Temas 5 i 6.

Se resuelven los ejercicios 9 del tema 8 y 6 del tema 9, as como se

analizan los ejemplos resueltos 8-1, 10-2 y 10-3 del libro Fundamentos Fsicos de
la Informtica (Ed. UPV)

En este texto vamos a trabajar con materiales semiconductores. Este tipo de materiales
tienen unas propiedades muy especificas que debemos conocer: y que los diferencian de
los otros dos tipos de materiales estudiados; dielctricos y conductores. Las propiedades
ms significativas son las que resultan del estudio de la evolucin de sus propiedades
elctricas con la temperatura; la evolucin de estas mismas propiedades ante la
incidencia de ondas electromagnticas de distinta frecuencia y la respuesta ante la
experiencia de Hall.

Para comprender mnimamente el comportamiento de materiales semiconductores,

debemos relacionar este comportamiento con el previsto a partir de los dos modelos
tericos con los que trabajamos: El primero y ms sencillo es el modelo de enlace
covalente que nos permite realizar una anlisis cualitativo de algunas de las propiedades
antes reseadas. Este modelo parte de una representacin bidimensional de la red
cristalina y de los enlaces covalentes entre tomos de la red. El segundo modelo o
modelo de las bandas tiene una base terica potente y lo que hace es representar los
niveles energticos en los que se pueden situar los electrones en la red cristalina. Si bien
en el presente curso no se ver, el modelo de las bandas de energa es de uso habitual y
permite tener un conocimiento bastante bueno del comportamiento de materiales
semiconductores, uniones entre materiales semiconductores, conductores,
semiconductor-conductor, etc.

Si somos capaces de conocer y comprender los materiales semiconductores a partir de

los modelos mencionados, podremos familiarizarnos, con relativa facilidad, con una
nueva terminologa asociada a los materiales semiconductores: Portador de carga,
hueco; electrn; masa efectiva de un hueco o de un electrn; par electrn-hueco;
generacin; recombinacin; masa efectiva; semiconductor intrnseco; extrnseco; tipo P;
tipo N; corrientes de difusin; corrientes de desplazamiento; tiempo medio de
recombinacin; longitud de recorrido medio; dopado; tomos donadores y aceptores;
tomos trivalentes, tetravalentes o pentavalentes; portadores minoritarios; portadores
mayoritarios; etc. Asimismo, seremos capaces de comprender el comportamiento de
elementos semiconductores diseados para obtener un comportamiento muy especfico,
como son los diodos o los transistores.

El primer ejercicio que vamos a resolver es el problema 8-9 del libro,

9. Un semiconductor extrnseco tipo n esta formado por silicio con un dopado de 1017
tomos de antimonio/cm3. Teniendo en cuenta que la concentracin intrnseca del silicio
a 300 K es ni=1,51010 partculas/cm3 Cul es la concentracin de huecos y de
electrones en dicho semiconductor a 300 K?

Lo que busca este ejercicio es una aplicacin inmediata de la ley de accin de masas.

n.p = n i2
siendo ni, la concentracin intrnseca del material semiconductor. Este valor se ha
averiguado experimentalmente para diferentes temperaturas y figura en tablas.

Esta ley slo es vlida para semiconductores homogneos y en equilibrio, de tal forma
que la velocidad de generacin de pares electrn hueco sea constante en el tiempo y la
concentracin de portadores lo sea en el espacio. En caso de no ser as, tendramos que
acudir a la ecuacin de continuidad para resolver el ejercicio, siempre y cuando
dispongamos de los datos necesarios para ello.

Pero la ley de accin de masas, por s misma, no es suficiente para determinar la

concentracin de portadores de un semiconductor, dado que simplemente establece la
constancia del producto de las concentraciones de huecos y electrones. Nos hace falta
una segunda ecuacin que la encontramos al considerar que la carga permanece
constante en un cuerpo aislado. Ello quiere decir que si el semiconductor era
elctricamente neutro, permanecer elctricamente neutro en el equilibrio, lo que se
representa matemticamente a travs de la ley de neutralidad elctrica. En la ley de
neutralidad se deben incorporar todas las cargas presentes en el material. Dado que este
es homogneo, se consideran cargas por unidad de volumen: Como cargas positivas
tenemos los huecos y los tomos donadores, que quedaron ionizados positivamente al
ceder un electrn; como cargas negativas tenemos los electrones y los tomos aceptores,
que quedaron ionizados negativamente al aceptar un electrn; el resto de cargas se
hallan en tomos elctricamente neutros. La suma de cargas positivas debe ser igual a la
suma de cargas negativas:

p + ND = n + NA

De esta forma contaramos con dos ecuaciones con dos incgnitas para resolver nuestro
problema.

