VLSI Ch1 S1-S124

Universit de Tunis El Manar
Ecole Nationale dIngnieurs de Tunis

Dpartement de gnie lectrique
Conception de Circuits VLSI

CHAPITRE 1
TRANSISTOR MOS
Leila KHANFIR
leila.khanfir@enit.utm.tn
2016/2017
CONCEPTION de circuits VLSI

?
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
INITIATION A LA CONCPETION DE
CIRCUITS INTEGRES
Soit le rseau de rsistances R suivant (toutes les
rsistances sont identiques).
1. Trouver la rsistance quivalente REQ en fonction de R.

REQ 4 5 R
(1.1)
2. Calculer REQ pour une puissance maximale consomme
de 500W en considrant une technologie 0.18m.
Technologie 0.18m U MAX 1.8V
(1.2)
U MAX REQ I 2 U I
REQ 6.48 kA
(1.3)
3. En dduire R.
R 8.1 k
4. Proposer une implmentation physique du circuit.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
CIRCUITS INTEGRES (Suite)
La conception des circuits intgrer inclut, sans se limiter , trois principales actions:
1. Identification. Cette phase repose sur des connaissances dclaratives (QUOI). Il
sagit didentifier diffrents aspect du circuit, tels que la fonction (amplification,
alimentation, mmoire, ) , les proprits (actif, passif, symtrique, ), les
diffrents tages (amplificateur, alimentation, contre-raction, ).
2. Analyse. Cette phase utilise des connaissances dclaratives (QUOI), conditionnelles
(QUAND et POURQUOI) et procdurales (COMMENT). Il sagit danalyses
qualitatives (rgimes dopration des transistors, modlisation, ) et quantitatives
(dimensionnement des transistors, calcule du point de fonctionnement et des
paramtres dynamiques, gain et bande passante du circuit, ), souvent appuyes par
des simulations.
3. Implmentation physique. Cette action se bases sur des connaissances dclaratives,
conditionnelles et procdurales. Il sagit de la phase critique de la conception,
souvent vrifie et valide laide de simulations, et lissue de laquelle le circuit
est fabriqu.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
CIRCUITS INTEGRES (Suite)
Cette action qui consiste intgrer des lments primitifs sur un mme substrat a
dbut vers les annes 1960s. Cest alors que les premiers circuits, intgrant quelques
dizaines de transistors, voir une centaine, sont apparus. Ce sont les circuits intgrs
monolithiques petite chelle, aussi appels circuits intgrs SSI (Smal-Scale
Integration).
En 1965, Gordon Moore, lun des cofondateur de Intel, a prdit que les dimensions
critiques des transistors seront rgulirement rduites tous les 1.5 2 ans. Cette
prdiction est trs rapidement devenue une loi, appele loi de Moore. Depuis plus de
30 ans, une mise lchelles des transistors seffectue tous les deux ans environ.
Ainsi, le nombre dlments intgrs double aussi tous les deux ans environ et trs
rapidement on voit apparaitre les circuits intgrs MSI (Medium-Scale Integration)
(100 1000 transistors intgrs), suivis des circuits LSI (Large-Scale Integration)
(1000 105 transistors intgrs), et enfin les circuits VLSI (Very Large-Scale
Integration) (plus que 105 transistors intgrs).
Le terme VLSI indique ainsi le processus de cration de circuits intgrs en
combinant des milliers de circuits base de transistors dans une mme puce. Les
microprocesseurs, les grandes mmoires et les circuits complexes tels que les ADCs
sont des circuits intgrs VLSI.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
OBJECTIFS GENERAUX DU COURS

Ce cours vise :
1.
2.
3.
4.
Comprendre le principe du transistor MOS, sa construction, son fonctionnement, son

modle physique et les phnomnes secondaires prendre en considration lors de la
conception.
Comprendre les diffrentes techniques et types de ralisation de circuits intgrs
(logique complmente, commute, NMOS, pseudo-NMOS, etc).
Dvelopper la capacit comprendre et concevoir des circuits numriques (portes
logiques, circuits de logiques combinatoires et squentiels, mmoires, additionneurs,
etc) base de technologie MOS selon diffrentes techniques et type de ralisation de
circuits intgrs.
Raliser les dessins physiques de circuits numriques de base laide doutils CAO
de conception de circuits intgrs tel que Cadence.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
Bibliographie
Electronique gnrale:
Sedra, Smith, Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 7th edition,
ISBN-13: 978-0199339136
Conception VLSI
Weste, Harris, CMOS VLSI Design, a circuit and system persepctive,
Addison-Wesley, 4th edition, ISBN 13: 978-0-321-54774-3
site: http://pages.hmc.edu/harris/cmosvlsi/4e/index.html
Allen, Holberg, CMOS Analog Circuit Design, Oxford University Press, 3th
edition, ISBN-13: 978-0199765072
Rabaey, Chandrakasan, Nikolic, Digital Integrated Circuits, A Design Persective,
2nd edition ISBN-13: 978-0130909961
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
1. DIODE A JONCTION PN
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
1.1. Semiconducteurs intrinsques

Les semiconducteurs sont des matriaux dont les paramtres physiques, tels que le
gap et la conductivit, se trouvent gnralement des niveaux intermdiaires par
rapport ceux des conducteurs (comme le cuivre) et les isolants (comme le verre).
Le gap est la diffrence dnergie qui existe entre la bande de valence et la bande de
conduction.
Dans le cas des bons conducteurs tels que largent (Ag), laluminium (Al) et le
cuivre (Cu), les bandes de valence et de conduction se chevauchent. Dans ce cas,
il ny a pas de gap dnergie. Laluminium est souvent utilis pour assurer les
liaisons entre les diffrents composants dans un circuit intgr.
Dans le cas des isolants, la bande de valence se situe un niveau dnergie
considrablement suprieur celui de la bande de conduction (gap > 6eV). Cest
le cas de loxyde de silicium (SiO2) qui est trs utilis pour assurer lisolation
entre les couches du circuit intgr
Dans le cas des semiconducteurs, la bande de valence se situe entre 0.2 et 5.0 eV
au dessus de la couche de conduction. Cest le cas du germanium (Ge) et le
silicium (Si). La grande majorit des circuits intgrs se fabrique actuellement
base de silicium.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
1.1. Semiconducteurs intrinsques (Suite)

Il y a deux types de semiconducteurs:
semiconducteurs lment simple tels que le germanium (Ge) et le silicium (Si)
et de la colonne IV du tableau priodique, mais aussi le slnium (Se) et le tellure
(Te) de la colonne VI,
et semiconducteurs issus de combinaisons stchiomtriques satures de plusieurs
lments. Les plus simples sont composs dlments des colonnes III et V
comme par exemple : lantimoniure dindium (InSb) ou larsniure de gallium
(GaAs). Ces composs ont une structure lectronique trs semblable celle du
silicium.
III
IV
V
VI
B
C
N
O
Al
P
S
Si
Ge
As
Ga
Se
In
Sn
Sb
Te
Tl
Pb
Bi
Po
Semiconducteur lment simple
Semiconducteur lments composs
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
10
1.1. Semiconducteurs intrinsques (Suite)

Dans le tableau suivant on retrouve les proprits des semiconducteurs les plus
utiliss.
Proprits 300 K
Si
Ge
GaAs
Nombre atomique
14
32
Ga (31), As (33)
atomes/cm3
5 x 1022
4,41 x 1022
4,42 x1022
Constante dilectrique r
11,8
15,8
13,1
Gap nergtique Eg (eV)
1,12
0,66
1,42
n (cm2/volt-sec)
1500
3900
8500
p (cm2/volt-sec)
480
1900
400
ni = pi (cm-3)
1,5 x 1010
2,4 x 1013
18 x 106
Temprature de fusion (C)
1420
936
1238
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
11
1.2. Silicium pur

Le silicium est le semiconducteur est le plus utiliss dans la fabrication de circuits
intgrs. Cest un lment de valence 4 qui tend crer 4 liens de covalence avec les
atomes voisins.
Il existe la fois une force dattraction et une force de rpulsion entre les atomes qui
les forcent se rapprocher tout en gardant leurs distance. Dans un cristal de silicium,
les atomes se placent de manire occuper le volume minimum selon un maillage
cubique centr.
Silicon Atom
2.715
Elment de base du cristal de silicium

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
12
1.2. Silicium pur (Suite)

Pour lanalyse qui suit, la reprsentation planaire (bidimensionnelles) suffit.
Les bandes de valence se forment par le partage des lectrons de valence.
A 0K toutes les bandes sont intactes et aucun lectron nest libre pour la conduction.
Reprsentation planaire du cristal de silicium 0K

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
13

Sous leffet de la chaleur, un lien peut se briser occasionnellement ce qui cre une
paire dlectron-trou. Llectron se promne librement dans le cristal jusqu ce quil
rencontre un trou qui le neutralise. Le trou peut aussi se dplacer indirectement en
absorbant un lectron voisin ce qui produit un nouveau trou juste ct, et ainsi de
suite. Cet lectron et ce trou sappellent porteurs intrinsques.
Gnration de porteurs
intrinsques
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
14

La densit dlectrons et de trous libres par unit de volume est donn par
2kT 3 2 * *
n p ni pi 2 2
mnm p
h
3 4
qEg
exp
2
kT
(1.4)
O
ni(T): densit dlectrons libres par m3 (1.45 x 1010/cm3 300 K)
pi(T): densit de trous libres par m3 = ni(T)
T : K, 0 C = 273 K
k : constante de Boltzman = 1.38 x 10-23 J/K (k/q = 8.62 x 10-5 eV/K)
h: constante de Plank = 6.63 x 10-34 J-sec (k/q = 4.14 x 10-15 eV/-sec)
m*n : masse effective de llectron = 1.1 m0 pour le silicium
m*p : masse effective du trou = 0.59 m0 pour le silicium
m0 : masse de llectron au repos = 9.11 x 10-31 Kg
Eg : nergie du Gap du silicium = 1.11 eV 300 K et 1.16 eV 0 K
q : charge de llectron = 1.6 x10-19 Coulomb.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
15

