OpenClassrooms - Introduction Aux Semi-Conducteurs

23/10/2016
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Introduction aux semi-conducteurs
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Introduction aux semi-conducteurs
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L'utilisation des proprits des semi-conducteurs a rvolutionn nos vies. Littralement.

Vous avez souvent entendu :
"Le nouveau processeur de telle marque contient x millions de transistors".
Et bien un transistor est fabriqu base de matriaux semi-conducteurs. Donc sans semi-conducteurs, pas de transistors,
pas de processeur, pas d'ordinateur, de tlphone, de tablettes, de tlvision, de SiteDuZero... J'voque les processeurs,
mais tous les circuits actifs actuels (analogiques comme numriques) sont fabriqus base de semi-conducteurs. Toute
l'lectronique moderne les utilise. Sans eux, nous en serions certainement au calculateur 8 bit lampes de la taille d'un
hangar !
Vous comprenez bien qu'il nous faut en parler un peu, de ces fameux semi-conducteurs.
Ce chapitre contiendra des parties assez thoriques et qu'il ne sera pas ncessaire de retenir ; d'autres sections devront en
revanche tre bien comprises.
Un semi... quoi ?
Vous savez qu'il existe des matriaux capables de conduire le courant lectrique (comme le cuivre) et d'autres qui ne le
peuvent pas (comme l'air, le bois, le plastique...). Les premiers sont bien sr appels conducteurs et les seconds isolants.
Dcouvrez aujourd'hui : les semiconducteurs !
Mais qu'est-ce que c'est que ce truc-l ?
D'abord, ce n'est pas un truc, mais un matriau. Et puis je vais vous expliquer.
https://openclassrooms.com/courses/lelectroniquedezero/introductionauxsemiconducteurs
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Pour bien comprendre ce qui fait qu'un matriau est isolant, conducteur ou semiconducteur, il faut s'intresser un peu la
thorie quantique.
Un tout petit peu de physique quantique