Para resolver el ejercicio propuesto, el primer paso es identificar el problema planteado:

tenemos un material semiconductor, el silicio, dopado uniformemente suponemos que
esto es as a falta de ms informacin con antimonio. El antimonio es un material
pentavalente 5 electrones de valencia que al introducirse en la red cristalina del
silicio tender a ceder el electrn sobrante que, con muy poca energa, pasar a la banda
de conduccin a este tipo de tomos se les denomina donadores, siendo los aceptores
aquellos que capturan un electrn cediendo un hueco a la conduccin. El antimonio, con
un electrn de menos en su estructura atmica estar ionizado con carga positiva a
temperatura ambiente. Los portadores mayoritarios de carga sern los electrones,
resultado de la suma de los electrones que aportan los tomos donadores y los
producidos por generacin de pares electrn-hueco. En esta caso, hablamos de un
semiconductor extrnseco de tipo N. Con lo que la ley de neutralidad elctrica quedar:

p + N D = n + N A p + 1017 = n

Por su parte la ley de accin de masas: (

n.p = n i2 = 1,5. 1010 )
2

Con lo que disponemos de las dos expresiones necesarias para resolver el problema.
Podemos resolver el sistema formado por ambas ecuaciones tal como aparece o aplicar
una simplificacin teniendo en cuenta que la concentracin de dopante es mucho mayor
que la concentracin intrnseca (ND>>ni). En este ltimo caso es de esperar que la
concentracin de huecos (portadores minoritarios) sea mucho menor que la
concentracin de tomos donantes (p<<ND) de tal forma que la segunda ecuacin se
puede aproximar de la forma: p + N D = n + N A p + 1017 = n n 1017 cm 3
De esta forma conocemos el valor de la concentracin de electrones y de la ley de

accin de masas se deduce rpidamente que p =

(1,5.10 )10 2
= 1,25.10 3 cm 3
17
10
El error debido a la aproximacin ser muy pequeo. Si resolvemos el problema sin
considerar la aproximacin obtenemos: p = 2,248.103 cm-3 y n=1.00089.1017 cm-3

En el ejemplo 8.1 del libro, se presentan varios casos que se resuelven de manera
similar al visto.

Ejemplo 8-1

Halla la concentracin de electrones y huecos en el germanio en las circunstancias

siguientes:
a) Germanio puro a 300 K (ni (300 K) = 2,361019 m-3)
b) A 300 K dopado con antimonio en una concentracin de 41022 m-3
c) A 300 K dopado con indio en una concentracin de 31022 m-3
d) Germanio puro a 500 K (ni (500 K) = 2,11022 m-3)
e) A 500 K dopado con antimonio en una concentracin de 31022 m-3.
f) A 500 K dopado con indio en una concentracin de 41022 m-3

Solucin

a) La ley de accin de masas indica que el producto entre las concentraciones de

electrones y de huecos es igual a la concentracin intrnseca al cuadrado, es decir,
np = ni2
donde la concentracin intrnseca a 300 K para el germanio es igual a 2,361019 m-3.