Pour une temprature T = 0 K la densit des porteurs intrinsques est nul et donc la
conductivit du silicium est nulle aussi. A mesure que la temprature augmente le
nombre des porteurs intrinsques augmente ainsi que la conductivit du
semiconducteur.
G
R
0
0
(1.5)
T
T
Dans le cas des conducteurs, le nombre des lectrons disponibles pour la conduction
augmente aussi avec la temprature. Mais, du fait de leur trs grand nombre, la
conductivit diminue mesure que la temprature augmente.
G
R
(1.6)
0
0
T
T
Densit de porteurs intrinsques
en fonction de la temprature
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
16
1.3. Silicium dop N ou P

A. Densit des porteurs
Pour obtenir du silicium de type N, on ajoute un dopant avec 5 lectrons de valence,
comme du phosphore (P) ou de larsenic (As). Ces atomes sinsre dans le maillage
du cristal de la mme manire que le silicium, sauf quil y a un lment de trop par
atome. Cet lectron est facilement dtachable et il est libre au tempratures normales
dopration des circuits. Latome du dopant devient alors un ion positif immobile,
alors il ne peut se dplacer vu quil fait partie de la structure du cristal. Ces dopants
sappellent des donneurs puisquils donnent des lectrons libres. La densit ND de
donneurs dans le substrat de silicium se situe entre 1016 et 1019 atomes/cm-3, soit entre
10-3 et 10-8 de celle du semiconducteur.
Dopage du type N
du silicium
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
17

A. Densit des porteurs (Suite)
Pour obtenir du silicium de type P, on ajoute un dopant avec 3 lectrons de valence,
comme du Bore (B). Ceci produit initialement un trou juste ct de chaque atome de
dopant, qui peut ensuite se dplacer indirectement en absorbant un lectron voisin, ce
qui cre un nouveau trou, et ainsi de suite. Latome de dopant a alors un lectron de
trop, ce qui en fait un ion ngatif immobile. Ce dopant sappelle un accepteur car il
accepte des lectron venus dailleurs. La densit NA de accepteurs dans les circuits
intgrs se situe aussi entre 1016 et 1019 atomes/cm-3, soit entre 10-3 et 10-8 de celle du
semiconducteur.
Dopage du type P
du silicium
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
18

Dans un semiconducteur dop N, la conduction se fait surtout par des lectrons qui
reprsentent les porteurs majoritaires par opposition aux porteurs minoritaires
intrinsques (trous) qui sont beaucoup moins nombreux. On appelle alors ce type de
semiconducteur matriau N pour ngatif.
Dans un semiconducteur dop P, la conduction se fait surtout par des trous qui
reprsentent les porteurs majoritaires par opposition aux porteurs minoritaires
intrinsques (lectrons) qui sont beaucoup moins nombreux. On appelle alors ce type
de semiconducteur matriau P pour positif.
Reprsentation simplifie des semiconducteurs intrinsque et dops N et P

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
19

Le nombre dlectrons peut ainsi scrire:
(1.7)
nN N D p N N D
o ND est la concentration datomes dimpuret (en cm-3),
nN est la concentration de trous majoritaires (en cm-3) dans le semiconducteur N,
pN est la concentration de trous minoritaires (en cm-3) dans le semiconducteur N.
De mme, le nombre de trous peut scrire:
pP N A nP N A
(1.8)
o NA est la concentration datomes dimpuret (en cm-3),

pP est la concentration dlectrons majoritaire (en cm-3) dans le semiconducteur P,
nP est la concentration dlectrons minoritaires (en cm-3) dans le semiconducteur P.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
20

B. Niveau de Fermi
Lnergie ou niveau de Fermi est un paramtre mathmatique introduit pour fournir
une rfrence par rapport laquelle dautres nergies peuvent tre compares. Cest le
niveau dnergie o la probabilit doccupation par un lectron est de 0.5.
Par dfinition, EF = 0 pour un semiconducteur intrinsque.
En considrant lquilibre thermique, la distribution des lectrons et des trous dans les
bandes de valence et de conduction, est donne par la distribution de Fermi-Dirac
selon:
1
E( f )
(1.9)
E EF
1 exp
kT
La distribution dnergie varie avec la temprature tel quindiqu sur cette figure.
Le centre de cette distribution correspond au niveau de Fermi.
Distribution dnergie Fermi-Dirac
des lectrons et des trous en fonction
de la temprature
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
21

B. Niveau de Fermi (Suite)
Un lectron est dans la bande
de valence lorsquil rattach
son atome.
Un lectron est dans la bande
de conduction quand il est
libre.
Dans un semiconducteur, il ny
a pas dlectrons dans lespace
entre ces deux bandes quon
appelle gap . Pour le
silicium, la largeur du gap est
de 1.1 eV 300K et elle varie
peu avec la temprature.
CHAPITRE I
Bandes dnergie des

semiconducteurs
ENIT 2016/2017
22

Pour le silicium pur 0K, tous les lectrons sont dans la bande de valence. De plus,
celle-ci est pleine car tous les atomes ont 8 lectrons dans leur dernire couche, dont 4
qui leur appartiennent et 4 emprunts aux atomes voisins (liens de covalence).
A des tempratures plus leves, il y a des lectrons qui se dtachent des atomes et un
nombre gal de trous dans ceux-ci. Dans la reprsentation des bandes dnergie, ceci
correspond des lectrons dans la bande de conduction et un nombre gal de trous
dans la bande de valence. La distribution des lectrons et des trous dans chacune de
ces deux bandes est donne par la distribution de Fermi-Dirac. Le centre de cette
distribution correspond au niveau de Fermi.
Le niveau de Fermi est nul pour un semiconducteur intrinsque.
Pour un semiconducteur de type N, il y a beaucoup plus dlectrons dans la bande de
conduction que de trous dans la bande de valence, de sorte que son niveau de Fermi
EFN est plus lev (e.g. 0.3 eV)
Pour un semiconducteur de type P cest linverse, et le niveau de Fermi EFP est moins
lev (e.g. 0.3 eV).
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
23

Lnergie de Fermi peut scrire selon:
EF q F
(1.10)
O F est lnergie de Fermi par unit de charge, aussi appele potentiel de Fermi.
Pour un semiconducteur intrinsque, le potentiel de Fermi Fi est donc nul.
Pour un semiconducteur N, le potentiel de Fermi FN peut tre calcul selon:
kT N D
FN
ln
q ni
(1.11)
Dans le cas du silicium et pour une densit de donneurs ND = 1016 atomes de

phosphore (P) ou darsenic (As) par cm3, FN = 0.39V 300 K.
Pour un semiconducteur P, le potentiel de Fermi FP peut tre calcul selon:
kT N
FP ln A
q ni
(1.12)
Dans le cas du silicium et pour une densit de donneurs NA = 2x1015 atomes de bore
(B) par cm3, FP = 0.29V 300 K.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
24

La densit de porteurs majoritaires nN et minoritaires pN dans un semiconducteur N
peuvent scrire en fonction du potentiel de Fermi FN comme:
q
q
nN ni exp FN (a) pN ni exp FN (b)
(1.13)
kT
kT
La densit de porteurs majoritaires pP et minoritaires nP dans un semiconducteur P
peuvent scrire en fonction du potentiel de Fermi FP comme:
q FP
q FP
pP ni exp
(a)
n
n
exp
(b)
P
i
kT
kT
O
ni: densit de porteurs intrinsques 1.75 x 105/cm3 T = 200 K
1.45 x 1010/cm3 T = 300 K
4.74 x 1012/cm3 T = 400 K
1.65 x 1014/cm3 T = 500 K
k : constante de Boltzman = 1.38 x 10-23 Joules-sec
kT/q = 25 mV 300 K
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.14)
25

C. Courants de drive et de diffusion
Il y a deux mcanisme distincts de mouvement de charges dans les semiconducteurs.
Il en de mme pour lcoulement de courant. On distingue alors entre courant de
drive et courant de diffusion.
Quand un champ lectrique E est tablit dans un cristal semiconducteur, les trous sont
acclrs dans le direction de E, et le lectrons sont acclrs dans la direction
oppose. Les trous acquirent alors une vitesse de drive:
v p drift p E
(1.15)
O p est la mobilit des trous.
Les lectrons libres acquirent aussi une vitesse de drive:
vndrift N E
(1.16)
O n est la mobilit des lectrons.
Dans le cas du silicium intrinsque : 480 cm2/V.s.
p 480 cm3 / Vs
n 1350 cm3 / Vs
Drive des porteurs par

action du champ E
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
26

C. Courants de drive et de diffusion (Suite)
Le courant d au dplacement de trous qui traversent une surface A est alors:
I p Aqpv p drift
(1.17)
En remplaant la vitesse de drive vp-drift par son expression on obtient:

I p Aqp p E
(1.18)
La densit de courant par unit de surface est alors:
Jp
Ip
Jn
In
qnn E
A
qp p E
(1.19)
La courant d au dplacement des lectrons travers une surface A peut tre retrouv dune
faon similaire. A savoir:
(1.20)
I n Aqnvndrift
En remplaant la vitesse de drive vn-drift par son expression on obtient:
(1.21)
I n Aqn n E
La densit de courant par unit de surface est alors:
CHAPITRE I
(1.22)
ENIT 2016/2017
27

La densit total de courant due au dplacement de charges est alors:
J J p J n q p p n n E
(1.23)
Cette densit de courant scrit aussi :

J E E
(1.24)
O est la conductivit du silicium en conduction selon:
q p p n n
(1.25)
Et la rsistivit du silicium en conduction selon:

