l OOW Transistor-Linear on l .

3GHz
(Transistorisierte Leistungsendstufe lOOW fur dos 23 cm Band)

Konrad Hupfer, DJ1EE

Kurzbeschreibung: Nach Einfiihrung des DAB-

Bereichs von 1.4 his I ,6GHz halicm namhafk Ht:r-
stellt!r (MNCOM, MOTOROLA und ERICS-
SON) leistungst1ihige Lineanransistoren fiir die-
st!n Frequenzbt!reich herausgehracht. Ein dami1
konstruiene PA fiir I ,3GHz liefon ca. IOOW Aus-
gangsleis1ung bei !L.9dB Verstiirkung und ersl-
kla~siger Lineariiat (-30dBc /MD3).
Abstract: After the introduction of linear power
1ransis1ors for the DAB band of 1.4 10 l.6GHz
several manufactu rers (MNCOM, MOTOROLA
and ERICSSON) have introduced low cost linear
transistors for an mnput Power of IOOW. A PA for
the I .3GHz amateur hand delivers about lOOW
output power with 8 ...9dB of gain and good effi-
ciency as well as linearity (-30dBc IMD3).
Einfuhrung
In den k1z1en Jahren erschienen eine Rdhe in1er-
essan1er Leis1ungsbauelementt' fiir l.5GHz auf
dem Markt. Motorola, Philips, MA/COM und
Ericson hie1e.n wrschiedene Leistungstransistmcon
mi1 maximalen Ausgangsleistungt:n his zu 120W
fiir zukiinftige DAB-Sender an (Digiwl Audio
Broadcasung). Diese Halbleitc:relemente wt:isl·n
eine hohe Line:iri1a1 auf. wit: sie ja fiir dns n.:ue
Obertragung.werfahren DAB (Viellriigeranwen-
dung) no1wendig isl.
Mit diesen Verstiirkaelemt:nten (der.:n z.Zt. noch
etwas hohe Prt:ise hald fa llen wc:rdt:n) !assen s1ch
im Amateurfunkbere.ich hd l ,3GHz nun wirklich
lincarc SSB Vcrs1iirkcr eNellcn. die di<' hishc:r im
grolkn Umfang l">cni:itztcn "mc:ch;inischt>n" Roh-
rnnver..liirkc:r erselzen kiinnc:n.

Table l : Linear Power Transistors for DAB (l .4 ..l .6GHz)

Mo nu- Type Output IW)@ Typ. effic. Goin [dB] Voltage

foe lurer 1dB Compression In[%] VJ
MA/COM PH1516-100 110 40 9 25
Motorola MRF15090 90 36 8 26
Ericsson PTB20176 90 ?? 8 26

5 DUBUS 4/1996
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 Kon rod Hupfer, DJ 1EE: 1OOW Transistor-Linear on 1.3GHz
Ziel dieses Artikels isl es, einen Leistungsverstiir-
kerautbau zu beschreiben, den nun wirklich jeder
mil UKW-Schaltung.stechnik vertraute Amateur
auch ohne dem Kauf einer vorbereiteten Platine
he11itellen kann. In eincm zweiten Teil in Heft
J/ 1997 wird Dieter Briggmann. DC6GC, eine Pia-
tine vorstellen, die auf dieser Schallung basiert.
Alie Typen sind Gegentakt-Transistoren und in
einem Zwillingsgehiiuse (GEM IN I) fiir Streifen-
lt:itungsaufbauten untcrgchracht. Die notwendi-
gen Ruhestrome fi.ir den Linearbetrieb liegen bei
I 50mA/Transistor.
Die Kurzdaten der verwendharen Transistoren ist
aus Tahellc I crsichtlich.
Introduction
The introduction of the new DAB band around
I .5Gl-lz gave rise to the availability of high power
linear transistors. The major manufacture!1i
(MA/COM. MOTOROIJ\ and ERICSSON) pro-
vide push-pull transistors with up to JIOW linear
output p\lwcr, high gain and good linearity at mod-
t:raie pnces. With these transitors it's possible to
devdnp linear amplifiers for I .3GHz SSB which
are ahlt: 10 make those tube amplilie11i with a 2C39
nhsnlcte. This article describes a power amplifier
in an experimental construction. A following
part 2 by Dieter Briggmann, DC6GC in issue
1/1997 will introduce a ready made PCB, which is
based on this circuit.
All types of the transistors shown in table J are of
the push-pull variety in a GEMINI package usable
for stripline construction.
Schaltungsbeschreibung
Abb. I zeigt Gesamtschaltung, aus der auch die
Gleichstromversorgung u.a. SchaJtungseinzelhei-
len Abblockung usw. hervorgehen. Diezur Ermill-
lung der Netzwerke erforderlichen lmpedanzen
Ren (sym. komplexer Eingangswiderstand, wirk-
sam zwischen deren Basen) und Rec (an den
beiden Kollektoren wirkender symmetrischer
komplexer Lastwiderstand) werden von den Her-
stellem speziell im DAB-Freqeuenzbereich bei
I,45GHz angegeben (siehe Abb. 2).
Durch "iiberlegtes" Fortsetzen der Kurven fi.ir
Res und Rec auf l,3GHz !assen sich folgende
grobe We rte fiirden Motorola Transistorennilleln:
• RBB @ 1,3GHz =2,8Q + j"7,5Q (Ein-
gangswiderstand)

