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DIODE
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2.3 La diode.
2.3.1 Schma et construction.
2.3.2 Polarisation en direct.
2.3.3 Polarisation en inverse
2.3.4 Caractristiques des diodes.
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2. La Diode
2.1 Les semiconducteurs.
Un semiconducteur, comme son nom lindique, n'est pas assez conducteur pour tre
utilis comme conducteur et ni assez isolant pour re utilis comme isolant. C'est pour
cela qu'on le nomme semiconducteur.
Le matriel semiconducteur le plus rpandu est le silicium. On le retrouve sous la forme
de cristaux. Dans un solide, les atomes se rejoignent pour former des cristaux. Les liens
qui les retiennent sont dits convolents: le mme lectron est partag par deux noyaux. Un
atome de silicium a, sur sa dernire couche quatre lectrons, cest--dire quil est
ttravalent: il serait bien content d'en avoir huit. C'est pourquoi il s'associe avec quatre
autres atomes l'aide des liens covalents. La Figure 2-1 schmatise lexplication.
Le silicium comme tel est trs rsistant. l'tat pur, il n'est gure utile. On modifie la
rsistance des semiconducteurs en introduisant des impurets convenables dans leur
structure cristalline. On dit que le semiconducteur est dop. Ceci est ralis en
introduisant des atomes ayant des lectrons en plus, ou en moins, sur leur dernire
couche. Par exemple, l'arsenic, le phosphore et lantimoine en ont cinq, donc un de trop.
Le bore, le gallium et lindium en ont trois; il en manque un. Les trois premiers sont
pentavalents et les trois derniers, trivalents. Le niveau habituel de dopage va dun
atome dimpuret par 106 108 atomes de silicium.
L'addition d'un lment pentavalent cre un surplus d'lectron. Les liens tant tous
complts, les lectrons en trop peuvent se promener d'un atome l'autre. Ce type de
dopage produit un matriel semi-conducteur de type N.
L'addition d'un lment trivalent cre un manque d'lectrons qu'on appelle trous. Un
lectron manquant dans la structure cristalline laisse une place libre o un lectron peut
venir se placer en provenant du lien voisin, laissant alors un trou o il tait. Le courant
lectrique est appel un courant de trous, les trous semblant se dplacer. Ce type de
dopage produit un matriel de type P.
Les lectrons libres dans un matriel de type N et les trous dans un matriel de type P sont
appels les porteurs majoritaires du courant lectrique.
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lectron en
surplus
trou
Type N
Type P
lment pentavalent
lment trivalent
Figure 2-3
la Figure 2-3 de gauche, on vient juste de juxtaposer les deux matriaux lun ct de
l'autre. la Figure 2-3 de droite, par effet de diffusion, les lectrons du ct N traversent
du ct P et remplissent les trous. Les atomes du ct P, ayant besoin d'lectrons pour
complter leurs liens covalents les prennent. Ces atomes, tant videmment prs de la
jonction, deviennent des ions ngatifs cause de l'lectron de trop dans leur structure. De
l'autre ct, c'est--dire du ct N, les atomes ayant un lectron de trop pour complter
leurs liaisons covalentes perdent cet lectron et deviennent des ions positifs. On a alors
autour de la jonction lapparition de ce qu'on appelle un diple. Ce processus va se
continuer jusqu' ce que le champ lectrique cr par le diple soit assez puissant pour
empcher d'autres lectrons de traverser la jonction; on aura alors l'quilibre. Cet
quilibre se fait jusqu environ 0,7V.
Ainsi, les lectrons qui taient des porteurs majoritaires du ct N vont vers le ct P en
liminant ainsi aussi les trous du ct P. On a alors une zone dpourvue de porteurs
majoritaires. On appelle cette zone la zone de dpltion. Le champ lectrique provenant
du diple cre une diffrence de potentiel appele barrire de potentiel. Cette barrire de
potentiel vaut 0,7 volts pour le silicium.
Zone de dpltion
La Diode
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2.3 La diode.
2.3.1 Schma et construction.
Une diode a comme symbole celui de la Figure 2-5. La flche indique le sens que peut
prendre le courant conventionnel en direct. La Figure 2-5 reprsente galement la
construction d'une diode. Elle est la juxtaposition de matriaux semiconducteurs de types
N et P auxquels on a raccord des broches. Une diode ne laisse passer le courant que dans
un seul sens.
A: anode
B: cathode
Figure 2-5
I conventionnel
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ARRET
.
Figure 2-7
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Courbes ID VS UD.
ID
IFmax
URmax
UD
0,7V
en inverse
UFmax
en direct
e max.
eGn
e max. - VD
eRL
0,7V
en direct
UD
-es max = PIV
Figure 2-10
La Diode
en inverse
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forme
frquente
A
K
Figure 2-11: Diode lectroluminescente.
U Del
-3V
2V
en inverse
en direct
Calcul du branchement: R = ?
Idel = IR = 20mA
R
UR = 9V - 2V = 7V
9V
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