Zoomons un peu... Zoomons beaucoup mme ! Jusqu' l'chelle atomique !
Un atome contient des nuclons (protons et neutrons) et des lectrons. Les lectrons gravitent autour d'un noyau de
nuclons.
En thorie classique de la physique, ces orbites sont elliptiques (ou circulaire), selon le modle de Bohr. Un atome
ressemble notre systme solaire, avec pour Soleil le noyau de nuclons et pour plantes les lectrons.
Dans la thorie quantique, les lectrons n'occupent pas une place dfinie, mais ont une certaine probabilit d'occuper une
rgion de l'espace autour du noyau ; cette probabilit est appele orbitale atomique. Ces orbitales sont dcrites par 3
nombres quantiques, qui dfinissent - avec un quatrime nombre appel spin - l'tat quantique de l'lectron. Pour un tat
quantique donn, l'lectron possde une nergie donne, et dans un atome, il ne peut y avoir qu'un seul lectron par tat
quantique.
Enfin, les tats quantiques sont remplis par les lectrons par nergie croissante. Pour l'atome d'hydrogne, ayant un seul
lectron, un seul niveau d'nergie sera rempli (disons E ). Dans l'atome d'hlium, ayant 2 lectrons, le niveau E sera
rempli, puis le niveau E avec E .
1
Ouf ! Tout est dit !
A retenir :
les lectrons possdent une nergie ;
au sein d'un atome, deux lectrons ne peuvent avoir la mme nergie
les orbitales atomiques sont remplies par les lectrons par niveaux d'nergie croissants.
Isolant, conduteur, semiconducteur
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Maintenant que vous avez une vague ide du modle quantique de l'atome, reprenons notre problmatique : qu'est-ce qui
rend un matriau isolant, conducteur, semi-conducteur ?
Pour cela, intressons-nous aux valeurs que peut prendre l'nergie d'un lectron.
L'nergie d'un lectron
Un lectron isol, dtach de tout atome ou de tout matriau peut prendre n'importe quelle valeur d'nergie.
Dans un atome, il ne peut prendre que des valeurs parfaitement dfinies, multiples d'un niveau fondamental, le quantum,
dfini par le physicien Max Planck.
Enfin, dans un solide - ce qui nous intresse le plus - la situation est intermdiaire : l'nergie des lectron peut prendre
toute valeur l'intrieur d'un intervalle dpendant de la structure du matriau, on parle de bandes d'nergie. Il peut
exister plusieurs bandes auxquelles l'nergie des lectrons peut appartenir : ce sont les bandes permises. A l'inverse, il ne
peut y avoir d'lectrons dont l'nergie appartient aux bandes interdites.
Chaque bande peut contenir un nombre prcis d'lectrons et, comme je l'expliquais dans le paragraphe prcdent, les
bandes sont remplis d'lectrons par niveaux d'nergie croissant.
A l'tat fondamental de la matire, c'est--dire quand la temprature tend vers le zro absolu (0 Kelvin ou -273,15C), deux
bandes ont un rle particulier :
la bande de valence est la dernire bande d'nergie compltement remplie d'lectrons ;
la bande de conduction est la bande d'nergie suprieure ou gale celle de la bande de valence, mais qui n'est pas
remplie.
L'nergie qui spare ces deux bandes est appele gap, ou band gap.
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Les lectrons appartenant la bande de valence permettent la cohsion locale d'un solide ou d'un matriau : ils
interagissent avec les atomes voisins pour rendre la structure stable.
Les lectrons de la bande de conduction sont eux dit dlocaliss : ils peuvent se dplacer au sein du matriau, d'atome en
atome, pour participer la conduction lectrique.
L'impact sur les proprits des matriaux.
Pour finalement savoir si un matriau est isolant, conducteur ou semiconducteur, il faut s'intresser aux remplissages des
bandes de valence et de conduction et la taille du gap, l'tat fondamental de la matire.
Si la bande de conduction est partiellement remplie, quelque soit la taille du gap, des lectrons au sein du matriau
participent la conduction lectrique : le matriau est conducteur ;
Si la bande de conduction est vide :
si le gap est grand (plusieurs lectrons-volt, voir ci-dessous), aucun lectron du matriau ne peut participer
la conduction : la matriau est isolant ;
si le gap est suisamment petit (de l'ordre de l'lectron-volt), le matriau est, au repos, isolant. Mais la
moindre excitation, thermique ou lectrique, permet certains lectrons de la bande de valence de franchir
le gap et le matriau devient conducteur. On parle alors de matriau semiconducteur.
Une dernire dfinition : lorsqu'un lectron quitte la bande de valence pour la bande de conduction, on dit qu'il y a
cration d'un trou : c'est une lacune en charge ngative, assimilable une charge positive.
Ca n'a pas t facile, mais on y est arriv !
Maintenant que vous savez ce que sont les matriaux semi-conducteurs, du moins en thorie, on va pouvoir s'amuser un
peu avec !
L'lectron-volt (ou eV) est une mesure physique d'nergie. Sa valeur correspond l'nergie cintique d'un lectron
acclr sur l'action d'une dirence de potentiel d'un volt.
.
Cette valeur en Joule n'est pas pratique manipuler, c'est pourquoi, en physique du semi-conducteur, on utilise
1eV = 1, 602 10
19
beaucoup l'unit eV.
Les lments semi-conducteurs
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Toute cette petite dmonstration

intressante (j'espre
Largeur duest
gapfort
(eV)
conducteurs ?
), mais concrtement, quels sont les lments semi-
Dans le tableau priodique des lments

