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COURANT CONTINU
Dans cette partie comme dans la précédente consacrée aux semiconducteurs et aux diodes, il
est présenté une introduction au fonctionnement du transistor bipolaire. Le modèle de Ebers et
Moll permet de comprendre le fonctionnement de ce composant et nous l'utiliserons en
exercices et en laboratoire dans le mode continu.
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1. GENERALITES
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1.1. Introduction
Le transistor bipolaire est l'un des dispositifs à semiconducteur les plus utilisés à l'heure
actuelle dans les rôles d'amplificateur et d'interrupteur. C'est un élément composé de deux
jonctions pn; aussi son étude nécessite-t-elle la connaissance préalable du chapitre SPN
traitant de la jonction.
1.2. Définitions
Le transistor bipolaire (Bipolar Junction Transistor) est un dispositif à semiconducteur
présentant trois couches à dopages alternés npn ou pnp (voir fig. 1).
Les deux jonctions qui apparaissent dans le transistor sont désignées par le nom des deux
régions entre lesquelles elles assurent la transition; on trouve, par conséquent, la jonction
base-émetteur (BE) également dénommée jonction de commande et la jonction base-
collecteur (BC). Dans les symboles de la figure 1, la flèche désigne la jonction de commande.
1.4. Hypothèse
Le principe de superposition s'applique aux charges injectées par la jonction BE et
aux charges injectées par la jonction BC. On peut donc étudier séparément l'effet de
chaque jonction.
1.5. Description: transistor au repos
La figure 2 montre les barrières de potentiel énergétique pour les électrons et pour les
trous. Au repos, elles sont telles que ni les électrons de l'émetteur, ni les électrons du
collecteur, ni les trous de la base ne peuvent les franchir.
(1)
Les trous injectés de la base dans l'émetteur sont responsables du courant IBF et obéissent
également à la loi de la jonction. On peut ainsi écrire:
(2)
Définition
Le rapport βF entre le courant de collecteur et le courant de base est constant; on l'appelle gain
de courant en mode F :
(3)
Propriétés
Les deux courants, IF et IBF qui traversent la jonction BE sont indépendants du comportement
de la jonction BC.
Dans une modélisation du transistor, on traduit l'équation (1) en disant que le courant de
collecteur du transistor, en mode F, est commandé par la tension base-émetteur. On peut
également affirmer que le courant de collecteur du transistor, en mode F, est commandé par le
courant de base selon la relation:
(4)
Ces deux propriétés apparaissent dans les caractéristiques de transfert en mode F de la figure
4.
Commentaires
Lors de la fabrication des transistors on met tout en oeuvre pour que le courant de base en
mode F soit le plus faible possible. En particulier, l'émetteur est dopé beaucoup plus fortement
que la base pour que les électrons injectés dans la base soient plus nombreux que les trous
injectés dans l'émetteur. D'autre part, on réalise des bases aussi étroites que possible de telle
sorte que, pendant leur transit, les électrons n'aient que peu de chances de s'y recombiner. Le
gain de courant en mode F atteint des valeurs se situant entre 100 et 1000 pour des transistors
de petite puissance (< 1W).
2.2. Description: mode de fonctionnement R
Tout comme le mode F, le mode R (Reverse: inverse) désigne un fonctionnement particulier
du transistor. En mode R, c'est la tension de la jonction BE que l'on maintient nulle. Les
barrières de potentiel pour les électrons et pour les trous prennent alors les allures décrites à la
figure 6.
Les phénomènes sont identiques à ceux qui se produisent en mode F: en polarisation inverse
de la jonction BC, aucun courant ne circule alors qu'en polarisation directe, les électrons du
collecteur sont injectés dans la base, la traversent, et les trous de la base sont injectés dans le
collecteur.