1
1
E

q p p nn
J
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.26)
28

La diffusion de porteurs seffectue lorsque la
densit de charges nest pas uniforme dans une
pice de semiconducteur.
Si dans une barre du silicium, la densit des
trous nest pas uniforme, les trous de la zone
de forte concentration vont diffuser vers celle
de faible concentration afin de ramener la barre
un quilibre et uniformiser la densit. Ce
dplacement de trous va crer un courant
quon appelle courant de diffusion.
En considrant le cas de la figure (a),
linjection continue de trous dans la partie
gauche de la barre de silicium, fait que les
trous diffusent dans la direction x (de gauche
vers droite). Ainsi, au dbut du processus de
diffusion, mesure que x augmente, la
concentration des trous diffuss saffaiblit. Le
profile de concentration de trous tout le long la
barre est alors tel quindique la figure
(b).
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
Diffusion des porteurs due

linjection de trous dans la
barre de silicium
29

La densit de courant Jp nimporte quel point est proportionnelle la pente de la
courbe de concentration des trous diffuss. Lexpression de la densit de courant Jp
scrit alors:
dp( x)
J p qD p
dx
(1.27)
O
Dp est la constante de diffusion des trous,
p(x) est la concentration des trous au point x.
On remarque que le gradient (dp/dx) est ngatif, ce qui implique un courant positif
dans la direction de x.
Puisque aucun champ extrieur nexiste, il faut postuler lexistence dun champ
lectrique E lintrieur du semiconducteur.
dV
(1.28)
J p E qp p
dx
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
30

Si lon considre le cas de la diffusion des lectrons,
le profile de concentration des lectrons diffuss est
tel quindiqu sur la figure suivante.
Lexpression de la densit de courant des lectrons
stablit de la mme faon que celle des trous, selon:
J n qDn
dn( x)
dx
(1.29)
O
Dn est la constante de diffusion des lectrons,
n(x) est la concentration des lectrons au point x.
On remarque que le gradient (dn/dx) est ngatif
aussi, ce qui donne un courant ngatif dans la
direction de x.
Ici aussi on postule pour un champ lectrique E
lintrieur du semiconducteur.
dV
(1.30)
J n E qn n
dx
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
Concentration des lectrons

dans une barre de silicium pour
une injection dlections
x=0
31

Il existe une relation, quon appelle relation dEinstein, qui lie la constante de
diffusion la mobilit et qui scrit:
Dn D p
VT
(1.31)
n p
O VT est la tension thermique (VT = kT/q = T/11600),
T est la temprature en K.
Pour T = 300 K, VT = 25.9 mV.
En utilisant les quations (1.27), (1.28) et (1.31), on peut dmontrer que
dp
(1.32)
p
En intgrant des deux cts lquation (1.32), on peut dterminer la diffrence de
potentiel entre deux point x1 et x2, lintrieure du semiconducteur. Ainsi, on peut
crire:
dV VT
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
32

p
V2 V1 VT ln 1
p2
O
V1 est le potentiel au point x1,
p1 est la concentration des trous au point x1,
p2 est la concentration des trous au point x2,
(1.33)
Le mme raisonnement quon a fait avec la diffusion des trous peut tre fait pour les
lectrons en utilisant les quations (1.29), (1.30) et (1.31). La diffrence de potentiel
entre deux points x1 et x2 sera alors:
n
V2 V1 VT ln 2
(1.34)
n1
O
n1 est la concentration des lectrons au point x1,
n2 est la concentration des lectrons au point x2,
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
33

Les rsultats dcrits par (1.33) et (1.34) dmontrent que la diffrence de potentiel
entre les deux points ne dpend que de la concentration de charges en ces deux points
et elle est indpendante de la distance qui les spare du niveau de dopage.
En galisant (1.33) et (1.34) , on obtient:
n1 p1 n2 p2
(1.35)
Selon cette quation le produit n*p est une constante indpendante de x et donc de la
quantit de dopage, dans le cas de lquilibre thermique. Pour un semiconducteur
intrinsque on peut crire:
(1.36)
np ni2 pi2
Cest ce quon appelle la loi daction de masse. Ce raisonnement peut stendre pour
les semiconducteurs dops. Ainsi, on peut crire:
(1.37)
nN pN ni 2 pi 2 (a) et pP nP ni 2 pi 2 (b)
O
CHAPITRE I
ni 2
pn
ND
et
ni 2
nP
NA
ENIT 2016/2017
34
1.4. Jonction PN
A. Etat dquilibre
A la mise en contact des deux semiconducteurs dops P et N, les porteurs majoritaires
de la partie N, qui sont les lectrons, vont diffuser vers la partie P, o ils sont
beaucoup moins nombreux. Ces lectrons en diffusion, laissent derrire eux des trous
dans la zone N pour occuper les trous de la zone P. Ceci traduit la diffusion des trous
de la zone P vers la zone N. Le dplacement des lectrons et le dplacement des trous
seffectuent alors en sens opposs ce qui implique des courants dlectrons et de trous
dans le mme sens. Cest le courant de diffusion ID, qui va de P vers N, et qui est d
au dplacement des porteurs majoritaires.
CHAPITRE I
Jonction PN lquilibre
ENIT 2016/2017
35
1.4. Jonction PN
A. Etat dquilibre (Suite)
Les premiers lectrons diffuser sont ceux qui sont les plus proches de la zone P et ils
se recombinent rapidement avec les trous les plus proches. Il se cre alors une zone
vide charge au niveau de la jonction qui slargit progressivement. Cette zone,
appele zone vide de charge, de dpltion, dserte, ou encore dpeuple, est dlimit
par les charges diffuses de part (positives) et dautre (ngative) de la jonction. Une
diffrence de potentiel interne se cre alors entre les deux rgions ce qui implique la
cration dun champ lectrique E. Ce champ augmente mesure que la zone de
dpltion slargit sopposant ainsi au dplacement des charges majoritaires. Ainsi, le
courant de diffusion, initialement lev, diminue progressivement mesure que le
champ E augmente et que la zone de dpltion slargit.
En mme temps, la prsence du champ E acclre les porteurs minoritaires qui se
rapprochent de la zone de dpltion crant ainsi un courant de drive IS qui va de N
vers P (dans le sens oppos de ID). Ce courant tend restaurer le nombre de porteurs
majoritaires de part et dautre de la jonction et freine ainsi llargissement de la zone
de dpltion.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
36
1.4. Jonction PN
Lorsque le courant de diffusion ID diminue jusqu galiser le courant de drive IS,
ID IS
(1.38)
un tat dquilibre stablit: llargissement de la zone de dpltion cesse et le champ
E, ainsi que la diffrence de potentiel interne, se stabilisent leurs valeurs maximales
au point de contact. La diffrence de potentiel interne est appel barrire de potentiel
ou potentiel de contact 0.
Or, les potentiels de part et dautre de la jonction sont les potentiels de Fermi, ce qui
permet dcrire 0 selon :
0 FN FP FN FP
(1.39)
En remplaant les potentiels de Fermi par leurs expressions (1.11) et (1.12), 0 scrit:
nn
ND N A
pp
0 VT ln
V ln
V ln
n2 T n T p
n
i
p
(1.40)
0 varie avec la temprature cause des coefficients T et ni : 0 = 0.8V 200 K,

0 = 0.6V 300 K,
0 = 0.4V 400 K,
0 = 0.2V 500 K.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
37
1.4. Jonction PN
De point de vue bandes dnergie, ltat dquilibre, se traduit aussi par lalignement
des niveaux de Fermi. Les bandes de valence et de conduction sajustent en
consquence vis--vis de la zone dserte pour produire une dnivellation 0 selon:
q0 EFN EFP
(1.41)
Ci qui permet de retrouver (1.39).
Analyse de la jonction PN a laide des bandes dnergie
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
38
1.4. Jonction PN
A ltat dquilibre, la jonction PN se caractrise ainsi par lpaisseur de la zone
dserte (a), la distribution de charges lintrieur de cette zone (b), le champ
lectrostatique (c), et la barrire de potentiel (d).
Jonction
mtallurgique
NA
N
XP
Proprits de la jonction PN
ltat dquilibre
qNA
XN
XP
(a) Epaisseur de la zone

dserte
qND
XN
XPN
XP
ND
Epaisseur de la
zone dserte
XN
0
(b) Distribution de charges

dans la zone dserte
(c) Champ lectrostatique

dans la zone dserte
(d) Barrire de potentiel
E0MAX
FN
0
0
CHAPITRE I
FP
XN
XP 0
ENIT 2016/2017
39
1.4. Jonction PN
a. Epaisseur de la zone dserte
Si on considre que les atomes donneurs dans la zone N sont moins nombreux que les
atomes accepteurs dans la zone P (ND < NA), les atomes donneurs seront plus
parpills dans lespace que les atomes accepteurs. Or le nombre dions (les charges
reprsentes dans la figure suivante) dpend uniquement des lectrons qui ont migr
de la rgion N vers la rgion P, ce qui implique que la zone dserte contient autant
dions de part et dautre de la jonction. Il en rsulte que lpaisseur de la zone
dserte, XN, dans la rgion N est plus large que celle, XP, dans la rgion P.
Lpaisseur totale de la zone dserte est alors la somme de XN et XP, et scrit:
(1.42)
X PN X P X N
Zone dserte
dune jonction PN
pour ND < NA
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
40
1.4. Jonction PN
b. Rpartition des charges
En supposant que la rpartition des ions est uniforme, on arrive :
qN A X P qN D X N
On remarque ici aussi que si ND < NA, alors XN > XP.
(1.43)
Distribution de charge dans la zone dserte

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
41
1.4. Jonction PN
b. Rpartition des charges
A ltat dquilibre, la concentration des porteurs majoritaires, pp et nn, et
minoritaires, np et pn, est uniforme en dehors de la zone dserte.
En considrant la loi daction de masse donne lquation (1.37),
nN pN ni 2 pi 2 (a) et pP nP ni 2 pi 2 (b)
(1.37)
Pour ND < NA, nN < pP et pN > nP,
O nN = ND, pP = NA.
Concentration des porteurs lquilibre

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
42
1.4. Jonction PN
c. Champ lectrostatique interne
En utilisant la loi de Gauss, il est possible de retrouver le champ lectrostatique E
dans la jonction. Vu que la rpartition des charges est uniforme dans la zone dserte,
le champ varie linairement selon:
dE
qN
A
dx
Si
(a)
et
dE qN D
dx
Si
(b)
(1.44)
O Si est la constante dilectrique du silicium: Si = 1.04x10-10 F/m.