Para el caso de un semiconductor puro, las concentraciones de electrones y huecos

son iguales, de modo que,

n = p = ni = 2,361019 e-h/m3

b) Debido a que la concentracin de impurezas es mucho ms grande que la

concentracin intrnseca, y puesto que el antimonio es un tomo donador para el
germanio, la concentracin de electrones es aproximadamente igual a la
concentracin de impurezas:
n 41022 electrones/m3
y aplicando la ley de accin de masas la concentracin de huecos ser,
n2
p = i 1,39 1016 huecos/m3
n

c) En este caso, puesto que el indio es una impureza aceptora para el germanio,
tenemos:
 p 31022 huecos/m3

ni2
n= 1,86 1016 electrones/m3
p
d) Al igual que en el apartado a), para el caso de un semiconductor puro, las
concentraciones de electrones y huecos son iguales a la concentracin intrnseca a la
temperatura indicada, de modo que,

n = p = ni = 2,11022 e-h/m3

e) En este caso, la aproximacin utilizada en los apartados b) y c) no puede ser

usada debido a que la concentracin de impurezas no es mucho ms grande que la
concentracin intrnseca. Por ello, junto a la ley de accin de masas habr que
utilizar tambin la ley de neutralidad elctrica:
ND + p = NA + n
donde ND y NA son respectivamente las concentraciones de impurezas donadoras y
aceptoras. En este caso, puesto que el antimonio es una impureza donadora
tendremos que NA = 0, y ND = 31022 m-3.
De este modo tenemos un sistema de dos ecuaciones con dos incgnitas,

p n = n i2

n = N D + p
cuya solucin es,
n = 4,081022 electrones/m3
p = 1,081022 huecos/m3
f) En esta situacin, puesto que el indio es una impureza aceptora tendremos que ND
= 0, y NA = 41022 m-3. De este modo tenemos un sistema de dos ecuaciones con dos
incgnitas,
p n = n i2

p = N A + n

cuya solucin es,

p = 4,901022 huecos/m3
n = 2,101022 electrones/m3

Si analizamos el ejercicio resuelto, vemos que el planteamiento es anlogo al problema

8.9 visto anteriormente. Pero en este caso se estudian varias situaciones diferentes que
permiten compararlas entre s.

Se comienza estudiando el caso intrnseco y se puede comparar como cambian las

propiedades del material, en lo que se refiere a concentracin de portadores, segn se
dope con un material donador o un material aceptor. En ambos casos, la concentracin
de material dopante es muy superior a la concentracin intrnseca y por lo tanto los
clculos son rpidos al aproximar la concentracin de portadores mayoritarios a la
concentracin de tomos dopantes.
En una segunda parte se analiza el caso a 500K. A esta temperatura la velocidad de
generacin de los pares electrn-hueco ha crecido considerablemente, respecto a la
velocidad a 300K, y por lo tanto ha aumentado la concentracin intrnseca del
germanio. Como consecuencia, la concentracin de dopante ahora no es mucho mayor
que la intrnseca y no se puede realizar la aproximacin anterior. El clculo, aunque
sencillo, es un poco ms largo. Si observamos el resultado, vemos que no existe una
gran diferencia entre portadores mayoritario y minoritarios, de tal forma que es de
esperar un comportamiento muy similar al del semiconductor intrnseco. As
verificamos cmo una temperatura excesivamente alta puede alterar significativamente
el comportamiento de elementos semiconductores basados en materiales dopados: p.e.
diodos y transistores.

Si consideramos ahora la variacin de la conductividad con la temperatura y las

causas de la misma debemos tener en cuenta lo siguiente:

En un conductor, la conductividad disminuye con la temperatura debido a que a mayor

temperatura es mayor la vibracin de la red cristalina. Como consecuencia los
electrones sufren una mayor interaccin con los tomos de la red y, por lo tanto,
encuentran una mayor dificultad para moverse a lo largo del material. Esto se traduce en
una disminucin de la movilidad de los electrones. Este fenmeno tambin sucede en
los materiales semiconductores1. Sin embargo, en este ltimo caso, aunque la movilidad
disminuye la conductividad aumenta con la temperatura! Esto es debido a que al
aumentar la temperatura se incrementa la velocidad de generacin de pares electrn-
hueco incrementndose, por lo tanto, las concentraciones de huecos y electrones: Al
haber ms partculas cargadas movindose la conductividad tiende a aumentar. El
resultado final es que el efecto del incremento de conductividad debido al incremento
de la carga libre es mayor que el efecto debido al incremento de la vibracin de la red
cristalinaque disminuye la movilidad de huecos y electrones y, como
consecuencia la conductividad aumenta.