Si la jonction BC est polarisée en sens direct, sa barrière de potentiel est diminuée. Les
électrons du collecteur diffusent dans la base et sont happés par le puits de potentiel que
représente alors l'émetteur. Le flux d'électrons allant du collecteur à l'émetteur en transitant
par la base se traduit par un courant IR, qui n'est rien d'autre que le courant d'électrons de la
jonction BC et qui répond à l'expression:
(5)
Figure 6: fonctionnement du transistor en mode R
Les trous injectés de la base dans le collecteur sont responsables du courant IBR et obéissent
également à la loi de la jonction. On peut ainsi écrire:
(6)
Définition
Le rapport βR entre le courant de collecteur et le courant de base est constant; on l'appelle gain
de courant en mode R :
(7)
Propriétés
Les deux courants, IR et IBR qui traversent la jonction BC sont indépendants du comportement
de la jonction BE.
Dans une modélisation du transistor, on traduit l'équation (5) en disant que le courant
d'émetteur du transistor, en mode R, est commandé par la tension base-collecteur. On peut
également affirmer que le courant d'émetteur du transistor, en mode R, est commandé par le
courant de base selon la relation
(8)
Ces deux propriétés apparaissent dans les caractéristiques de transfert en mode R de la figure
7.
Commentaire
Il est intéressant de remarquer que les caractéristiques de transfert qui expriment la relation
entre le courant commandé et la tension de commande [relations (1) et (5)] ont la même
forme. Ceci s'explique par le fait que, pour une tension donnée. l'injection d'électrons dans la
base ne dépend que de la concentration des impuretés dans la base.
Le gain de courant inverse βR, du fait de la technologie, est plus petit que le gain de courant
βF; dans un transistor discret de petite puissance il peut être compris entre 1 et 10 alors qu'il
devient beaucoup plus petit que l'unité dans les transistors intégrés.
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3. MODELES DE EBERS ET MOLL
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3.1. Description
Le modèle de Ebers et Moll (modèle EM) du transistor résulte de la superposition des modes
F et R, superposition autorisée en vertu de l'hypothèse 1.4
3.2. Mode F
Le courant IF dépend uniquement de UBE (ou de IBF). Le couple de grandeurs (UBE, IBF),
caractéristique de la diode DE, rend compte du comportement de la jonction BE (fig. 9).
Figure 9: mode F
3.3. Mode R
Le courant IR dépend uniquement de UBC (ou de IBR). Le couple de grandeurs (UBC, IBR),
caractéristique de la diode DC, rend compte du comportement de la jonction BC (fig. 10).
Le modèle de Ebers et Moll est entièrement décrit par trois paramètres qui sont: le courant
inverse de saturation du transistor, Is, le gain de courant en mode F, βF et le gain de courant en
mode R, βR.
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4. CAS DE FONCTIONNEMENT
DU TRANSISTOR
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4.1. Introduction
Les divers cas de fonctionnement du transistor dépendent uniquement des valeurs des tensions
aux jonctions BE et BC. Si l'on considère l'état passant et l'état bloqué de chaque jonction, on
dénombre quatre cas de fonctionnement possibles (fig. 12). La présente section décrit chacun
des cas après en avoir donné une définition. Cette définition sert également de critère pour
définir le fonctionnement du transistor.
4.2. Définitions
Le transistor est bloqué lorsque ses deux jonctions sont en polarisation inverse (voir fig. 12).
(9)
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5. EFFET EARLY
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5.1. Introduction
La longueur de la base est déterminée par les frontières des zones de déplétion des jonctions
BE et BC. La largeur de ces zones de déplétion dépend de la tension appliquée à la jonction. Il
en résulte que la longueur de la base dépend de la tension appliquée aux deux jonctions
adjacentes. Cet effet de modulation de la longueur de la base par les tensions UBE et UBC a une
influence sur le courant de collecteur et est connu sous le nom d'effet Early (Early est la
personne qui, la première, a décrit le phénomène).