Dans le tableau priodique des lments, les semi-conducteurs se situent dans la colonne IV.
Tous les lments de la colonne IV ne sont pas semi-conducteurs ! Cela dpend toujours de la largeur du gap au
sein du cristal.
Le Silicium, l'lment semi-conducteur le plus courant, celui dont vous avez certainement dj entendu parler, et qui
constitue la base de la trs grande majorit des circuits lectroniques actuels, de symbole Si, est le composant de numro
atomique 14. Cela signifie qu'un atome de silicium est entour de 14 lectrons en tout.
La colonne IV est mise en valeur dans l'image qui suit, et plus particulirement le Silicium, encadr en rouge.
La colonne IV dans le tableau priodique des lments - Adapt de Wikipdia
Les atomes de la colonne IV comportent 4 lectrons sur leur dernire couche lectronique, pour un nombre suprieure de
"places" (d'aprs des rgles quantiques que je ne dtaillerai pas - croyez-moi, a marche
).
Les atomes les plus stables comportent 8 lectrons sur leur dernire couche. C'est le cas pour les gaz nobles (ou
rares) de la colonne XVIII, la dernire, du tableau priodique. C'est aussi la raison pour laquelle certains lments
ont tendance former des ions, plus stables que l'lment pur, ou que les atomes s'organisent en cristaux.
Les atomes semi-conducteurs peuvent s'ordonner en cristaux trs compacts, et dans ces cristaux, les 4 places occupes se
situent dans des niveaux d'nergie bas, et les places vacantes dans des niveaux plus levs. Vous l'aurez compris, ce sont
les bandes permises, et plus prcisment, de valence et de conduction respectivement.
Une petite excitation (d'nergie suprieure celle du gap) et les lectrons migrent vers les niveaux plus levs et rendent le
cristal conducteur !
Quelques exemples de valeur de gap :
Largeur du gap (eV)
Carbone diamant
5,3
Silicium
1,12
Germanium
0,72
D'aprs les critres que nous avons tabli prcdemment, le Silicium et le Germanium sont d'excellent semi-conducteurs.
Vous l'aurez remarqu, le carbone est dans la colonne IV et la valeur du gap montre qu'il est isolant.
Je l'ai bien prcis : les lments de la colonne IV ne sont pas toujours des semi-conducteurs. Ils peuvent galement tre
isolants, comme le carbone structure diamant.
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En revanche, la structure graphite du carbone, celle de vos mines de critrium, est conductrice (vous pouvez donc utiliser
Composs III-V
Composs II-VI
vos mines comme fil lectrique si vous le souhaitez, mais attention, elles ne sont pas isoles, et elles chauent car leur
conductivit reste mdiocre et donc l'eet Joule important). Enfin, actuellement, beaucoup de recherches se font sur les
Largeur du gap
Nom
Nom
Largeur du gap (eV)
nano-tubes
de carbone, une structure
de carbone semi-conducteur
(conductrice ?).
(eV)
A l'heure actuelle, le semi-conducteur le plus utilis est le silicium, pour une raison simple : son faible cot. Il est en eet
prsent prs de 25% dans la crote terrestre, et est trs facile extraire et traiter. Si vous ne vous rendez pas compte
quel point cet lment est abondant, imaginez-vous qu'il est le composant principal du verre. Pas convaincu ? Alors ditesvous que le sable de vos plages est compos environ 25% de silicium pur ! Un chteau de sable = un ordinateur.
Les semi-conducteurs composs
Certains cristaux composs de dirents lments peuvent galement prsenter des proprits semi-conductrices. Il existe
notamment des semi-conducteurs dits III-V et II-VI. Comme vous l'aurez devin, ils sont, dans le premier cas composs
d'lments de la colonne III et de la colonne V du tableau priodique, et dans le deuxime cas composs d'lments de la
colonne II et de la colonne VI du tableau priodique.
Les colonnes II, III, V et VI dans le tableau priodique des lments - Adapt de Wikipdia
L'association d'un lment de la colonne III et d'un lment de la colonne V (ou d'un lment de la colonne II et d'un
lment de la colonne VI) peut engendrer un cristal lectriquement neutre et aux liaisons atomiques stables puisqu'il y a,
en moyenne, 4 pairs d'lectrons par atomes. Certains arrangements sont en plus semi-conducteurs.
Voici quelques exemples de semi-conducteurs composs :
Composs III-V
Composs II-VI
Nom
Largeur du gap
(eV)
Nom
Largeur du gap (eV)
Arsniure de gallium (GaAs)
1,424
Tellurure de cadmium (CdTe)
1,44
Arsniure d'aluminium (AlAs)
2,12
Oxyde de zinc (ZnO)
3,43
Nitrure de gallium (GaN)
3,43
Sulfure de zinc (ZnS)
3,54 ou 3,91 selon la structure