Cunto aumenta esta conductividad? El resultado lo tenemos sin ms que aplicar la

expresin:
= q e ( n n + p p )

Conocido el material semiconductor, las movilidades se pueden conocer por tablas, con
lo cual el problema se limita a determinar los valores de las concentraciones de huecos y
electrones de forma anloga a como se ha visto en los ejemplos anteriores y a
substituir los valores en la expresin de la conductividad.
A continuacin analizamos y resolvemos el problema 9-6

1
De hecho, en los semiconductores, la variacin de la movilidad con la temperatura sigue una ley de la
forma: 1 = (m *)
5 / 2 3 / 2
T , siendo m* la masa efectiva del portador de carga (hueco o electrn). La
presencia de dopantes, tambin afecta a la movilidad y depende tanto de la concentracin de dopantes
como de la temperatura a que se encuentre el semiconductor. Esta componente de la movilidad tiene
2i = (m *)
3 / 2
como expresin N i T 1 / 2 , siendo Ni la concentracin de dopantes. La movilidad total se
1
1 1
calcular a travs de la expresin: = +
1 2
6. Halla la resistividad del silicio en las circunstancias siguientes:
a) A 300 K.
b) A 300 K dopado con indio en una concentracin de 51020 tomos/m3
c) A 500 K (ni (500 K) = 3,71020 m-3)
d) A 500 K dopado con indio en una concentracin de 51020 tomos/m3
Sol: 2250 m; 0,25 m; 0,09 m; 0,1 m

En primer lugar, y siguiendo lo expuesto sobre la movilidad en la pgina anterior, no

encontraremos en el libro los valores de este parmetro para distintas temperaturas o
para diferentes concentraciones de tomos dopantes. Las expresiones que figuran en la
nota de pie de pgina no son objeto de estudio en el presente curso y tampoco constan
en el texto del libro. Slo disponemos de unos nicos valores de la movilidad que
aparece en la tabla 8-7. Demos por buenos estos valores para todos los casos y
resolvamos el ejercicio:

Dado que en las condiciones expuestas, el problema se limita a determinar las

concentraciones de huecos y electrones en un material semiconductor a diferentes
concentraciones de tomos dopantes y a diferentes temperaturas problema ya
estudiado omitir su resolucin. Slo sealar que los resultados a los que llegamos
coinciden con los mostrados en el enunciado del problema.

Si bien el objeto del problema es sealar el efecto que sobre la conductividad tiene el
incremento de las concentraciones de huecos y electrones, al no considerar la posible
importancia de aquellos parmetros que tiene el efecto contrario efecto de la
vibracin de la malla cristalina y de los tomos dopantes sobre la movilidad el
resultado obtenido es incompleto. En cualquier caso, me voy a limitar a sealar que si
considerasemos todos los factores que intervienen en el problema, el resultado sera,
asimismo, una reduccin de la resistividad al aumentar la temperatura y/o el dopado del
material.

En general, cuando resolvemos un problema podemos utilizar simplificaciones que

faciliten su resolucin. Sin embargo podemos incurrir en error al dar por nimios
efectos que pueden tener un orden de magnitud similar al que estamos trabajando.
De entrada hay que conocer y tener en cuenta todos los factores que intervienen.
Cuando eliminamos alguno, debemos justificar el porqu de la simplificacin, no slo
de cara a un posible lector, sino tambin de cara hacia nosotros mismos, para evitar
errores indeseables. En el ejercicio anterior, al no plantearse una valoracin del efecto
de los factores no considerados, el resultado es incompleto.

Hasta aqu hemos trabajado con materiales homogneos. En ellos, si bien las
propiedades difieren de otros materiales conocidos, hay elementos que son comunes
como es que no existen asimetrias en el comportamiento o que el movimiento de las
cargas elctricas en el material es debido a la accin de un campo elctrico.

Pero nosotros somos capaces de introducir factores que alteren esta homogeneidad, bien
actuando sobre un material semiconductor homogneo iluminando una cara o
calentando un extremo, por ejemplo, lo que producira un exceso de huecos y electrones
en la cara iluminada o en la zona ms caliente o diseando un material con una
concentracin no uniforme de dopantes. En ambos casos la distribucin inicial de
huecos y electrones sera no uniforme, lo que provocara un movimiento de las cargas
en el interior del material semicoductor buscando dicha uniformidad: este movimiento
se denomina difusin y supone un movimiento de carga elctrica independiente de la
existencia o no de un campo elctrico. A las corrientes elctricas producidas por este
fenmeno se les denominan corrientes de difusin.

