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Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Edition 2012-2013
I. Historique
V. Amplification en classe A
1953 – calculateur
(93 transistors + 550 diodes)
Régency TR-1
1954 : première radio (4 transistors)
à transistors.
B P
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBE est suffisante, la diode BE
(base –émetteur) est passante :
qV qV
I = IS . exp BE = (ISt + ISe ). exp BE
kT kT
B P
VBE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBE est suffisante, la diode BE
(base –émetteur) est passante :
qV qV
I = IS . exp BE = (ISt + ISe ). exp BE
kT kT
B P
Si le nombre d’électrons dans l’émetteur et
100 fois plus grand que le nombre de trous VBE
dans la base alors ISt << ISe.
N+
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
On positionne à présent le collecteur dopé N C
B P
VBE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
On positionne à présent le collecteur dopé N C
La jonction BC est polarisée en inverse :
N
augmentation du champs électrique interne.
VBC
ξ
B P
VBE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
On positionne à présent le collecteur dopé N C
La jonction BC est polarisée en inverse :
N
augmentation du champs électrique interne.
La longueur de la base est très courte et les
VBC
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
ξ
collecteur.
B P
VBE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
On positionne à présent le collecteur dopé N C
La jonction BC est polarisée en inverse :
N
augmentation du champs électrique interne.
La longueur de la base est très courte et les
VBC
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
ξ
collecteur.
Les électrons sont propulsés dans le collecteur
B P
pas le champ électrique.
VBE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
On positionne à présent le collecteur dopé N C
La jonction BC est polarisée en inverse :
N
augmentation du champs électrique interne.
La longueur de la base est très courte et les
VBC
électrons arrivent tous au niveau de la ZCE Base-
ξ
collecteur.
Les électrons sont propulsés dans le collecteur
B P
pas le champ électrique.
Si on modifie la tension VBC (dans une certaine VBE
limite), le champ électrique est toujours suffisant
pour propulser tous les électrons :
Le courant de collecteur ne dépend pas de la N
tension VBC mais uniquement de VBE.
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Par convenance on pose : VT =
q
( = 25.6 mV à 300K ) C
kT
IC
Les trois courants du transistor bipolaire sont :
N
IB : courant de trous de B vers E.
V
I B = ISt . exp BE
VT
IC : courant d’électrons de E vers C ξ
V
I C = ISe . exp BE
VT IB
B P
IE : courant de trous de B vers E + courant
d’électrons de E vers C
V
I E = IS . exp BE = I B + IC
VT
Le rapport, β, entre les courants IC et IB dépend entre
N
autres des niveaux de dopage de l’émetteur et de la base
IE
ainsi que de l’épaisseur de la base : IC = β.IB E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBC augmente trop : C
IC
Le champ électrique base – collecteur diminue
N
IB
B P
N
IE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Fonctionnement du transistor NPN
Si la tension VBC augmente trop : C
IC
Le champ électrique base – collecteur diminue
N
Les électrons ne sont plus tous propulsés
dans le collecteur mais une partie sort par la
base ξ
Le courant IC tend à devenir nul
IB
On dit dans ce cas que le transistor est saturé B P
N
IE
E
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Caractéristiques IB(VBE) du transistor NPN
Pour débloquer (rendre passant) le transistor NPN, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure à la tension
de seuil, VS, de cette diode : VBE > VS.
Ici le courant de trous est bien plus faible que le courant d’électrons.
collecteur
IC IB (A)
IB N inverse directe
base VCE P
N+
VBE IE
émetteur 0 VS VBE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Caractéristiques IB(VBE) du transistor PNP
Pour débloquer (rendre passant) le transistor PNP, il faut que la jonction
base-émetteur soit polarisée en direct avec une tension supérieure (en valeur
absolue) à la tension de seuil, VS, de cette diode soit : VBE < −VS.
