DIODOS DE

POTENCIAS

Ha este tipo de elementos

se les hace cambios para
que puedan soportar altas ESTRUCTURA BÁSICA CARACTERISTICAS V-I
potencias.

Consiste en un sustrato muy dopado de
tipo n encima del cual se cultiva una capa
epitaxial n" ligeramente dopada de un
espesor específico. Al final se forma la
unión pn difundiéndola en una región de
tipo n muy dopada que forma el ánodo del
diodo.
la corriente crece en forma lineal con la tensión
de polarización directa y no en forma
exponencial. En sentido inverso sólo fluye una
corriente de dispersión pequeña e independiente
de la tensión de sentido inverso, hasta que se
alcanza la tensión inversa de ruptura

La combinación de una tensión grande con

La capa n- que suele llamarse región de ruptura y una corriente grande lleva a la
arrastre, es la característica estructural disipación excesiva de potencia que puede
principal que no se encuentra en diodos de destruir el dispositivo con rapidez. Por esta razón
potencia baja. Tiene la función de absorber la se debe evitar la operación del diodo en ruptura.
zona de despoblación de la unión p+n- de
polarización inversa. Esta capa es bastante
ancha con tensiones inversas grandes. La
región de arrastre establece la tensión de
ruptura inversa.
 DIODOS DE
POTENCIAS

CARACTERISTICAS DE
CONMUTACIÓN
FORMAS DE ONDA DE RECUPERACIÓN INVERSA
CONMUTACIÓNOBSERVADAS

TRANSITORIO DE TRANSITORIO DE El trr= t4 + t5 es el tiempo de recuperación

ENCENDIDO APAGADO inversa.

Un diodo de potencia requiere un tiempo

finito para conmutar del estado de
bloqueo (polarización inversa) al estado
activo (polarización directa) y viceversa.
El usuario se debe preocupar no sólo del
tiempo requerido para las transiciones,
sino también de cómo varía la tensión y la
corriente del diodo durante las
transiciones.
Tanto el tiempo de transición como la
forma de las formas de onda se ven
afectadas por las propiedades intrínsecas
del diodo y por el circuito en que se
incrusta el diodo.
Durante el periodo t1 y t2, suceden dos
procesos físicos en secuencia.
Primero, la carga de espacio almacenada
en la región de degradación se retira por el
crecimiento de la corriente directa.
Cuando la zona de degradación se
descarga a su nivel de equilibrio térmico,
la unión metalúrgica adquiere una
polarización directa y la inyección de
portadores excedentes a través de la unión
a la región de arrastre empieza en el
tiempo t1 lo que marca el inicio de la
segunda fase y el final de la primera.
Durante la segunda fase, la distribución de
portadores excedentes en la región de
arrastre crece hacia el valor de estado
permanente que soporta la corriente de
polarización del diodo IF.
Están marcados en la grafica con t3,t4 y
t5, sucede algo parecido al encendido
pero de forma inversa.
Primero se tienen que eliminar los
portadores excedentes almacenados en la
región de arrastre antes de que las uniones
metalúrgicas adquieran una polarización
inversa.
Una vez eliminados los portadores por la
acción combinada de recombinación y
barrido de corrientes negativas del diodo,
la zona de degradación adquiere una
cantidad considerable de carga espacial de
la tensión de polarización inversa y se
extiende a la región de degradación desde
ambos extremos.
 DIODOS DE
POTENCIAS

DIODOS DE SCHOTTKY

Los diodos de Schottky se encienden Los diodos de Schottky tienen

y apagan más rápido que los diodos menores pérdidas en estado activo
de unión pn, y no tienen ningún que los diodos de unión pn, pero
transitorio sustancial de también tienen bajas tensiones
recuperación inversa. especificadas de ruptura, que casi
nunca pasan de 100 V.