You are on page 1of 3

05 de Junio del 2018 JFET – UNIDAD INTRODUCTORIA Y RESOLUCION

Preguntas de Unidad 13: JFET


1. Un JFET

_________________________________________________________________________

2. Un transistor unipolar utiliza

_________________________________________________________________________

3. La impedancia de entrada de un JFET

_________________________________________________________________________

4. La puerta controla

_________________________________________________________________________

5. El diodo puerta – fuente de un JFET tiene que

_________________________________________________________________________

6. Comparado con un transistor de unión bipolar, el JFET tiene una mayor

_________________________________________________________________________

7. La tensión de estrangulamiento tiene el mismo módulo que la

_________________________________________________________________________

8. Cuando la corriente de saturación de drenador es menor que IDSS, un JFET se


comporta como

_________________________________________________________________________

9. RDS es igual a la tensión de estrangulamiento divida entre

_________________________________________________________________________

10. La curva de transconductancia es

_________________________________________________________________________

11. La transconductancia aumenta cuando la corriente de drenador se aproxima a

_________________________________________________________________________

12. Un amplificador en fuente común tiene una ganancia de tensión igual a

_________________________________________________________________________

13. Un seguidor de fuente tiene una ganancia de tensión igual a

SENATI | ELECTRÓNICO INDUSTRIAL 3° 1


SEMESTRE
05 de Junio del 2018 JFET – UNIDAD INTRODUCTORIA Y RESOLUCION

_________________________________________________________________________

14. Cuando la señal de entrada es grande, un seguidor de fuente tiene

_________________________________________________________________________

15. La señal de entrada utilizada con un conmutador analógico JFET tiene que ser

_________________________________________________________________________

16. Un amplificador cascodo presenta la ventaja de tener

_________________________________________________________________________

17. VHF cubre frecuencia desde

_________________________________________________________________________

18. Cuando un JFET está cortado, las zonas de deplexión

_________________________________________________________________________

19. Cuando la tensión de puerta se hace más negativa en un JFET de canal n, el canal entre
las zonas de deplexión

_________________________________________________________________________

20. Si un JFET tiene IDSS= 8 mA y Vp= 4 V, entonces Rds es igual a

_________________________________________________________________________

21. La forma más fácil de polarizar un JFET en la región óhmica es con

_________________________________________________________________________

22. La autopolarización produce

_________________________________________________________________________

23. Para obtener una tensión puerta – fuente negativa en un circuito JFET autopolarizado,
hay que tener

_________________________________________________________________________

24. La transconductancia se mide en

_________________________________________________________________________

25. La transconductancia teórica indica como de efectivamente la tensión de entrada


controla

_________________________________________________________________________

SENATI | ELECTRÓNICO INDUSTRIAL 3° 2


SEMESTRE
05 de Junio del 2018 JFET – UNIDAD INTRODUCTORIA Y RESOLUCION

Problemas
1. Ideas Básicas
1.1. Un 2N5458 tiene una corriente de puerta de 1nA cuando la tensión inversa es -15 V.
¿Cuál es la resistencia de entrada de la puerta?

1.2. Un 2N5640 tiene una corriente de puerta de 1uA cuando la tensión inversa es -20 V y
La temperatura ambiente es 100°C. ¿Cuál es la resistencia de entrada de la puerta?

2. Curvas de drenador
2.1. Un JFET tiene IDSS= 20 mA y Vp= 4 V. ¿Cuál es la corriente máxima de drenador? ¿Y la
tensión de corte puerta – fuente? ¿Y el valor Rds?

2.2. Un 2N5555 tiene IDSS= 16 mA y Vgs(off)= -2 V. ¿Cuál es la tensión de


estrangulamiento de este JFET? ¿Cuál es la resistencia de drenador – fuente (Rds)?

2.3. Un 2N5457 tiene IDSS= 1 a 5 mA y Vgs(off)= -0.5 a -6 V. ¿ Cuáles son los valores
máximos y mínimo de la resistencia de drenador – fuente (Rds)?

SENATI | ELECTRÓNICO INDUSTRIAL 3° 3


SEMESTRE

You might also like