Electrónica Aplicada I-Introdução

Conceito de amplicadores
Modelagem de Transistores (BJT)

Adaptado das notas de aulas do Prof.Dr Edilson Kato e do livro:

Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos 8a Edição
Robert L. Boylestad
Louis Nashelsky

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Introdução

• Amplificador de pequenos sinais

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Introdução (Cont…)

Amplificador de pequenos sinais:

•Classificação dos amplificadores
•Quanto à amplitude dos sinais
•Quanto à frequência dos sinais
•Classificação por categoria

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Introdução (Cont…)

Classificação quanto à amplitude dos sinais

Amplificadores de pequeno sinal ou baixa potência:
– sinais de entrada: unidades de µV à dezenas de mV;
– Correntes de colector (IC) : unidades à centenas de mA;
– Potências (VCE x IC), centenas de mW.

Amplificadores de média potência

– sinais de entrada: centenas de mV;
– Correntes de colector (IC) : centenas de mA a unidades de A;
– Potências (VCE x IC): centenas de mW a unidades de W.

Amplificadores de potência:
– sinais de entrada: centenas de mV;
– Correntes de coletor (IC) : unidades à dezenas de A;
– Potências (VCE x IC): unidades a centenas de W.

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Introdução (Cont…)
Classificação quanto à frequência dos sinais

Amplificadores de baixa frequência

– operam na faixa de frequências de 0,1Hz à 30KHz;

Amplificadores de média frequência

– operam na faixa de frequências de 30Hz à 300KHz;

Amplificadores de alta frequência

– operam na faixa de frequências acima de 300MHz;

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Introdução (Cont…)

Classificação por categoria

Amplificadores de baixa potência e frequência

Amplificadores de potência

Amplificadores de alta frequência

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Introdução (Cont…)

Amplificador de pequenos sinais:

•Classificação dos amplificadores
•Quanto à amplitude dos sinais
•Quanto à frequência dos sinais
•Classificação por categoria

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Modelagem do transistor

Um modelo é um circuito que representa as características CA do transistor. Ele usa

elementos de circuito que representam o comportamento do transistor.
Existem 2 modelos comumente usados na análise CA de pequeno sinal de um transistor:

• modelo re
• modelo equivalente híbrido

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Introdução
• Amplificador de pequenos sinais

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Introdução

•Análise CA

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Introdução

• Análise CA (redesenhando)

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Parâmetros importantes
Zi, Zo, Av, Ai são parâmetros importantes para a análise das características CA de um
transistor.

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Impedância de entrada, Zi

Para determinar Ii: Insira um resistor de "sensoriamento"

Vi
Zi =
Ii

em seguida, calcule Ii: [Formula 7.2]

Vs − Vi
Ii =
Rsense 13
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Impedância de saída, Zo

Para determinar a Io: inserir uma outra "resistência de sensoriamento"

Vo
Zo =
Io

em seguida, calcule Io: [Formula 7.4]

V − Vo
Io =
Rsense
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Ganho de tensão, Av
[Formula 7.6]

Para um amplificador sem carga:

Vo
Av =
Vi
[Formula 7.7]
Vo
AVNL =
Vi RL = ∞Ω(opencircuit)

Note: o ganho de tensão sem carga(AVNL) é sempre maior que o ganho de tensão
carregado(AV).
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Ganho de Corrente, AI
[Formula 7.9]
Io
Ai =
Ii

O ganho de corrente (Ai) também é calculado, usando o ganho de tensão (Av):

Vo
−
Io RL Zi
Ai = = = − Av
Ii Vi RL 16
Zi
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Relação de fase

A relação de fase entre a entrada e a saída depende do circuito de configuração

do Amplificador.

Emissor – Comum ~ 180 graus

Base – Comum ~ 0 graus

Coletor – Comum ~ 0 graus

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Modelo re do Transistor

BJTs são dispositivos controlados basicamente por corrente, portanto o modelo re usa um
diodo e uma fonte de corrente para modelar o comportamento do transistor.

Uma desvantagem para este modelo é sua sensibilidade ao nível CC. Este modelo é
projetado para circuitos específicos.

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Configuração Emissor Comum

A corrente de base é a entrada e o coletor é a saída.

Este modelo indica: [Formula 7.16]
Ic = β ca Ib
[Formula 7.17]
Ie = Ic + Ib = β ca Ib + Ib = ( β ca + 1) Ib
[Formula 7.18]
Ie ≅ β ca Ib
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Impedância na configuração do emissor comum

Modelo aproximado re

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Impedância na configuração do emissor comum

A impedância de entrada(Zi):
Vi Vbe
Zi = =
Ii Ib [Formula 7.19]
Vi = Vbe = Ie.re ≅ β ca Ib.re

Vbe β ca Ib.re
Zi = ≅
Ib Ib
Zi = β ca .re

A impedância de saída(Zo):
Zo = ro
[Formula 7.20]
Zo ≅ ∞Ω

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Cálculo do Ganho usando o modelo re

Vo = -Io.R L = − Ic. RL = − β . Ib.RL

Vi = Ii.Zi = Ib.β .re
Vo β . Ib.RL
Av = =−
Ganho de tensão(Av): Vi Ib.β .re
RL
Av = −
re

Io β . Ib
Ai = =
Ganho de corrente(Ai): Ii Ib
Ai = β 22
ro = ∞Ω
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Modelo re

O modelo re para a configuração emissor comum

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Cálculo de re

A resistência CA de um diodo

26mV
rd=
ID
ID é a corrente CC através do diodo no ponto quiescente

26mV
re=
IE
IE - na análise CC

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Resistência Dinâmica ou CA

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Resistência Dinâmica ou CA

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Resistência Dinâmica ou CA

Região de Polarização direta:

26mV 26mV
′
r d= +rB rd=
ID ID
• rd` é a resistência dinâmica
• rB é a resistência do material semicondutor e a resistência de contato
• A resistência depende da quantidade de corrente (ID) no diodo.
• A tensão no diodo é razoavelmente contante (26mV para 25°C).
• rB varia de um typico 0.1Ω para dispositivos de altas potências até 2Ω para baixas
potências, para diodos comuns. Em alguns casos rB pode ser ignorada.

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Modelo equivalente híbrido

Os parâmetros de híbridos: hie, hre, hfe, hoe são desenvolvidos e utilizados para o modelo
do transistor. Esses parâmetros podem ser encontrados em uma folha de especificação de
um transistor.

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Parâmetros H gerais para qualquer configuração de transistor

hi = resistência de entrada
hr = relação de tensão de transferência reversa(Vi/Vo)
hf = relação de transferência de corrente direta(Io/Ii)
ho = condutância de saída
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Modelo de parâmetros h Geral Simplificado

O modelo acima pode ser simplificado com base nestas aproximações:

hr ≅ 0 por conseguinte hrVo = 0 e ho ≅ ∞

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Emissor Comum re versus Modelo de Parâmetros H

hie = βre
hfe = β
hoe = 1/ro
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