ph trn tng s ch trn b mt.

bao ph ph thuc vo nng pha kh.

Vn tc lng ng:

S ph thuc ca vn tc pht trin m ng vo vn tc dng kh.

nh hng ca p sut n cht l ng mng.

H s khuch tn D thay i gn ng theo 1/P, P l p sut ton phn.khuch tn
s tng khi p sut ton phn h thp. tuy nhin, thi gian ph cng thay i: d ng
theo th tch ti nhit c nh v dng theo mol c nh gia tng theo 1/P. nh
vy thi gian ph t l vi P. d i khuch tn ph thuc vo p sut ton phn.
s gim p sut s hu ch cho s gia tng khuch tn. i l ng c tnh quyt
nh ngha l ph thuc v lin quan ti CVD l di Thiele : n ph thuc vo
h s khuch tn v ph thuc vo p sut .chng hn ,p sut gim, d i Thiele
tng, dn n s ng u c ci thin( nhng vn tc lng ng b gim, v vy
nng cht thp).

7.yu cu ca precursor.
Tnh cht d bay hi phi thch hp t c tc bay hi thch hp ti
nhit bay hi va phi
S bn phn ly khng xy ra trong sut qu tr nh bay hi
Khong nhit gia bay hi v lng ng lng ng m ng
tinh khit cao

 Phn ly sch m khng c s hp nht ca nhng tp cht d

Tng thch tt vi co-precursor trong s pht trin ca nhng vt liu
phc tp
Bn vi mi trng xung quanh v khng kh m
Sn xut d dng vi bn cao v gi thnh thp
Khng nguy him hoc mc nguy him thp.

Phn loi:
Thermal CVD: CVD kch ho t phn ng bng nhit. th ng c thc hin
nhit cao (trn 900oC). y l phng php u tin v c in.
MOCVD (Metal organic chemical vapor deposition ): CVD nhit nhng s dng
precursor l hp cht hu c kim loi.
PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition): s dng nng lng ca
plasma kch hot phn ng. do nhit thp h n nhiu, khong 300-500oC.
HDPCVD(lng ng hi ha hc plasma mt cao):

ALCVD: lng ng hi ha hc lp nguyn t: precursor th kh c a vo

lin tc ti b mt v l phn ng c lm sch vi kh tr hoc rt chn
khng. Phn ng ha hc dn n lng ng m ng xy ra trn ti nhit di
nhit phn hy ca precursor cha th nh phn kim loi v phn ng pha kh l
khng quan trng.
CBE(epitaxy chm ha hc): l phng php CVD chn kh ng cao, s dng
precursor hu c kim loi d bay hi v precursor th kh.

MOMBE(epitaxy chm phn t hu c kim loi): s dng precursor hu c kim

loi d bay hi v precursor bay hi t th rn. trong CBE v MOMBE, phn ng
ha hc ch xy ra trn , dn n mng n tinh th. Bi vy phn ng pha kh
khng ng vai tr quan trng trong s pht trin mng.
APCVD(lng ng hi ha hc p sut kh quyn):

Vn chuyn khi b gii hn.

Vn tc lng ng nhanh.
bao ph thp.
LPCVD(lng ng hi ha hc p sut thp):

Phn ng b mt b gii hn.

tinh khit, ng u v mc bao ph cao.
Vn tc lng ng thp.
i hi phi c h thng bm chn khng.
PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition): s dng nng lng ca
plasma kch hot phn ng. do nhit thp h n nhiu, khong 300-500oC.

L do th nht s dng plasma trong lng ng l b gy nhng phn t bn vng

v kch thch s lng ng p sut v nhit thp hn trong CVD nhit.