cristalline
Phosphure de gallium (GaP)
2,66
Slniure de zinc (ZnSe)
2,7
Nitrure de gallium-aluminium
4,5eV
Tellurure de mercure-cadmium
0,5
(AlGaN)
(HgCdTe)
La mesure des gaps de ces composs doit se faire empiriquement. Les valeurs donnes sont donc des valeurs de
gaps 300K (soit 25C environ).
Vous pouvez le constater, les combinaisons sont nombreuses. Beaucoup de ces composs restent l'heure actuelle des
sujets de recherche, car ils sont diiciles et coteux fabriquer, et leurs proprits et capacits encore mal matrises. En
outre, leur application est rarement l'lectronique logique ou petit signal, mais bien souvent l'optolectronique (diodes
laser, photorcepteur...) ou l'lectronique de puissance.
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Les semi-conducteurs intrinsques et extrinsques

Semi-conducteurs intrinsques
Dfinition
Un semi-conducteur intrinsque est un matriau semi-conducteur pur : le matriau est parfaitement rgulier et ne contient
aucune impuret.
Son comportement lectrique ne dpend alors que de sa structure et de l'excitation thermique :
0 K, le matriau est isolant ;
plus on chaue, plus le nombre d'lectrons arrach la bande de valence augmente et plus le matriau est
conducteur.
Inconvnients
D'abord, les semi-conducteurs intrinsques sont purement thoriques : aucune technique actuelle ne permet de fabriquer
des cristaux parfaitement rguliers et parfaitement monoatomique.
Ensuite, et surtout, les semi-conducteurs intrinsques ne sont pas intressants car ils prsentent une conductivit trs
faible, moins d'tre ports trs trs haute temprature.
Cette proprit est fondamentale : pour l'industrie microlectronique, il n'est pas intressant de chercher fabriquer de
semi-conducteurs intrinsques, aux proprits lectroniques dplorables ; il est bien plus intressant de contrler le niveau
d'impurets dans le matriau pour lui donner des caractristiques exploitables. On parle alors de dopage.
Le dopage chez les semi-conducteurs extrinsques
Nos semi-conducteurs prennent de l'EPO ?

Mais non, le dopage est une technique qui permet nos semi-conducteurs de "semi-conduire" plus eicacement.
Nous l'avons vu dans le paragraphe prcdent, le semi-conducteur intrinsque n'est pas exploitable. Pour pallier ces
contraintes, des "impurets" sont introduites au sein du solide lors de sa fabrication.
Ces impurets introduites sont des atomes choisis pour leur proprits physico-chimiques.
Prenez 1g de Silicium, ajouter 100mg de Gallium...
La recette utilise lors de la fabrication d'un matriau semi-conducteur extrinsques est extrmement importante
. La
quantit d'impurets notamment influe beaucoup sur les proprits du solide.

