Technische Information /

technical information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT215N

Key Parameters
VDRM / VRRM 1800 2200 V
ITAVM 215 A (TC=85 C)
ITSM 7000 A
3570A (TC=55C)
VT0 0,95 V
rT 0,92 m
RthJC 0,124 K/W
Base plate 50 mm
Weight 800 g

For type designation please refer to actual

short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features
Druckkontakt-Technologie fr hohe Pressure contact technology for high reliability
Zuverlssigkeit
Advanced Medium Power Technology (AMPT) Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehuse Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte Electrically insulated base plate

Typische Anwendungen Typical Applications

Sanftanlasser Soft starter
Gleichrichter fr Antriebsapplikationen Rectifier for drives applications
Kurzschlieer-Applikationen Crowbar applications
Leistungssteller Power controllers
Gleichrichter fr UPS Rectifiers for UBS
Batterieladegleichrichter Battery chargers
Statische Umschalter Static switches

TT TD
content of customer DMX code DMX code DMX code
digit digit quantity
serial number 1..5 5
SAP material number 6..12 7
Internal production order number 13..20 8
datecode (production year) 21..22 2
www.ifbip.com
datecode (production week) 23..24 2
support@infineon-bip.com

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT215N
TT215N TD215N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung Tvj = -40C... Tvj max VDRM,VRRM 1800 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 2000 V
2200 V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung Tvj = -40C... Tvj max VDSM 1800 V
non-repetitive peak forward off-state voltage 2000 V
2200 V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung Tvj = +25C... Tvj max VRSM 1900 V
non-repetitive peak reverse voltage 2100 V
2300 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 410 A
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85C ITAVM 215 A
average on-state current
Stostrom-Grenzwert Tvj = 25C, tP = 10ms ITSM 7000 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10ms 6300 A
Grenzlastintegral Tvj = 25C, tP = 10ms It 245000 As
It-value Tvj = Tvj max, tP = 10ms 198000 As
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (diT/dt)cr 100 A/s
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter F 1000 V/s

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaspannung Tvj = Tvj max , iT = 800 A vT max. 1,8 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,95 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT max. 0,92 m
slope resistance
Zndstrom Tvj = 25C, vD = 12V IGT max. 200 mA
gate trigger current
Zndspannung Tvj = 25C, vD = 12V VGT max. 2,0 V
gate trigger voltage
Nicht zndender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 12V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zndende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25C, vD = 12V, RA = 1 IH max. 300 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 IL max. 1200 mA
latching current iGM = 1A, diG/dt = 1A/s, tg = 20s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 50 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zndverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 4 s
gate controlled delay time Tvj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT215N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
Thermische Eigenschaften 5.Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 300 s

Isolations-Prfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV

insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1sec 3,6 kV

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wrmewiderstand pro Modul / per Module, = 180 sin RthJC max. 0,065 K/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, = 180 sin max. 0,130 K/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,062 K/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,124 K/W
bergangs-Wrmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,02 K/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,04 K/W

Hchstzulssige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 C

maximum junction temperature

Mechanische Eigenschaften
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 C

Lagertemperatur Tstg -40...+130 C

storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehuse, siehe Anlage Seite 3
case, see annex page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140) AlN
internal insulation Basic insulation (class 1, IEC61140)
Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse Toleranz / Tolerance 15% M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse Toleranz / Tolerance 10% M2 12 Nm
terminal connection torque
Steueranschlsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
control terminals
Gewicht G typ. 800 g
weight
Kriechstrecke 17 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s
vibration resistance
file-No. E 83335

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d
Netz-Thyristor-Modul
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1 2 3 1 2 3
4 5 7 6 4 5

TT TD

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Netz-Thyristor-Modul
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Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes ZthJC fr DC

Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [K/W] 0,0426 0,0429 0,0257 0,0097 0,0031

n [s] 3,06 0,61 0,11 0,008 0,0009

n max

t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC R thn 1 - e n
n=1

Erhhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckstrmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Zth rec / Zth sin

= 180 = 120 = 90 = 60 = 30

Zth rec
0,01007 0,01655 0,02161 0,02981 0,04541
[K/W]

Zth sin
0,00601 0,00869 0,01236 0,01905 0,03519
[K/W]

Zth rec = Zth DC + Zth rec

Zth sin = Zth DC + Zth sin

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Diagramme
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0,14

0,12

0,10
Z(th)JR [K/W]

0,08

0,06

0,04

0,02

0,00
0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100

Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z thJC = f(t)

Durchgangsverluste
Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle

100

10 c

b
vG [V]

a
Tvj = -40 C
Tvj = +25 C

1
+125 C
Tvj max =

0,1
10 100 iG [mA] 1000 10000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zndbereichen fr VD = 12 V

Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms

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600
DC

500
PTAV [W]

180 rec
180 sin

400 120 rec

90 rec
60 rec
300 Q = 30 rec

200

100 Gehusetemperatur bei Rechteck

0
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
ITAV [A]

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle

140

120

100
TC [C]

80

60
180 sin
40
Q == 30
Q 30 rec
rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec DC

20
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
ITAVM [A]

Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle

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1800
RthCA [K/W] B2 ID
0,12 0,08
P tot [W]

0,16
~
R-Last L-Last
0,20 R-load L-load
1200
0,24 -

0,32

0,40
0,48
600 0,60
0,80
1,20
1,60
2,40
2,40
0,18
1,20
0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600
T A [C] I D [A]

Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B2- Zweipuls-Brckenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

2500
0,080 B6 ID
0,120 R thCA [K/W]
P tot [W]

0,16
3~
2000
0,20
-
0,24
1500
0,32

0,40
1000 0,48 ,

0,60
0,80
500 1,20
1,60
2,40

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600 700 800
T A [C] ID [A]

Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I D

B6- Sechspuls-Brckenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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900
R thCA K/W] W 1C
0,12 0,08
P tot [W]

~
IRMS

0,16

0,20
600 ~

0,30

0,40

300 0,60
0,80

1,20
2,00
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600
TA [C] I RMS [A]

Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA
2500
W 3C
0,12 0,08 ~ ~ ~
P tot [W]

R thCA [K/W] IRMS

0,16
2000
0,20 ~ ~ ~

1500 0,30

0,40

1000
0,60

0,80
500 1,20
2,00

0
10 30 50 70 90 110 0 100 200 300 400 500 600
T A [C] I RMS [A]

Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P tot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

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10000
Qr [As]

iTM =
1000A
500A
200A
100A
50A
1000
20A

100
1 10 -di/dt [A/s] 100

Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlastrom / On-state current iTM

5.000

a
4.000
IT(OV)M [A]

TA = 35 C

3.000

2.000

1.000
b
TA = 45 C
0
0,01 t [s] 0,1 1

Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

a: Leerlauf / No-load conditions

b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35C, verstrkte Luftkhlung / Forced air cooling
TA = 45C, Luftselbstkhlung / Natural air cooling

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Aufgrund der technischen Anforderungen knnte unser Produkt gesundheitsgefhrdende Substanzen enthalten. Bei
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zustndigen Vertriebsbro in Verbindung.

Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefhrdenden oder lebenserhaltenden
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir fr diese Flle
- die gemeinsame Durchfhrung eines Risiko- und Qualittsassessments;
- den Abschluss von speziellen Qualittssicherungsvereinbarungen;
- die gemeinsame Einfhrung von Manahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Manahmen abhngig machen.

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