L do th hai l: b mt vt rn t trong plasma t in b bn ph bi cc e nng

lng cao, ng nng ca n c th thay i t mt v i eV n 100 eV. S bn
ph ion ny c nh hng n tnh cht ca mng lng ng. gia tng bn ph ion
dn n mng to thnh c kht hn v gy ra ng sut cng, mng b bin dng
nn.
Trong trng hp mng in mi, mng xp v chu ng sut ko gy ra vn v
s an ton trong sn xut. cng ngh lng n g tng cng plasma c th lng
ng mng c kht nhit hng trm . tuy nhin, ng sut nn d tha cng
c th dn n an ton km. Kh nng iu chnh ng sut thng qua s thay
i trong iu kin x l, h nh dng bung phn ng, hoc s kch thch (tn s) l
quan trng.
L do cui cng l kh nng lm sch bnh phn ng d dng. Th d, kh cha
florua (CF4) v t chy plasma c th l m sch silicon, silicon nitride, hoc
silicon dioxide t nhng bn in cc v thnh bung.
S bn ph ln b mt cng dn n s phn x. Phn x c th l ngun gc ca
nhng vt bn kim loi trong m ng PECVD.
Lng ng plasma ca nhng m ng kim loi v nhng mng dn in cao l rt
kh khn. mng lng ng dn n rt ngn bn cc in c cp nng lng
ca bnh phn ng plasma in dung, hoc s che ph ca cch in ca b nh
phn ng in cm, lm che chn bnh phn ng vi t trng.Thit b to plasma
cng thm vo ng k s phc tp v s iu khin cng phc tp.

Thermal CVD: CVD kch ho t phn ng bng nhit. thng c thc hin
nhit cao (trn 900oC). y l phng php u tin v c in.
MOCVD (Metal organic chemical vapor deposition): CVD nhi t nhng s dng
precursor l hp cht hu c kim loi.
HDPCVD(lng ng hi ha hc plasma mt cao):
ALCVD: lng ng hi ha hc lp nguyn t: precursor th kh c a vo
lin tc ti b mt v l phn ng c lm sch vi kh tr hoc rt chn
khng. Phn ng ha hc dn n lng ng m ng xy ra trn ti nhit di
nhit phn hy ca precursor cha th nh phn kim loi v phn ng pha kh l
khng quan trng.

CBE(epitaxy chm ha hc): l phng php CVD chn khng cao, s dng
precursor hu c kim loi d bay hi v precursor th kh.
MOMBE(epitaxy chm phn t hu c kim loi): s dng precursor hu c kim
loi d bay hi v precursor bay hi t th rn. trong CBE v MOMBE, phn ng
ha hc ch xy ra trn , dn n mng n tinh th. Bi vy phn ng pha kh
khng ng vai tr quan trng trong s pht trin mng.

12. cc loi bnh phn ng

a.bnh phn ng dng ng.

bnh phn ng dng ng thng c hai loi: bnh phn ng dng ng thng ng
v bnh phn ng dng ng nm ngang.b nh phn ng dng ng thng c s
dng rng ri trong qu trnh ch to cht bn dn v tnh n gin v hiu qu ca
chng. Nhng ming bn dn hnh trn c xp vo mt ci thuyn thch anh c
rnh v c x l ng lot khong 100 -200 ming trong mt gi. Mt b nh phn
ng dng ng c biu din di biu bn di. ng c ch to t thch
anh v ng knh ln ti kch th c ming bn dn mong mun.ng c
t vo hp gia nhit in tr. Hp n y c hai hoc nhiu hn cc vng gia nhit
c iu khin c lp vi nhau cho php iu khin nhit dc theo trc b nh
phn ng.

Cc ming bn dn c xp thng ng vo trong cc rnh ca thuyn thch anh.

Khong cch gia cc ming n y l nh nht gia tng s ming c th.trong
dng nm ngang thuyn c th t tr n b mt ca ng, nhng trong nhng bnh
phn ng hin i th thuyn l lng trn mt gi treo trnh s no v to thnh
ht. kh c cho vo v rt ra bng mt thit b khc gn vo ng. khi hot ng
p sut thp h thng n c lnh gii nhit v h bm chn khng trnh s tch
bi.
Bnh phn ng dng ng l bnh phn ng c thnh bnh khng nng : nhi t
nh nhau ti mi ch, v mng s lng ng ln tt c b mt ca ng. khoang
cha v cc dng c phi c lm sch nh k ngn chn s nt v v s to
thnh ht. vic lm sch c th c thc hin bng cch di chuyn ng v ngm
chng vo mt b ha cht, mc d vic lm ny c th rc ri ,tng i bn, v
t, v mt lng ln axit c phi c x l.
Cc u nhc im ca bnh phn ng dng ng:
u im:
ng u tt.
X l c nhng ln. Nhiu mt ln.
tinh khit ln.

Nhc im:
Thi gian x l di.
Cn kch thc b ln.gi phc tp, b khun g thuyn t.
i hi phi v sinh nh k.
Kh khn thc hin trong plasma.