De manire gnrale, les impurets restent trs peu nombreuses par rapport au cristal pur.
Prenons l'exemple du Silicium, le semi-conducteur le plus utilis l'heure actuelle.
Un cristal de Silicium pur contient environ 5 10 atomes par cm . Lors de la fabrication de Silicium extrinsque, on
ajoute entre 10 et 10 impurets par cm , soit 1 impuret pour 100 un million d'atomes de Silicium.
22
16
22
Si les impurets sont trop nombreuses (plus d'une impuret par atome de semi-conducteur intrinsque), le solide est dit
dgnr, et ses proprits sont diicilement utilisable.
Dans le reste de cette partie, on ne considrera que des semi-conducteurs non dgnrs.
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L'influence des impurets

Ces impurets, avec leur cortge lectronique, introduisent au sein du matriau de nouveaux niveaux d'nergie. Si ces
niveaux se trouvent dans les bandes permises du semi-conducteur intrinsque, les impurets n'ont aucun impact sur les
proprits du semi-conducteur ; tout se passe comme si elles n'existaient pas. En revanche, si les niveaux se trouvent dans
la bande interdite, les impurets modifient considrablement les proprits du semi-conducteur.
Si celui-ci n'est pas dgnr, il est dit dop et les impurets sont appeles dopants.
Proprits des dopants

Souvenez-vous qu'un cristal de semi-conducteur intrinsque est, l'tat fondamental, lectriquement neutre, car les 4
lectrons de la couche externe appartiennent la bande de valence. Ils assurent la cohsion du cristal : avec leurs petits
bras muscls, les lectrons d'un atome tiennent la main aux lectrons des autres atomes autour pour que la structure reste
stable.
Plus srieusement, les atomes mettent les lectrons de leur bande de valence en commun, ils se les partagent,
de faon avoir 8 lectrons sur leur couche externe, la configuration la plus stable qui soit (j'avais dj fait une remarque
l-dessus
).
On introduit alors des dopants, qui n'ont pas le mme nombre d'lectrons sur leur couche de valence.
S'ils en ont plus, 4 de ces lectrons vont se lier avec leur petits copains des atomes de silicium autour d'eux, bien plus
nombreux, et les autres resteront libres autour de l'atome. Le cristal ne sera donc plus neutre, mais possdera un excdent
d'lectrons.
A l'inverse, si le dopant moins de 4 lectrons sur sa couche de valence, ces 1, 2 ou 3 lectrons se lieront tant bien que mal
aux atomes autour, mais un ou des lectrons des atomes de silicium seront orphelins. Encore une fois, le cristal ne sera plus
neutre, mais prsentera un manque d'lectrons.
On ne peut pas utiliser n'importe quel atome pour doper un semi-conducteur !

Les dopants sont choisis pour les niveaux lectroniques qu'ils introduisent au sein du cristal, et aussi pour leur habilit ne
pas dstabiliser la structure cristalline du matriau et en altrer les proprits mcaniques. Ainsi, on ne peut pas se
permettre d'utiliser des lments possdant plus d'un lectron en plus ou en moins que le silicium.
Les dirents dopages