Ici le courant des électrons est bien plus faible que le courant des trous.
collecteur
IC IB (A)
IB P directe inverse
base VCE N
P+
VBE IE
émetteur −VS 0 VBE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC = β.IB)
collecteur
IC IC (A) IB4
N IB3
IB
base VCE P IB2 > IB1
N+ IB1
VBE IE
émetteur 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC = β.IB)
collecteur
IC IC (A) IB4
N IB3
IB
base VCE P IB2 > IB1
N+ IB1
VBE IE
émetteur 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
II. Caractéristiques du transistor
II.3. Caractéristiques IC(VCE) du transistor NPN
Si la jonction BC est polarisée en inverse, alors le courant d’électrons peut
traverser cette jonction.
Dans ce cas le courant IC est indépendant de VCE : régime linéaire (IC = β.IB)
RC
IB (A)
EG/RB
IC
RB IB
IB0
VCE
EG VBE
VDD
RC
IC
RB IB
VCE
EG VBE
RC
IC
RB IB
EG VBE IC VCE
Si VCE > VCEsat alors on confirme le régime linéaire et les calculs sont exacts
VDD
IC RC
VDD/RC
IC
IC0 IB0 RB IB
VCE
EG VBE
IC RC
IC
VDD/RC IB0 RB IB
IC0
VCE
EG VBE
Les électrons qui passent de l’émetteur à la base ne sont pas tous propulsés
au collecteur et une partie sort par la base.
Les valeurs de VS et RS sont donc différentes
VDD
RC
IB (A)
EG/RB
IC
RB IB
IB0
VCE
EG VBE
IC
IB (A)
VDD/RC
EG/RB IB0
0 VS EG VBE (V) 0 VCEsat VDD VCE
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
III. Polarisation du transistor
III.1. Polarisation simple
VDD
Variation de RB avec RC constant
IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB
IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB
IC
IB (A) IB0
VDD/RC
EG/RB IC0
IC VDD/RC
IB (A)
IB0
EG/RB
IB0
IC
IB (A) VDD/RC
IB0
EG/RB
IB0
IC
IB (A)
VDD/RC
IB0
EG/RB
IB0
IC
IB (A)
IB0
EG/RB VDD/RC IC0
IB0
VDD
R1 RC
IP + IB IB
VCE
IP VBE
R2
VBE =
R2
VDD VDD
R1 + R 2
R1 RC
IP + IB IB
VCE
IP VBE
R2
VBE = R 2 .I P = VS + R S .I B
On trouve R1 RC
R IP + IB
VDD − 1 + 1VS IB
IB = R2 VCE
R IP VBE
R1 + R S + R S . 1
R2
R2
VDD
R1 RC
IP + IB IB
VCE
IP VBE
R2
Thévenin
VDD
R1 RC
VCE
R2
Pour déterminer Rth, on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th =
R1.R 2 VDD
R1 + R 2
R1 RC
VCE
R2
Pour déterminer Rth, on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th =
R1.R 2 VDD
R1 + R 2
On détermine alors Eth avec un pont R1 RC
diviseur de tension
R2
E th = VDD VCE
R1 + R 2
Eth
R2
Pour déterminer Rth, on éliminer les sources (ici VDD = 0) ce qui donne R1 // R2
R th =
R1.R 2 VDD
R1 + R 2
On détermine alors Eth avec un pont RC
diviseur de tension
Rth IB
R2
E th = VDD VCE
R1 + R 2 VBE
D’où IB : Eth
E th − VS
IB =
R th + R S
VBE = R 2 .I P
VBE = R 2 .I P
E th R th
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
III. Polarisation du transistor
III.3. Résistance d’émetteur
Dans la résistance RE il passe le courant IE donc les courants IB et IC
E th = R th .I B + VS + R S .I B + R E .(1 + β ).I B
VDD
On trouve le courant IB
E th − VS
IB = RC
R th + R S + (1 + β ).R E
En présence de RE : T° IB
VDD
VE
RC
VBE
Rth IB
IB VCE
VBE
Eth
Si la présence de RE n’est pas suffisante, il RE VE
faut ajouter un radiateur sur le transistor.
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
IC (A)
24 V IC IB4
−6V
R
RB
R1 S
IB
E VCE = VS
VE VBE
0V 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
Si VE = 0 V : VBE est
IC (A)
24 V IC IB4
−6V
R
RB
R1 S
IB
E VCE = VS
VE VBE
0V 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
Si VE = 24 V : VBE
IC (A)
24 V IC IB4
−6V
R
RB
R1 S
IB
E VCE = VS
VE A
VBE
0V 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
IC (A)
24 V IC B IB4
−6V
R
RB
R1 S
IB
E VCE = VS
VE A
VBE
0V 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
IC (A)
B IB4
A
0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
VS (V) A IC (A)
24 B IB4
IB3
IB2 > IB1
IB1
VCEsat B A
24 VE (V) 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
Déblocage
VS (V) A IC (A)
24 B IB4
IB3
IB2 > IB1
IB1
VCEsat B A
24 VE (V) 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
Déblocage
VS (V) A IC (A)
24 B IB4
IB = IB1 IB3
IB2 > IB1
IB1
VCEsat B A
24 VE (V) 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
Déblocage
VS (V) A IC (A)
24 B IB4
IB = IB1 IB3
IB2 > IB1
IB = IB2
IB1
VCEsat IB = IB3 B A
24 VE (V) 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
La loi des mailles dans la boucle de sortie donne : VCE = VS = 24 − R.I C
24 VCE
On obtient alors la droite de charge : IC = −
R R
Déblocage
VS (V) A IC (A)
24 B IB4
IB = IB1 IB3
IB2 > IB1
IB = IB2
IB1
VCEsat IB = IB3 B A
24 VE (V) 0 VCE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.1. L’inverseur
Table de vérité et symbole logique :
E S
0 1 E S=E
1 0
VS (V)
24
VCEsat
24 VE (V)
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.2. La fonction NI (NON-OU, NOR)
24 V
−6V IC
RB R
Schéma électrique d’une porte NI : R2
E2
R1 S
IB
E1 VCE = VS
VBE
0V
Chronogramme :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Chronogramme :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Chronogramme :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Chronogramme :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Chronogramme :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Chronogramme :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Le but est de stocker l’information 1 ou 0.
Schéma logique le la mémoire : Table de vérité :
Set 1
0 t
Reset 1
0 t
Q 1
0 t
Q 1
0 t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
IV. Les fonctions logiques
IV.3. La fonction mémoire à deux portes NI
Schéma électrique de cette mémoire :
24 V
−6V
RB R RB R
Set Reset
R2 R2 Q
Q
R1 R1
0V
VS
IC
IB
Le courant IB oscille autour de VCE = VS
IB0 et donc IC oscille autour de IC0 VE = VBE
avec IC = β.IB.
t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement
RC EG (V)
VDD VS
IC
RB IB EGmax
VCE EG0
EG VBE
EGmin t
IB (A) IB (A)
IBmax
IB0 IBmax
IBmin IB0
0 VBE (V) t
t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.1. Principe de fonctionnement EG (V)
RC EGmax
VDD VS EG0
IC
RB IB EGmin
VCE
EG VBE
t
IB (A) IB (A)
IBmax IBmax
IB0 IB0
IBmin IBmin
0 VBE (V) t
0 VCE (V) t
0
t
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.2. Rappels : passe haut et passe bas
Les gains VC/EG et VR/EG correspondent aux filtres passe bas et pas haut
respectivement.
La fréquence de coupure des deux filtres est : FC = 1/(2πRC).
VC
C
EG R VR
1.5
F = 0,05 FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.005 0.01 0.015 0.02 0.025 0.03 0.035 0.04
Temps
1.5
F = 0,2 FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.002 0.004 0.006 0.008 0.01
Temps
1.5
F = 0,5 FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002 0.0025 0.003 0.0035 0.004
Temps
1.5
F = FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.0005 0.001 0.0015 0.002
Temps
1.5
F = 2.FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.0002 0.0004 0.0006 0.0008 0.001
Temps
1.5
F = 5.FC EG
VC 1.0
VR
0.5 VC
Tensions
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.00005 0.0001 0.00015 0.0002 0.00025 0.0003 0.00035 0.0004
Temps
0.0
C
EG R VR -0.5
-1.0
-1.5
0 0.00002 0.00004 0.00006 0.00008 0.0001
Temps
VDD
R1 RC CL
C
VBE
Vs
Ve
R2 RL
VDD
R1 RC CL
C
VBE
Vs
Ve
R2 RL
VDD
R1 RC
VBE
Vs
Ve
R2 RL
VDD
R1 RC
VBE
VCE
R2
VBE
VCE
R2
R1 RC CL
Rg C
VBE
Vs
EG Ve
R2 RL
VBE
Vs
EG Ve
R2 RL
Dans ce schéma, c’est le transistor qui est non linéaire et, par exemple, les
variations de VBE doivent être suffisamment faibles pour considérer un seul VS
et surtout un seul RS.
VDD
R1 RC CL
Rg C
VBE
Vs
EG Ve
R2 RL
Donc d’un point de vu alternatif, les fils VDD et masse sont identiques.
V20 = V10 − VS
donc
v2(t) = v1(t)
Donc d’un point de vu alternatif, les fils VDD et masse sont identiques.
V20 = V10 − VS
donc
v2(t) = v1(t)
R1 RC CL
Rg C
VBE
Vs
EG Ve
R2 RL
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
eg
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg
eg
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg
eg R1
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg
eg R1 R2
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg
eg RB
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg ib B
eg RB vbe
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg ib B
hie
eg RB vbe
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg ib ic
B C
hie
eg RB vbe hfe.ib vce
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg ib ic
B C
hie
eg RB vbe hfe.ib vce RC
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
VDD
R1 RC CL
Rg C
β.IB Vs
EG Ve
R2 RL
Rg ib ic
B C
hie
eg RB vbe hfe.ib vce RC RL
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
Il faut aussi ajouter deux éléments parasites donnés par la matrice hybride
du transistor.
ib ic
v be = h ie .i b + h re .v ce
vbe bipolaire vce
i c = h fe .i b + h oe .v ce
Rg ib ic
B C
hie
eg RB vbe hfe.ib 1/hoe vce RC RL
hre.vce
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
Il faut aussi ajouter deux éléments parasites donnés par la matrice hybride
du transistor.
ib ic
v be = h ie .i b + h re .v ce
vbe bipolaire vce
i c = h fe .i b + h oe .v ce
Rg ib ic
B C
hie
eg RB vbe hfe.ib 1/hoe vce RC RL
hre.vce
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.5. Schéma en petit signal
Les 4 paramètres sont obtenus à partir du point de polarisation.
IC (A)
VCE0
Détermination de hie
∂v ∂V
hoe h ie = be = BE
hfe ∂i b v = 0 ∂I B V = V
IC0 ce CE CE 0
Détermination de hfe
∂i
h fe = c =β
IB (A) IB0 0 VCE0 VCE (V) ∂i b v =0
ce
Détermination de hoe
VBE0 hre ∂i
hie h oe = c
VBE (V) ∂v ce i = 0
b
Les paramètres h Détermination de hoe
dépendent du point ∂v
de repos (ou point h re = be
! de polarisation)
∂v ce i = 0
b
Re
Rg ib ic
B C
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
R B .h ie
Impédance d’entrée : R e = R B // h ie =
R B + h ie
Re
Rg ib ic
B C
Thévenin
Rgs et egs
Rg ib ic
B C
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
Thévenin équivalent
Pour la résistance on court-circuite eg donc ib devient nul ainsi que hfe.ib
et il reste : R gs = R C
Thévenin
Rgs
Rg ib ic
B C
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
Thévenin équivalent
Pour la résistance on court-circuite eg donc ib devient nul ainsi que hfe.ib
et il reste : R gs = R C
v R i h
A V 0 = ce = − C c = − fe .R C e gs = A V 0 .v be
v be h ie .i b h ie
Thévenin
egs
Rg ib ic
B C
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
Thévenin équivalent
Pour la résistance on court-circuite eg donc ib devient nul ainsi que hfe.ib
et il reste : R gs = R C
v R i h
A V 0 = ce = − C c = − fe .R C e gs = A V 0 .v be
v be h ie .i b h ie
Rg i1 i2
Rgs
v1 Re egs v2 RL
eg
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
RL RL
Gain en tension : v 2 = v ce = e gs = .A V 0 .v1
R gs + R L R gs + R L
v v ce RL h R .R
AV = 2 = =− .A V 0 = − fe . C L
v1 v be R gs + R L h ie R C + R L
Rg i1 i2
Rgs
v1 Re egs v2 RL
eg
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
RL RL
Gain en tension : v 2 = v ce = e gs = .A V 0 .v1
R gs + R L R gs + R L
v v ce RL h R .R
AV = 2 = =− .A V 0 = − fe . C L
v1 v be R gs + R L h ie R C + R L
h
On retrouve le gain à vide : A V0 = A V R → ∞ = − fe .R C
L h ie
v Re
Gain composite : A vg = ce = A V
eg Rg + Re
Rg i1 i2
Rgs
v1 Re egs v2 RL
eg
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.6. Paramètres : résistances et gains
On peut retrouver tous ces résultats à partir de la théorie des quadripôles
v1 = h11.i1 + h12 .v 2 = h ie // R B .i1 + 0.v 2
RB 1
i 2 = h 21.i1 + h 22 .v 2 = h fe . .i1 + .v 2
R B + h ie RC
−X.h 21
AV = avec X = RL
h11 + h11.h 22 .X − h12 .h 21.X
Rg i1 ib ic i2
B C
eg v1 RB hie hfe.ib RC v2 RL
E
VDD / masse
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
V. Amplification classe A
V.7. Paramètres : Fréquences de coupure hautes
La variation de la tension vbc implique une variation de la longueur de la
zone de charge d’espace (ZCE) de la diode Base-Collecteur
Rg ib ic
B C
CBC
eg RB vbe hie hfe.ib vce RC RL
1 1 AV 1 − AV
Z2 = = . C BC2 = C BC ≈ C BC
j.C BC2 .ω j.C BC .ω 1 − A V AV
Rg
eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2
Re
Rg
Req
eg RB hie hfe.ib RC RL
Re
Rg
Req
eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2
Rg
Req
eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2
eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2
Rg
Req
eg RB hie hfe.ib RC RL
CBC1 CBC2
Avg(db)
20 h R eq .R e
Am
20 log − fe .
h ie R g + R e
0
− 20 db/dec
− 20
− 40
− 40 db/dec
ϕ(°)
− 90
− 270
− 360
C CL
Rg ib ic
B C
Gain composite : A vg = 1 = 1 . be =
v v v RL Re
.A V 0 .
e g v be e g 1 1
R L + RS + Re + Rg +
Am jωC L jωC
h R eq .R e 1 1
A vg = − fe . . .
h ie R e + R g 1 − j
1−
j
ωC L (R L + R C ) (
ωC R e + R g )
Il existe deux fréquences de coupure basses :
1 1
FBF1 =
(
2πC R g + R e ) FBF2 =
2πC L (R L + R C )
C CL
R g
Rs
vbe Re AV0.vbe vl RL
eg
Avg(db)
20 h R eq .R e
Am
20 log − fe .
h ie R g + R e
0 20 db/dec
− 20
− 40
40 db/dec
ϕ(°)
− 90
− 270
− 360
VDD
R1 RC CL
C IP
VBE
Vs
Ve
R2 RL
T° IB VE VBE IB
VBE
Vs
Ve
R2 RE RL
Rg ib ic
B C
eg RB hie hfe.ib RC RL
ve E vl
RE
VBE
CE Vs
Ve
R2 RE RL
T1 T2
t
VBE1 0.6 V
0 t
VCE2 VDD
t
VBE2 0.6 V
0 t
T1 0.6 V T2
t
VBE1 0.6 V
0 t
Instant t < t0
t
VBE2 0.6 V
0 t
T1 0.6 V T2
t
VBE1 0.6 V
0 t
Instant t < t0
T1 0.6 V T2
t
VBE1 0.6 V
0 t
Instant t = t0
La charge de C2 impose la
t
VBE2 tension VBE1 = 0,6 − VDD
0.6 V
0 t
T1 se bloque
t
VBE2 0.6 V
0 t
La charge de C1 impose la
t
VBE2 tension VBE2 = 0,6 − VDD
0.6 V
0 t
T2 se bloque
IC (A) IC (A)
et VS = 0.
VE PNP RL VS
− VDD
VS (V) VE (V)
0.6
0 t
− 0.6
et VS = 0.
VE PNP RL VS
Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué : − VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V) VE (V)
0.6
0 t
− 0.6
et VS = 0.
VE PNP RL VS
Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué : − VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V) VE (V)
Si VE < − 0.6 V, le transistor PNP est en
régime linéaire et le NPN est bloqué.
0.6
VS = VE + 0.6.
0 t
Distorsion pour les faibles valeurs de VE.
− 0.6
Saturation de VS si |VE| > VDD.
et VS = 0.
VE PNP RL VS
Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué : − VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V)
Si VE < − 0.6 V, le transistor PNP est en
VDD
régime linéaire et le NPN est bloqué.
0.6
VS = VE + 0.6.
0 t
Distorsion pour les faibles valeurs de VE.
− 0.6
Saturation de VS si |VE| > VDD.
− VDD
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
VII. Amplification classe B
VII.2. Amplificateur push-pull VDD
Les deux transistors ont le même gain β.
Amplificateur de puissance et non de tension NPN
Si VE = 0, les deux transistors sont bloqués IL
et VS = 0.
VE PNP RL VS
Si VE > 0.6 V, le transistor NPN est en
régime linéaire et le PNP est bloqué : − VDD
VS = VE – 0.6.
VS (V)
Si VE < − 0.6 V, le transistor PNP est en
VDD
régime linéaire et le NPN est bloqué.
VS = VE + 0.6. − VDD − 0.6
Distorsion pour les faibles valeurs de VE. 0.6 VDD VE (V)
− VDD
VS (V)
VDD
− VDD − 0.6
0.6 VDD VE (V)
RC RC
Entrée
+ T1 T2
Entrée Sortie
−
I0
− VDD
R4 RC RC
Entrée
+ T1 T2
Entrée Sortie
−
I0
T4 T3
− VDD
R4 RC RC
Entrée
+ T1 T2
Entrée Sortie
−
I0 T5
T4 T3
R5
− VDD
R4 RC RC R6
Entrée
+ T1 T2
Entrée Sortie
−
I0 T5
T6
T4 T3
R5
− VDD
R4 RC RC R6 R7
T7
Entrée
+ T1 T2
Entrée Sortie
−
I0 T5
T6 T8
T4 T3
R5 R8
− VDD
V2 − ε V1 − ε ε − VS V2 V1 V
+ = soit + =− S
R2 R1 R R 2 R1 R
R R
Tension de sortie : VS = − V1 + V2
R1 R2
Si R1 = R2 : VS = −
R
(V1 + V2 )
R1
Si R1 = R2 = R : VS = −(V1 + V2 )
Expression de VS :
VE VS
dVS 1
VE = − R.C. dVS = − VE dt
dt R.C
∫ 0
1
VS = − VC0 − VE dt IB0
R.C
VS = R.I + ε + VE ≈ VE ε A
Circuit
L’impédance d’entrée est très grande et celle VE VS
de sortie très faible. On peut donc prélever la
tension VE sans modifier le circuit.
0 V1 VDD VE
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
VIII. Amplificateur opérationnel
VIII.7. Montage comparateur : comparateur simple
Il est évidement possible d’inverser
VDD VE
les entrées + et −.
VDD
R1
Vd A
V1
VS
R2
VS
VDD
0 V1 VDD VE
Pascal MASSON -Cycle Initial Polytechnique- Le transistor bipolaire
VIII. Amplificateur opérationnel
VIII.8. Montage comparateur : CAN Flash
Le but est de transformer un signal analogique et suite de 0 et de 1.
VDD
VE VE
R G VDD
R F
Circuit de décodage
R E S2
0 t
R D S1
Circuit
mémoire
R C S0
R B
R A Horloge