Ecole Nationale des Sciences et Technologies Avances Borj Cdria

1re TA 29 Octobre 20015

Devoir surveill de semi-conducteurs Dure : 1 H 30

Exercice I : 14 pts

On considre un barreau de silicium intrinsque, homogne, de concentration intrinsque ni,

lquilibre thermodynamique la temprature T. La largeur de la bande interdite de ce semi-
conducteur est Eg. A cette temprature les concentrations des lectrons et des trous sont
respectivement n et p.

1. Donner la signification physique de la bande interdite. (1 pts)

2. Expliquer la formation des trous et des lectrons dans un semi-conducteur intrinsque.
(1pts) Donner la relation entre n et p (0.5 pts).
3. La concentration intrinsque ni dpend de la temprature T. Etablir la loi de variation de
ni avec T. (1.5 pts).
4. A T = 300 K, ni = 1010 cm-3. Quelles sont les concentrations des lectrons et des trous
cette temprature ? (0.25+0.25 pts).
5. La concentration des trous et des lectrons la temprature T sont donnes par :
Ev EF
p = Nv exp( )
kT
n = Nc exp( EF Ec )
kT
O Ec et Ev sont respectivement les nergies du bas de la bande de conduction et du haut
de la bande de valence, EF est lnergie du niveau de Fermi, et
2mh* kT 3 / 2 2me*kT 3 / 2
Nv = 2 ( 2
) et Nc = 2( 2
)
h h
sont les densits effectives des tats, respectivement dans les bandes de valence et de
conduction.

a. Donner la signification physique de mh* et me* . (0.5 pts)

b. Dterminer lexpression de EF. (1 pts)
c. Donner sa signification physique. (0.5 pts)
d. Calculer numriquement EF en prenant Ev comme lorigine des nergies. (0.5 pts)

6. Le silicium fait partie de la colonne IV du tableau priodique des lments.

a. Avec quels lments doit-on doper le silicium pour obtenir un semi-conducteur
de type P. Justifier votre rponse. (1.5 pts)
b. Expliquer le rle de limpuret dans le semi-conducteur. (0.5 pts)

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 7. On introduit dans le silicium des impurets (de mme type que dans la question 6) de
concentration gale N= 1017 cm-3. On suppose qu la temprature T= 300 K, toutes
les impurets dopantes sont ionises.
a. Expliquer la provenance des lectrons et des trous. (1 pts)
b. Exprimer les concentrations n et p des lectrons et des trous en fonction de N et
ni. (1 pts)
c. Calculer numriquement ces concentrations T = 300 K. (0.25+0.25 pts)
d. Trouver lexpression du niveau de Fermi EF. (1 pts)
Faire lapplication numrique (0.5 pts)
e. Reprsenter le diagramme nergtique du semi-conducteur en
situant le niveau de limpuret Eimp = 40 meV et celui du niveau
de Fermi EF. (1 pts)

Exercice II : (6 pts)

On considre un semi-conducteur homogne, de type N, et de gap Eg = Ec Ev. Les

concentrations des lectrons et des trous sont respectivement n et p.

1. Soit Nd la concentration de limpuret dans le semi-conducteur et E d son nergie

dionisation. Dcrire qualitativement comment volue la concentration n des
lectrons lorsque la temprature augmente de 0 300 K. (2 pts)
2. On introduit maintenant dans ce semi-conducteur de type N des atomes
accepteurs de concentration Na. et dnergie dionisation Ea.
Donner sur un schma clair le diagramme dnergie du semi-conducteur en situant
les diffrents niveaux dnergie lorsque Na >> Nd. (1 pts)
3. A une certaine temprature T0 assez basse, les deux impurets se trouvent
partiellement ionises, la concentration des ions ngatifs et positifs sont alors
respectivement N d et N a .
a. On considre toujours que Na >> Nd, dterminer la temprature T0 les
concentrations n et p des lectrons et des trous en fonction de N d , N a et ni.
(1 pts)
b. Exprimer la rsistivit de ce matriau. (1 pts)
c. Que devient la rsistivit du semi-conducteur quand les atomes donneurs sont
totalement compenss par les atomes accepteurs ? (1 pts)