Una de las principales caractersticas de los materiales semiconductores reside en la

posibilidad de disear un elemento no homogneo con propiedades asimtricas, es
decir, que se comporta de forma diferente segn cmo se conecte a un circuito: en
particular, el diodo y el transistor.

Con anterioridad a su diseo a partir de materiales semiconductores, el diodo, el

transistor y otros elementos, se fabricaban a partir de ampollas hermticas en las que se
haba realizado el vaco y que presentaban distintos terminales elctricos. La emisin de
electrones para la conduccin se realizaba calentando filamentos y los electrones
atravesaban o no la ampolla en funcin de la polaridad. Se incluan rejillas de polaridad
negativa para controlar el nmero de electrones que atravesaban la ampolla. Como se
puede observar, los elementos as diseados son difcilmente miniaturizables y adems
suponen la existencia de un foco de calor constante (el filamento incandescente) para su
funcionamiento. Todos estos problemas desaparecieron con los semiconductores.

El elemento semiconductor ms sencillo es el diodo de unin, consistente en un

cristal semiconductor con dos zonas de diferente dopado: una zona P y otra zona N.
Dado que en la zona P los huecos son los portadores mayoritarios y en la zona N, los
minosritarios, existe un gradiente de concentracin de huecos muy grande entre ambas
zonas, por lo que existe una gran tendencia de los huecos de pasar de la zona P a la zona
N por difusin. Lo mismo pasa con los electrones de la zona N que tratan de difundirse
hacia la zona P. Como consecuencia de ello, en la franja de unin, zona de encuentro
entre huecos y electrones, han sucedido mltiples recombinaciones al encontrarse los
huecos y electrones provenientes e las zonas P y N, respectivamente. Y este proceso
sucedera indefinidamente, sino fuera porque al eliminarse la carga libre positiva
(huecos) de la franja de unin del lado P quedan los tomos aceptores, ionizados
negativamente, y al eliminarse la carga libre negativa (electrones) del lado N de la
unin quedan los tomos donadores ionizados positivamente.

Entonces, en la zona de transicin prevalecen las cargas positivas y negativas de los

tomos dopantes que generan un campo elctrico, con sentido de la zona N a la zona
P, que se opone al paso de cargas por difusin. La existencia de este campo elctrico
es lo que permite alcanzar una situacin de equilibrio en la que tenemos una zona P
de diodo, una zona N y una franja entre ambas denominada zona de transicin.

Podemos actuar sobre las condiciones de equilibrio, alterando la anchura de la franja

con la aplicacin de un campo elctrico externo. Si aplicamos una tensin externa
mayor en la zona P que en la zona N polarizacin directa el campo elctrico
externo se opone la campo elctrico de la zona de transicin y sta se estrechar, por lo
disminuir el valor del campo elctrico en la transicin y la energa necesaria para que
un hueco de la zona P pase por difusin a la zona N o que un electrn de la zona N, lo
haga a la zona P. A partir de cierto valor de la tensin aplicada (tensin umbral) la zona
de transicin es tan estrecha que apenas pone impedimentos a la difusin de huecos y
electrones a su travs.

Si aplicamos una tensin externa mayor en la zona N que en la zona P polarizacin

inversa se ensancha la zona de transicin y el impedimento para la difusin de huecos
y electrones a travs de la transicin se incrementa. En polarizacin inversa,
prcticamente todas las corrientes que atraviesan la zona de transicin son debidas a la
accin del campo elctrico sobre los portadores minoritarios de la zona P (electrones) y
de la zona N (huecos). Como resultado aparece una corriente inversa muy pequea
corriente inversa de saturacin, con valores del orden de 0,1 A cuyo valor, en
numerosas ocasiones y para simplificar, se aproxima a cero.

