Thyristor:   

Several devices belong to this family. GTO : Gate turn‐off thyristor, MCT: Mos Controlled 
thyristor, SIT : Static induction thyristor, IGCT: Integrated gate commutated thyristor, SCR: 
Silicon controlled rectifier 

Last one is a semi‐controllable device  ‐ only tun‐on controllable; turn‐off not controllable 

Companies producing power devices 
• Toshiba 
• Mitsubishi 
• International rectifiers 
• Infineon technologies 
• Semikron  
• S T microelectronics 
• BHEL 

 
There is a control terminal which is called Gate; this has to be forward biased with respect 
to cathode for successfully firing the device. 

Forward biasing: Anode connected to positive  and Cathode to the ‐ve of the battery 

• J1 and j3 : forward biased 
• J2: reverse biased 

Strength of J2 essentially decides the forward blocking capability. 

Reverse biasing: 

• J2: forward biased 
• J1 and j3 : reverse biased 

Strength of j1 and j3 decides the reverse blocking capability. 
  
VFBO : forward break over voltage 

VRBD: Reverse Breakdown voltage 

Small leakage current flows in reverse bias condition till VRBD. 

 
¾ One small gate pulse is good enough to latch the device into  conduction.  Collector 
current of one transistor is pushed into the other transistor’s base; so both are 
driven into saturation. To turn it off, we will have to force a huge negative current in 
the anode. So it is not easy to turn off SCR. 
¾ Commutation circuits are used to turn it off. 
¾ As gate current increases, it can conduct at a lower value of forward voltage itself.  
¾ If we goes beyond VRBD , the device will not be able to work normally again. 
 
 Ig3>Ig2>Ig1 
Non‐repetitive VRBD: 

The maximum value of V which can be tolerated when a transient occurs. 

Gate power requirement is about 50‐70 watts. 

Current amplification factor is very high i.e., IAnode/Ig =1000). 

Light activated SCR: 

Light falls on gate terminal and releases charge carriers.  

Power requirement is as low as 50 mW. Automatically, gate and power circuits will be 
isolated in this case. 

Latching current: 

Minimum anode current which will allow the sustenance of device in conduction even after 
the gate pulse is removed. 

Turn‐off time: 

After the anode current goes below the holding current, the time needed while the device is 
reverse biased for successful recombination of all charge carriers to switch off the device is 
called Turn‐off time. 

Holding current: 

Minimum current through the anode for holding the device in conduction. If the anode 
current goes below this value the device will go into OFF state. Normally latching current is 
slightly higher than holding current. 
Steps to turn ON SCR: 

• Device should be forward biased and gate pulse should be present. 
• Anode current should exceed Latching current. 

Steps to turn off SCR: 

• Anode current should be less than holding current. 
• SCR should be reverse biased for more than turn off time. 

Ways to turn‐off thyristor circuits: this is also known as commutation 

Line/supply/natural commutation 

Voltage VAK itself goes in the reverse direction without any external force. So, automatically 
the device turns off 

Forced commutation:  M is the main SCR and A is the Auxiliary SCR used 
for turning OFF M. Assume C is pre‐charged with 
upper plate being positive. 
When M is fired, the load gets supply voltage as 
input. At the same time, Capacitor reverses its 
charge through C,M,D1,L and C 
When the load is supposed to be in its OFF 
interval, M has to be turned OFF. At that time, if 
A is given a firing pulse, the reverse voltage of 
the capacitor appears across the main SCR 
reverse biasing it and instantaneously turning it 
OFF. This is a typical example of a commutation 
circuit 
 
Types of thyristors: 

Convertor grade thyristor: 

• Slow toff (100 µsec). 
• Available at high ratings (7kV 4.5 kA). 
• Available at power frequency (50‐60 Hz). 

Invertor grade thyristors: 

• Faster (600 Hz to 1 kHz) 
• Power rating smaller (about 10 MW) 

LASCR: 

• Gate power requirement low 
• automatic isolation between gate and anode circuit. 
 
 Protection of devices: 
1. Overvoltage protection 
Forward bias: 

The device should have appropriate VFBO. 

Reverse bias: 

Diode in series helps in protection as the reverse breakdown voltage that could be 
withstood by the whole circuit  increases.  

But in forward bias, voltage drop increases if we use a diode in series. 

2.Overcurrent protection: 

I2t of fuse < i2t rating of device 

GATING: 

Gating circuit has to have an amplifier and isolator. Normally pulse transformers are used in 
SCR firing circuits for isolation between gating circuit and power circuit. Amplification is 
done by a CE configuration transistor amplifier. 

Because of the use of pulse transformer, a straight forward DC pulse cannot be given 
(transformer will saturate). So, a high frequency pulse is ANDed with the gate triggering 
pulse. 

Series and parallel operation 

Similar to a diode 

(di/dt) and (dv/dt) protection 

di/dt protetcion is byusing an inductor in series 

dv/dt protection is by using an R‐C snubber.