Donnes :

Masse de llectron dans le vide : m0 = 9,1.10-31 Kg

La masse effective de densit dtats des lectrons et des trous est : me* = 1.06 m0 , mh* = 0.59 m0
Largeur de la bande interdite de silicium 300 k: Eg=1.12 eV
La constante de Planck h=6,626.10-34 J.s=4,134. 10-15 eV.s
La constante de Boltzmann=8,6173324 .10-5 eV K-1
1eV=1,602.10-19 Kg.m2.s-2
Correction du Devoir Surveill de semi-conducteurs
1re TA : ENSTAB 2015/ 2016

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Exercice 1 :
1. La bande interdite est la bande sparant la bande de conduction et la bande de valence dans un
matriau. Elle ne comporte aucun niveau dnergie pouvant tre occup par un lectron ou un
trou mobile. Les matriaux peuvent tre classs selon la largeur de cette bande.
2. Sous leffet de lnergie thermique, les lectrons de la bande de valence dun semi-conducteur
passe vers la bande de conduction si elle est suprieure ou gale la largeur de la bande
interdite (Eg). Ces lectrons laissent derrire eux des trous, do la formation des lectrons et
des trous dans le semi-conducteur intrinsque
Chaque lectron qui passe dans la bande de conduction laisse derrire lui un trou. Soient n et p
les concentrations des lectrons et des trous respectivement, on aura donc n = p.
3. La concentration intrinsque ni est dfinie comme tant la concentration des porteurs dans le
semi-conducteur intrinsque. Les lectrons et les trous obissent la loi daction de masse :
n*p=ni2 avec :
E EF E EF
n N c exp( c ) et p N v exp( v )
kT kT
Avec Nc et Nv sont les densits effectives des tats dans la bande de conduction et de valence.
E EF E EF E Ec E
n * p N c exp( c ). N v exp( v ) N c N v . exp( v ) N c N v . exp( g ) ni2 d
kT kT kT kT
Eg 2 .me* kT 3 / 2 2 .mh* kT 3 / 2 Eg
o ni N c N v . exp( ) 2( 2
) .2( 2
) . exp( )
2kT h h 2kT

Eg
ni Cte..T 3 / 2 exp( )
2kT
Mathmatiquement, lexponentielle varie plus vite que T3/2 donc la variation de ni est pratiquement
exponentielle.
4. Le semi-conducteur est intrinsque donc n = p= ni =1010 cm-3
5.
a. m*h et m*e sont respectivement les masses effectives des trous et des lectrons. Llectron et le
trou sont considrs comme des particules quasi libres lorsquils se trouvent dans la bande de
conduction et la bande de valence respectivement. Ils sont soumis au potentiel cristallin. Afin
de faciliter la rsolution de lquation de Schrdinger par llimination de la contribution du
potentiel, les lectrons et les trous seront considrs comme des quasi particules libres de
masses effectives diffrentes de celle de llectron libre. Dans le calcul de ces masses
effectives, on tient compte de la contribution du potentiel cristallin.
b. Le semi-conducteur est intrinsque donc n = p = ni
Dans le semi-conducteur intrinsque, le niveau de fermi EF est not EFi.

Ec E Fi E E Fi
ni n N c exp( ) p N v exp( v )
kT kT
De lquation prcdente on dduit EFi , donn par lexpression suivante :
E Ec kT N E Ec kT m* E Ec 3kT m*
E Fi v ln( v ) v ln( h* ) 3 / 2 v ln( h* )
2 2 Nc 2 2 me 2 4 me
c. Le niveau de Fermi est un niveau dnergie de rfrence. A T=0 K, les tats au dessus de EF
sont vides alors que ceux en dessous de EF sont pleins. A T 0 K , le niveau de Fermi va
dpendre de la temprature et du dopage.
d.

