TRƯỜNG ĐẠI HỌC BÁCH KHOA HÀ NỘI

INTERNATIONAL TRAINING INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE

VIỆN

VẬT LIỆU CÓ CẤU TRÚC NANO

NANOSTRUCTURED MATERIALS

PHẦN III
VẬT LIỆU TỪ CÓ CẤU TRÚC NANO & SPINTRONICS
NANOTRUCTURED MAGNETIC MATERIALS

PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn

HANOI-2010
 PHÂN CÔNG GIẢNG DẠY

GIỚI THIỆU TỔNG QUAN

PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn

PHẦN I: VẬT LIỆU BÁN DẪN CẤU TRÚC NANO

PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu

PHẦN II: VẬT LIỆU QUANG TỬ VÀ QUANG ĐIỆN TỬ CẤU TRÚC NANO
TS. Nguyễn Văn Quy

PHẦN III: VẬT LIỆU TỪ CẤU TRÚC NANO & SPINTRONICS

PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn

PHẦN IV: CÁC VẬT LIỆU NANO KHÁC VÀ CÁC VẤN ĐỀ LIÊN QUAN
PGS. TS. Nguyễn Anh Tuấn
PGS. TS. Nguyễn Văn Hiếu
TS. Nguyễn Văn Quy
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 CẤU TRÚC PHẦN MÔN HỌC
Phần III: Vật liệu từ cấu trúc nano & Spintronics
• TÍNH CHẤT TỪ CHUNG Ở THANG NANOMÉT
• VẬT LIỆU TỪ KHỐI CÓ CẤU TRÚC NANO
• MÀNG MỎNG TỪ CẤU TRÚC NANO
• DÂY TỪ VÀ ỐNG TỪ NANO
• HẠT TỪ NANO, DOT TỪ VÀ CHÙM NANO TỪ
• PHÂN TỬ VÀ NGUYÊN TỬ TỪ CÔ LẬP
• CÁC KỸ THUẬT HIỆN ĐẠI QUAN SÁT VÀ PHÂN TÍCH ĐẶC TRƯNG CẤU TRÚC TỪ NANO

Phần VI: Các vật liệu nano khác và một số vấn đề liên quan
• CÁC VẬT LIỆU NANO CARBON
• CÁC VẬT LIỆU NANO CHỨC NĂNG ĐẶC BIỆT KHÁC
• HOÁ HỌC NANO
• KHÍA CẠNH AN TOÀN VÀ NHỮNG THÁCH THỨC CỦA VẬT LIỆU NANO
• CÁC CẤU TRÚC NANO TRONG TỰ NHIÊN
• ĐIỆN TỬ HỌC PHÂN TỬ, NGUYÊN TỬ, VÀ THÔNG TIN LƯỢNG TỬ
• TƯƠNG LAI CỦA CÔNG NGHỆ NANO
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
CHƯƠNG 3: VẬT LIỆU TỪ CẤU TRÚC NANO & SPINTRONICS
NANOSTRUCTURED MAGNETIC MATERIALS & SPINTRONICS

3.1. Tính chất từ ở thang nano

3.2. Hạt từ nano, dot từ và các chùm nano từ
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
3.4. Màng mỏng từ cấu trúc nano Spintronics
3.5. Dây từ và ống từ nano
3.6. Phân tử và nguyên tử từ cô lập - Nam châm phân tử
3.7. Các kỹ thuật hiện đại quan sát và phân tích các đặc trưng
cấu trúc từ nano

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.1. Tính chất từ ở thang nano
- Một số cấu trúc hình học nano tiêu biểu:

Chuỗi hạt
nano

Dot nano
Dây nano
Dây nano dạng dải dạng trụ

Dot ngược (Antidot)

Tiếp xúc nano

Ống nano

Bậc nano bề mặt kề cận Màng mỏng được tạo cấu trúc
Xuyến (vòng) nano nano theo khuôn mẫu (pattern).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.1. Tính chất từ ở thang nano
NHỮNG TÍNH CHẤT TỪ NỔI BẬT Ở THANG NANO SO VỚI DẠNG KHỐI:

- Hành vi nội tại của các cấu trúc nano từ bị thay đổi bởi:
+ hiệu ứng kích thước bị giới hạn
+ hiệu ứng bề mặt
Vấn đề đặt ra: giới hạn bao nhiêu nguyên tử để vẫn duy trì được hành vi
nội tại của một nam châm khối ?
Tính chất/hành vi nội tại (intrinsic):
intrinsic các tính chất/hành vi thuộc về bản chất, vốn có,
tự thân có, được tạo ra từ thành phần và cấu trúc bên trong của đối tượng; không phụ
thuộc số lượng, hình dạng, kích thước và các yếu tố bên ngoài khác; có tính bất biến.
Ngược lại: ➽ extrinsic
- Các tính chất từ nội tại như:
- Một số hành vi nội tại tiêu biểu: T c , Ms , K
+ Xác lập mức độ dị hướng từ ngẫu nhiên - Các tính chất từ ngoại lai như:
+ Tăng cường độ từ dư Hc, Mr, (BH)max
+ Định xứ tính vi từ (micromagnetic)
+ Xuất hiện các kiểu (mode) tạo mầm từ dạng lồi (bulging-type)
+ Có nhiều loại liên kết trao đổi khác nhau
+ Các hiệu ứng biên hạt Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano
Các độ dài tới hạn cơ sở:
•z Hằng số mạng:
a ≤ 1 nm
•z Quãng đường tự do trung bình của điện tử trong kim loại, ví dụ Al:
λ ≅ 102 nm
•z Độ dày vách domain:
w ∝ (A/K)1/2 ≥ 1 nm
•z Bước sóng của một số hạt vận chuyển: (Particle wavelength)
λF ∝ kF-1 ∝ n1/3
- Với các bán dẫn: n ≅ 1016/cm-3
λ > 10 nm
- Với các kim loại: n ≅ 1022/cm-3
λ ~ 0.1 nm
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano

Hiện tượng nhốt (hay giam hãm) lượng tử và hiệu ứng

điện tích khi kích thước thay đổi

Vùng các hiệu ứng

lượng tử nổi trội

Vùng các hiệu ứng

điện tích nổi trội

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
- Các ng.tử bề mặt và mặt phân cách/tiếp xúc trong các cấu trúc nano
đóng góp mạnh nhưng không giống nhau vào các hành vi nội tại.

Các tính chất nội tại (mômen từ và năng lượng trao đổi) của cấu trúc đa lớp Pt-Fe (Theo
Sabiryanov and Jaswal, 1998)

Mômen từ và năng lượng trao đổi giữa các nguyên tử bị biến đổi:
sự thăng giáng mômen rất mạnh và bao trùm qua vài lớp ng.tử.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
- Trong các cấu trúc nano từ 2 pha không trật tự, chỉ có chung một nhiệt độ TC .
Điểm Curie này gần với điểm Curie của pha có tương tác trao đổi mạnh nhất.
Khi kích thước hạt > khoảng cách vài lớp ng.tử ⇛ Thể hiện rõ tính sắt từ không
đồng nhất: 2 điểm Curie và MS(T) là chồng chập của 2 pha khác nhau.
MS MS TC1
TC TC2

T T
M
SP

FM

Magnetic hysteresis loops for (a) 10 and (b) 15 nm diameter nanoparticles Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
Fe dưới dạng 2D, 1D và 0D mọc bằn kỹ thuật MBE trên lớp Cu(111)
2D 1D 0D

25 nm 25 nm 25 nm
Tõ ®é (Magnetization) vµ NhiÖt ®é cña trËt tù tõ (Curie Temperature) cña Fe d−íi d¹ng 2D, 1D vµ 0D
Magnetization (arb.unit)

2D Mr-2D
1D Mr-1D
0D
M (arb.unit) Mr-0D
r

T = 45 K

-6000 -4000 -2000 0 2000 4000 6000 0 50 100 150 200 250 300

Magnetic field (Oe) Temperature (K) Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
- Dị hướng từ bề mặt có nguồn gốc nguyên tử, và mạnh hơn khoảng 2 bậc so với dị
hướng khối.
Do số ng.tử bề mặt Ns của các hạt nano (hay chùm) có thể so sánh được với số
nguyên tử của cả hạt nano, nên đóng góp của dị hướng bề mặt vượt trội so với dị
hướng khối khi hạt có kích thước < 3 nm.

Dị hướng bề mặt và tính đối xứng: Thay vì có đặc trưng của dị hướng từ
kiểu BCC, các mặt (011) và (111) xuất hiện đóng góp của các dị hướng
trong mặt phẳng (in-plane) với đối xứng bậc 2 và bậc 6 (tương ứng).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
§é nhít tõ (Magnetic Viscosity) cña Fe d−íi d¹ng 2D, 1D vµ 0D ®o ë T = 50 K
2D 1D 0D
Magentization (arb. unit)

field off

Magnetization (arb. unit)

Magnetization (arb. unit)
field off

field off

field on field on
field on

-20 0 20 40 60 80 100 120 140 0 20 40 60 80 100 0 5 10 15 20

Time (s) Time (s) Time (s)

