Tingkat terendah pita konduksi disebut energi konduksi dan tingkat tertinggi pita valensi disebut energi

valensi. Selisih besarnya tingkat energi valensi dan energi konduksi disebut energi gap. Untuk
semikonduktor silikon, energi gap pada temperature kamar besarnya sekitar 1.1 eV Semikonduktor
silicon mempunyai skema energy tak langsung seperti gambar 2. Mekanisme interaksi foton dengan
semikonduktor merupakan mekanisme penyerapan energi foton oleh semikonduktor silikon sehingga
dapat digunakan untuk melakukan transisi elektron-elektron yang berada di dalam pita konduksi dan
lobang (hole) yang berada pada pita valensi bila Fenomena generasi perpindahan electron(eksitasi) dari
pita valensi ke pita konduksi semikonduktor merupakan mekanisme penyerapan energi foton oleh
semikonduktor silikon sehingga dapat digunakan untuk melakukan transisi elektron-elektron yang
berada di dalam pita konduksi dan lobang (hole) yang berada pada pita valensi bila energi foton Ep lebih
besar dari energi gap semikonduktor silikon Eg Transisi transisi foton ini dapat terjadi dalam gap tidak
langsung (indirect gap) silikon. Sementara itu interaksi foton dengan donor penerima dapat terjadi
untuk foton Ep lebih besar dari energi donor Ed atau akseptor Ea. yang jumlah donornya terbatas
dibandingkan dengan jumlah elektron atau hole pada semikonduktor silikon tersebut. Interaksi foton
dapat juga menghasilkan hamburan Raman sering dikenal sebagai ( proses Stoke dan anti Stoke), injeksi
fotoelektron (sinar-X ), serta mekanisme-mekanisme lainnya tetapi kuantitasnya sangat kecil
dibandingkan dengan mekanisme transisi elektron diatas . Hal lain yang perlu diperhatikan adalah gap
silikon juga merupakan fungsi temperatur dimana gap berkurang dengan naiknya temperatur.

. Pada peristiwa ini setiap electron yang meninggalkan pita valensi menuju pita konduksi akan
menimbulkan hole sehingga terdapat pasangan electron hole. Electron pada pita konduksi dan hole
pada pita valensi disebut yang disebut carrier charge.
Density dari carrier charge inilah yang akan menentukan besarnya arus listrik yang terjadi pada sensor
maupun photovoltaic. Electron dan hole dalam kristal tidak sepenuhnya bebas sebab gerakan electron
akan berbeda pada ruang bebas sehingga massa electron tergantung dari vector gelombang dan variasi
pita energinya. Massa ini disebut massa efektif electron mn* dan massa efektif hole mp*. Massa efektif
electron mn* = 1,100 m dan massa efektif hole mp* = 0,56 m, dimana m adalah massa diam electron.
Pada bahan semikonduktor konsentrasi electron dapat dituliskan sebagai