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MARCOS
Facultad de Ingeniería de Ingeniería de sistemas e
Informática
Informe
Para el curso de Computación e Informática a
cargo de Mg. Carlos A. Cánepa
Lima-Perú
2017
Evolución y clasificación de las memorias
principales RAM, ROM, PROM y otros
aportes
Las memorias semiconductoras son llamadas así porque hacen uso de circuitos
integrados de dos tipos de transistores con características semiconductoras. Los
transistores que usan son de dos tipos, transistores bipolar y unipolar. Los
circuitos integrados de transistores unipolares usan transistores MOS o CMOS y
el bipolar usan los transistores TTL, ECL o Schottky TTL (Pardo Collantes, 2006).
De los dos tipos de circuitos integrados el de transistores bipolares es el más
rápido ya que usan transistores TTL y tienen baja (Packing density) densidad
con bajo tiempo de acceso.
La característica más notable de las memorias semiconductoras es que
son muy pequeñas, tienen alta velocidad, alrededor de 4.5ns para las memorias
SRAM. Se operan con baja alimentación y pueden ser no-volátil (ROM) y volátil
(RAM).
SIMM
Estos fueron los primeros módulos en imponerse en la industria del PC. La sigla
significa Single In-line Memory Module, ya que si bien la placa de circuito tenía
contactos en ambas caras estos eran en realidad redundantes. Existieron en dos
variantes:
- 30 contactos o pines (para buses de memoria de 8 bits)
Figura 1.5 Un SIMM de 30 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros (Plano
frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).
- 72 contactos o pines (para buses de memoria de 32 bits)
Figura 1.6 Un SIMM de 72 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros (Plano
frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).
DIMM
Figura 1.7 SDRAM DIMM de 168 contactos con sus dimensiones en pulgadas y milímetros
(Plano frontal (izquierda) plano lateral (derecha) (Mueller, 2011).
Memorias RAM tipo DIMM. Imagen de: Dsimic. Bajo licencia: CC BY-SA 4.0.
RIMM
Son los módulos utilizados para memorias con tecnología Rambus. También hay variantes
con distinta cantidad de contactos.
Se puede hacer un breve resumen de los varios tipos de memoria DRAM. Como
se puede observar las memorias DRAM empezaron su desarrollo en el año 1987
y mientras que fueron mejorando, la característica en que más se mejoró fue la
velocidad del reloj. Esto fue gracias a los diferentes modos de acceso
implementado en los procesadores como por ejemplo el “Modo de Ráfaga” y
mejor uso de cada ciclo de transferencia.
Las Synchronous DRAM utilizan un reloj para marcar los tiempos de los ciclos
de lectura o escritura y mantener en sincronismo la memoria con el resto del
sistema (en particular con la CPU). Este sincronismo le permite mejorar los
tiempos de acceso a un 20% con respecto a las memorias EDO, ya que permite
un modo de ráfaga de 5-1-1-1. Además de ser más rápida el SDRAM puede
suportar sistemas de 133MHz (7.5ns), casi todas las computadoras de 1998-
2002 tenía el SDRAM incluido. El SDRAM se vende en forma del módulo DIMM
de 168-pin (Mueller, 2011). Las SDRAM se sub-clasifican en función de la
frecuencia del reloj para la que están diseñadas, para lo que se utiliza una
clasificación propuesta por Intel en su especificación del computador tipo PC,
como son: 66 MHz, 100 MHz y 133 MHz.
Estas memorias también son del estándar JEDEC, utilizan ambos flancos del
reloj para realizar las operaciones, de allí que reciben el nombre de Double Data
Rate (Transferencia de Datos Doble). En vez de realizar una sola transferencia
de datos por cada ciclo, como el SDRAM el DDR SDRAM realice 2
transferencias. Una de ellos en la cabeza del ciclo y el otro en el trasero. Esto
proceso hace que se duplique la razón de reloj y también la razón de
transferencia.
Figura 1.12 SDR vs DDR (Mueller, 2011).
B.3.-DDR2 SDRAM:
B.4.-DDR3 SDRAM:
Memoria RAM. Imagen de: Tobias b köhler. Bajo licencia: CC BY-SA 3.0.
