PR O GRAM S TUDI F ISI KA F MI PA ITB

LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI

MODUL 05
TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT
1 TUJUAN
Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emit ter
Mengetahui resistansi input, resistansi output, dan faktor penguatan dari konfigurasi penguat
Common Emitter.

2 PERSIAPAN
Bipolar Junction Transistors, Bab 6 pada Buku Electronics Principles Oleh Albert Malvino dan
David J. Bates
Datasheet transistor 2N3904

3 PERALATAN PRAKTIKUM
Kit Komponen (toolbox)
Multimeter
Osiloskop
Signal Generator
Kabel Jumper
Catu Daya
Breadboard

4 DASAR TEORI
Transistor merupakan salah satu komponen semikonduktor yang terdiri atas susunan material
semikonduktor tipe-n dan tipe-p pada tiga daerah dopingnya. Transistor pada rangkaian disimbolkan
seperti pada gambar 1. Secara umum ketiga bagian tersebut dibagi menjadi emit ter pada bagian bawah
(yang memiliki tanda panah), base pada bagian tengah, dan collector pada bagian atas. Pada transistor
bipolar, susunan material dibedakan menjadi dua, yakni transistor NPN (dalam praktikum digunakan tipe
2N3904) dan transistor PNP (2N3906). Praktikum ini akan digunakan transistor Bipolar Junction Transistor
(BJT) dengan tipe NPN. Ketika transistor NPN beroperasi secara normal, bagian junction Base-Emitter
dalam keadaan panjar maju (forward bias) , sedangkan pada bagian junction Base-Collector dalam
keadaan panjar mundur (reverse bias).

Gambar 1 . Struktur penyusun material semikonduktor tipe NPN

dan tipe PNP.
Selain digunakan sebagai saklar (telah dilaksanakan pada modul praktikum sebelumnya), transistor juga
digunakan sebagai penguat. Terdapat tiga jenis tipe penguatan yang dapat diberikan oleh transistor, yaitu
penguat emitter ditanahkan (common emitter, CE), penguat kolektor ditanahkan (common collector,
CC), dan penguat basis ditanahkan (common base, CB). Pada praktikum kali ini akan dibahas tipe penguat
emitter ditanahkan (common emitter).

Gambar 2 . Konfigurasi umum rangkaian penguat menggunakan transistor bipolar.

Untuk membuat penguat CE, CB, dan CC, maka terminal X, Y, Z, dihubungkan ke
sumber sinyal atau ground tergantung konfigurasi yang akan digunakan

Penguat Emitter Ditanahkan (Common Emitter)

Gambar 3 . Rangkaian penguat emitter ditanahkan (common emitter),

dengan sinyal DC. Catatan VBB dan VCC menyatakan sumber tegangan,
sedangkan VBE, VCE menyatakan perbedaan tegangan antara dua titik.
= 5, = 2

Pada rangkaian penguat emitter ditanahkan seperti yang ditunjukkan oleh gambar 3, tegangan
VBB akan menyebabkan panjar maju hubungan basis dan emitter pada transistor. Dengan mengatur VBB
dan RB kita dapat mengatur arus yang masuk pada basis. Penentuan besar kecilnya nilai arus yang masuk
pada basis akan mempengaruhi arus yang dihasilkan pada collector. Untuk dapat mengalirkan arus, beda
potensial pada collector harus lebih positif dari pada bagian Emiter.

Arus pada base dapat ditentukan dengan persamaan berikut:


=

Nilai bergantung pada Transistor yang digunakan (lihat datasheet). Arus pada collector ditentukan
dengan menggunakan persamaan berikut:
=

Dimana merupakan penguatan pada Transistor yang digunakan (lihat datasheet). Nilai tegangan di
Vcc dapat ditentukan dengan persamaan berikut,
=

Gambar 4 . Rangkaian penguat emitter ditanahkan (common emitter),

dengan sinyal AC.

Gambar 4 merupakan rangkaian penguat emitter ditanahkan (common emitter) dengan sinyal AC.
Untuk menghitung besaran-besaran pada rangkaian tersebut, digunakan persamaan berikut:

=
+

Besar penguatan pada rangkaian Common Emitter dinyatakan sebagai perbandingan antara tegangan
output dengan tegangan input.

