Circuitos Logicos PLDs Memorias

Universidad Tecnolgica de la Mixteca
Electrnica Digital I
M.C. Arturo Pablo Sandoval Garca.
Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

1
INTRODUCCIN A LOS DISPOSITIVOS LOGICOS

PROGRAMABLES PLD
DEFINICION DE PLD
Son circuitos integrados que ofrecen a los diseadores en un slo

chip, un arreglo de compuertas lgicas AND y OR y flip-flops, que
pueden ser programados por el usuario para implementar funciones
lgicas; y as, una manera ms sencilla de reemplazar varios
circuitos integrados estndares o de funciones fijas. Son utilizados
en muchas aplicaciones para reemplazar a los circuitos SSI y MSI.

2
Ventajas de los PLDs.

Los PLDs representan menor costo para los fabricantes.
Pueden reemplazar funciones de otros dispositivos lgicos.
Reduccin de espacio en las tarjetas de circuito impreso.
Simplificacin del alambrado entre unos chips y otros.
Disminucin en los requerimientos de potencia ( por consiguiente
menor consumo de energa )
Realizacin de aplicaciones especiales no encontradas en circuitos
integrados de funciones fijas.
Puede reflejarse menor costo para el usuario al ver las ventajas de
tener menor cantidad de circuitos integrados; por consiguiente,
procesos de ensamblado ms rpidos, menor probabilidad de que
puedan ocurrir fallas, as como menores procedimientos en la
deteccin de fallas cuando estas se presenten.
3
CLASIFICACION DE LOS PLDs
ROM.-Mask Read-Only Memory ( Memoria de Mscara Programable de Slo Lectura ).

PROM.- Programmable Read-Only Memory ( Memoria Programable de Slo Lectura ).
EPROM.-Erasable Programmable Read-Only Memory ( Memoria Programable y Borrable de
Slo Lectura )..
EEPROM.-Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ( Memoria Programable
y Borrable Elctricamente de Solo Lectura )
PLA.-Programmable Logic Array ( Arreglo Lgico Programable ).
PAL.-Programmable Array Logic ( Lgica en un Arreglo Programable ).
GAL.- Generic Array Logic ( Lgica en ArregloGenrico ).

4

5
Elementos necesarios para su programacin

6
GAL, LGICA DE MATRIZ GENRICAREFERENCIA

ESTNDAR
GAL16V8 Ocho salidas

Arreglo Lgico
Genrico
Configuracin de
16 Entradas salidas

7

8

9

10

11

12
macrocelda OLMC

13
Modo de Programar un PLD:
OPAL
Este paquete de Software ofrece el soporte para algunos PLDs como son los
dispositivos MAPLs, GALs y ECL PALs. Este paquete es capaz de interpretar
Ecuaciones de Algebra de Boole, Mquinas de Estados y Tablas de Verdad para
posteriormente en archivos individuales ensamblarlos y convertirlos en su
correspondientes formatos JEDEC.
WinCUPL
es un software de Atmel que genera el archivo para programar PALs y GALS.
Un programa en WinCUPL, consta de 3 bloques principales, que son:
1. Encabezado. Se indica el nombre del programa, el dispositivo a ser
programado, el autor, la fecha y otros datos.
2. Asignacin de terminales. Se indican la asignacion de las terminales de
entrada y salida del dispositivo.
3. Ecuaciones lgicas. Define la relacin entre las terminales asignadas.

14
Algunos operadores para procesar una ecuacin.
Un programa en OPAL y en WINCUPL, consta de 3 bloques, como se

muestra a continuacin.
1.- Bloque de Encabezado.
2.- Bloque de Declaraciones
3.- Bloque de Ecuaciones.

15
Estructura en OPAL

16
Ejercicio
Utilizando la Gal22V10 implante las siguientes funciones:
F1(A, B, C, D) m(0,1,2,3,6,9,11)
F2(A, B, C, D, E) A B D + B C D + A B C D E
F3(A, B, C) A B C + A B C + A B C + A B C

17

18
Ejercicios:
1.- Utilizando una Gal implante la siguiente funcines:
F1 (A,B,C,D) = m ( 0, 1, 2 , 3, 6, 9 ,11)
F2 (A,B,C,D,E) =A B E + BC D E
F3(A,B,C,D,E) = A B D + B C D E + A B C D
Represente las simulacin (o diagrama de tiempos) en OPAL.
3.- Disear un circuito Comparador de 2 Bits. Si A=A1A0 y B=B1B0.
A>B, A=B, A<B; si A = A1A0 y B = A1A0

19
En el siguiente ejemplo se proporciona un ejemplo de un codificador de 4 a 2

utilizando una GAL22V10D, utilizando truth_table.

20
Ejercicios:
1.- Disee un decodificador de BCD a 7 segmentos.
2.-Disee un Demultiplexor de 1 a 8.
3.- Disee un Multiplexor de 8 a 1.
4.- Disee un codificador de DECIMAL a BCD.

21
Estructura en WINCUPL

22

23

24

25
Memorias
Las memorias son dispositivos semiconductores que sirven
para guardar informacin; dicha informacin puede estar
conformada por datos a ser procesados, comandos de
programas o programas enteros.
La capacidad de memoria se mide en Bytes, unidad consistente

de 8 bits. La variedad de capacidades de memoria vara de
unos pocos Bytes a varios Mega Bytes (MB), segn para el tipo
de aplicacin que se requieran.
En una memoria existen las lneas de datos, las lneas de

direccionamiento o ADDRESS y las lneas de control, adems
de las lineas de alimentacin.
26

27
Clasificacin de las memoria

28

29
Segn el modo de acceso clasificamos las memorias segn la siguiente tabla.

30
Algunas definiciones ocupadas en las Memorias

Celda de memoria .- Dispositivo o circuito electrnico que se utiliza para
almacenar un bit (0 o 1); ejemplo: latch.
Palabra de memoria .- Grupo de bits (celdas) es una memoria que representa

instrucciones o datos de algn tipo. (8 flip flop) pueden considerarse como una memoria
que almacena 8 bits.
Capacidad .- Forma de especificar cuntos bits pueden almacenar en un dispositivo de

memoria particular o bien en un sistema de memoria completo.
Ejem: Una memoria que almacena 4096 palabras de 20 bits
R= Se representa por una capacidad total = 81920 bits
Densidad .- Otro trmino para la capacidad. Cuando se dice que un dispositivo de

memoria tiene mayor densidad que otro, significa que puede almacenar ms bits en la
misma cantidad de espacio.

31
Direccin .- Nmero que identifica la localidad de una palabra en

la memoria. Cada palabra almacenada es un dispositivo de memoria
o sistema de memoria tiene una direccin nica.

32
Operacin de Lectura .- Es la operacin por medio de la cual la

palabra binaria almacenada en una localidad (direccin) especifica
de la memoria es captada y despus transferida a otro dispositivo.
Operacin de Escritura .- Operacin por medio de la cual se

coloca una nueva palabra en cierta localidad de memoria. Tambin
es llamada operacin de almacenar.
Tiempo de acceso.- Medida de la velocidad de operacin del

dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere
para realizar una operacin de lectura. De manera ms especifica, es
el tiempo que transcurre entre la recepcin de una nueva direccin
en la entrada de la memoria y la disposicin de los datos de salida.

33
Memorias de acceso aleatorio: (Random access memory): Son memorias de

acceso directo; esto es, cada una de los registros puede ser ledo o escrito de forma
directa sin ms que presentar en las terminales de direccin el cdigo
correspondiente de la posicin que ocupa dentro de la memoria.
Memorias de acceso secuencial: En este tipo de memorias, el acceso a una

posicin se consigue por desplazamiento hacia la salida de todas las informaciones
almacenadas en las posiciones anteriores a la deseada. Su modo de acceso es
similar al de una cinta magntica. En este caso, el tiempo de acceso depende de la
posicin que ocupa cada dato.
Memorias CAM (Content addressable memory): Estas memorias son

direccionables por su contenido. La operacin de lectura no se realiza indicando
una direccin y observando el contenido, sino que se suministra un dato y la
memoria responde si dicho dato est almacenado o no. En caso afirmativo indica en
qu posicin se encuentra.

34
Memorias de slo lectura CMOS EPROM.
Son memorias ROM borrables y programables. Son similares a las PROM,

pero el proceso de grabacin no es tan destructivo, pudiendo borrar la EPROM
mediante la aplicacin de luz ultravioleta a travs de una ventana

35
Una vez programada la memoria se debe cubrir la ventana de cuarzo.

Los tiempos de borrado de una memoria eprom por exposicin a la luz luz
ultravioleta oscilan entre 15 a 30 min.Estas memorias empiezan a presentar
problemas en mas de 1000 ciclos de grabado.

36

37
MEMORIAS EEPROM
Las memorias EEPROM (electrically erasable and reprogrammable ROM) o
E2PROMs como son llamadas habitualmente, son memorias ms caras y ms
rpidas que las EPROM (pueden tener tiempos de acceso alrededor de 35 ns) y
una vida media en torno a los 10.000 ciclos de borrado/escritura. Se caracterizan
por usar una nica tensin para su lectura y su escritura, coincidiendo con la
tensin de + 5 v.
Memoria EEPROM paralelo

38
MEMORIAS EEPROM SERIAL
Memoria EEPROM
serial.
Memoria EEPROM paralelo

39
Expansin de Memoria

40
Aplicaciones de EEPROM de serie

TELEVISION , VCRs, juegos de CD, cmaras, radios, y telemandos.
fotocopiadoras, PCs, palm y COMPUTADORAS porttiles, unidades de disco y
organizadores.
Lectores de cdigo de Barra INDUSTRIALES, puntos de venta, tarjetas
inteligentes, cerraduras de cajas fuertes, abridores de puerta de garaje y equipos
mdicos.
En TELECOMUNICACIONES los telfonos Celulares, inalmbricos, mdems,
y receptores del satlite.
En el parque AUTOMOTOR, el antibloqueo de los frenos, radios y entrada del
teclado.

41
Ejemplo de un decodificador de BCD a 7 segmentos

Se genera una tabla que represente entradas y salidas, como se muestra a
continuacin:
ABCD a b c d e f g Formato Hexadecimal.
0000 1 1 1 1 1 1 0 7E
0001 0 1 1 0 0 0 0 30
0010 1 1 0 1 1 0 1 6D
0011 1 1 1 1 0 0 1 79
0100 0 1 1 0 0 1 1 33
0101 1 0 1 1 0 1 1 5B
0110 1 0 1 1 1 1 1 5F
0111 1 1 1 0 0 0 0 70
1000 1 1 1 1 1 1 1 7F
1001 1 1 1 0 0 1 1 73

42
Programado de memoria eprom o Eeprom

1. Abrir el programa superpro
2.- Fijar el dispositivo al programador.

43

2.- Seleccionar el dispositivo de memoria a uilizar con su
respectivo fabricante

44

3.- Abrir edit-buffer, como se muestra en la siguiente imagen.

45
4.- En la ventana de edit-buffer, representar en formato Hexadecimal las

localidades de las memorias a utilizar, como se muestra en el siguiente ejemplo.

46
5.- Salvar el archivo con extensin *.hex

6.- Programar el dispositivo

47

Circuitos Logicos PLDs Memorias

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Circuitos Logicos PLDs Memorias

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Universidad Tecnolgica de la Mixteca

M.C. Arturo Pablo Sandoval Garca.

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

INTRODUCCIN A LOS DISPOSITIVOS LOGICOS

Son circuitos integrados que ofrecen a los diseadores en un slo

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Ventajas de los PLDs.

CLASIFICACION DE LOS PLDs

ROM.-Mask Read-Only Memory ( Memoria de Mscara Programable de Slo Lectura ).

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Elementos necesarios para su programacin

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

GAL, LGICA DE MATRIZ GENRICAREFERENCIA

GAL16V8 Ocho salidas

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Modo de Programar un PLD:

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Algunos operadores para procesar una ecuacin.

Un programa en OPAL y en WINCUPL, consta de 3 bloques, como se

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

1.- Utilizando una Gal implante la siguiente funcines:

Represente las simulacin (o diagrama de tiempos) en OPAL.

3.- Disear un circuito Comparador de 2 Bits. Si A=A1A0 y B=B1B0.

A>B, A=B, A<B; si A = A1A0 y B = A1A0

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

En el siguiente ejemplo se proporciona un ejemplo de un codificador de 4 a 2

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

1.- Disee un decodificador de BCD a 7 segmentos.

3.- Disee un Multiplexor de 8 a 1.

4.- Disee un codificador de DECIMAL a BCD.

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

La capacidad de memoria se mide en Bytes, unidad consistente

En una memoria existen las lneas de datos, las lneas de

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Clasificacin de las memoria

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Segn el modo de acceso clasificamos las memorias segn la siguiente tabla.

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Algunas definiciones ocupadas en las Memorias

Palabra de memoria .- Grupo de bits (celdas) es una memoria que representa

Capacidad .- Forma de especificar cuntos bits pueden almacenar en un dispositivo de

Ejem: Una memoria que almacena 4096 palabras de 20 bits

R= Se representa por una capacidad total = 81920 bits

Densidad .- Otro trmino para la capacidad. Cuando se dice que un dispositivo de

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Direccin .- Nmero que identifica la localidad de una palabra en

Instituto de Electrnica y Mecatrnica IEM

Operacin de Lectura .- Es la operacin por medio de la cual la

Operacin de Escritura .- Operacin por medio de la cual se