- (Trong từ học vật lý) - Tính nhớt từ là sự trễ về mặt thời gian giữa sự thay đổi của
từ trường tác dụng lên một vật sắt từ và sự thay đổi xảy ra sau đó trong cảm ứng từ
là rất lớn.
(Trong vật lý plasma) - Là hiệu ứng, gây ra bởi từ trường khi không có tác động
của lực co học hoặc điện trường mạnh, làm giảm/hạn chế sự chuyển động của một
dòng vật chất dẫn điện theo phương vuông góc với đường sức từ, tương tự như
hiện tượng nhớt thông thường. Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
- Kích thước hạt đơn và lực kháng từ: Từ hạt lớn (đa đômen) xuống đến hạt nano
(đơn đômen) và tiến đến chùm phân tử hay nguyên tử: HC tăng mạnh.
Mesoscopic physics
Xu hướng đa đômen có tác
dụng giảm thất thoát năng
lượng để hệ ở trạng thái ổn (Nanoscopic)
định hơn (cực tiểu năng lượng).

(Số mômen từ trong một hệ từ, gần đúng với số nguyên tử)

Hình thành, lan truyền và Quay, vặn đồng bộ & các Xuyên ngầm, giao
tiêu biến vách domain. kiểu không đồng bộ,... thoa, kết hợp lượng tử .

Sự đảo từ trong các cấu trúc

từ khi bị giảm kích thước
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
-Ở thang vĩ mô, một hệ từ bị chia ra thành các domain từ cách nhau
bởi các vách domain để giảm năng lượng của toàn bộ hệ. ➽ Hệ ở
trạng thái đa domain (đường từ trễ ở bên trái của hình ở slide trước).
-Khi kích thước của hệ cỡ độ rộng của vách domain, hoặc của chiều
dài trao đổi: ➽ việc hình thành các vách domain đòi hỏi quá nhiều
năng lượng. ➽ Hệ ở trạng thái đơn domain và sự đảo từ độ cần phải
được thực hiện bằng cách quay, xoắn đồng bộ, hoặc các kiểu không
đồng bộ khác (đường từ trễ ở giữa của hình ở slide trước).
- Đối với các hệ có kích thước < độ rộng của vách domain, hoặc của
chiều dài trao đổi: ➽ bắt buộc phải tính đến các mômen từ (spins) và
các liên kết của chúng. Mô tả về phương diện lý thuyết quá trình đảo
từ ở các hệ này rất phức tạp do các biên hạt (particle's boundaries)
(đường từ trễ ở bên phải của hình ở slide trước).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn

Vortex

H Kiểu đảo từ trong các hạt từ nano

chuyển từ kiểu xoắn đồng bộ sang
H kiểu quay đồng bộ khi kích thước
hạt giảm.

Đường từ trễ của các hạt nano từ dạng đĩa

có đường kính d, dày t. (a) d = 300 nm, t
= 10 nm; (b) d = 100 nm, t = 10 nm.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các tính chất nội tại và hiệu ứng kích thước hữu hạn
- Tính siêu thuận từ của các hạt nano đơn đômen (single domain: SD) & HC

- Các hạt SPM gần như không có lực kháng từ

- Hành vi SPM gần giống như thuận từ của các
nguyên tử.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano
™ Các hiện tượng vách hẹp và bị "thắt eo"

- Các vách dômen thông thường phẳng nhẵn và rộng tới nhiều lớp nguyên tử.
Với các vật liệu từ rất cứng, như SmCo5, lại có vách rất hẹp.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.1. Tính chất từ ở thang nano

™ Các hiện tượng vách hẹp và bị "thắt eo"

™ Hiện tượng định xứ nano từ
™ Các hiệu ứng thao tác đồng thời (cooperative)
™ Dị hướng ngẫu nhiên & Tăng cường tính từ dư
™ Động lực học từ độ trong các cấu trúc nano
™ Các quy luật về hàng rào năng lượng bị thay đổi

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

CÊu tróc cña chất lỏng tõ (magnetic fluid)

trªn cơ sở h¹t nano ferrite Fe3O4

Bao gåm 3 thµnh phÇn:

- C¸c h¹t tõ ®¬n ®«men víi m«men tõ ®Þnh h−íng ngÉu nhiªn
- M«i tr−êng dung m«i láng kh«ng cùc (n−íc/dÇu,...)
- Trªn bÒ mÆt h¹t ®−îc bao phñ mét líp ho¹t tÝnh bÒ mÆt.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

CÊu tróc cña chất lỏng tõ

(magnetic fluid)

