Diodo pn Unin pn Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos

tipos p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Al unir ambos cristales, se
manifiestan dos procesos:

Formacin de la zona de carga espacial

1. La difusin de huecos del cristal p al n ( Jh ), y

2. Una corriente de electrones del cristal n al p ( Je ).

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona
que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de agotamiento, de deflexin,
de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va incrementando su

anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin embargo, la acumulacin de
cargas induce una diferencia de tensin (V) que actuar sobre los electrones con una determinada
fuerza de desplazamiento que se opondr a la difusin de huecos y a la corriente de electrones y
terminar detenindolos.

Esta diferencia de tensin de equilibrio (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3 V si los cristales
son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del orden de 0,5
micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el otro, la zona de carga
espacial es mucho mayor.

Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal que no se
encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est polarizado. Al
extremo p, donde se acumulan cargas negativas se le denomina nodo, representndose por la
letra A, mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).
Representacin simblica del diodo pn Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin
externa, se dice que el diodo est polarizado, pudiendo ser la polarizacin

Polarizacin inversa del diodo pn

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p (la de menor tensin) lo que
hace aumentar la zona de carga espacial, y por tanto la tensin en dicha zona hasta que se alcanza
el valor de la tensin de la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la
temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin
produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de
saturacin.

Por efecto de la polarizacin inversa, las concentraciones de portadores minoritarios - electrones

en la zona p (np ), y huecos en la zona n (pn ) - disminuyen a medida que nos aproximamos a la
unin desde los valores iniciales del diodo no polarizado hasta anularse.

Polarizacin directa del diodo pn.

En este caso, al contrario que en el anterior, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona
de carga espacial, permitiendo el paso de las corrientes de electrones y huecos a travs de la
unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Las concentraciones de portadores minoritarios, se incrementan desde los valores iniciales a
medida que nos acercamos a la unin.

En la representacin simblica del diodo, la flecha indica el sentido de la polarizacin directa

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ). La tensin umbral de polarizacin directa coincide en

valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente
el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente,
alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral,
la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se
producen grandes variaciones de la intensidad

Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del
diseo del mismo

Corriente inversa de saturacin (Is ). Es la pequea corriente que se establece al polarizar

inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco.

Es funcin de la temperatura del material, admitindose que se duplica por cada incremento de
10 en la temperatura.

Tensin de ruptura (Vr ).

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, el diodo conducir la corriente inversa de

saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin del La ruptura puede
deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados).

En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de

saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa
cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando
con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la
tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados).

Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el
campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el
diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de
3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de
valencia incrementndose la corriente.

Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la
ruptura del diodo se puede producir por ambos efectos

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El diodo ideal

El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. En la
Figura 1 se muestran el smbolo y la curva caracterstica tensin-intensidad del funcionamiento del
diodo ideal. El sentido permitido para la corriente es de nodo (a) a ctodo (k).

El diodo ideal es un componente que presenta resistencia nula al aso de la corriente en un

determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del smbolo
de la figura 1 indica el sentido permitido de la corriente. En los circuitos de la figura 2 se
ejemplifica el funcionamiento de un diodo ideal.
En el circuito de la izquierda, el diodo permite la circulacin de corriente, la corriente circula de
nodo a ctodo y el diodo se comporta como un interruptor cerrado, la corriente que circula por la
resistencia es de 5 mA. En el circuito de la derecha, el diodo impide el paso de corriente,
comportndose como un interruptor abierto, y la cada de tensin en la resistencia es nula: los
10V determinan la tensin inversa que soporta el diodo.

La Juntura PN

Si se divide un monocristal de silicio puro en dos zonas cuya frontera queda definida por un plano,
una zona se dopa con impurezas de tipo P y la otra de tipo N (figura 3). La zona P tiene un exceso
de huecos, y se obtiene introduciendo tomos del grupo III en la red cristalina (por ejemplo, boro).
La zona N dispone de electrones en exceso, procedentes de tomos del grupo V (fsforo). En
ambos casos se tienen tambin portadores de signo contrario (portadores minoritarios), aunque
en una concentracin varios rdenes de magnitud inferior que la de los portadores mayoritarios.