- EEPROM
Las EPROM si bien solucionan el problema de la re-usabilidad de este tipo de
memorias, todavía tienen el inconveniente que este proceso es sumamente
lento, complejo y requiere retirar la EPROM del sistema para realizar el borrado.
Es así que surgieron las EEPROM (Electrical EPROM), o sea una EPROM cuyo
proceso de borrado se hace eléctricamente y puede efectuarse sin retirar el
circuito integrado del sistema. Posee otra diferencia importante con la EPROM:
una EEPROM normalmente tiene la capacidad de borrar cada bit en forma
individual (también hay implementaciones que borran una palabra completa en
cada operación de borrado). Típicamente se utilizan para almacenar los datos
de configuración de un sistema. Tienen una capacidad de hasta del orden de
128 kbits. Es frecuente que estén organizadas en palabras de un solo bit.
A.-Principios de Funcionamiento:
Las memorias Flash están fabricadas con compuertas lógicas NOR y NAND para
almacenar los 0’s ó 1’s correspondientes.
Contienen una matriz de filas y columnas con celdas que tienen dos transistores
en cada intersección. Tradicionalmente sólo almacenan un bit de información,
pero las más actuales memorias Flash, pueden almacenar más de un bit por
celda variando el número de electrones que almacenan. Los dos transistores
están separados por una fina capa de óxido. Uno de los transistores recibe el
nombre de floating gate. El otro es el control gate.
Las compuertas de tipo NOR permiten una lectura y escritura más lenta que
NAND, pero archiva muy rápido las rutas de acceso aleatorias. Esto hace que
NOR sea más adecuado para la ejecución y almacenamiento de comandos,
mientras que NAND es más indicado para el almacenamiento masivo de datos.
En cuanto a la arquitectura, NAND puede almacenar más datos en un espacio
de silicio más pequeño, lo que ahorra el costo por bit (Castañeda Centeno, 2010).
En el pasado, cuando el almacenamiento de datos era más bajo, NOR tuvo
mayor influencia en el mercado. Hoy, debido al gran incremento de la necesidad
de guardar más datos, el consumo de la electrónica y el negocio de los
dispositivos, NAND ha superado a los NOR.
- USB Flash Drive: Es un tipo de memoria que lleva una memoria Flash
en su interior y un conector USB que nos permite conectarlos
directamente al ordenador. Son dispositivos removible y pueden ser
reescrito. Cuando se conecta una memoria USB Flash el dispositivo le
reconociese como un dispositivo de almacenamiento masivo y le asigna
una letra (drive letter). Las memorias Flash son pensados para ser
usados como discos duros portátiles pero de tamaño reducido que
permite llevarlos "encima" sin problemas. Se pueden usar de llaveros ya
que son bastante resistentes a caídas y golpes. La ventaja de estos
dispositivos es que se conectan directamente al ordenador y no requieren
instalación de software adicional.
Los discos ópticos emplean una luz láser en lugar de un imán para leer y escribir
bits de datos en una capa reflectante. Esta capa está protegida por una superficie
de plástico transparente que permite que la luz pase. La capacidad de los discos
ópticos varía en función de su tipo y del número de capas de datos que
contengan. La velocidad de lectura y de escritura depende del dispositivo
lector/grabador.
Los primeros medios ópticos empleados fueron los CD-ROM (Compact
Disc-Read Only Memory). Son discos de sólo lectura, que sólo se pueden escribir
una vez. Emplean la misma tecnología que los CD de audio. El CD es un
estándar creado en 1985 por Sony y Philips para almacenar audio digital, si bien
su uso se ha extendido como soporte de almacenamiento de datos, al ser un
método económico y de capacidad similar a los discos duros de la misma época.
Además como medio de distribución de contenidos por parte de la industria
(discográfica en el caso del CD), también se empezaron a emplear rápidamente
(y todavía se sigue haciendo) como medio de distribución de software o incluso
como medio para realizar copias de seguridad (Osvaldo Torres, 2012). Hoy en
día, esta última ha quedado en desuso por la gran diferencia entre la capacidad
de almacenamiento de medios magnéticos y ópticos en general.