Con lo que el diodo es un elemento asimtrico que permite el paso de corriente en un

nico sentido. El smbolo del diodo seala su comportamiento, dado que la flecha indica
el sentido en el que permite el paso de
corriente.
I
m(A)

Todo lo anterior encuentra su reflejo en la

caracterstica tensin-intensidad de un
diodo, que se ha representado en la figura,
nicamente con polarizacin directa. En la
grfica se ha representado la forma de
clculo de la tensin umbral. Vu (V)

El diodo es un elemento no lineal y la introduccin de la curva que representa su

funcionamiento en las ecuaciones a la hora de resolver circuitos, es compleja. Por
ello es conveniente aproximar la curva del diodo a valores lineales que puedan ser de
fcil utilizacin:

1.-. El caso ms sencillo es considerar el diodo como un elemento "pasa - no pasa". O

sea, un simple interruptor que impide el paso de la corriente en uno de los dos sentidos
posibles. Es lo que denominamos primera aproximacin o diodo ideal

2.- El siguiente paso es considerar que el diodo realmente slo deja pasar corriente a
partir de la tensin umbral y en polarizacin directa. En este caso lo consideraramos
como un interruptor abierto en polarizacin inversa u como o un generador que se
opone al paso de corriente, de f.e.m. igual a la tensin umbral, en polarizacin directa.
Seria equivalente a considerar en la curva tensin-intensidad que, a partir del valor de la
tensin umbral, la curva continua vertical. Denominamos segunda aproximacin a este
modelo.

3.- Si consideramos que tras la tensin umbral la relacin tensin-intensidad es una

recta, tendremos la tercera aproximacin. En este caso se considera que en polarizacin
directa el diodo se comporta como dos elementos dispuestos en serie: Una f.e.m de
valor igual a la tensin umbral y que se opone al paso de la corriente y una resistencia
igual a la que dara la recta que hay tras la tensin umbral. Si recordamos la ecuacin de
una resistencia V=RI I=V/R y la comparamos con la recta de la figura, llegaremos a la
conclusin de que la pendiente de la recta es la inversa de la resistencia. Por supuesto,
en polarizacin inversa, el diodo sigue actuando como un interruptor abierto.

Cualquiera de los tres modelos nos permite trabajar con el diodo de la misma forma en
que hemos trabajado con otros elementos lineales (resistencias, fuentes, receptores).
Slo hay que tener en cuenta que en el resultado final la intensidad debe atravesar el
diodo desde la zona P a la N y no en sentido contrario.

En el momento de decidirse por aplicar una aproximacin u otra al comportamiento del

diodo, debemos tener en cuenta la prdida de precisin que esto supone. Puede ser que
para alguna aplicacin sea importante tener en cuenta la corriente inversa de saturacin
o valores muy exactos de la relacin tensin-intensidad del diodo. En ese caso no
podremos aplicar las aproximaciones sealadas y deberemos trabajar con la curva del
diodo, tal cual es.

Veamos dos ejemplos resueltos en el libro:

Ejemplo 10-2

Calcula la intensidad que circula por el diodo de la 10 V

figura, utilizando las tres aproximaciones del diodo.

Solucin 0,7 V
0,23
Podemos calcular la intensidad cerrando el circuito, es
i
decir colocando un generador ficticio de 10 V:

35 k

Utilizando la aproximacin de diodo ideal,

10
i= = 0,286 10 3 A = 0,286 mA 0,7 V
35 10 3
i
0,23
Considerando la tensin umbral del diodo, 10 V
10 0,7 35 k
i= = 0,265 mA
35 10 3

Y teniendo en cuenta tambin su resistencia interna,

10 0,7
i= = 0,2657 mA
35 10 3 + 0,23

Observa que entre las dos primeras aproximaciones del diodo s que hay
una diferencia significativa. En el ltimo caso, puesto que la resistencia
interna del diodo es muy pequea comparada con la resistencia del
circuito, la contribucin de la resistencia interna es despreciable.
Como se puede observar el ejercicio es muy simple. De entrada conocemos el sentido
de la intensidad, que viene dado por la tensin de 10V aplicada, por lo que podemos
utilizar sin ms prembulos las tres aproximaciones y observar como varan los
resultados. Si leemos el texto de los comentarios finales, debemos realizar una pequea
apreciacin, y esta la realizaremos en torno al concepto "valor despreciable":

De los clculos realizados con la primera aproximacin a los realizados con la segunda,
la diferencia entre ambos valores es del orden de 0,02 mA (un 7,1% del primer valor), y
el texto considera esta diferencia como significativa. En el ltimo caso, la diferencia con
la segunda aproximacin es del orden de 0,0007 mA (0.26% del segundo valor), valor
que considera despreciable. De estos tres valores, lo que podemos nico que podemos
afirmar de entrada es como se incrementa la precisin al cambiar de modelo.