Il existe donc deux types de dopants, donnant au semiconducteur des proprits lectroniques direntes :
des dopants appartenant la colonnes III du tableau priodique, possdant un lectron de moins que le silicium ;
des dopants appartenant la colonne V du tableau priodique, possdant un lectron de plusque le silicium.
Les lments dopants
Dopage de type N
Le dopage de type N consiste introduire dans le cristal de semi-conducteur des atomes appartenant la colonne V, qui
possdent donc 5 lectrons sur leur couche de valence. On appelle ces lments des dopants N.
Lorsqu'un dopant N et un semi-conducteur comme le silicium entre en contact, ils cherchent partager des paires
dlectrons. Ils peuvent ainsi partager chacun 2 paires d'lectrons, pour possder chacun 8 lectrons sur leur couche
externe.
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Un lectron du dopant est donc orphelin : il ne peut tre partag, et il ne peut occuper la bande de valence (elle est
remplie). Il quitte donc l'atome et devient un lectron libre - ou dlocalis -, capable de conduire le courant.
Le cristal prsente donc un excs d'lectrons, chargs ngativement. Le semi-conducteur est donc dit dop N, N pour
Ngatif.
Dopage de type P
Le dopage de type P consiste lui introduire dans le cristal des atomes appartenant la colonne III, qui possdent 3
lectrons sur leur couche de valence.
Dans le cristal, les atomes de silicium et de dopants P prsentent alors 7 lectrons sur leur couche externe. Il manque un
lectron sur cette couche. Cette absence d'lectrons, et donc de charge ngative, est considr comme une charge positive,
ou trou.
Cette nouvelle structure peut galement conduire le courant. En eet, sous l'action d'un chauement, d'une dirence de
potentiel..., un atome en manque d'lectron peut en recevoir un d'un autre atome, qui devient alors dficitaire en lectron.
Il y a eu un mouvement d'lectron d'un atome vers un autre (ou un mouvement de trous dans l'autre sens), par dfinition,
un courant lectrique.
Un trou est considr comme une charge positive, de mme masse qu'un lectron. Pourtant, un trou n'a aucune
ralit physique. Il modlise uniquement une absence d'lectron.
Finalement, le cristal prsente donc un dfaut d'lectrons, ou un excs de trous, chargs positivement. Le semi-conducteur
est donc dit dop P, P pour Positif.
Lorsqu'un semi-conducteur N (respectivement P) contient une importante proportion de dopants, sans tre pour
autant dgnr, il est dit dop N+ (respectivement P+).
Une structure qui possde des lectrons en trop, une autre qui il en manque... Et si on les met en contact, a fait
quoi ?
Excellente question ! C'est ce que nous allons aborder prsent !
La jonction PN
Que se passe-t-il une jonction PN ?
Dfinition
Une jonction PN reprsente la mise en contact d'une surface de cristal de semi-conducteur dop P avec une surface de
cristal de semi-conducteur dop N. Cette structure permet de raliser des diodes, dont vous verrez le fonctionnement et
l'utilit dans un prochain chapitre.
Comme je vous le disais la fin de la partie prcdent : lorsqu'un semi-conducteur N (respectivement P) contient
une importante proportion de dopants, sans tre pour autant dgnr, il est parfois dit dop N+ (respectivement
P+). Cette distinction est souvent utilise au niveau des jonctions, pour distinguer une partie plus dope qu'une
autre. On parle alors de jonction P+N ou PN+.
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Phnomne de diusion
Intressons-nous pour le moment une jonction PN simple, sans quantification du dopage.
Pour vous reprsenter la structure, voici une (jolie ?) image :
Jonction PN
Nous avons donc :

gauche, une zone P, contenant des trous.
droite, une zone N, contenant des lectrons libres.
Lorsque les deux surfaces sont mises en contact, une partie des trous et des lectrons se diusent spontanment de part et
d'autre de la jonction :
Diusion des porteurs de charges
A la jonction, un peu gauche et un peu droite, les porteurs de charges, c'est--dire les lectrons et les trous, se
neutralisent. A l'quilibre, il existe donc une zone sans charge mobile, appele zone de dpltion ou (plus souvent) zone de
charge d'espace (abrge ZCE) ; une dirence de potentiel entre la zone N et la zone P, appele potentiel de jonction
apparat galement l'quilibre. Pour les diodes base de Silicium, ce potentiel est de l'ordre de 0,6V.
La ZCE peut tre plus large d'un ct ou d'un autre selon les concentrations relatives en lectrons et en trous. Si les trous
sont en plus grandes proportion que les lectrons, ils se diuseront plus et la ZCE sera plus large dans la zone N que dans la
zone P. Inversement, si les lectrons sont majoritaires par rapport aux trous, la ZCE sera plus large dans la zone P que dans
la zone N.
Si les zones N et P sont de trs bons conducteurs (comment a pourquoi ? je viens de vous l'expliquer !
la jonction avec une zone sans porteur de charge, et donc quasiment isolante.
),on se trouve ici
a veut dire quoi "quasiment isolante" ?