=| |=

5 TUGAS PENDAHULUAN
1. Gambarkan struktur transistor NPN dan transistor PNP serta jelaskan perbedaannya! [poin: 20]
2. Jelaskan cara kerja transistor NPN! [poin: 10]
3. Gambarkan rangkaian dari tiga jenis penguat yang menggunakan transistor! [poin: 15]
4. Apa yang dimaksud dengan titik saturasi dan titik cutoff? [poin: 10]
5. Gambarkan Kurva terhadap dan tentukan daerah active region, saturation region dan
breakdown region! [poin: 15]
6. Lakukan simulasi pengukuran penguatan rangkaian Common Emitter menggunakan perangkat
lunak ISIS Proteus dengan spesifikasi komponen yang sesuai seperti yang tertera pada langkah
percobaan dengan menggunakan amplitudo sinyal input 100 mV dan frekuensi 100 Hz.
Cantumkan (printscreen) rangkaian beserta hasil sinyal input dan output yang diperoleh pada
osiloskop! [poin: 30]

6 LANGKAH PERCOBAAN

Percobaan Base Curve

Percobaan ini akan menghasilkan kurva Karakteristik antara I B dan VBE dari rangkaian penguat
Common Emiter
a. Atur rangkaian seperti pada gambar 2. (RB = 5k, RC = 2k, VBB = 0)
b. Atur tegangan VCC pada keadaan konstan 3V.
c. Variasikan tegangan input VBB pada tegangan 0 5 Volt dengan selang 0,2V.
d. Hitung dan catat tegangan VBE dan arus IB dengan inputan yang berbeda.
e. Ulangi langkah poin c dan d dengan mengatur nilai VCE sebesar 5V dan 12V.

Percobaan Collector Curve

Percobaan ini akan menghasilkan kurva Karakteristik antara IC dan VCE dari rangkaian penguat
Common Emiter. Arus Collector bergantung pada tegangan Collector-Emiter. Titik kerja transistor
akan terlihat pada Kurva ini.
a. Atur rangkaian seperti pada gambar 2. (RB = 5k, RC = 2k, VCC = 0)
b. Atur nilai VBB pada nilai 3 Volt.
c. Variasikan tegangan VCC pada nilai 0 5 Volt dengan selang 0,5V.
d. Hitung dan catat tegangan VCE dan arus IC.
e. Ulangi step c dan d untuk nilai VBB sebesar 5V dan 12V

Percobaan mengukur penguatan rangkaian common emitter

a. Kit rangkaian praktikum common emitter (gambar 4) diberikan tegangan VCC sebesar 12V
(RB=10k, RC=1k, RE=1k, RV =10k, kapasitor (bagian base dan emitter)=47F, kapasitor (bagian
output)=16 F, praktikan diperbolehkan menggunakan nilai komponen yang berbeda dengan
mencatatkannya).
b. Atur potensiometer (RV) agar VCE bernilai 6V.
c. Hitung arus IC dengan mengukur beda tegangan pada resistor RC.
d. Ukur nilai tegangan VBE dan arus IB dengan menggunakan multimeter.
e. Berikan sinyal input pada rangkaian berupa sinyal sinusoidal dengan amplitudo input dari 50mV
sampai 250mV dengan selang 50mV. Atur besarnya tegangan dan besar frekuensi agar signal
dapat teramati dengan baik pada layar osiloskop.
f. Ukur dan catat besarnya tegangan output (V out) dan tegangan input (Vin). Amati sinyal input
dan sinyal output, apakah terjadi perbedaan fasa atau tidak.
7 TUGAS LAPORAN

1. Percobaan Base Curve

a. Masukkan data IB dan VBE yang dihasilkan pada tabel percobaan Base Curve (tabel
terdapat pada bagian lampiran) untuk percobaan VCC = 3 V, 5 V, dan 12 V.
b. Gambarkan grafik IB vs VBE pada hasil percobaan tersebut untuk VCC = 3 V, VCC = 5 V,
dan VCC= 12 V.
c. Bandingkan ketiga grafik hasil percobaan dengan grafik referensi. Sertakan gambar grafik
IB vs VBE referensi pada laporan. Analisis bila terdapat perbedaan. Jelaskan grafik hasil
percobaan yang didapatkan!