Le champ E0MAX qui est la jonction est :
E0 MAX
qN A
qN D
XP
XN
Si
Si
(1.45)
Champ lectrostatique
dans la zone dserte
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
43
1.4. Jonction PN
d. Barrire de potentiel
La barrire de potentiel 0 est lintgrale de E(x) et elle reprsente la surface des
triangles (figure du champ lectrostatique). Elle scrit:
X
0 XN E ( x)dx 1 2 E0 MAX X PN
P
qN A
X P X PN
2
Si
qN D
X N X PN
2
Si
(1.46)
En considrant (1.42) et (1.43), :

X PN X P X N
(1.42)
qN A X P qN D X N
(1.43)
on peut crire:
XN
CHAPITRE I
X PN
1 ND N A
(1.47)
ENIT 2016/2017
44
1.4. Jonction PN
d. Barrire de potentiel
En combinant (1.46) et (1.47), on arrive finalement :
XP
2 Si 0
ND
q N A N A ND
(1.48)
XN
2 Si 0
NA
q ND N A ND
(1.49)
2 Si 0 1
1
q N A N D
Pour plusieurs applications NA est trs diffrente de ND de sorte que:
X PN
X PN
2 Si 0
0.7m pour N 2 x1015 /cm3
qN
(1.50)
(1.51)
O N est le plus petit de NA et ND. Lpaisseur de la zone dserte de la partie la plus

dope est alors ngligeable.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
45
1.4. Jonction PN
B. Diode jonction PN
Une diode est souvent ralise partir dune jonction mtallurgique (non mcanique)
entre semiconducteur P et semiconducteur N. Pour ce faire, on choisit un substrat
(bloc semiconducteur initial dans lequel seront intgrs les diffrents composants du
circuit) de type N ou de type P (gnralement de type P).
Dans le cas dun substrat de type P, dop avec NA atomes accepteurs, en dopant
localement une zone avec ND atomes donneurs, une jonction PN se cre.
Deux contacts mtalliques sont alors ajouts au-dessus des deux zones P et N pour
connecter lanode et la cathode de la diode lextrieur de la puce.
Contact mtallique
N
Substrat P
NA (cm-3)
(a)
(b)
(a) Principe et (b) implmentation physique

dune diode jonction PN
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
46
1.4. Jonction PN
B. Diode jonction PN
Ltude tablie sur ltat dquilibre est le cas de la diode en circuit ouvert.
Pour une diode polarise en inverse la barrire de potentiel augmente, le champ E
augmente aussi et la zone dserte slargit. Dans ce cas, IS devient suprieur ID.
Pour une diode polarise en direct la barrire de potentiel diminue jusqu sannuler
(pour VF < 0), le champ E diminue aussi jusqu sannuler et la zone dserte devient
de plus en plus troite jusqu disparaitre. Pour VF < 0 , ID devient suprieur IS sans
quil ait passage dlectrons travers la diode.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
47
1.4. Jonction PN
C. Diode jonction PN polarise en inverse
Lpaisseur de la zone dserte XPN dune diode polarise inversement une tension
VR scrit comme dans (1.51) en ajoutant VR 0, ce qui donne:
2 Si 0 VR
X PN
(1.52)
qN
Lorsque le semiconducteur N est port une tension suprieure celle du
semiconducteur P en appliquant une alimentation VR aux deux bornes dune diode tel
quindiqu sur la figure suivante, la partie N sera alors alimente par des trous et la
partie P par des lectrons. La concentration des porteurs minoritaires augmente ainsi
dans les extrmits des deux rgions et le courant de saturation inverse IS augmente en
consquence. Les lectrons injects par lalimentation VR dans la partie P repoussent
alors les lectrons venant de N travers la jonction ce qui implique la diminution de
la concentration des porteurs minoritaires prs de la zone dserte.
CHAPITRE I
Jonction PN polarise
en inverse
ENIT 2016/2017
Concentration des
porteurs
48
1.4. Jonction PN
C. Diode jonction PN polarise en inverse (Suite)
Pour un VR constant, le courant de saturation augmente en fonction de la temprature
raison denviron 7.2% /C (moyenne approximative pour le silicium et la
germanium), et puisque (1.072)10 ~ 2, on peut dire que le courant de fuite double tous
les 10 C environ. Donc, si lon connait IS la temprature T1, on peut dterminer sa
valeur toute autre temprature, selon:
I S (T ) I S (T1
T T1
) 2 10
(1.53)
Si lon souhaite annuler leffet de la temprature sur IS dans lquation (1.53), il est
possible de faire varier VR en fonction de la temprature inversement IS. Au
voisinage de la temprature ambiante, on a trouv que VR devrait tre varie de
2.2mV/C (moyenne approximative pour le silicium et la germanium), mesure que
la temprature augmente.
En ralit la variation de VR et IS dpend aussi dautres facteurs comme le matriau, le
procd ou lencapsulation.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
49
1.4. Jonction PN
D. Applications de la jonction PN en non conduction
a. Capacit dune jonction PN en non conduction
Une jonction PN en non conduction peut tre vue comme un condensateur form de
deux plaques conductrices parallles spares par un dilectrique. Les deux plaques
conductrices sont les parties non dsertes des semiconducteurs. Le dilectrique est la
partie dserte dpaisseur XPN.
Il est frquent que la concentration des dopants dans lune des rgions soit trs
suprieure celle des dopants dans lautre rgion. La figure suivante montre un cas
frquent o NA >> ND. Ceci implique que XP devient ngligeable devant XPN.
Capacit dune jonction PN en non conduction

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
50
1.4. Jonction PN
Par dfinition,
dQ
C
dVR
o Q est la charge sur lune des plaques, selon (1.43),
(1.54)
qN D X N qN A X P qN X PN
(1.55)
de sorte que
dQ
d
C
qNX PN
dVR dVR
(1.56)
En remplaant XPN par son quivalent pris dans (1.52), on obtient:

C (V )
Si qN
2(0 VR )
(1.57)
o N est le plus petit de NA et ND.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
51
1.4. Jonction PN
La capacit dune jonction PN en non conduction est une capacit variable en
fonction de VR quon appelle varacteur.
Les varacteurs sont utiliss entre autre dans les rcepteurs pour synchroniser les
postes de radio.
Varacteur
Exemple: Calculer C(V) pour N = 2x1015/cm3 et T = 0.7V.
1.04 x1010 F/m 1.60 x1019 Coulomb 2 x1021atomes/m3

C
2(0.7 V )
154F/m2 pour V = 0V
39F/m2 pour V = 10V
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
52
1.4. Jonction PN
b. Effet davalanche et effet zener
Quand la tension inverse atteint une certaine valeur VB, appele tension de claquage,
la diode conduit brusquement. Ceci est d deux mcanismes de conduction
diffrents qui sont leffet davalanche et leffet zener.
Illustration de la tension Break down VB
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
53
1.4. Jonction PN
Leffet davalanche survient quand le champ lectrique la jonction est suffisant
pour acclrer les porteurs minoritaires au point de dloger des lectrons de valence
par collision. Ce qui donne un effet multiplicateur. Certaines compagnies fabriquent
des diodes qui utilisent ce principe pour amplifier les signaux des fibres optiques. La
lumire produit des paires lectron-trou qui sont amplifis par effet davalanche.
Leffet zener arrive quand le champ lectrique saccrot encore un peu plus, au point
darracher les lectrons de valence. Les diodes zener sont utilises comme
rfrences de tension dans les circuits lectroniques.
Pour le silicium, ces deux phnomnes surviennent vers E0 MAX = 3 x 107 V/m.
La tension de claquage VB pour laquelle ces deux phnomnes se produisent peut tre
calcule en considrant E0 MAX = 3 x 105 V/cm et calculer la surface des triangles
comme il a t fait pour calculer 0 dans (1.46).
0 VB 12 E0 MAX X PN
CHAPITRE I
(1.58)
ENIT 2016/2017
54
1.4. Jonction PN
XPN est lpaisseur de la zone dserte pour une polarisation en inverse. Elle peut se
calculer en utilisant (1.52).
X PN
2 Si 0 VB N A N D
qN A N D
(1.59)
En combinant (1.58) et (1.59), la tension de claquage scrit:
Si N A N D 2
E0 MAX
2qN A N D
Le courant de claquage peut se calculer selon lquation empirique:
1
I B IS
n
VD
1
VB
VB
(1.60)
(1.61)
O n est ajuste exprimentalement entre 3 et 4 pour modeler la courbure de la

fonction dans la zone davalanche. IS est le courant de saturation inverse d aux
porteurs minoritaires et qui est donn plus loin dans le paragraphe 1.4.E.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
55
1.4. Jonction PN
Exemple: Calculer la tension VB pour NA = ND = 2x1015/cm3.
1.04 x1010 F/m 2 x1021 /m3 2 x1021 /m3 3x107 V/m

VB
2 1.60 x1019 2 x1021 /m3 x 2 x1021 /m3
292V
(1.62)
En dopant 10 fois plus, on aurais -29.2V.

