Transport de charges en prsence de champs lectrique et magntique: Effet

Hall

Densits et mobilits des porteurs

Soit un chantillon semi-conducteur de type P (p >> n ), de dimensions : largeur : a, longueur: L et
paisseur : b).

Lorsque le barreau est plong dans un champ magntique perpendiculaire aux faces : B // Oz et
parcouru par un courant I longitudinal // Ox, il apparat un champ lectrique transversal // Oy, dit
champ de Hall.

Nous reviendrons cette tude analytique de leffet Hall (calcul thorique) aprs une prsentation
par des schmas. Pour cela considrons un semi-conducteur de type P (p>>n) parcouru par un
courant I sous laction dune ddp U applique. Cette ddp Uapp engendre un champ lectrique
appliqu Eapp. Nous allons analyser par le suivi des lignes de champ, de courant et des
quipotentielles les changements que subit ce systme lorsquon le soumet laction dune
induction magntique B.
Pour ltude de leffet Hall, il est impratif de considrer uns systme daxes et de respecter les
orientations de toutes les grandeurs vectorielles (sens et directions).
Ainsi, dans notre cas le champ appliqu (Eapp) est de mme sens que laxe Ox et le champ
dinduction magntique B est de sens oppos Oz.

Semiconducteur de type P
Les porteurs mobiles sont des trous I
z
P
v v x
Eapp

Uapp

1
 I

P
Lignes de champ
v
Eapp
Les lignes de
champ sont
parallles v
au champ
lectrique Lignes de courant
appliqu Eapp

Lignes de champ

I
Lignes P
quipotentielles
v
Eapp

Les quipotentielles sont

perpendiculaires aux
Uapp lignes de champ

Appliquons un champ magntique B/(0,0,B) , au barreau semi-conducteur

parcouru par le courant I

N S

S I
P

v Force de Laplace :
FL=q (vB) FL=q (vB)
Le champ magntique agit sur
les trous (>0) en mouvement
par la force de Laplace.
Cette force dvie les trous vers
une face (selon le sens de la
vitesse v et de linduction
magntique B
6

2
 SN
S
_
P
_
B _
_
_
_ v
Cette accumulation des trous du
cot droit (dans ce cas) induit un
dficit en trous sur la face
oppose et donc il apparait des
ions ngatifs en nombre gal
celui des trous accumuls de
lautre cot

Semiconducteur de type P

N
S
_
P
_
B _ EH
_
_
_ v
Cette rpartition des charges dans
le barreau est lorigine dun
champ lectrique induit quon
note EH (champ de Hall) du nom de
celui qui a dcouvert cet effet :
Edwin Herbert Hall en 1879

3
 N
S
_
P
_
B _
_
_
_ qEH FvL=q (vB)
Au fur et mesure que les
trous saccumulent,
lintensit du champ induit
de Hall augmente et la force
quengendre ce champ sur les
trous mobiles augmente
Jusqu ce quelle quilibre la
force de Laplace
10

N
S
_
P
_
B _
_
_
_ qEH FvL=q (vB)

Cet quilibre des deux forces qui

agissent sur les trous mobiles fait
que les trous ne seront plus dvis et
les lignes des vitesses reprennent
leurs forme initiale de mme que les
lignes de courant.

11

N
S
_
P
_
B _E
total
_
_ Eapp
EH
_ v

Le champ de Hall existe tant que le

champ magntique agit sur les trous
en mouvement (courant).
Le champ lectrique total qui agit sur
les porteurs de charges (ici des trous)
Est la somme vectorielle du champ
appliqu et du champ induit de hall
12

4
Semiconducteur de type P

N
S
_
P
_
B _E
total
_
_ Eapp
EH
_ v

Le champ lectrique total qui agit sur

les porteurs de charges (ici des trous)
Est la somme vectorielle du champ
appliqu et du champ induit de hall
Ce champ fait un angle avec le champ
appliqu, appel angle de Hall

13

Semiconducteur de type P
N
S
_
P
_
B _
_
_
Etotal
_ v

Normalement, les lignes de

champ suivent la direction au
champ total
14

Ligne du champ lectrique total Semiconducteur

S de type P

B _
_
_
_
_
Etotal
_ v

Normalement, les lignes de

champ suivent la direction
du champ total

15

5
 Lignes Ligne du champ lectrique total
quipotentielles Semiconducteur
S de type P
B
_
_
_
_
_
Etotal
_ v

Nouvelles quipotentielles (perpendiculaires

Aux lignes du champ total)

16

Rappelons le cas en absence de B Lignes de champ

I
N P
Lignes v P
quipotentielles

v
Lignes de courant

Les bornes P et N sont souds sur

La mme quipotentielle en labsence
du champ B
On a donc : VP-VN=0 17

Cas o B est appliqu Ligne du champ lectrique total Semiconducteur

S de type P
Lignes B
quipotentielles _
_
N _
_
_
Etotal
_ v
P
Les bornes P et N sont toujours souds sur
Les mme points P et N (mme positions
gomtriques). On voit que sous laction de B
sur les porteurs en mouvement (courant)
les points P et N sont sur des quipotentielles
diffrentes

donc : VP-VN 0 cest la ddp de Hall 18

6
7
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