Para afirmar que un valor es despreciable hay que tener ms informacin: un valor ser
despreciable cuando su magnitud sea inferior a la incertidumbre que tenemos de en
el clculo de esa magnitud o cuando el nivel de precisin que buscamos sea mucho
menor que el aportado por dicho valor. En el primer caso, el que sea despreciable, no
depende de nosotros sino de las incertidumbres existentes en el sistema que estemos
estudiando. Por ejemplo, si en el valor de la resistencia de 35k del circuito es
35.00050, est claro que los 0,23 del diodo estn dentro del margen de
incertidumbre de la resistencia y no son significativos. Pero si lo que tenemos son
valores muy precisos p.e. 35.000,000,01 donde los 0,23 del diodo tienen
pleno significado en el sistema, la decisin de que el valor sea despreciable o no
depender de si a nosotros nos interesa utilizar ese nivel de precisin o no.

Ejemplo 10-3

Calcula la intensidad que circula por el 70 k

diodo de la figura.
0,7 V

0,5
20 V
10 k
30 k

Solucin
70 k
Para calcular la intensidad que circula
por el diodo, utilizamos el mtodo 0,7 V
matricial de las corrientes de malla,
5
considerando el diodo como un receptor
con fuerza contraelectromotriz y 20 V
resistencia interna, y calculamos J2: J2
10 k
80 20
30 k
10 0,7
J2 = = 46,4 A
80 10
10 40,005
 Comprueba como ejercicio que se puede despreciar la resistencia interna del diodo.

En este segundo ejercicio, el que el valor de la resistencia interna del diodo sea
despreciable o no est sujeto a las consideraciones realizadas para el ejercicio anterior.

Si analizamos la forma de responder, la solucin del problema, si bien se indica el

mtodo seguido, en ningn momento plantea la ecuacin matricial del mtodo de las
mallas, sino que de forma inmediata presenta la resolucin para la intensidad de la malla
2. Considerar el diodo como "fuerzacontralectromotriz", si bien es suficiente en este
caso, no lo sera si el diodo estuviese entre dos mallas, dado que, en este caso, obligara
a presuponen una polaridad previa. No se explica el porqu se ha elegido el sentido
indicado de la intensidad de malla, ni se indica el sentido que tiene la intensidad de la
malla 1 si bien el mtodo de las mallas estudiado obliga a que los sentidos sean los
mismo, existe la opcin de aplicar sentidos diferentes en diferentes mallas, aunque esto
afecta a los signos de la matriz de resistencias. No se han desarrollado los clculos. La
forma escueta de presentacin del proceso de resolucin da como resultado una
explicacin poco satisfactoria. Cuando se presenta la resolucin de un problema es
necesario que, sin extenderse demasiado, queden definidos los "porqus" de cada
una de nuestras decisiones y detallado el proceso seguido.

Un aspecto que hay que tener en cuenta en este ejercicio y en ejercicios ms complejos,
es que tal vez no seamos capaces de saber a priori si el diodo trabaja en polarizacin
directa o en inversa. Lo correcto es suponer a priori, por ejemplo, que lo hace en
polarizacin directa y calcular la intensidad: si sale en sentido correcto, el resultado es
bueno, en caso contrario se vuelve a calcular suponindolo polarizado en sentido
inverso. Si supusiramos inicialmente que est en sentido inverso, dado que de entrada
no circulara intensidad, lo que haramos es que, una vez resuelto el sistema
calcularamos la d.d.p. aplicada al diodo y verificaramos que se corresponde con una
tensin inversa. En caso contrario, realizaramos el clculo de nuevo.