Exercice: trouver lquation de la tension VB dune diode PIN compose dun
matriau P, dune zone intrinsque (i.e. non dope) et dun matriau N.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
56
1.4. Jonction PN
E. Diode jonction PN polarise en direct
Si lon branche un bloc dalimentation VD aux bornes dune diode jonction PN, de
manire ce que le ct P soit une tension suprieure celle du ct N, les trous du P
et les lectrons du N sont repousss vers la jonction, o ils se recombinent. Cest-dire les lectrons de conduction retombent en valence et comblent les trous. On dit
que la jonction est polarise en direct. Pour garder la neutralit, lalimentation doit
fournir des trous par sa borne positive et des lectrons par sa borne ngative. La
concentration des porteurs majoritaires reste quasiment constante dans les deux
semiconducteurs N et P vu que ces deux rgions sont constamment alimentes en
lectrons et trous respectivement. Vue labsence de la zone vide de charge et la non
uniformit des porteurs dans les deux rgions (plus dlectrons dans N que dans P et
inversement pour les trous) les porteurs traversent librement la jonction, o un
excdent de porteurs minoritaires apparait de part et dautre de la jonction.
Jonction PN polarise en direct

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
Concentration des porteurs

57
1.4. Jonction PN
E. Diode jonction PN polarise en direct (Suite)
La figure suivante montre lexcdent de porteurs minoritaires de part et dautre de la
jonction d au dplacement de charges travers la jonction PN en conduction.
Diffusion des porteurs majoritaires travers la jonction

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
58
1.4. Jonction PN
Lquation de conduction peut se dmontrer partir de celle dune diode en quilibre.
En considrant lquation (1.40) de la barrire de potentiel dune jonction PN en
quilibre
pp
0 VT ln
p
(1.40)
n
qui peut aussi se rcrire comme
q
exp 0
pn
kT
pp
(1.63)
en appliquant une tension VD dans le sens de conduction, on trouve:

pP 0
q 0 VD
exp
pN 0
kT
CHAPITRE I
(1.64)
pP(0) est la densit de porteurs majoritaires p la jonction dans la partie P,

pN(0) est la densit de porteurs minoritaires p la jonction dans la partie N.
ENIT 2016/2017
59
1.4. Jonction PN
En divisant (1.40) par (1.64), tout en supposant que la densit de porteurs p est
uniforme travers tout le semiconducteur P jusqu la jonction (i.e. pP(0) = pP).
qV
pN 0 pN0 exp D
kT
(1.65)
Les porteurs p qui traversent la jonction crent un excdent p dans le semiconducteur

N qui est:
p'N x pN ( x) pN0
(1.66)
o x est la distance partir de la jonction et pN0 la densit des porteurs minoritaires
lextrmit du semiconducteur N.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
60
1.4. Jonction PN
Ces porteurs excdentaires se dplacent uniquement par diffusion (car il ny a pas de
champ lectrique dans le semiconducteur qui conduit) tout en se recombinant avec les
porteurs n qui sont majoritaires dans le milieu, de sorte que leur nombre dcrot
exponentiellement en sloignant de la jonction selon:
x
x
p 'N x p 'N 0 exp
p
0
p
exp
N
N0
L
L
P
P
o LP est la longueur de parcours moyen dun porteur p.
En remplaant pN(0) par son expression dans (1.65), on arrive :
qV
p 'N x p N0 exp D 1 exp
kT
LP
(1.67)
(1.68)
Lcoulement des porteurs la jonction se retrouve par lquation de diffusion selon:
J P x qDP
dp 'N x
dx
(1.69)
x 0
qui dpend de la drive de la concentration des porteurs excdentaires.

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
61
1.4. Jonction PN
En remplaant pN par son expression dans (1.68), on trouve la densit de courant d
aux trous la jonction qui est:
qDP pN0
qVD
J P 0
exp
1
LP
kT
(1.70)
En rptant le mme dveloppement pour les lectrons qui circulent en sens inverse,
on arrive :
qDN nP0
qVD
J N 0
exp
1
LN
kT
(1.71)
La densit totale du courant J(0) la jonction est la somme de JP(0) et JN(0), selon:
DP pN0 DN nP0
qVD
J 0 J P 0 J N 0 q
exp
L
L
kT

P
N
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.72)
62
1.4. Jonction PN
En multipliant (1.72) par la surface A de la jonction, on trouve le courant total ID qui
est:
qV
I D I S exp D 1
kT
O IS est le courant de saturation inverse qui est

DP p N0 DN nP0
I S qA
L
L
P
N
(1.73)
(1.74)
ni2
ni2
DP
DN

N
N
D
A
qA
LP
LN
La dure de vie P dun trou et N dun lectron peut tre calcule partir de
LP DP P
CHAPITRE I
et
LN DN N
(1.75)
ENIT 2016/2017
63
1.4. Jonction PN
Lquation (1.74) est aussi valide pour des tensions VD ngatives (i.e. lorsque la
jonction PN est polarise en inverse). Ainsi, lorsque la tension VD < 5VT, la
caractristique tend vers une asymptote la valeur du courant de saturation inverse IS.
De mme, leffet de la variation de la temprature reste tel quexpliqu auparavant.
Pour compenser les variations de IS et VT en fonction de la temprature et garder un
courant constant lorsque la temprature augment, la tension VD doit tre diminue de
2.2mV/C.
Caractristique dune diode en conduction

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
64
1.4. Jonction PN
Les diodes polarise lenvers sont frquemment utilises en circuits intgrs comme
isolant. Nous allons vrifier la qualit de cet isolant dans lexemple suivant.
Exemple:
Calculer IS pour NA = ND = 5x1015/cm3, DN = 20cm2/s, DP = 10 cm2/s, LN = 10m,
LP = 5m et A = 1000m2.1
I S 1.6 x1019 Co x 1000 x1012 m2
16
3 2
16
3 2
1.45 x10 /m
1.45 x10 /m
4 2
4 2
10 x10 m /s 5 x1021 /m3 20 x10 m /s 5 x1021 /m3
x
5 x106 m
2.69 x1015 A
10 x106 m
Ce qui correspond seulement 2.69A par m2 de section. Une jonction PN polarise

inversement est donc un bon isolant.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
65
1.4. Jonction PN
F. Applications de la diode jonction PN en conduction
a. Diode redresseuse.
La diode peut tre utilise pour changer le signal alternatif en signal continue. Elle est
utilise pour concevoir des circuits tels que les blocs dalimentation, les
dmodulateurs AM, etc.
b. Diode lectroluminescente (LED).
Une certaine quantit dnergie thermique est requise pour faire passer des lectrons
de valence conduction. Lors du passage inverse, de lnergie est libre lorsque les
lectrons de conduction retombent en couche de valence pour se combiner avec les
trous. Dans le cas du Si et du Ge, vue la faible valeur de Eg (gap) cette nergie se
retrouve dans une large zone de linfrarouge, do lchauffement de la jonction. Pour
certains matriaux (GaAs, GaP, GaAsP), cause de leur Eg plus grand, lnergie
libre se situe dans la partie visible du spectre ou dans linfrarouge rapproch. Selon
la largeur de bande de la lumire mise, on aura soit une LED ou un laser.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
66
1.4. Jonction PN
c. Pile solaire.
Si lon expose une jonction PN la lumire, des paires lectron-trou seront cres, et
viennent sajouter aux paires produites thermiquement. Cet excs de charge
minoritaire gnre une tension en circuit ouvert et un courant de court-circuit non
nuls, qui est:
I D I S qAEg LP LN
(1.76)
Les lectrons et trous ont acquis assez dnergie pour franchir la barrire de potentiel.
Si lon augmente lintensit lumineuse, les porteurs minoritaires (trous) du N et
(lectrons) du P peuvent traverser la jonction et peuvent se recombiner via la charge.
Ainsi, si lon met une rsistance entre les bornes de la jonction, une diffrence de
potentiel sera produite, et un courant passera. Dun autre ct, si lon veut annuler ce
courant, il faut imposer une tension positive qui sopposera aux dplacements des
charges minoritaires.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
67
1.4. Jonction PN
Effet photo lectrique

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
68
1.5. Jonction mtal-semiconducteur

Une jonction mtal-semiconducteur peut agir de deux faons trs diffrentes, soit
comme:
une diode Schottky
ou un contact ohmique.
Les diodes Schottky servent entre autres en logique TTL, pour augmenter la vitesse
des circuits sans accrotre dmesurment la consommation. Pour ce faire, si on les
branche entre la base et le collecteur des transistors bipolaires (avec lanode la base
et la cathode au collecteur), pour limiter la saturation des transistors vu que le seuil de
ces diodes nest que de 0.3V. Le terme LSTTL signifie low-power Schottky
Transistor Transistor Logic , et cest lune des familles les plus rpandues du TTL.
Ces diodes servent aussi en hyperfrquences cause de leur rapidit.
Dans les circuits intgrs, on a plutt besoin de contacts ohmiques pour cheminer les
signaux entre les conducteurs mtalliques (e.g. Al, Au, W) et le semiconducteur.
Application possible des

diodes Schottky
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
69

Le fonctionnement de ces jonctions, peut sexpliquer par la relation entre le potentiel
ohmique M du mtal et le potentiel SM du semiconducteur. Lnergie qM, aussi
appele travail de sortie (M est le travail de sortie par unit de charge), est celle
quil faut appliquer un matriau pour arracher un lectron et lamener linfini.
Cette nergie sera donc la diffrence entre lnergie de linfinie (0 eV) et le niveau de
Fermi dans le matriau.
On peut aussi dfinir laffinit lectronique q comme tant la diffrence entre
lnergie de linfinie (0 eV) et la bande de conduction dans le matriau.
On peut aussi noter que, pour le mtal, le niveau de Fermi se situe dans la bande de
conduction, vu quil y a beaucoup dlectrons libres.
On verra dans ce paragraphe quon a :
A. une diode Schottky quand
a. M > SN (e.g. Al/semiconducteur N)
b. M < SP,
B. un contact ohmique quand
a. M < SN (e.g. AuSb/semiconducteur N)
b. M > SP (e.g. Al/semiconducteur P).
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
70

A. Diode Schottky
a. Jonction mtal-semiconducteur pour M > SN
Pour M > SN, la relation entre les bandes dnergie des matriaux, mtal et
seminconducteur N spars, est indique la figure suivante.
Bandes dnergie des matriaux spars pour M > SN

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
71

A. Diode Schottky (Suite)
Lorsquune jonction de ces deux matriaux est ralise, les niveaux de Fermi
salignent, pour produire une barrire de potentiel et une zone dserte dans le
semiconducteur N prs de la jonction. La discontinuit de la bande de conduction la
jonction, telle quindique sur la figure (a), est due labsence de la zone dserte
dans le mtal. Cette jonction forme alors une diode Schottky qui peut servir dans
plusieurs applications comme le LSTTL.
(a) Bandes dnergie pour la jonction au repos
CHAPITRE I
(b) Barrire de potentiel
ENIT 2016/2017
(c) Jonction mtal semiconducteur N

72
pour M > SN

b. Jonction mtal-semiconducteur pour M < SP
Les mmes mcanismes de fonctionnement du cas prcdent (M > SN) se produisent
dans une jonction mtal-semiconducteur P, o M < SP, sauf que les polarits de
charges dans le semiconducteur P sont inverses.
Bandes dnergie des matriaux spars pour M < SP

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
73

La barrire de potentiel est inverse et la diode conduit dans lautre sens.
(c) Jonction mtal semiconducteur P

pour M < SP
(b) Barrire de potentiel
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
74