Dado que en cada zona la carga total es neutra, por cada electrn hay un Ion positivo, y por cada
hueco un Ion negativo, no existen distribuciones de carga neta ni campos elctricos internos. Al
crear dos zonas de diferente concentracin de portadores, entra en juego el mecanismo de la
difusin que tiende a llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El efecto es que los
electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos zonas la cruzan y se instalan en la zona
contraria, es decir que electrones de la zona N pasan a la zona P y huecos de la zona P pasan a la
zona N. Este movimiento de portadores de carga tiene como efecto que a ambos lados de la unin
se va creando una zona de carga, que es positiva en la zona N y negativa en la zona P tal como se
muestra en la figura 4. La distribucin de cargas formada en la regin de la unin provoca un
campo elctrico desde la zona N a la zona P

El campo elctrico se opone al movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo

conforme pasan ms cargas a la zona opuesta, hasta que la fuerza de la difusin y la del campo
elctrico se equilibran y cesa el traslado de portadores. En ese momento est ya formado el diodo
de unin PN, y como resultado del proceso se ha obtenido una zona semiconductora tipo P con
una resistencia RP, una zona semiconductora tipo N con una resistencia RN, y una zona de
agotamiento que no es conductora puesto que no posee portadores de carga libres. En ella acta
un campo elctrico, o sea que existe una barrera de potencial. Este proceso sucede
instantneamente en el momento en el que se generan las zonas N y P por agitacin trmica, o
sea que no necesita ningn aporte de energa externa.

Polarizacin directa

El bloque PN descrito en el apartado anterior en principio no permite el establecimiento de una

corriente elctrica entre sus terminales puesto que la zona de agotamiento no es conductora. Si se
aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo elctrico que "empujar" los
huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento de la zona de agotamiento (Figura 5a). Sin
embargo, mientras sta exista la conduccin es casi nula. Si la tensin aplicada supera a la de
barrera, desaparece la zona de agotamiento, electrones y huecos se dirigen a la unin y se
recombinan. En estas condiciones la corriente queda determinada por el circuito externo ya que la
tensin en bornes de la juntura permanece prcticamente constante. (Figura 5b):

En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona P y negativa a la

zona N. Un diodo PN conduce cuando est polarizado directamente, si bien recin cuando la
tensin aplicada vence la barrera de potencial los portadores de carga tienen un movimiento
suficiente para que la zona de agotamiento se inunde de cargas mviles.

Polarizacin inversa

Al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores

mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos aumentando
la anchura de la zona de agotamiento, y la corriente debido a los portadores mayoritarios es nula
(figura 6). Dado que en ambas zonas hay portadores minoritarios, y un diodo polarizado en inversa
lo est en directa para los minoritarios, estos portadores minoritarios son atrados hacia la unin.
Este movimiento crea una corriente cuya magnitud es muy inferior a la que se obtendra en
polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.
Al aumentar la tensin inversa, hay un nivel de tensin, al igual que sucede en un material
aislante, en que se produce la ruptura de la zona de agotamiento: el campo elctrico puede ser
tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes entre los tomos de
silicio, originando un proceso de ruptura por avalancha. Esta ruptura, no necesariamente conlleva
la destruccin de la juntura, mientras la potencia disipada se mantenga en niveles admisibles.

DIODO DE UNIN PN

Se fabrican a partir de la unin de dos materiales semiconductores de caractersticas opuestas, es

decir, uno de tipo N y otro de tipo P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para
la conexin con el resto del circuito. En la figura 7 se presenta el esquema de los dos tipos de
diodos que se fabrican comnmente, el diodo vertical y el plano

Caracterstica tensin-corriente La Figura 8 muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica

de un diodo real.
En la grfica se aprecian claramente diferenciadas las diversas regiones de funcionamiento. En
polarizacin directa (PD, vD>0), se diferencian dos zonas de funcionamientos, si la tensin aplicada
no supera la barrera de potencial, la corriente que circula es muy pequea y podra considerarse
nula, si bien va creciendo gradualmente. Cuando se va alcanzando la tensin de la barrera de
potencial, la resistencia que ofrece el componente al paso de la corriente disminuye
progresivamente, hasta que al alcanzar esa tensin queda limitada slo por las resistencias
intrnsecas de las zonas P y N y la intensidad de corriente que circula por la unin aumenta
rpidamente, grandes variaciones de corriente para pequeas variaciones de tensin. En el caso
de los diodos de silicio, la tensin que corresponde a la barrera de potencial se sita entre los 0,6V
y 0,7V, en los de germanio en el orden de los 0,2V y en los de arseniuro de galio alrededor del V.
En la grfica se identifica el punto de trabajo de plena conduccin para el cual el fabricante realiza
el ensayo y brinda los datos de la corriente de test (IT) para la cual mide la tensin que definimos
como umbral (V). Normalmente esta corriente est en el orden del 10% al 20% de la corriente
que circulara cuando el diodo disipase la mxima potencia permitida.

En polarizacin inversa, tensiones menores de 0 Voltios, la corriente es prcticamente nula

(mucho menor que la que se obtiene para los mismos niveles de tensin que en directa, ya que los
responsables de esta conduccin son los portadores minoritarios) hasta llegar a la ruptura en la
avalancha, en la que la corriente aumenta en forma abrupta. En la Figura 9 se representan
esquemticamente las diferencias entre los comportamientos del diodo de unin PN y el diodo
ideal.