Tema 3:

COMPONENTES NO LINEALES:
DIODOS

Mª del Carmen Coya Párraga

Fundamentos de Electrónica 1

Índice:
3.1) Introducción a los elementos de circuitos no lineales:
Propiedades básicas.
Análisis gráfico con un elemento no lineal.
3.2) El diodo: introducción a la física del componente.
Diodo Zener. Diodo Schottky. Diodo Led. Diodo láser.
3.3) Circuito de diodo simple
3.4) Modelo del diodo para polarización directa.
3.5) Aplicaciones elementales de los diodos.
Rectificación.
Corte y limitación.
Circuito de corte con dos elementos no lineales
Rectificadores y limitadores de precisión.

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 Introducción a los elementos de circuitos no lineales

)Electrónica: basada en dispositivos no lineales ( AO,diodo,

transistor).
z La característica v-i no es una recta.
z No puede ser aplicado el Principio de Superposición.
z No podemos obtener el equivalente de Thèvenin para un
circuito que contenga uno o más elementos no lineales.
)Circuitos con elementos no lineales: no siempre pueden ser
resueltos por métodos matemáticos directos:
z Modelos del dispositivo no lineal: zonas de operación lineales
(Modelado por segmentos lineales).
z Método gráfico.

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Introducción a los elementos de circuitos no lineales

Análisis gráfico de un elemento de circuito no lineal

•Para circuitos con un solo dispositivo no lineal, ya que la LMK

y LNK pueden ser difíciles de aplicar debido a la complejidad
de las características v-i de dicho componente no lineal.
•Método:
•Encontrar la recta de carga del circuito resistivo.
•Punto de trabajo será la intersección de dicha recta con
la característica v-i del dispositivo no lineal.

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 Introducción a los elementos de circuitos no lineales

Ejemplo de método gráfico:

v s ≥ VTR
Sea un elemento con característica v-i: i =  A(v s − VTR )
2

s  v s ≤ VTR
 0

is

Elemento no
Vs
lineal

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EL DIODO:

)Tipos de materiales según σ. Estructura de bandas.

)Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
)Procesos de conducción en un semiconductor: tipos de
corrientes.
)La unión PN.
z Sin polarización externa.
z Con polarización externa: directa e inversa.
z Curva característica. Ecuación v-i.

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TIPOS DE MATERIALES EN FUNCIÓN DE LA CONDUCCIÓN ELÉCTRICA

σ (Ω/cm)
10-18 10-15 10-12 10-9 10-6 10-3 .100......103 106 109... .......1026
         
Óxidos Si, Ge,
Nylon.. Pb a 4ºK
AsGa Grafito
Cuarzo Vidrio NiCr Ag, Cu,
Polietileno. Madera.. Fe..
.
aislantes semiconductores conductores

Conductividad de algunos materiales

(T=0K)

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ESTRUCTURA DE BANDAS

E B.C

B.C B.C
EC ≈ 3 eV
Eg B.C ≈ 1 eV
EV
B.V
B.V B.V B.V
En

Estructura de Metales Semiconductor Aislantes

bandas típica Diagrama de bandas de energía a 0 K.
a T=0 K.

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)SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO:Semiconductor en estado puro y
perfectamente cristalizado. (Si y Ge con Eg = 1,1 eV y 0,6 eV)
ni = p = n
ni = f (T , E g ) ⇒ Inconveniente para aplicaciones prácticas,
donde lo que se busca es un comportamiento
estable frente a la temperatura ⇒ SOLUCIÓN:
DOPAJE.
)SEMICONDUCTOR EXTRÍNSECO: se introducen átomos de diferente
valencia, dentro de la red del material semiconductor en estado puro.
Conducción por impurezas. Tipo p. Tipo n.
NA + n = ND + p

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• • + • • • • +
+ +
• •
• •
• • z
• { •

• • + • • • •
+ + +

• • z • •
• •
{ •
{

+ • • + • • + • • +

A T baja los enlaces se encuentran saturados. A T

ambiente hay electrones libres (z) y los
correspondientes huecos ({).

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 Procesos de conducción en un semiconductor: tipos de corrientes

)Arrastre. • • • e-
• • • e-
• • • •
• • • • • •
Eapli ≠ 0
Movimiento aleatorio de Movimiento ordenado
los electrones. de los electrones bajo
la acción de un campo
eléctrico.

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Procesos de conducción en un semiconductor: tipos de corrientes

)Difusión. t1 = 0 s

Si-n Si-p
t1 = 0s
[e-]
Distancia, x
[e-] t2 - - - - - -
t3 ______
Distancia, x
Esquema de la generación de una corriente de difusión al poner en contacto
un semiconductor tipo n y otro tipo p. Se representa la concentración de
electrones [e-], frente a la distancia x

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UNIÓN P-N: DIODOS SEMICONDUCTORES P N

)Unión pn sin polarización externa:

E
p N
p - + N
- +
p(x) n(x) - + Zonas neutras
Región
- + de
agotamiento ≈ 1µm
Concentraciones Generación de la región de agotamiento.
antes de la unión Sólo hay corriente en la unión!. Idifusión ⇒
campo eléctrico ⇒ I arrastre ⇒ equilibrio cuando
se igualan

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)Unión pn con polarización externa.

e
e h
h I
I E extinv
E ext
P N
P N

e
e

Polarización inversa
Polarización directa
VD

p n = p n 0 e VT Relacción de Bolztman que rige la inyección de

VD
portadores
nn = nn0e VT

KT
VT = ≈ 25 mV a T ambiente
q

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 Característica voltaje-corriente de la unión PN

iD (mA)
v D / ηVT
i D = I S (e − 1)

vD inversa (V) vD directa (V)

iD VT
Tensión inversa
de (µA)
ruptura

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Característica voltaje-corriente de la unión PN

vD voltaje aplicado al diodo

iD corriente del diodo
IS corriente de saturación=f(T,concentraciòn de portadores,
área de unión...)
10-8-10-14: dispositivos discretos de Si; 10-16: en un diodo de C.I.
η coeficiente de emisión
1 (C.I o diodos discretos que operan con más de10 mA) → 2
(diodos discretos de Si que operan hasta 10 mA)
VT voltaje umbral(0.5 → 0.8 para el Si; 0.2 V para el Ge;0.9 → 1 V
AsGa)

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 DIODOS ESPECIALES

)Diodo Zéner
)Diodo Schottky
)Diodo Led
)Diodo láser

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