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 Ev Ec 3kT m*
A.N : EFi= ln( h* ) =0.56 - 0.011=0.549 eV
2 4 me
6. Le semi-conducteur est intrinsque donc n = p= ni =1010 cm-3
a. On voudrait avoir un silicium de type P, donc les porteurs majoritaires seront les trous. Le dopage se
fait par les lments de la colonne III (Bore, indium etc..). Le silicium fait partie de la colonne IV du
tableau priodique. Dans le cristal du silicium, chaque atome de silicium a quatre lectrons de valence
faisant quatre liaisons de valence avec ses voisins. Un atome de la colonne III possdant trois lectrons
de valence et insr dans le cristal du silicium fera seulement trois liaisons avec trois atomes de
silicium voisins. Afin de combler la liaison manquante, latome dopant acceptera un lectron de la
Bande de Valence du silicium, ce dernier laisse derrire lui un trou, do la cration dun trou le
silicium sera de type P et latome dopant est dit accepteur et devient un ion ngatif.
b. Limpuret dans le semi-conducteur permet daugmenter la densit des porteurs libres et par la suite
sa conductivit.
7. Le semi-conducteur est intrinsque donc n = p= ni =1010 cm-3
a. La densit des atomes accepteurs N=1017 cm-3. A T=300 K, les trous proviennent majoritairement du
dopage et aussi de lexcitation thermique des atomes de silicium. Les lectrons proviennent de
lexcitation thermique uniquement.
b. Lquation de neutralit :
On note ND la concentration des donneurs et N la concentration des accepteurs. Cest un dopage P
donc ND=0.
Somme des charges positives = Somme des charges ngatives p n N .
A temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss N N . Do p n N
ni2 ni2
Les lectrons sont minoritaires donc n<<p p=N et n
p N
c. A.N : p=1017 cm-3 do n= 103 cm-3
E EF
d. p N v exp( v ) N
kT
On peut crire cette dernire expression sous la forme suivante (on ajoute et on retranche EFi) :
E E Fi E EF E EF
N N v exp( v ). exp( Fi ) do : N ni . exp( Fi )
kT kT kT
N
Donc E F E Fi kT ln( ) . A.N : EF=0.15 eV (Ev est lorigine des nergies)
ni
e. Diagramme des nergies du silicium tudi :

Exercice 2 :
Soient Nd et Na les concentrations des atomes donneurs et accepteurs respectivement.
1. Le semi-conducteur est de type N donc Na=0. A temprature T=0 K, les atomes dopants ne sont
pas ioniss et on na pas de cration de paires lectron-trou par excitation thermique : pas
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 dlectrons libres. Lorsque la temprature augmente, les atomes donneurs sionisent, la densit
des lectrons n augmente.
Lquation de neutralit est :

n p N d avec Nd+ la concentration des atomes ioniss. p est ngligeable pour une
temprature infrieure 300 K, donc n= Nd+
Quand T atteint 300 K, tous les atomes donneurs sont ioniss : la densit des lectrons n
augmente. Donc n p N d
2. On dope aussi le semi-conducteur avec des accepteurs de concentration Na. Lorsque Na>>Nd ,
le semi-conducteur est de type P et donc EF est proche de Ev.

3.

a. Equation de neutralit : p N d n N a
Semi-conducteur type P : n<<p donc p N a N d
ni2 n2
n i
p Na Nd
b. La rsistivit est donne par lexpression suivante :
1 1
avec la conductivit du semi-conducteur, n et p sont respectivement
enn ep p
les mobilits des lectrons et des trous dans ce semi-conducteur.
1 1

n 2
e. i .n e.( N a N d ). p
Na Nd
c. Lorsque les atomes donneurs sont totalement compenss par les atomes accepteurs on a :
Na=Nd
Donc n = p = ni. Le semi-conducteur est similaire lintrinsque de rsistivit :
1

eni ( n p )

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