B. Contact ohmique
a. Jonction mtal-semiconducteur pour M < SN
Pour une jonction mtal-semiconducteur de type N avec M < SN, la relation entre
les bandes dnergie des matriaux spars est indique sur la figure suivante.
Bandes dnergie des matriaux spars pour M < SN

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
75

B. Contact ohmique (Suite)
A la cration de la jonction mtal-semiconducteur N, o M < SN, les niveaux de
Fermi salignent. Il sen suit quau niveau de la jonction la bande de conduction
descend en dessous du niveau de Fermi(figure (a)). Les lectrons viennent alors
saccumuler dans cette zone et aucune zone de dpltion ne se cre (figure (b)), de
sorte que le courant puisse passer. Cette accumulation dlectrons forme une
rsistance au passage du courant qui est appele contact ohmique.
(b) Jonction mtal semiconducteur N

pour M < SN
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
76

b. Jonction mtal-semiconducteur pour M > SP
Les mmes mcanismes de fonctionnement du cas prcdent (M < SN) se produisent
dans une jonction mtal-semiconducteur P o M > SP, sauf que ce sont des trous qui
saccumulent prs de la jonction
Bandes dnergie des matriaux spars pour M > SP

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
77

A la cration de la jonction mtal-semiconducteur P, o M > SP, les niveaux de
Fermi salignent. Il sen suit quau niveau de la jonction, la bande de valence du
semiconducteur P devient au dessus du niveau de Fermi, tel quindiqu sur la figure
(a). Les lectrons de valence peuvent alors se librer et passer ltat de conduction
laissant derrire eux des trous. Une accumulation des trous se produit alors prs de la
jonction, tel quindiqu sur la figure (b), crant ainsi un contact ohmique.

(b) Jonction mtal semiconducteur N
pour M > SP
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
78
1.6. Connectivit vers lextrieur: contact

ohmique
Les contacts ohmiques sont continuellement utiliss en circuits intgrs pour
acheminer les signaux des semiconducteurs vers le monde extrieur, en passant par
des conducteurs mtalliques. Ces contacts sont raliss de deux manires principales:
on peut choisir des matriaux adquats tel quindiqu dans la section prcdente
(1.5), de manire avoir M < SN ou M > SP, ce qui nest pas toujours possible
vu quil faudrait envisager deux mtaux diffrents pour raliser des contacts
mtalliques pour les semiconducteurs N et P, ce qui revient laugmentation du
prix de fabrication,
ou on peut doper le semiconducteur fortement localement (e.g. NA ou ND = 1020
/cm3). La zone dserte deviendra alors si mince que les porteurs pourront la
traverser par effet tunnel (e.g. Al/Semi N++ ou Al/Semi P++). Cest cette dernire
approche qui est la plus efficace et la plus courante.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
79
1.6. Connectivit vers lextrieur: contact

ohmique (Suite)
La figure suivante montre une diode de puissance qui utilise ces deux approches.
Laluminium forme un contact ohmique avec le semiconducteur P parce que M > SP.
LAuSb contient un faible pourcentage dantimoine qui rend la surface du
semiconducteur N+ aprs un recuit, ce qui en fait un contact ohmique par effet
tunnel.
Utilisation des contacts ohmiques

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
80
Rsum
La section 1 de ce chapitre prsente une description dtaille du principe de la diode
jonction PN. Cette description inclut:
1.
2.
3.
4.
Proprits gnrales des semiconducteurs,

Proprits gnrales du silicium,
Proprits gnrales du silicium dop N ou P,
Proprits gnrales et applications dune jonction PN en quilibre, en blocage et en
conduction,
5. Proprits gnrales dune jonction mtal-semiconducteur,
6. Contacts ohmiques utiliss pour connecter le semiconducteur dop lextrieur.
Diode jonction PN incluant la jonction PN et les contacts ohmiques

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
81
Rsum (Suite)
1. Proprits gnrales des semiconducteurs
Ce sont les lments de ttravalents (Ge, Si) du tableau priodiques et des
combinaisons stchiomtriques dlments tri et pentavalents (InSb, GaAs) .
Dans un semiconducteur intrinsque, le nombre des lectrons est gal au nombre des
trous, et scrit en fonction de la temprature selon:
2kT 3 2 * *
n p ni pi 2 2
mnm p
h
3 4
qEg
exp
2
kT
(1.4)
2. Proprits gnrales du silicium pur

Proprits 300 K
Nombre atomique
atomes/cm3
ni = pi (cm-3)
Constante dilectrique 11,8x0 (F/cm)
Si
14
5 x 1022
1,45 x 1010
Proprits 300 K
n (cm2/V.s)
p (cm2/V.s)
Dn (cm2/s)
104.48 x 10-14 Dp (cm2/s)
Gap nergtique Eg (eV)
1,12
Ln et Lp (m)
Temprature de fusion (C)
1420
n (ns) et p (ns)
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
Si
1350
480
34
12
1 - 100
1 - 10000
82
Rsum (Suite)
3. Proprits gnrales du silicium dop N ou P
La densit de charges dans un semiconducteur dop N
Porteurs majoritaires (lectrons dans N) nN N D pN N D
ni2
Porteurs minoritaires (trous dans N) pN
ND
La densit de charges dans un semiconducteur dop P
Porteurs majoritaires (trous dans P) pP N A nP N A
ni2
Porteurs minoritaires (lectrons dans P) nP
NA
Loi daction de masse:
np ni2 pi2
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.7)
(1.37.a)
(1.8)
(1.37.b)
(1.36)
83
Rsum (Suite)
3. Proprits gnrales du silicium dop N ou P
Energie de Fermi
EF q F
Potentiel de Fermi du semiconducteur dop N
kT N D
FN
ln
q ni
Potentiel de Fermi du semiconducteur dop P
(1.10)
(1.11)
kT N A
ln
(1.12)
q ni
La densit de porteurs nN et pN dans un semiconducteur N en fonction de FN:
FP
q
q
nN ni exp FN (a) pN ni exp FN (b)
kT
kT
La densit de porteurs pP et nP dans un semiconducteur P en fonction de FP:
q FP
q FP
pP ni exp
(a)
n
n
exp
(b)
P
i
kT
kT
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.13)
(1.14)
84
Rsum (Suite)
Densit de courant due aux lectrons dans un semiconducteur N
I
J n n qnn E
A
Densit de courant due aux lectrons dans un semiconducteur P

Ip
Jp
qp p E
A
Densit de courant due aux lectrons dans un semiconducteur P
J J p J n q p p n n E
Relation dEinstein
Dn D p
VT
n p
CHAPITRE I
(1.22)
(1.19)
(1.23)
(1.31)
ENIT 2016/2017
85
Rsum (Suite)
4. Proprits gnrales et applications dune jonction PN en quilibre, en blocage et
en conduction
Jonction PN en quilibre
Epaisseur de la zone dserte:
2 Si 0
ND
(1.48)
XP
q N A N A ND
XN
2 Si 0
NA
q ND N A ND
2 Si 0 1
2 Si 0
1
q N A N D
qN
Rpartition des charges:
X PN X P X N
qN A X P qN D X N
CHAPITRE I
(1.49)
(1.42),(1.50),(1.51)
(1.43)
ENIT 2016/2017
86
Rsum (Suite)
en conduction
Jonction PN en quilibre
Le champ lectrostatique est maximal au niveau de la jonction selon:
E0 MAX
qN A
qN D
XP
XN
Si
Si
(1.45)
Barrire de potentielle 0:
0 FN FP FN FP
(1.39)
n
N N
pp
0 VT ln D 2 A VT ln n VT ln
np
p
i

qN
X
0 XN E ( x)dx 1 2 E0 MAX X PN 1 2 A X P X PN
P
Si
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.40)
1
qN D
X N X PN
2
Si
(1.46)
87
Rsum (Suite)
en conduction
Jonction PN en blocage (polarise en inverse) avec une tension VR
Epaisseur de la zone dserte:
X PN
2 Si 0 VB N A N D
2 Si 0 VR
qN A N D
qN
(1.59), (1.46)
o N est le plus petit de NA et ND (pour NA << ND ou ND << NA).

Capacit de la jonction:
Si qN
C (V )
2(0 VR )
o N est le plus petit de NA et ND (pour NA << ND ou ND << NA).
(1.57)
Pour le silicium, Leffet zener et leffet davalanche surviennent vers :

E0 MAX = 3 x 107 V/m.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
88
Rsum (Suite)
en conduction
Jonction PN en blocage (polarise en inverse)
La tension de claquage:
N ND 2
VB Si A
E0 MAX
2qN A N D
(1.60)
Le courant de claquage:
1
I B IS
n
(1.61)
VD
1
VB
o n un paramtre empirique entre 3 et 4.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
89
Rsum (Suite)
en conduction
Jonction PN en conduction (polarise en direct avec VD)
La densit de courant due au dplacement des trous de P vers N:
qDP pN0
qVD
J P 0
exp
1
LP
kT
(1.71)

La densit de courant due au dplacement des lectrons de N vers P:
qDN nP0
qVD
J N 0
exp
1
(1.70)
LN
kT
La densit de courant totale travers la jonction:
DP pN0 DN nP0
qVD
J 0 J P 0 J N 0 q
1
exp
LN
kT
LP
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.72)
90
Rsum (Suite)
en conduction
Jonction PN en conduction (polarise en direct avec VD)
Le courant travers une jonction de surface A est alors:
qV
I D I S exp D 1
kT
(1.73)
o IS courant de saturation selon:

DP p N0 DN nP0
I S qA
L
L
(1.74)
P
N
2
2
ni
ni
D
D
P

N
N
N
D
A
qA
LP
LN
La dure de vie P dun trou et N dun lectron peut tre calcule partir de:
(1.75)
LP DP P et LN DN N
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
91
Rsum (Suite)
5. Proprits gnrales Proprits gnrales dune jonction mtal-semiconducteur
Selon le type de mtal, la jonction mtal semiconducteur se comporte comme:
une diode Schottky:
a. M > SN (e.g. Al/semiconducteur N)
b. M < SP,
un contact ohmique:
a. M < SN (e.g. AuSb/semiconducteur N)
b. M > SP (e.g. Al/semiconducteur P).
o M est le travail de sortie (work function) du mtal
6. Contacts ohmiques utiliss pour connecter le semiconducteur dop lextrieur
Si on utilise de laluminium (Al), la jonction mtal-semiconducteur P est un contact
ohmique. Un contact ohmique peut aussi tre ralis de la mme faon avec un
semiconducteur N++ o la zone dserte deviendra si mince que les porteurs pourront
la traverser par effet tunnel (e.g. Al/Semi N++ ou Al/Semi P++).
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
92
2. TRANSISTOR MOS
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
93
2.1. Principe de fonctionnement