I Zin ZoL"
{MHz) CO) CO)
Ztn • lnoul lmpecance 15. ~base to

'"'°
1450
3.28 • jll.07 • 62 -12.23 base measurement.
385· Jl0.4 4.3$.j::,Ht
:zo..· • Corifugale ol ........... lood -
c:oUtclof kl colec1or Into~ h de\l'°9
1500 4_55-..j114 •CS• )3.60 Ol)9ratts a1 age....,, OllU>Ot power, bit•
1!.50 5 4.5. J11.9 380-1378 current. votlage ano fr9Quionc:y.

1600 6.20. j12.2 3.55 • l38A

Fig. 2: Impedances of MRFl 5090

7 DUBUS 4/1996
 ~- - - - - ----
Konrad Hupfer. DJ 1EE: lOOW Transistor-Linear on 1.3GHz

Fig. 3: Output network

Z1 Z2 C2 Z2
Rg'= o m&•$+1 //. i;ipm-=rrl
Rcc/2= l_ C1 RL'=S0/2=25 Ohm
1 '.......
8-'*0 l
4 - ........- .....- ...·-·
J........1......... 1.
1.-.. . . . . l
...- .............- .....- ...- ...- -.................- ...- .......

l c1
~----ttznwm9l• @ ••,_/

Z1 Z2 C2 Z2

• Rec @. J,3GHz = 3.6Q - j"0.8Q (Lastwi- Ubcrgangsymmetrisch • unsymmetrisch. Thcorc-

dcrstand) tisch kann nun diesc Anpas.~ungsaufgahe mi1 einer
Das Eingangsnetzwcrk hat also die Aufgabe. den einfachen UC-Schaltung gcliist werden. Da abt:r
symmc:trischen Eingangswiderstand Rss auf den die Ermittlung des wirklichen Lastwidcrstandes
rcdlen unsymmc:trischen AnschluBwiderstand hochs1 ung.::nau ist. emplichlt sich eine Expen-
von SQQ zu bringen. menticrsdrnltung und auch ein emsprechcnder
Aulbau, um einen moglichst groJ3en Abgle1chbe-
Entsprechend transformic:n das Ausgangsnetz· rcich zu erhalten.
werk den iibhchen unsymmctrischen Lastwider-
Die Zwangssyrnmetnsiemng am Eingang und
stand von SOQ auf den symmetrischen Arbeitswi-
Ausgang erfolgt ehl'nfalls mit aufgdiltl'tl'n '27Q-
derstand Rec des Transistor.;.
Leitungen, die zur Platzerspamis im Musterauthau
Zur Ermiulung der notwendigen Baudemente am Ende "um die Ecke" ;111g.::•1rdnct sind (Ahb. 4).
(Leitungstransformation. Parnllelkapazitiiten, Eine dient dazu jeweils als Triiger fiir den I: I
usw.) kann man die Gegentaktschaltung in 2 Hiilf- BALUN; ein SQQ Kabel. das den Oberg11ng sym-
ten aufieilen. Dies soll am Ausgangsnetzwerk gt!· 111.:trisch • unsymmetrisch schalTt.
zeigt (Abb. 3) werdcn:
Vidleicht nrn.:h ein Wt>n zurs11genann1en Zwangs-
Dieses Tcilnetzwerk bestchend aus ZI. Cl. Z2. C2. symme1risieru ng. be1rachw am Ausgangsne1z-
und Z2 bringt den reel kn Teillastwiders1and von werk:
2SQ auf R~c - 3.6Q - j*0,4Q. Zur Vereinfachung Der BALUN (Semirigid Koax S()Q mit eint:r Liin·