Bnh phn ng showerhead:

Bnh phn ng loi ny s dng mt phng c nhng l nh li ti phn phi kh
phn ng nhiu hn hoc t hn mt cch ng u hn so vi mt phng song
song th hai. Nh vy mt dng c th s dng trong qu tr nh x l theo m
nhiu , nhng cng c s dng trong qu trnh x l nhng ming hnh trn
n. Mt bnh phn ng dng vi hoa sen thng c hnh dng nh :

u im:
Bnh phn ng n gin, linh ng.
Xp ti t ng d dng.
C th to mng a lp.
D dng lm sch bi plasma.
Nhc im:
ng u khng tt.cc l nh ca bnh c th b tc nghn hoc xi m n
lm gim ng u.
iu khin nhit phc tp.
Nhim bn do phng in plasma.

bnh lng ng plasma mt cao: HDP.

u im:
Mng ng u, bn, c kht, khng cn qu tr nh sau lng ng.
Nhc im:
Bnh phn ng phc tp, t tin.
Phn x c th lm hi ti cu trc mng

.
bnh phn ng p sut kh quyn c b tr vi phun
Hy kho st nhng dng bnh khc nhau. Bnh phn ng vi phun thng, s
dng h thng m p sut kh quyn,vn tc kh cao t c thi gian ph
ngn. bng cch s dng vi phun nhiu cng ngn cn s h a ln ca cc
kh phn ng cho n khi chng c phn phi vo trong vng lng ng.
loi bnh phn ng ny c th s dng mc cao hn hp kh phn ng nh
silane v oxy ti p sut kh quyn trong khi cht l ng mng vn tt.
Vng lng ng c biu din gin b n di:

Thng lng kh ln c s dng: thng lng ton phn c th l 25 slpm

200 mm. hn na, thng lng kh tr tinh khit ( nh nito) c phn phi
vo gia bung thng qua ng dn kh v ng lng ng, m bo rng kh
phn ng c cha trong vng mong mun ca bnh phn ng v c loi
b mt cch nhanh chng.
lng ng ng u trn cc ming hoc , phi c di chuyn trong
sut qu trnh lng ng. thng bng cch t tr n mt dy ai kim loi
do, ci m mang chng ti mt chui cc vi phun v tr thp hn. Cc
ming c ly ra di y h v dy ai. bnh phn ng nh vy tt cho qu
trnh lin tc: dy ai hot ng tt c mi lc, c th ti hoc d ti cc
ming s dng cc trc ln.khng c s tr ti nh bt gp trong nhng loi
bnh phn ng khc. Cng khng i hi qu trnh ht. Trong ngnh ha mng
mng thng s dng lng ng c th t c nng sut cao v gi thnh
thp. s cn bng ngha l bnh phn ng kh ln cho php cc ming c
gia nhit trc khi a vo bnh lng ng v lm lnh trc khi d ti, bi
vy mt s lng ln cc ming (khong 10 -200 mm ) trong l phn ng
bt k thi gian no. Ci t nhit l kh khn v bnh ln v dy ai vn
chuyn dn nhit km. Hu ht cc ph ng php u pht ra nhng ht d
trong pha kh thnh lp ging nh lng ng dng bt trn h thng x kh v
c phm vi nh hn trn thnh v trn bung. tuy nhin, bnh c th hot ng
vi tnh sch s rt tt, v gradient nhit ln gn cc ming: lc vn
chuyn phn t p sut kh thp (thermophoretic) dn ti ngn cn nhng
phn t tin gn n b mt ming.
u im:
Mng ng u,sch.
Nng sut cao.

Nhc im:
iu chnh nhit chm.
Din tch ph nh.
Cn phi v sinh thit b nh k.

4. nhng u im chnh
- H thit b n gin.
- Tc lng ng cao (n 1
- D khng ch hp thc ha hc ca hp cht v d dng pha tp
- C kh nng lng ng hp kim nhiu th nh phn.
- C th to mng cu trc hon thin, sch cao.
- c x l ngay trc khi lng ng bng qu tr nh n mn ha hc
- C th lng ng ln c cu hnh a dng, phc tp.

5. nhng nhc im chnh

- C ch phn ng phc tp.
- i hi nhit cao hn trong cc phng php khc.
- v cc dng c thit b c th b n m n bi cc dng hi.
- Kh to hnh linh kin mng mng thng qua k thut mt n.

6. ng dng
Phng php CVD c dng ch to mng mng:
cc cht bn dn nh:Si, AIIBVI, AIIIBV,
cc mng mng xt dn in trong sut nh SnO2,In2O3:Sn
(ITO),
cc mng mng in mi nh SiO2, Si3N4, BN, Al2O3,

cc mng mng kim loi