A. Symboles
Le transistor effet de champ grille isole MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor
Field Effect Transistor) peut tre de type NMOS ou PMOS selon le type de canal.
Dans un transistor MOSFET, un canal, de type N (form par des lectrons) ou de type
P (form par des trous), se forme entre le drain et la source par effet de champ. la
grille est physiquement spare du canal par une couche disolant et elle est forme
par un matriau conducteur (mtal ou semiconducteur fortement dop). Le transistor
est alors command par effet de champ en appliquant une diffrence de tension entre
la grille et source.
Les transistors MOSFET sont soit enrichissement ou appauvrissement de canal.
Les plus utiliss sont les transistors MOSFET enrichissement de canal et ils oprent
avec des tensions VSG et VDS positives. Alors que les transistors MOSFET
appauvrissement de canal oprent avec une tension VSG ngative et une tension VDS
positive.
Dans cette section on dcrit le transistor MOSFET enrichissement de canal quon
appellera simplement transistors MOS. Les autres transistors (MOSFET
appauvrissement de canal) fonctionnent dune faon plus ou moins similaire.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
94

A. Symboles (Suite)
On utilise souvent les symboles suivants pour les transistors MOS dans la conception
de circuits intgrs.
Symboles des transistors MOS enrichissement de canal o (a) VBS 0, (b) Bulk au
potentiel le moins lev pour les NMOS et au potentiel le plus lev pour les PMOS, (c)
symboles b simplifis et utiliss dans la conception de circuits analogiques, (d) symboles b
simplifis et utiliss dans la conception de circuits numriques
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
95

B. Configuration physique
a. Transistor NMOS
La figure suivant dcrit la constitution physique du transistor NMOS. Si lon
considre un substrat de type P (semiconducteur dop P), le drain et la source sont
construits en dopant fortement localement deux zone N+ (le + signifie fortement
dop) spares dune distance L. Un canal de largeur L pourra alors se former sous le
canal dans la partie du silicium entre ces deux zones.
Configuration physique simplifie dun transistor NMOS: (a) vue en perspective et

(b) vue de section
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
96

B. Configuration physique(Suite)
Une couche disolant, gnralement de loxyde de silicium SiO2, qui est un trs bon
isolant, est alors dpose au dessus de la zone du canal (de largeur L). Une couche de
polysilicium (silicium polycristallin o plusieurs petits cristaux de silicium sont
rangs dune faon alatoire, par opposition au substrat qui est form partir de
silicium monocristallin) fortement dop, sera par la suite dpose sur la couche
disolant pour former la grille.
Des mtaux seront par la suite dposs sur les zones de drain, source, grille et substrat
pour relier ces diffrentes parties lextrieur.
On note quil ny a pas de diffrence visible entre le drain et la source. Cest en
polarisant le composant quon pourra dfinir la source comme tant la borne qui
gnre les lectrons et les transmet au drain travers un canal N. Ainsi, la source
correspond la borne du transistor NMOS o la tension est la plus basse.
Le substrat P forme des jonctions parasites (non voulues) PN avec le drain N+, la
source N+ et le canal N (sil existe). Afin dviter la mise en conduction de ces
lments parasites qui fausseront le fonctionnement du circuit, on doit les polariser en
inverse. Ceci revient polariser le substrat au potentiel le moins levs du circuit
moyennant la quatrime borne Body . Il sera ainsi isol des autres parties.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
97

B. Configuration physique (Suite)
En considrant la rsistance du semiconducteur, la polarisation du substrat doit se
faire proximit des drain et source. Au lieu dutiliser une seule borne Body pour
tout le circuit, on en cre un proximit du drain ou de la source de chaque
composant. Pour ce faire, une zones fortement dopes P+ peut tre rajoute ct de
lune des deux zones N+ (drain ou source), en dehors de la zone du canal tel quil est
indiqu sur la figure suivante. On rajoute alors du mtaux la zone P+ pour former un
contact de polarisation (moins rsistif) du substrat quon mettra au potentiel le moins
lev. Ce contact est appel Body Plugs ou Split Contact .
Ajout des split contacts au transistor NMOS

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
98

b. Transistor PMOS
Les transistors PMOS sont tout fait semblables aux NMOS, sauf que les types de
semiconducteurs sont inverss. Ainsi, si lon considre un substrat N, les drain et
source seront forms avec des zones P+ tel quil est indiqu sur la figure suivante.
Les porteurs du canal sont alors des trous et la source est porte une tension
suprieure celle du drain.
Les circuits uniquement en PMOS sont rarement utiliss, car ils sont 2 fois plus lents
que ceux en NMOS (les trous sont plus lents que les lectrons).
B
n+
Configuration physique simplifie dun transistor PMOS

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
99

c. Circuit CMOS
Le CMOS utilise la fois des transistors NMOS et PMOS. Le substrat peut tre soit
de type N ou de type P. Sil est de type P, les transistors NMOS peuvent tre construits
directement dedans. Pour les PMOS, il faut dabord changer localement le type de
substrat aux endroits o ils sont situs, en faisant des cassons N par diffusion
profonde. Lisolation entre les caissons et le substrat est maintenue par polarisation
inverse des jonctions PN, laides des split contacts .
Configuration physique des transistors NMOS et PMOS dans un substrat P

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
100

Une vue en perspective de limplmentation des deux transistors NMOS et PMOS
dans un substrat P est la suivante.
Vue en perspective de la configuration physique des transistors

NMOS et PMOS dans un substrat P
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
101

La figure suivante prsente un exemple dimplmentation dun inverseur CMOS dans
un substrat N.
(a) Schma lectrique, (b) layout et (c) circuit fabriqu dun inverseur CMOS
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
102

Linverseur CMOS tant constitu dun transistor NMOS et dun transistor PMOS
peut tre implment (dimensionnement des transistors et dessins de masques)
comme la figure prcdente. La fabrication dun tel circuit seffectue couche par
couche en utilisant un certains nombre de masques. Le dessin de masques, aussi
appel layout, consiste donc dessiner les diffrentes couches sous forme de masques
( chaque couche correspond un masque) qui vont tre utilis dans la fabrication du
circuit intgr.
Lisolation lectrique entre les caissons et le substrat est maintenue par polarisation
inverse des jonctions PN. Ainsi, en visualisant la figure prcdente, il apparait que des
split contacts sont raliss pour connecter le substrat lalimentation +5V et le
caisson N la masse.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
103

C. Polarisation et rgimes de fonctionnement
Quand la tension sur la grille VG est nulle, la densit des porteurs est uniforme dans le
substrat sous la grille. Vu quil sagit dun substrat P, il y a plus de trous que
dlectrons (pP > nP).
(a) Densit de charge sous la grille pour VG = 0

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
104

C. Polarisation et rgimes de fonctionnement (Suite)
Quand la tension sur la grille VG est ngative, la grille devient charge ngativement.
La couche doxyde tant trs mince, les lectrons libres dans le substrat sous la grille
sont alors repousss par effet de champ. Ceci implique que la concentration des
lectrons la surface du substrat diminue exponentiellement mesure quon
sapproche de la surface. Tandis que la concentration de trous augmente
exponentiellement.
Densit de charge sous la grille pour VG < 0

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
105

Quand la tension sur la grille VG est positive mais assez faible (reste infrieure une
certaine tension seuil VTX ~ 0.6V), la grille devient charge positivement, ce qui attire
les lectrons libres dans le substrat sous la grille par effet de champ. Ceci implique
que la concentration des lectrons la surface du substrat augmente
exponentiellement mesure quon sapproche de la surface sans dpasser celle des
trous. Cette dernire (la concentration de trous) diminue exponentiellement.
Distribution des porteurs pour 0 < VG < VTX

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
106

Lorsque VG = VTX, la densit des porteurs minoritaires (lectrons) la surface devient
gale celle des porteurs majoritaires (trous). Ceci engendre linversement du
substrat sous la grille de P en N. Cest le point dinversion qui correspond, par
dfinition, au dbut de la formation du canal dans les transistors MOS.
Distribution des porteurs au point dinversion (VG = VTX)

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
107

Au-del du point dinversion, pour VG > VTX, les porteurs N deviennent en excs au
niveau de la surface. Ceci permet de crer un fort courant mme pour une tension VDS
assez faible.
Distribution des porteurs au-del du point dinversion (VG > VTX)

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
108

Selon la polarisation de la grille, drain et source, les phases de fonctionnement dun
transistor MOS sont les suivantes.
a. Conduction nulle pour VGS < VTX,
b. Rgime linaire pour VGS > VTX et VDS ~ 0,
c. Rgime de transition pour VGS VTX et VDS < VGS VTX,
d. Rgime satur pour VGS VTX et VDS > VGS VTX.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
109

a. Conduction nulle
Ainsi, pour une tension de grille VG infrieure une tension seuil VTX (~ 0.6V), le
circuit entre la source et le drain est compos de deux diodes PN+ en opposition ce
qui empche toute conduction.
(1.77)
I DS 0
Transistor MOS en non conduction
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
110

b. Rgime linaire
Pour une tension de grille VG = VTX (i.e. ~0.6V), le champ lectrique sous la grille
attire suffisamment de porteurs minoritaires N prs de la surface pour inverser le
semiconducteur, ce qui cre un canal de type N. Comme il ny a plus de jonctions PN
entre la source et le drain, le courant peut passer.
Quand VG > VTX et que la diffrence de tension VDS entre la source et le drain est trs
faible, le champ lectrique entre la grille et la surface du semiconducteur est
uniforme, ce qui donne un canal dpaisseur constante. Le transistor est alors en
rgime linaire. La zone dserte sous le canal est galement dpaisseur uniforme,
comme pour une jonction PN en polarisation inverse.
Transistor MOS en rgime linaire (VGS=1.5V)