Plus précisément, on appelle effet Early la modulation de la longueur de la base par la tension
UBC et effet Late (Late: "tard", par opposition à Early qui signifie "tôt"... le tout avec un brin
d'humour!) la modulation de la longueur de la base par la tension UBC.
5.2. Assertion
On peut démontrer que le courant de diffusion dû aux électrons injectés de l'émetteur dans la
base est proportionnel au gradient de leur nombre volumique. A la frontière de la zone de
déplétion de la jonction BC, ce nombre volumique est toujours pratiquement nul étant donné
que les électrons y sont happés par le puits de potentiel que représente le collecteur ( voir
figure 14).
Figure 14: modulation de la largeur de la base
On constate, d'après la figure 14, qu'une augmentation de la tension UCB rétrécit la base,
augmentant ainsi le gradient du nombre volumique des électrons. Par conséquent, il en
découlera une augmentation du courant de collecteur.
5.3. Propriété
La théorie et la pratique montrent que, dans un transistor en fonctionnement normal direct, les
caractéristiques de sortie peuvent, en première approximation, être assimilées à des droites qui
concourent toutes vers un même point UCB = -UA situé sur l'axe des abscisses IC = 0 (voir
figure 15).
5.4. Définitions
La tension UA est appelée tension Early.
Le même raisonnement qui a été fait en mode normal direct peut être fait en mode normal
inverse. On rend compte de la modulation de la longueur de la base par la tension UB appelée
tension Late.
5.5. Modèle
En mode normal direct et en tenant compte des effets Early et Late, le courant de collecteur
peut s'écrire:
(10)
Tout se passe, en fait, comme si le courant inverse de saturation avait pour expression:
(11)
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6. LE TRANSISTOR EN REGIME
D'ACCROISSEMENTS
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6.1. Introduction
Dans la plupart de ses applications en électronique analogique, le transistor travaille en
fonctionnement normal direct et en régime d'accroissements autour d'un point de repos. Le but
de la présente section est de donner un modèle linéaire simplifié du transistor, à partir du
modèle EM, pour résoudre les problèmes de petits accroissements.
6.2. Définition
Le point de repos est défini par l'ensemble des grandeurs électriques caractérisant le transistor
en l'absence des signaux à amplifier. On affecte ces grandeurs de l'indice 0: IC0 UBE0 etc. Les
accroissements sont les variations de ces grandeurs électriques par rapport au point de repos.
On les désigne par la lettre ∆ : ∆ IC, ∆ UBE etc.
6.3. Assertion
Le travail en régime d'accroissements permet de linéariser les caractéristiques du transistor
autour du point de repos: les accroissements sont assez petits pour que les caractéristiques
puissent être assimilées à leur tangente au point de repos. On obtient ainsi des relations
linéaires entre les accroissements et partant, un modèle simplifié du transistor.
6.4. Modèle
Soir un point de repos déterminé par le couple de grandeurs (IC0, UBE0). Le modèle du
transistor en fonctionnement normal direct peut être linéarisé lorsqu'on considère des
accroissements. En particulier la relation entre les accroissements de courant commandé et les
accroissements de la tension de commande devient:
(12)
où
(13)
(15)
Le modèle qui rend compte de ces différents points est représenté à la figure 16.
6.5. Commentaire
La conductance gce qui, à la figure 16, est en parallèle avec la source de courant rend compte
de l'effet Early. Elle a pour expression:
(16)
La capacité CTC est la capacité de transition de la jonction base-collecteur (voir SPN.4). Elle
permet de rendre compte des effets dynamiques qui ont pour siège la jonction BC, polarisée
en sens inverse.
6.6. Conclusions
La caractéristique de la source de Thévenin est bien connue, mais gagne cependant à être
représentée :
Le montage complet fait donc intervenir l'association des deux dipôles précédents.