Excellente question ! En ralit, la ZCE agit comme une rsistance. Plus la ZCE est large, plus la rsistance est grande. A
l'inverse, plus la ZCE est troite, plus la rsistance de la jonction est faible.
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Et ce qu'il y a d'intressant, c'est que la largeur de la ZCE ne dpend pas seulement des concentrations des porteurs de
charge, mais aussi de la polarisation de la jonction.
Polarisation d'une jonction et application

D'abord, qu'est-ce que la polarisation d'une jonction ? Il s'agit tout simplement du branchement d'un gnrateur de
tension de part et d'autre de la jonction.
Il est parfaitement possible de relier la borne positive du gnrateur la zone P et la borne ngative la zone N, tout
comme faire l'inverse. Selon le sens du branchement, on parlera de polarisation directe ou polarisation inverse, et le
comportement de la jonction sera compltement dirent.
Polarisation inverse
On dit que la jonction est polarise en inverse lorsque le ple positif du gnrateur est connect la zone N de la jonction
et que le ple ngatif est connect la zone P :
Polarisation inverse d'une jonction PN
Au moment o on connecte le gnrateur, une partie des lectrons de la zone N se dtache et est attire vers la borne + du
gnrateur. Au mme moment, des lectrons sont mis par la borne ngative du gnrateur et se combinent avec des trous
de la zone P.
Mais le nombre de trous dans la zone P est limit et il n'existe pas de trous dans la zone N pouvant migrer dans la zone P
pour remplacer ceux qui ont disparu. Les lectrons cessent donc de migrer de la borne - du gnrateur vers la zone P.
De mme, le nombre d'lectrons dans la zone N est limit et il n'existe pas d'lectrons dans la zone P pouvant migrer vers
la zone N pour remplacer ceux qui ont disparu. Les lectrons cessent donc de migrer de la zone N vers la borne + du
gnrateur.
Finalement, aucun courant ne circule dans le circuit lorsqu'il est polaris en inverse. La jonction est dite bloque.
En ralit, il existe une infime quantit de trous dans la zone N et une infime quantit d'lectrons dans la zone P, et
il existe un courant inverse. Mais celui-ci est extrmement faible, de l'ordre du nano-ampre, soit du milliardime
d'ampre, et il est donc souvent nglig.
Polarisation directe
On dit que la jonction est polarise en direct lorsque le ple positif du gnrateur est connect la zone P de la jonction et
que le ple ngatif est connect la zone N :
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Polarisation directe d'une jonction PN
Au moment o on connecte le gnrateur, les lectrons de la zone N et les trous de la zone P convergent vers la jonction
sous l'eet de la force lectromotrice du gnrateur. A la jonction, les trous et les lectrons se combinent et disparaissant.
Nanmoins, les lectrons libres de la zone N qui disparaissent sont continuellement remplacs par d'autres lectrons
provenant de la borne ngative du gnrateur. De la mme faon, les trous de la zone P qui disparaissent sont remplacs
par d'autres en provenance de la borne + du gnrateur.
Souvenez-vous que les trous ne sont qu'un modle. Un courant est physiquement un flux d'lectrons dans un
certain sens, et peut tre modlis par un flux de trous dans le sens inverse. Si vous prfrerez ne vous reprsenter
que des lectrons, imaginez que le gnrateur "aspire" des lectrons dans la zone P, et laisse donc des trous.
Il existe finalement un flux continu des charges dans le circuit : un courant continu s'tablit dans un circuit polaris en
direct.
On appelle courant direct Id le courant dans le cristal et tension directe Vd la tension du gnrateur l'origine de
l'apparition de Id.
Mais ne faut-il pas prendre en compte le potentiel de jonction ?