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
111

On peut considrer un transistor en rgime linaire comme un condensateur deux
plaques parallles qui sont la grille et le canal. Cette capacit scrit:
SiO2 LW
CG
(1.78)
TOX
o
SiO2: est la constante dilectrique de loxyde SiO2 = 3.45 x 10-12 F/m,
L: longueur du canal (e.g. 1m),
W: largeur du canal (e.g. 250nm),
TOX: paisseur doxyde de grille (e.g. 1 = 10-10m)
On peut alors dfinir la capacit grille/canal par unit de surface comme tant:
SiO2
COX
TOX
(1.79)
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
112

Le nombre de charges ngatives QN dans le canal est gal au nombre de charges
positives dans la grille. On peut alors crire:
QN V(GrilleCanal ) Effective CG VGS VTX CG
(1.80)
o V(Grille-Canal)Effective : la tension effective entre la grille et le canal. Cest la tension
VGS dont on soustrait VTX, car en de de VTX, il ny a pas de canal.
Le courant IDS dans le canal est le dbit des porteurs en Coulombs par seconde, selon
(1.81)
Q
I DS N
o
: la temps de transit des porteurs de la source au drain,
Ce temps de transit est donn par:
L
L
L2
N E N VDS NVDS
(1.82)
L
CHAPITRE I
N: la mobilit des lectrons dans le semiconducteur (e.g. 1350 cm2/V.s),

E: le champ lectrique longitudinal entre la source et le drain = VDS/L.
NE: la vitesse des porteurs.
ENIT 2016/2017
113

En combinant les quations (1.78) et (1.80), puis en incorporant le rsultat dans (1.81)
avec (1.82), on obtient:
N SiO2W
(1.83)
W
I DS
V
V
V
C
V
V
V
GS TX DS N OX GS TX DS
TOX L
L
o
COX: la capacit de grille/canal par unit de surface,
On peut dfinir le paramtre de transconductance kn pour un NMOS comme:
kn ' N COX
(1.84)
Lquation (1.83) peut alors scrire:

I DS kn '
W
VGS VTX VDS
L
(1.85)
On en dduit la conductance gDS du canal qui scrit:

W
g DS kn ' VGS VTX
L
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.86)
114

Le transistor en rgime linaire agit ainsi comme une rsistance variable contrle par
VGS. Cette rsistance scrit:
rDS
kn 'W VGS VTX
(1.87)
Ce qui permet de retrouver la caractristique i-v pour une faible tension VDS.
Caractristique i-v pour une faible tension vDS

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
115

c. Rgime de transition
Si lon augment VDS, la diffrence de tension entre la grille et la surface du
semiconducteur diminue en allant vers le drain, de sorte que le canal va en
samincissant. Le transistor est alors en rgime de transition. Lpaisseur de la zone
dserte sous le canal saccrot vers le drain, car la jonction PN est de plus en plus
polarise inversement.
Transistor MOS en rgime de transition

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
116

Le rgime de transition stablit une tension VDS non nulle pour laquelle la tension
grille/drain reste suprieure VTX, cest--dire pour
VGD VGS VDS VTX VDS VGS VTX
(1.88)
On supposant que la tension saccroit linairement en allant de la source au drain, on

peut dire que la tension moyenne entre les bornes du condensateur est:
V VGD
V
VGmoyen GS
VGS DS
2
2
(1.89)
Si on remplace le VGS de (1.85) par le VGmoyen de (1.89), on obtient lquation du
courant du transistor en rgime de transition selon:
2
VDS
W
I DS kn ' VGS VTX VDS
(1.90)
L
2
Ainsi, lquation du courant du transistor en rgime linaire (1.85) est un cas
particulier de (1.90) quand VDS tend vers zro.
Lquation (1.90) nest valable que jusqu la saturation qui correspond au maximum
de la fonction. Dpass ce maximum, le modle mathmatique nest plus valable car
le principe de fonctionnement du transistor change.
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
117

d. Rgime de saturation
Quand la diffrence de tension entre la grille et le semiconducteur prs du drain, VGD,
atteint VTX, on assiste ltranglement du canal qui ne rejoint plus le drain. On parle
alors de pinch-off du canal. La tension dtranglement entre la source et le drain va
saturer le courant du drain et lempcher daugmenter. Le transistor est alors en
rgime satur. Il continue quand mme conduire car le champ longitudinal dans
lespace sans canal est fort vu que la distance est trs courte.
Transistor MOS en rgime de saturation

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
118

La figure suivante montre la relation entre les potentiels dun NMOS satur et
lintensit du champ grille/canal. La force du champ est indique par la densit des
lignes parallles verticales sous la grille qui est proportionnelle la diffrence de
tension entre la grille et le canal (i.e. VG VCanal).
Le canal cesse dexister l o VG VCanal = VTX. La tension du canal monte dune
faon exponentielle vers le drain cause de son profile triangulaire, et dans laquelle
circule un courant uniforme ID.
Champ lectrostatique sous la grille et potentiels dun transistor NMOS satur

CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
119

le rgime satur stablit pour une tension VDS non nulle pour laquelle la tension
grille/drain devient infrieure VTX, cest--dire pour
VGD VGS VDS VTX VDS VGS VTX
(1.91)
Le canal ne rejoint plus le drain, mais le gap (distance entre le canal et le drain)
reste trs faible. Pour toute tension VDS > VGS VTX, la longueur du canal peut alors
scrire:
L L
(1.92)
Il existe ainsi une tension effective entre les deux extrmit du canal qui reste fixe
lorsque VDS augmente. Cette tension correspond la tension de saturation qui scrit:
VDeffective VDS ( SAT ) VGS VTX
(1.93)
Physiquement, cest comme si le canal tait presque la longueur L, avec une tension
fixe VDS(SAT) entre ses extrmits.
Pour trouver le courant IDS la saturation, on remplace le terme VDS de lquation
(1.90) par VDS(SAT) de lquation (1.93), ce qui donne:
I DS
CHAPITRE I
kn ' W
VGS VTX 2
2 L
(1.94)
ENIT 2016/2017
120

La caractristique du transistor pour les trois rgimes dopration sont donnes sur la
figure suivante.
Caractristiques iD-vDS dun transistor NMOS en technologie

CMOS3 DLM de Northern Telecom avec W = L = 3m
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
121

Les PMOS peuvent aussi se modeler de la mme manire laide des quations
prcdentes en remplaant IDS par ISD, VGS par VSG, VDS par VSD, et N ~ 1350 cm2/V.s
par P ~ 480 cm2/V.s.
Les paramtres de transimpdance sont:
NMOS k ' N N COX
(1.84)
(1.95)
PMOS k 'P PCOX
Rgime de non conduction (cuttof)

NMOS I DS 0
(1.77)
(1.96)
PMOS I SD 0
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
122

Rgime linaire (triode) vDS ~ 0
W
VGS VTX VDS
L
W
kn ' VSG VTX VSD
L
NMOS I DS kn '
PMOS I SD
Rgime transitoire (triode) vDS VGS VTX

2
VDS
W
NMOS I DS kn ' VGS VTX VDS
L
2
2
VSD
W
PMOS I SD kn ' VSG VTX VSD
L
2
(1.85)
(1.97)
(1.90)
(1.98)
Rgime satur (saturation) vDS VGS VTX
kn ' W
VGS VTX 2
2 L
k 'W
n
VSG VTX 2
2 L
NMOS I DS
PMOS I SD
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
(1.94)
(1.99)
123

Caractristique du transistor NMOS
Caractristique du transistors PMOS
CHAPITRE I
ENIT 2016/2017
124

VLSI Ch1 S1-S124

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Universit de Tunis El Manar

Ecole Nationale dIngnieurs de Tunis

Conception de Circuits VLSI

CONCEPTION de circuits VLSI

1. Trouver la rsistance quivalente REQ en fonction de R.

OBJECTIFS GENERAUX DU COURS

Comprendre le principe du transistor MOS, sa construction, son fonctionnement, son

1.1. Semiconducteurs intrinsques

1.1. Semiconducteurs intrinsques (Suite)

1.1. Semiconducteurs intrinsques (Suite)

Gap nergtique Eg (eV)

Temprature de fusion (C)

1.2. Silicium pur

Elment de base du cristal de silicium

1.2. Silicium pur (Suite)

Reprsentation planaire du cristal de silicium 0K

1.2. Silicium pur (Suite)

1.2. Silicium pur (Suite)

1.2. Silicium pur (Suite)

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

Reprsentation simplifie des semiconducteurs intrinsque et dops N et P

1.3. Silicium dop N ou P

o NA est la concentration datomes dimpuret (en cm-3),

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

Bandes dnergie des

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

Dans le cas du silicium et pour une densit de donneurs ND = 1016 atomes de

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

Drive des porteurs par

1.3. Silicium dop N ou P

En remplaant la vitesse de drive vp-drift par son expression on obtient:

La densit de courant par unit de surface est alors:

1.3. Silicium dop N ou P

Cette densit de courant scrit aussi :

O est la conductivit du silicium en conduction selon:

Et la rsistivit du silicium en conduction selon:

1.3. Silicium dop N ou P

Diffusion des porteurs due

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

Concentration des lectrons

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

1.3. Silicium dop N ou P

0 varie avec la temprature cause des coefficients T et ni : 0 = 0.8V 200 K,

Analyse de la jonction PN a laide des bandes dnergie

(a) Epaisseur de la zone

(b) Distribution de charges

(c) Champ lectrostatique

(d) Barrire de potentiel

Distribution de charge dans la zone dserte

Concentration des porteurs lquilibre

O Si est la constante dilectrique du silicium: Si = 1.04x10-10 F/m.

En considrant (1.42) et (1.43), :

O N est le plus petit de NA et ND. Lpaisseur de la zone dserte de la partie la plus

(a) Principe et (b) implmentation physique

Capacit dune jonction PN en non conduction

En remplaant XPN par son quivalent pris dans (1.52), on obtient: