AREA DE FUNCIONAMIENTO SEGURO, SOA

Los datos proporcionados por la curva de salida incluida en las hojas de

caractersticas suministradas por el fabricante del dispositivo, en las que se
muestran los valores de la corriente IC en relacin con la tensin colector-
emisor VCE , no son suficientes para conocer si el transistor BJT se encuentra
trabajando en un punto seguro, sin sobrepasar los lmites trmicos.

Adems de especificar la mxima disipacin de potencia a diferentes

temperaturas de encapsulado, los fabricantes de transistores de potencia
suelen indicar una grafica de la frontera del area de operacin sin riesgo (SOA,
Safe Operation Area) en el plano Ic - Vce.

Esta curva est definida por aquellos puntos que cumplen que el producto IC ,
VCE no sobrepase la mxima potencia disipable permitida por el transistor
elegido, es decir, definen el rea de funcionamiento seguro del transistor. En la
figura 2.21 adems de la curva para un funcionamiento continuo del transistor,
se encuentran otras curvas similares, con un rea mayor. Estas curvas indican
el funcionamiento seguro del transistor cuando trabaja en conmutacin en los
tiempos establecidos por la grfica.

La especificacin de una SOA tpica presenta la forma que se muestra en la

siguiente figura:

En esta curva se pueden observar cuatro reas claramente diferenciadas:

Zona 1: La corriente mxima permisible ICmax (IC (mx) continuous).

Representa el mximo valor de corriente que puede circular por el colector para
una tensin colector emisor dada. El funcionamiento del transistor con
corrientes mayores puede dar lugar a la ruptura del mismo.

Si se excede esta corriente de manera continua puede dar como resultado que
se fundan los alambres que conectan el dispositivo a los terminales del
encapsulado
Zona 2: La hiprbola de mxima disipacin de potencia (DC operation
dissipation limites). Este tramo indica la mxima disipacin de potencia del
dispositivo. Es la zona en la cul el producto de IC y VCE proporciona la
disipacin mxima del dispositivo.

Este es el lugar geomtrico de los puntos para los cuales se cumple que VceIc
= Pmax (a TCO). Para temperaturas TC >TCO se obtendrn un conjunto de
hiprbolas ms bajas. An cuando se pueda permitir que el punto de trabajo se
mueva de modo temporal por encima de la hiprbola, no debe permitirse que el
promedio de disipacin de potencia exceda de Pmax.

Si esta curva es sobrepasada se producen sobrecalentamientos y la

destruccin del transistor.

Zona 3: Lmite de segunda ruptura. (IS/B limited). Es el lmite permitido para

evitar la destruccin del dispositivo por el fenmeno de ruptura o avalancha
secundaria.

La segunda ruptura es un fenmeno que resulta debido a que la circulacin de

corriente por la unin entre emisor y base no es uniforme.

Ms bien, la densidad de corriente es mayor cerca de la periferia de la unin.

Esta aglomeracin de corriente da lugar a mayor disipacin de potencia
localizada y por lo tanto a calentamientos en lugares que reciben el nombre de
puntos calientes. Como el calentamiento produce un aumento de corriente,
puede ocurrir un gradiente trmico que provoque la destruccin de la unin
semiconductora.

Zona 4: Voltaje de ruptura de la unin colector emisor BVCEO. El ltimo

tramo es el lmite debido a la tensin de ruptura primaria del transistor e indica
la mxima tensin que puede soportar el dispositivo en estado de bloqueo.

Nunca debe permitirse que el valor instantneo de vce exceda de BVCEO; de

otra manera, ocurrir la ruptura de avalancha de la unin entre colector y base.

Finalmente, debe mencionarse que por lo general se utilizan escalas

logartmicas para Ic y Vce que llevan a un lmite de rea de operacin sin
riesgo (SOA) formada por lneas rectas.
 Fig 2.21