der Schaltung wird nun die Kollektorspcisedrossd g<' von ~ SS - 41111111 I1a1 d'1c Au fga bc. d'1e
../£ - ff.I
4
groB gegen R~c gcw~hlt (3 Wdg., 3 mm Durch- symmetrisch erst·heinende Ausgangslcistung Po
fiir einen normalen Koaxanschluf.l urnzufom1en.
messer; CuLQ.S mm Durchmesscr) und C2 ist mi1
(Ers1rnals verwendl't von Guanella 1933.
27pF fast als reiner Gleichspannungs-Trennkon-
Schweiz). Der Mantcl diescs Koaxialkabels s1ellt
dcnsawr zu hetrachten. Damit kann der EinfluJ3
nun cine immerhin w1rksame lnduktivitii1 Ue nach
dieser beiden Schaltungselemcn1e auf die Trans-
Lage der Leitung zur Massc-Ebenc:) dar. die den
formati<m vemachliissig1 werden. Dk Ausgiingc
symmctrischen Aus gang einseitig belasten wiirde.
der beiden E1nzelnetzwerke bicten zus;1mmc::n
wic::der SQQ symme1risch. Eine Symmetrieleitung Fiigt man am "Sedenanschlull" des Koaxkabels
mit dem Wellenwidcrstand von SQQ bcsorgt den nun an der symmetrischen Stelle die gldchc in-

DUBUS 4/1996 8
 J~

Konrad Hupfer. DJ 1EE. 1OOW Transistor-Linear on l.3GHz

Fig. 4: Construction of Test Circuit

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9 DUBUS 4/1996
Konrad Hupfer. DJ l EE: lOOW Transistor-Linear on l 3GHz
duktive Belastungein, so ist die Symmetrie wieder
hergestellt. Diese Llingen miissen bei der Berech-
nung der Einzelnetzwerke mit beriicksichtigt wer-
den. (Sehr einfach durchzufiihren bei Anwendung
des Mikro-Wellenprogrammes "SUPER COM-
PACT PC"; im SMITH-Diagramm zu Ful3 schon
etwas me hr Arbeit !)
Die Realisierung der angegebenen Schaltung
wurde aus den Erfahrungen und Anpal3berechnun-
gen fiir iihnliche Stu fen kleinen:r Lcistung (meist
im Eintalctbetrieb), abgeleitet. Grundsiitzlich sind
die Anpa13netzwerke mit Hilfo des SMITH-
Diagrammes oder noch besser durch Anwendung
moderner Syntheseprogramme wie z.B. SUPER-
COMPACT PC zu ermitteln. In alien Fallen miis-
sen jedoch zum Stan fiir die Dimensionierung der
Leitungen feste Annahmen. z.B. Z und Lgemacht
werden, da es theoretisch unendlich viele Mog-
lichkeiten zur Gestaltung derTransformationswc-
ge gibt. Man darf hier ohne weiteres freimiitig
bekennen. dal3 man eben bci der gegebcnen Unsi-
cherheit fiir den komplexen L'!Stwiderstand ein
gehorig Mal3 in die praktische Ermi ttlung der op-
timalen Schaltung stecken mul3.
Description
You can see the circuit diagram in Fig. l. Data on
optimum load and input impedances are specified
by the manufacturers downto l .4GHz(Fig. 2). For
the MRF15090 for example the values for l.3GHz
can be extrapolated by careful thinking:
=
• Ree @ l,3GHz 2.8Q + j*7,5Q ( Input
Impedance)
• Rec @ l.3GHz = 3,6Q - j"0.8Q (Lm1d
Impedance)
The input network has to transform the symmetri-
cal input impedance Roe to the unbalanced gen-
erator impedance of 50Q.
In a similar way the output network has to provide
a symmetrical optimum load impedance Rec
from the unbalanced load of 50Q.
The get the values for the circui t elements it's
ea~ier to explain, if you divide the symmetric
network into two unbalanced half networks
(Fig. 3):
The panial network Zl, Cl, Z2, C2 and Z2 traos-
forms the half of the real load impedance of 25Q
DUBUS 4/l 996
into R~c - 3,6Q - j*0,4Q. The collector feed
chokes have to be chosen for an impedance large
compared to -Rec -. C'> . 1· .
~ iust uncuons as a
DC-
2
block. Boih output networks sum up to 50Q un-
balanced via a subsequent Guanella balun (Bal-
anced-unbalanced). It is made from a quancrwave
50Q semirigid cable. Trimmers allow for a suffi-
cient tuning range to accommodate different tran-
siston;.
Some remarks to the balun circ uit used :
The BALUN is made from a piece of quanerwave
~ - v2.
(4·vE _;;?,l .. 41111111) 50Q semirigid cable. This
piece of coax with floating ends on one side per-
fonns the balanced to unbalanced transformation.
Because the sleew represents a shoning induc-
tance to ground this circuit is slightly unbalanced.
To achieve perfect symmetry the symmetric ports
are terminated with e4ual length striplines and the
center conductor of the: balun is terminated by an
ec.iua l lengih piece of semi rigid or wire. This prin-
ciple has been used by Guanella in 1933 for the
fin;t time.
The realisation of the: circuit in Fig. I is a rcsul1
ba~ed on the experic:nc.: of the design t) f many
amplitiers for smaller powers or on different frc-
quenci.:s.
Praktischer Aufbau der
Schaltung
Der Transis1or wird auf den vorgesehenen Kiihler
montien; direkt daran anschlief3end werden 2 dn-
fach oder doppeli kaschien.: Eix)xyplatlt:n c:twa
der Gmlk 70mm x SOmm montien (Abb. 4). Oat'
oben li.:genden Kaschierung dient dabci als gc-
meinsame Grundplatteund Ma<;.<;e fiirdit: S1reifen-
leitungen.
Als Hochfrequenzverdrahiung dient hier z.B. eine
27Q Leitungt (Material Rogers RT Dun)id 5870,
H = 0,26mm, W = 1,8111111, tr= 2,33). Fiir iihnliche
Aulbauten mit aufgelliteten Strcifenleitern emp-
fiehlt sich im allgemeinen die Verwendung vorbe-
reiteter 50Q -St reifen, die mit ihrer Masseseite auf
die Grundplatte (Epoxy 1.6 mm) geliitet wird
(Abb. 4). Sie kann durch Aufl6ien von Blechstrei-
10
 _ _ _ _i~

Konrad Hupfer, DJ 1EE: 1OOW Transistor-Linear on 1.3GHz

Fig. 5: Output vs. Drive Power

Output Power versus Drive Power
110
L............ . '
I .:. .·.·.:~.: :. . ·-· ....... 1· .... ·+·· ......,....... ,................. . :. .M~Q~ P.~1.51: :.:.;:;:>
iMOTOROLA MRF15090 -
100

90 t-···-·· ......~_,.. ····-· ~ .......i ....... "'!

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10
DJ1EE 7/96
0
0 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
Pin (W)

fen verschiedener Llingen und Breiten (Anderung
von Zo) als Abstimmelement dienen.
Besonderes Augenmerk ist der Stabilitiit des Ar-
beitspunktes zu widmen. Die Basisspannungs-
quelle muB au ch fiir die verwendete Modulations-
frequenz niederohmig (R; muB < 0,lQ sein, um
geringe lntennodulationsprodukte bei SSB zu er-
halten. Es ist selbs1verstandlich, daB die UBE -
Spannungserzeugung (UBE ca. 0,6 - 0,8V) mit
Hilfe einer "Temperaturmeldediode", montiert am
Flansch des Leistungstransistors, mit gesteuert
wird. Entsprecheode Schaltungen si nd in der Ama-
teurliteratur schon oft veroffentlicht worden. Ein
einfacher Vorschlag findet sich in Abb. 1:
Die Zwei-Transistor Regelschaltung benutzt die
Basis-Emitter-Strecke von T!OO, der thermisch an
den HF-Transisto r gekoppelt ist, als Referenz-
spaonung einer Regelschaltung mit TlOl, die un-
abhangig von der Belastung (lout < 0,7A) die
Spannung am Ausgang UBE konstant halt. Der
lnnenwiderstand ist ca. SOmQ. Die Ausgangspan-
nung fallt, wie gewunscht, mit steigender Gehau-
setemperatur des HF-Transistors. Der Ausgangs -
strom und damit der Basisstrom des HF-Transi-
stors wirddurch Rl03aufmax.0,8A begrenzt. Der
Ruhestrom wird mit Pl eingestellt. Eine noch
mehr ausgeklugelte Schaltung mit noch niedrige-
rem lnnenwider.;tand, die mit einem ~lA723 be-
stuckt ist, findet sich in (3).
Construction
The transistor has to be screwed to the cooler. Two
PCBs made from double cladded epoxy (Size
70x50mm) are mounted o n both sides. These
PCBs serve as a ground plane for the striplines,
made from 0,25mm thick DUROID 5870.

Es wvrde hler elne 270hm Lelfvng verwendet, do sle eben ovs onderen Versvchen gerode
vorhonden war.