Je flicite ceux qui se seront poss la question ! L'explication prcdente est en fait une simplification (gnralement
suisante) du comportement relle des jonctions.
Souvenez-vous qu' l'quilibre, il existe une dirence de potentiel entre les zones N et P, d'environ 0,6V pour les jonctions
base de silicium.
Or en polarisation directe, nous appliquons une dirence de potentiel dans l'autre sens. Que se passe-t-il donc si la
tension du gnrateur est infrieure au potentiel de jonction ?
La rponse est simple : tant que Vd est infrieure 0,6V, la jonction reste bloque, car le gnrateur ne fournit pas assez
d'nergie aux porteurs pour gnrer un courant.
Conclusion
Une jonction PN :
bloque le courant si elle est polarise en inverse ;
permet le passage du courant pour une polarisation directe suprieure au potentiel de jonction.
Voici finalement la caractristique d'une jonction PN :
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Caractristique d'une jonction PN simple base de Silicium
L'explication des direntes courbures ncessite d'entrer beaucoup plus en profondeur dans la thorie des semiconducteurs. Si vous ne retenez que l'allure de cette caractristique, cela vous suira pour comprendre l'immense majorit
des circuits contentant des diodes.
Des diodes ?
Et oui ! En ralit, une jonction PN est une diode.
Vous verrez dans la partie suivante comment les utiliser. Et dans une
autre partie, vous ferez connaissance avec les transistors NPN et PNP. Vous le devinez : ce ne sont "que" deux jonctions tte
bche ! Mais chaque chose en son temps...
Dans ce long chapitre, vous vous tes familiariss avec la thorie des semi-conducteurs. La mise en place d'une telle
thorie n'est pas chose aise. J'espre avoir t le plus clair possible.
Quoi qu'il en soit, ne vous inquitez pas si vous n'avez pas absolument tout retenu. Essayez de comprendre le
fonctionnement des jonctions, c'est ce qui vous sera le plus utile pour la suite du cours.
Bon courage, les choses srieuses commencent !
L'amplification d'un signal
La diode
Les auteurs
Basil1402
olyte
Vous aimez l'lectronique ? De la thorie et beaucoup de ralisations pratiques sont sur ce site :
http://www.sonelec-musique.com/
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OpenClassrooms - Introduction Aux Semi-Conducteurs

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OpenClassrooms - Introduction Aux Semi-Conducteurs

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23/10/2016

Introduction aux semi-conducteurs

Introduction aux semi-conducteurs

Connectez-vous ou inscrivez-vous pour bnficier de toutes les fonctionnalits de ce cours !

L'utilisation des proprits des semi-conducteurs a rvolutionn nos vies. Littralement.

Un tout petit peu de physique quantique

Ouf ! Tout est dit !

Isolant, conduteur, semiconducteur

beaucoup l'unit eV.

Les lments semi-conducteurs

Toute cette petite dmonstration

), mais concrtement, quels sont les lments semi-

Dans le tableau priodique des lments

La colonne IV dans le tableau priodique des lments - Adapt de Wikipdia

Largeur du gap (eV)

Arsniure de gallium (GaAs)

Tellurure de cadmium (CdTe)

Arsniure d'aluminium (AlAs)

Oxyde de zinc (ZnO)

Nitrure de gallium (GaN)

Sulfure de zinc (ZnS)

3,54 ou 3,91 selon la structure

Phosphure de gallium (GaP)

Slniure de zinc (ZnSe)

Les semi-conducteurs intrinsques et extrinsques

Le dopage chez les semi-conducteurs extrinsques

Nos semi-conducteurs prennent de l'EPO ?

quantit d'impurets notamment influe beaucoup sur les proprits du solide.

L'influence des impurets

Proprits des dopants

On ne peut pas utiliser n'importe quel atome pour doper un semi-conducteur !

Les dirents dopages

Les lments dopants

Nous avons donc :

Diusion des porteurs de charges

),on se trouve ici

a veut dire quoi "quasiment isolante" ?

Polarisation d'une jonction et application

Polarisation inverse d'une jonction PN

Polarisation directe d'une jonction PN

Mais ne faut-il pas prendre en compte le potentiel de jonction ?

Caractristique d'une jonction PN simple base de Silicium

L'amplification d'un signal

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