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8. EXERCICES
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8.1. Exercice
ÉNONCÉ---
a)
Une mesure sur un transistor bipolaire NPN, faite avec le circuit ci-dessus, a donné les
résultats suivants :
b)
Avec le même transistor qu’au point a) mis dans le circuit de mesure ci-dessus, quelle tension
base-émetteur faut-il imposer pour avoir le même courant de collecteur de 10 mA ? Quel est
le courant de base correspondant ?
Dans ces conditions quelle est la variation relative du courant de collecteur si la source de
tension VBE varie de ±2% ?
CORRIGÉ---
a) Vcc = VCE = 3 V et VBE ≈ Uj = 0.7 V
Si VBE varie de ±2%, IC varie de 5.78 mA à 17.43 mA, soit de -42% à +74% !
Le transistor est donc beaucoup plus sensible à des variations de la tension VBE qu’à des
variations du courant IB, ce qui est gênant pour faire des mesures statiques, mais devient
intéressant pour faire un amplificateur.
8.2. Exercice
ÉNONCÉ---
Introduction à l'amplificateur. Soit le montage suivant :
UB0 = 2.9 V Uj =0.7 V RC = 4.7 kΩ RE = 2.2 kΩ
ß = 200 Vcc = 15 V
Calculer le point de repos c.à.d. les courants IB0, IE0 et IC0, ainsi que les tensions UE0 et UC0
lorsque ∆UB = 0.
CORRIGÉ---
a) ∆ UB = 0 UE0 = UB0 - Uj = 2.2 V
d’où : et
alors et
=> et
8.3. Exercice
ÉNONCÉ---
Soit le montage à transistor bipolaire de la figure suivante. Sachant que UBE = Uj, calculer les
courants IB, IE et IC, ainsi que les tensions UE et UC.
CORRIGÉ---
UE = U - Uj = 2,7 V
IE = = 1 mA
IC = ß. IB IE = (ß+1) IB ≅ IC
=> IB = 5 µA IC = 1 mA
La jonction BC est bloquée (VBC = U-UC = 3.4V - 5.3V= - 1.9V), donc le transistor T se
trouve bien en mode Normal Direct.
8.4. Exercice
ÉNONCÉ---
Soit le montage représenté à la figure suivante. Sachant que UBE = Uj, calculer les courants IB
et IC, ainsi que les tensions UB et UC.
Soit UR2 la différence de potentiel aux bornes de R2 (définie dans le même sens que le courant
IB).
IB= = 1 mA
Ceci est impossible : T se trouve donc en saturation, la jonction BC conduit, UBC = 0,7V et UC
=UCE= 0V. Il faut recalculer le courant IC.
IC = = 2,1 mA
IE = IC +IB = 3.1mA
8.5. Exercice
ÉNONCÉ---
On considère le montage suivant :
β = 100 Uj = 0.7V I2max = 100 mA
Déterminez R1 et R2 pour que le montage fournisse une tension de sortie V2 stabilisée à 6V.
CORRIGÉ---
VCC - Uj = V2
= 0.56 = 0.79
Le courant dans les 2 résistances du pont diviseur de tension doit être supérieur à 10 fois le
courant de base maximum du transistor.
8.6. Exercice
ÉNONCÉ---
CORRIGÉ---
Lorsque la tension Vin est suffisamment élevée pour contrecarrer la tension de seuil de la
jonction base-émetteur ( environs 0.7 V), un courant Ib circule dans la base du transistor. Ce
courant de base commande un courant de collecteur, pour autant bien sûr qu'une source de
tension soit disponible du côté du collecteur. Lorsque le courant de collecteur augmente, la
tension de sortie du montage diminue.
8.7. Exercice
ÉNONCÉ---Corrigé
CORRIGÉ---
Si la tension d'entrée Vin est suffisamment grande ou maximum, un courant de base circule et
commande un courant de collecteur maximum. Dans ce cas dit de saturation, la tension de
sortie est pratiquement nul. Point de fonctionnement: en haut à gauche.