2. Percobaan Collector Curve

a. Masukkan data IC dan VCE yang dihasilkan pada tabel percobaan Collector Curve (tabel
terdapat pada bagian lampiran) untuk percobaan VBB = 3 V, 5 V, dan 12 V.
b. Gambarkan grafik IC vs VCE pada hasil percobaan tersebut (grafik untuk percobaan VBB
= 3 V, 5 V, dan 12 V)
c. Bandingkan grafik hasil percobaan dengan grafik referensi. Sertakan gambar grafik IC vs
VCE referensi pada laporan. Analisis bila terdapat perbedaan. Jelaskan grafik hasil
percobaan yang didapatkan!

3. Percobaan Penguat Common Emitter

a. Lengkapi data-data yang terdapat pada tabel di bagian lampiran.
b. Berdasarkan data yang didapat, carilah besarnya penguatan rangkaian tersebut! Apakah
terjadi perbedaan fasa atau tidak pada sinyal yang teramati pada osiloskop? Jelaskan!
c. Foto sinyal input dan sinyal output pada percobaan ini dan tampilkan pada laporan.

4. Jelaskan faktor apa saja yang mungkin membuat perbedaan antara hasil penghitungan secara
teoretik (referensi) dengan hasil percobaan!
5. Apa keunggulan dan kelemahan dari penguat Common Emitter (minimal 2)?
 LOG AKTIVITAS

Nama :
NIM :
Shift :

Percobaan Base Curve Tabel 2. Percobaan Base Curve dengan VCC = 5 V

Tabel 1. Percobaan Base Curve dengan VCC = 3 V
VCC = 5 V
VCC = 3 V VBB (V) IB (mA) VBE (V)
VBB (V) IB (mA) VBE (V) 0
0 0.2
0.2 0.4
0.4 0.6
0.6 0.8
0.8 1
1 1.2
1.2 1.4
1.4 1.6
1.6 1.8
1.8 2
2 2.2
2.2 2.4
2.4 2.6
2.6 2.8
2.8 3
3 3.2
3.2 3.4
3.4 3.6
3.6 3.8
3.8 4
4 4.2
4.2 4.4
4.4 4.6
4.6 4.8
4.8 5
5
Tabel 3. Percobaan Base Curve dengan VCC = 12 V Percobaan Collector Curve
Tabel 4. Percobaan Collector Curve dengan VBB = 3V
VCC = 12 V
VBB = 3 V
VBB (V) IB (mA) VBE (V)
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
0
0
0.2
0.5
0.4
1
0.6
1.5
0.8
2
1
2.5
1.2
3
1.4
3.5
1.6
4
1.8
4.5
2
5
2.2
2.4
2.6 Tabel 5. Percobaan Collector Curve dengan VBB = 5V
2.8 VBB = 5 V
3
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
3.2
0
3.4
0.5
3.6
1
3.8
1.5
4
2
4.2
2.5
4.4
3
4.6
3.5
4.8
4
5
4.5
5
Tabel 6. Percobaan Collector Curve dengan VBB = Gambar sinyal input dan sinyal output
12 V (osiloskop)
VBB = 12 V
VCC (V) IC (mA) VCE (V)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5

Percobaan Penguat Common Emitter

Tabel 7. Percobaan Penguat Common Emitter

Nilai (sertakan satuan)

VCC
VCE
VBE
IB
IC
VIn
Vout

Spesifikasi Komponen yang digunakan:

Hasil penguatan yang diperoleh (V out/Vin):

8 REFERENSI
[1] Sutrisno. 1987. Elektronika Teori dan Penerapannya. Bandung: Penerbit ITB.
[2] Malvino, Albert. 2007. Electronic Principles Seventh Edition. New York: McGraw Hill.

MODUL PRAKTIKUM ELE KTR O NIK A DAS AR 8