11 DUBUS 4/1996
Konrad Hupfer. DJ 1EE: lOOW Transistor-Linear on 1.3GHz
In this construction I use 27Q lines for example
(Strips made from Rogers RT DUROID S870 with
0.26mm thickness and J .8mm width). For other
applications you can prepare SOQ strips perhaps
on a somewhat thicker substrate.
The return paths for the input and output baluns is
made from 27Q lines as well (Fig. 4).
A few words to the s upply for UBE :
The bias voltage source should have an impedance
of less than O.lQ and should hav..: a temperature
coefficient, which has the opposite polarity and the
same magnitude as the coefficient the RF-transis·
tor. Then a stable bias for the RF-transistor is
guaranteed. A typical circuit is th..: two transistor
circuit of Fig. 1. UBE ofTIOO serves as the refer·
ence voltage and also samples the temperature of
the RF-transistor. Tl.OI is in a feedback loop with
TIOO to deliver a high output current. Increasing
temperature of the RF-transisor causes the output
to decrease and hence compensates the bias current
of the RF-transistor. Pl is the bias adjust poi. Tht'
internal impedance of the circuit is about SOmQ.
Rl03 limits the output current to about 0.8A. A
more soph isticated circuit based on the ~IA 723 can
be found in the MOTOROLA databook ((3)).
lnbetriebnahme und Ab-
gleich
Es isl zweckmii(\ig, zum Beginn mil einervem1in·
derten Uc£ZU arbeiten (VcEca. 20 V). Der Ruhe-
strom isl auf etwa 300 mA einzustellen, bei ange·
schlossenem SOQ Lastwiden>tand und einem 3dB
Diimpfungsglied zwischen Ansteu..:rquelk (I SW
23 cm Sender) und Eingang der Stufe.
Zurn Abgleich des Eingangsnetzwerkes ist cine
Retlektometer dire kt am Eingang einzuschlei fen.
die Ausgangslcistung mul3 natiirlich auch in irgend
einer Form gcmessen werden. Der "Steuersender''
wird nun langsam aufgedreht unter Beobachtung
des Kollektorstromes. der Eingangsretlektion und
der bereits entstehenden Ausgangsleistung.
Die variablen Cs des Eingang.~netzwerkes werden
nun auf mini male Eingangsrellexion abgeglichen.
Je nach Transistortype sind auch noch die Breiten
und Uingen der aufgeloteten Blechstreifen zu iin-
dem.
DUBUS 4/1996
Fiir den Abgleich der Ausgangsseite gilt wie fiir
alle Leistungsstufen: Trim men minels der C's und
der "Abgleich-Bleche" auf maximal Po bei einem
Wirkungsgrad von ca. 40%. Bei entsprechender
Kuhlung (Llifter) kann ohm: weiteres 90W als
Dauerleistung bei voller Kollektorspannung und
Feinnnachgleich gdahren werdr.!n (Ahb. S).
Nachsatz:
Der Autor verwendet flir alle Amateur· und La-
boraufbauten seit 20 Jahren die "SOQ-Aul16tslrei-
fenmethode" his zu 24GHz.
Initial Operation
Apply about 20V of supply vol tage from a current
limited, regulated powt:r supply. Adjust bias pot to
a bias current l1f around 300mA. Connect exciter
with max !SW output via a 3dB PAD. This is for
safo ty reasons.
Insert VSWR-metcr into the input line and a power
meter in the output line w a SOQ dummy load.
Apply incrt:asing drive power starting from about
lW. adjust CT2 for maximum power output and
CTI for minimum input VSWR.
If you achieve around SOW. switd1 10th..: higher
supply voltage of :!SY and remove 3dB PAD for
utilizing the full drive power.
Stan with a drivc power of SW and repeat procc·
dure above. Don't exceed a total cum.mt of 10 A .
Let COl11 down during tuning pauses. Apply a small
axial blower to tht: heat sink.
By tine tuning an output powt:r of 90... IOOW can
he achieved with an efficiency of 40% (Fig. S).
References
[l] Konrad Hupfer, DJlEE, "Endstufon...". Mik·
wwellentagung in Munchen. 1995, pp. 54ff
[2] Motorola, " RF Device Data". DLI JOO/REVS,
pp. 2· 712 ... 2-720
[3] He~e 0 . Granberg. Application Rc:port AN-
7S8 "A Two Stage I kW Solid-State Linear Ampli-
fier" in Motorol;1, " RF Device Data", 1984-8055,
pp. 4-154 ...4-ISS
[4] MA/COM, "RF, Microw;we Semiconduc-
tors". 199S, pp.9-160... 9-161
12