- C¸c h¹t tõ ®¬n ®«men cã kÝch th−íc

cì vμi chôc nano mÐt vμ cã d¹ng gÇn
h×nh cÇu ë trong m«i tr−êng chÊt láng,
MS ~ 10-19 Am2 ⇒ TÝnh siªu thuËn tõ

- C¸c h¹t siªu thuËn tõ thùc hiÖn hai

mode quay tù do:

1- Quay Brown víi thêi gian håi phôc:

Trong ®ã: v lµ thÓ tÝch cña h¹t, η0 lµ
®é nhít cña dung m«i, K lµ h»ng sè
dÞ h−íng, f0 lµ tÇn sè Larmor (kho¶ng
2- Quay NÐel víi thêi gian håi phôc:
109 s-1), k lµ h»ng sè Boltzmann vµ T
lµ nhiÖt ®é.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

Một số loại dung môi thương phẩm thường dùng cho

chất lỏng từ

1. C¸c dung m«i h÷u c¬: Heptane, Xylene, Toluene, MEK

2. C¸c dung m«i v« c¬: N−íc
3. C¸c Hydrocarbon (tæng hîp hoÆc dÇu má)
4. Esters tæng hîp
5. Polyglycols
6. Polyphenyl ethers
7. Perfluoropolyethers
8. Silahydrocarbons
9. Halecarbons
10. Styrene

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

TÝnh chÊt cña chất lỏng tõ

Mét sè tÝnh chÊt vËt lý chung cña n−íc tõ

Trung tÝnh
MËt ®é
Mμu s¾c Tõ mµu hæ ph¸ch cho tíi mµu ®á

KÝch th−íc h¹t

Thμnh phÇn
§é nhít Nh− n−íc hoÆc dÇu
Tõ ®é

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

TÝnh chÊt cña chất lỏng tõ

N−íc tõ cã tÝnh chÊt ®Æc biÖt cña hÖ hai pha:
tæ hîp cña tÝnh láng trong c¸c chÊt láng th«ng
th−êng víi tÝnh siªu thuËn tõ cña c¸c h¹t s¾t tõ hay
ferri tõ ë tr¹ng th¸i r¾n ®−îc ph©n t¸n trong m«i tr−êng
chÊt láng.

Cã thÓ ®iÒu khiÓn:

• tÝnh chÊt cña chất lỏng tõ
• dßng chÈy cña chất lỏng tõ
b»ng lùc tõ hay träng lùc,...

Lµ c¬ së ®Ó øng dông chất lỏng tõ

trong c¸c lÜnh vùc kü thuËt

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
TÝnh chÊt cña chất lỏng tõ
Tính siêu thuận từ
§−êng tõ ho¸ cña chất lỏng tõ cho
thÊy tÝnh chÊt siªu thuËn tõ ®iÓn h×nh.
- C¸c t−¬ng t¸c tõ vµ t−¬ng t¸c van der
Waals cã xu h−íng lµm kÕt tô c¸c h¹t tõ
nano thµnh c¸c h¹t to hoÆc c¸c ®¸m lín.
- ChuyÓn ®éng nhiÖt cña c¸c h¹t tõ cã kÝch
th−íc < 10 nm cã khuynh h−íng ng¨n c¶n
sù kÕt tô.
- Líp ho¹t tÝnh bÒ mÆt ng¨n chÆn c¸c h¹t tõ
nano tiÕp xóc víi nhau.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
TÝnh chÊt cña chất lỏng tõ

Lực từ tác dụng lên chất lỏng từ

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
TÝnh chÊt cña chất lỏng tõ
TÝnh tù tæ chøc cña c¸c h¹t tõ nano trong tõ tr−êng dao ®éng
(a) (b)

(c) (d)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
TÝnh chÊt cña chất lỏng tõ

TÝnh nhít tõ Magnetoviscous effects

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

ChÕ t¹o chất lỏng tõ sö dông h¹t ferrite Fe3O4

¾ Ph¶n øng t¹o «xýt s¾t:

2 FeCl3 + FeCl2 + 8 NH3 + 4 H2O → Fe3O4 + 8 NH4Cl

¾ ChÊt ho¹t tÝnh bÒ mÆt:

C17H33COOH
hoÆc:
[NR4]+[OH]-

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
ChÕ t¹o chất lỏng tõ sö dông h¹t ferrite Fe3O4
Quy tr×nh chÕ t¹o n−íc tõ víi dung m«i n−íc
(Water-based magnetic fluid)

Fe2+ + Fe3+ +H2O KÕt tña Fe3O4

NhiÖt/ChÊt xóc t¸c Phñ ho¹t tÝnh bÒ mÆt lÇn thø nhÊt
víi chÊt xóc t¸c lµ acid decanoic

Lµm nguéi ®Õn nhiÖt ®é phßng KÕt tô

Methanol, Acetone Ch¾t läc b»ng tõ

Röa b»ng axªt«n vµ n−íc Lµm nguéi ®Õn nhiÖt ®é phßng

Gia nhiÖt/ChÊt xóc t¸c

Röa b»ng n−íc N−íc tõ víi dung m«i lµ n−íc

Gia nhiÖt trong m«i tr−êng n−íc. Phñ ho¹t tÝnh bÒ

mÆt lÇn thø hai víi chÊt xóc t¸c lµ acid nonanoic
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

Một số đặc trưng của chất lỏng từ

M(emu/g)
20
0.5 0.495
0.469 80¡É
70¡É
0.4 60¡É
0.413 10

Absorbance (AU)
0.3

H (kOe)
0.2 0
0.1
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8

0.0

-0.1 -10
200 300 400 500 600 700 800
Wavelength (nm)

-20

¶nh TEM cña ®¸m kÕt tña Fe3O4 Phæ hÊp thô UV cña c¸c h¹t §−êng tõ ho¸ cña ®¸m hạt
ferrite tõ víi líp ho¹t tÝnh Fe3O4 kết tủa
bÒ mÆt kh¸c nhau.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

Mét sè lo¹i h¹t nano ferrite kh¸c

Ferrite Co
CoFe2O4 Đường cong từ trễ đo tại 5K và 300 K (hình
nhỏ: Sự phụ thuộc nhiệt độ của lực kháng từ
tu©n theo hàm mũ)
12
80 10

Hc [KOe]
8
60 6
4

40 2
0 5K
20 300 K

M (emu/g)
0 75 150 225 300
T [K]
0
-20
-40
-60
-80
-60 -40 -20 0 20 40 60
Ảnh TEM của hạt ferrite cobalt H (kOe)
đường kính trung bình d = 7.6 nm

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

Mét sè lo¹i h¹t nano ferrite kh¸c

Ferrite Cu
CuFe2O4
40
Cu0.1
30
Cu0.2
Cu0.3
(Sö dông Cu67 nh− lµ mét Cu0.4
20

Magnetization(emu/g)
nguyªn tè phãng x¹ dïng
10
cho môc ®Ých y/sinh häc)
0

§−êng cong tõ ho¸ cña c¸c h¹t -10

nano ferrite (CuxFe1-x)OFe2O3 víi -20

nång ®é Cu kh¸c nhau: -30

x = 0.1 (-W-) -40

x = 0.2 (--) -10000 -5000 0 5000 10000

x = 0.3 (-Õ-) Magnetic field(Oe)

x = 0.4 (-{-)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ

Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ

• Quan s¸t domain tõ vµ sai • §éng c¬ chuyÓn ®æi nhiÖt-®iÖn

háng trªn bÒ mÆt • C«ng t¾c quang häc
• BÝt kÝn vµ b«i tr¬n
• T¸ch chiÕt tÕ bµo
• C©n b»ng æn ®Þnh 3D
• VËn chuyÓn thuèc
• Chèng rung/gi¶m chÊn
• T¶n nhiÖt • S¸ch kiÓu ch÷ Braille

• Sensor • Ng−êi m¸y

• TuyÓn næi thuû tÜnh tõ • Bé phËn c¬ thÓ nh©n t¹o
• Mùc in
• Vi b¬m

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Quan s¸t domain tõ

¶nh hiÓn vi cña domain tõ

quan s¸t trªn mét ®Üa ghi tõ
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ

Quan s¸t c¸c sai háng bÒ mÆt

H×nh ¶nh tõ cã thÓ quan s¸t dùa trªn hiÓn

vi hiÖu øng Kerr hay hiÓn vi tõ lùc MFM,
®Ó ph¸t hiÖn vµ ®Þnh vÞ nh÷ng vïng sai
háng cã kÝch th−íc nhá cì vµi micron
®−îc ®¸nh dÊu b»ng n−íc tõ.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
BÝt kÝn vµ b«i tr¬n

(a) (b)
(a) Khi kh«ng sö dông n−íc tõ vµ (b) khi sö dông n−íc tõ. - ChÊt láng tõ ®ãng vai trß nh− mét O-ring
- Trôc quay ®−îc bÝt kÝn kh«ng cã rß rØ

M« t¶ nguyªn t¾c bÝt kÝn b»ng chÊt láng tõ

chèng rß rØ dÇu hay c¸c chÊt láng ®éc h¹i
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Sö dông tÝnh chÊt l−u biÕn (Magnetorheological Fluid)
lµm ®Öm gi¶m xãc

Nguyªn lý sö dông HÖ thèng gi¶m sãc sö dông

tÝnh l−u biÕn cña tÝnh l−u biÕn cña n−íc tõ
n−íc tõ

Tõ tr−êng ngoµi t¸c dông lµm ph©n cùc c¸c h¹t nano trong n−íc tõ thµnh c¸c dipole.
T−¬ng t¸c gi÷a c¸c dipole lµm cho c¸c h¹t tõ nano s¾p xÕp theo cÊu tróc cét vµ h−íng
song song víi tr−êng t¸c dông, h×nh thµnh cÊu tróc kiÓu “chuçi xÝch” vµ h¹n chÕ chuyÓn
®éng cña chÊt lán, do ®ã lµm t¨ng ®é nhít cho hÖ thèng gi¶m xãc hay hÖ thèng treo. Khi
kh«ng cã tõ tr−êng t¸c dông, n−íc tõ thÓ hiÖn tÝnh chÊt gièng nh− chÊt láng Newtonian.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Chèng rung/gi¶m chÊn (damping)

ThiÕt bÞ ®o
chÊn rung
æ cøng m¸y tÝnh
Khung ®iÖn kÕ

Trôc m« t¬

ferrofluid

M« t¬ b−íc

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Chèng rung/gi¶m chÊn (damping)

Gi¶m chÊn rung do chuyÓn ®éng cho cÇu

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ

N©ng vµ c©n b»ng æn ®Þnh

Trôc quay ®−îc æn ®Þnh 3D

Trôc quay kh«ng æn ®Þnh

Nguyªn lý n©ng ®Ó æn ®Þnh b»ng tõ

tr−êng sö dông n−íc tõ
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
T¶n nhiÖt b»ng n−íc tõ

C«ng suÊt cña loa t¨ng ®¸ng kÓ khi thùc

hiÖn t¶n nhiÖt tèt cho cuén d©y dao ®éng

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Sensor tõ

Gia tèc kÕ øng dông trong «-t«, r«-bèt, dÉn

Gia tèc kÕ øng dông ghi ®Þa chÊn h−íng qu¸n tÝnh m¸y bay,...

KiÓu 2 trôc KiÓu 3 trôc

Thanh đàn hồi
(bằng Al) Buång ba trôc
Khèi nÆng ghi N−íc tõ chøa n−íc tõ
®Þa chÊn (Al)

C¸c tÊm biÕn ®æi Nam ch©m ®iÖn

Nam ch©m ®iÖn

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Sensor tõ
Gia tốc kế tần số thấp kiểu 2 trục (Low frequency two-axis accelerometer)
¾ Khối nặng quán tính hình trụ ở giữa bằng nhôm với một thanh đàn hồi tĩnh
cũng làm bằng nhôm nhưng được tính toán sao cho sự biến dạng cơ học của
nó bằng 3 lần độ cứng hấp dẫn tương đương của một con lắc dây có cùng độ
dài. Khối quán tính được nhúng vào chất lỏng từ để đảm bảo đồng thời dễ
dàng thay đổi vị trí vừa do được nâng lên bằng từ trường, vừa do sự điều
chỉnh đệm chất lỏng. Vị trí của khối quán tính được chuyển đổi bằng 4 tấm
điện cực có dạng ¼ trụ. Mối tấm này gồm một lõi sắt từ có độ từ thẩm cao và
một cuộn nam châm điện. Toàn hệ được bịt kín trong một cái thùng hình trụ
có khả năng chắn từ tốt.
Gia tốc kế thu nhỏ kiểu ba trục (Three-axis miniature accelerometer)
¾ Có dạng khối với kích thước mỗi cạnh là 15 mm, gồm 3 trục vuông góc với
nhau hình thành nên cột chứa chất lỏng từ. Chất lỏng từ được giữ bằng từ
trường của các nam châm cứng dạng vòng xuyến, và được điều khiển bằng
một số trong 6 cuộn cảm ứng (2 cuộn trên mối trục). Loại gia tốc kế này
thường được sử dụng trên ô-tô, người máy, và các ứng dụng dẫn đường
quán tính trong không gian vũ trụ.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Sensor tõ Nam ch©m
vÜnh cöu
ThiÕt bÞ ®o träng sai
(Gravitational gradiometer)
Đo sự biến thiên/thay đổi của trọng trường Khèi
(trường hấp hẫn) nÆng
Bèn miÕng
nh«m ®−îc
Nam ch©m
nhóng trong
vÜnh cöu
n−íc tõ

C¸c ®iÖn cùc

Khèi
nÆng

§¸y buång
chøa n−íc tõ
§é nh¹y: Nam ch©m
~ 10-9 ms-2/m vÜnh cöu
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Sensor tõ

Nguyên lý của thiết bị đo trọng sai (Gravitational gradiometer)

Bèn khèi nÆng (2) ®−îc ®Æt theo kiÓu ch÷ thËp vµ ®−îc nhóng trong chÊt láng tõ,
®−îc n©ng lªn b»ng c¸c nam ch©m vÜnh cöu (4) vµ ®−îc ®Þnh vÞ t©m b»ng nam
ch©m (5). Sù sai lÖch kho¶ng c¸ch gi÷a bèn khe hë giữa hai phần tử khối nặng
được đo bằng phương pháp điện lấy từ các tấm điện cực (6) và được kiểm soát

bằng sự thay đổi của từ trường tạo ra trong 4 cuộn cảm ứng nối với các điện cực
lõi 6 (không được vẽ ở đây). Thực chất đây là một bộ chuyển đổi (transducer) rất
nhạy với sự thay đổi khoảng cách, phụ thuộc vào thành phần hỗn hợp của chất
lỏng từ có hằng số điện môi cao được dùng làm môi trường cách điện. Các chất
lỏng từ có chứa các hạt nhôm hình cầu đường kính từ 2-5 μm sẽ có độ nhạy lên
đến ~ 10-9 ms-2/m.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Sensor tõ

(c)

(a) (b)
Mét sè sensor n−íc tõ::
(a) ®o møc chÊt láng vµ ®é nghiªng;
(b) ®o gia tèc;
(c) ®o ¸p suÊt. (c)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
TuyÓn thuû tÜnh tõ (Magnetohydrostatic Separation)

Nguyªn lý tuyÓn næi Mét thiÕt bÞ tuyÓn næi PTN

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Mùc in tõ & chống giả mạo

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Mùc in tõ & chống giả mạo

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Vi b¬m b»ng chÊt láng tõ
(Ferrofluidic Micropump)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ

Bộ chuyển đổi nhiệt

năng thành điện năng

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
Công tắc quang sử dụng chất lỏng từ

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ
øng dông trong y-sinh

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.2. Hạt từ, đót từ và chùm nano từ
Mét sè øng dông cña chất lỏng tõ

Mét sè øng dông kh¸c

• Sö dông trong c¸c robot lµm cho c¸c chi chuyÓn

®éng mÒm m¹i gÇn nh− cña con ng−êi.

• Sö dông ®Ó lµm næi ch÷ Braille trong c¸c s¸ch

dµnh cho cho ng−êi khiÕm thÞ.

• Sö dông lµm mét sè c¬ quan néi t¹ng b»ng n−íc

tõ trong c¸c bÖn nh©n nh©n t¹o víi ®é mÒm dÎo
vµ máng nh− thËt ®Ó huÊn luyÖn sinh viªn y khoa
thùc tËp phÉu thuËt.
...

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mét sè lo¹i h¹t nano ferrite

Ferrite lục giác

(Hệ ferrite bari BaFe12O19)

• Kiểu mạng: Các hợp chất chính:

Hexagonal
¾ BaFe12-xAlxO19
• Hằng số mạng:
¾ BaFe12-xMnxO19
a = 5.901 A0
¾ BaFe12-xCrxO19
c = 23.243 A0
¾ Ba1-xSrxFe12CrxO19
• TÝnh chÊt tõ:
¾ Sr1-xSmxFe12-xCrxO19
MS = 30 emu/g
HC = 5200 Oe

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mét sè lo¹i h¹t nano ferrite

Mµng máng ferrite bari

¶nh AFM cña mµng ferrite bari sau khi sö lý nhiÖt (a) vµ ®−êng tõ trÔ ®−îc ®o trong mÆt
ph¼ng (c¸c ®iÓm vu«ng-®en) vµ vu«ng gãc víi mÆt ph¼ng (c¸c ®iÓm trßn-tr¾ng).
HC ~ 5 kOe sau khi xö lý nhiÖt.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano

Mét sè lo¹i h¹t nano ferrite

Mét sè hÖ ferrite kh¸c nhau cã cÊu tróc

h¹t nano vµ c¸c kü thuËt ®· ®−îc sö
dông ®Ó chÕ t¹o.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano

øng dông cña h¹t tõ nano ferrite bari

Mét sè øng dông chÝnh

¾ Chế tạo nam ch©m vÜnh cửu (nam ch©m kÕt dÝnh)
¾ Mµng hấp thụ sãng điện từ trong dải tần số tõ 1-4 GHz
¾ Mµng máng ghi từ
¾ Vi b¬m (®−îc chÕ t¹o theo c«ng nghÖ MEMS)
¾ Y sinh häc/Y tÕ
¾ v.v...

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
øng dông cña h¹t tõ nano ferrite bari
Mé sè d¹ng s¶n phÈm cña ferrite bari lµm
nam ch©m vÜnh cöu ë d¹ng bét, èng vµ tÊm
hoÆc d©y dÎo.

Mét sè vËt liÖu v¶i

vµ giÊy cã sö dông
h¹t tõ ferrite bari.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...

Mét sè mµng máng tõ cøng tiªu biÓu vµ c¸c tÝnh chÊt

K1 : h»ng sè dÞ h−íng
MS : tõ ®é b·o hoμ
Ha : tr−êng dÞ h−íng tõ
TC : nhiÖt ®é Curie
δ: kÝch th−íc h¹t
γ : n¨ng l−îng ho¹t bÒ
mÆt
Dc : chiÒu dμy tíi h¹n cña
mμng máng
(BH)max : n¨ng l−îng tõ
cùc ®¹i

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
H»ng sè dÞ h−íng cña mét sè hîp kim T-Pt(Pd)

HÖ vËt liÖu D¹ng vËt liÖu K1 (J/m3) Tord (oC)

FePt (001) Mµng máng 1.107

FePt Khèi, trËt tù 1,9.106 1300
FePt Mµng máng
(trËt tù mét phÇn) 1,5.106
FePd (001) Mµng máng 9,3.105
FePd (110) Mµng máng 7.105
FePd Khèi, trËt tù 2.6.106 800
CoPt Khèi, mÊt trËt tù 6.104 825
CoPt Khèi, trËt tù 2.106
CoPt (001) Mµng máng 1,9.106
Co3Pt Mµng máng hcp 1,5.106
CoPt3 MÊt trËt tù fcc 1.106
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt

Mµng máng tõ cøng Fe-Pt hÖ L10

(a) (b)

CÊu tróc m¹ng tinh thÓ kiÓu fcc (a) vµ fct (b) cña hîp kim Fe-Pt.
C¸c gi¶n ®å nhiÔu x¹ tia X (XRD) t−¬ng øng cña hai pha nµy.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt

Gi¶n ®å pha cña hîp kim Fe-Pt

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt
¶nh hiÓn vi ®iÖn tö truyÒn qua (TEM )

(a) (b)

§iÒu khiÓn vi cÊu tróc mµng máng FePt/C th«ng qua qu¸ tr×nh ñ nhiÖt
víi thêi gian ñ kh¸c nhau: a) 60 ph, dtb ~ 4 nm; b) 180 ph, dtb ~ 10 nm.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt

¶nh h−ëng cña líp ®Öm CuAu ®èi víi qu¸ tr×nh trËt tù
ho¸ trong nµng máng Fe-Pt.
(a) Cã líp ®Öm CuAg dµy 50 nm: ⇒ HC ~ 13 kOe;
(b) Kh«ng cã líp ®Öm CuAg: HC ~ 200 Oe.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt

¶nh TEM (cross-sectional) cña mµng máng FePt/C cã dÞ h−íng tõ

vu«ng gãc. KÝch th−íc h¹t trung b×nh kho¶ng 15 nm, c¸c h¹t cã h×nh
d¹ng dµi theo ph−¬ng vu«ng gãc víi mµng máng.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt

(a) (b)

(a) ¶nh TEM cho thÊy c¸c h¹t Fe-Pt cã kÝch th−íc trung b×nh ~ 15 nm
c« lËp nhau ë trong nÒn C. (b) §−êng tõ trÔ cho thÊy HC ~ 37 kOe
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
Màng mỏng Fe-Pt

(a)
(b)

C¸c phÐp ®o FC vµ ZFC (a) vµ M-H/T (b) cho thÊy nhiÖt ®é blocking TB ~ 200
K vµ tÝnh siªu thuËn tõ cña c¸c h¹t s¾t tõ Fe-Pt pha fct thÓ hiÖn ë trªn 200 K.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
C¸c mµng máng tõ cøng hÖ kh¸c: Re-T

Sm-Co

Mµng máng Sm-Co cho thÊy tÝnh dÞ h−íng tõ vu«ng gãc rÊt
m¹nh, HC (//) ~ 37 kOe, S ~ 1 vµ (BH)max = 25 MGOe.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
C¸c mµng máng tõ cøng hÖ kh¸c: Re-T NdFeB

a) líp Cr dµy 5nm

b) líp Nb dµy 5nm

¶nh h−ëng cña líp ®Öm Nb vµ Cr lªn tÝnh chÊt

tõ cña mµng máng hîp kim NdFeB:
a) [(NdFeB)200nm/Cr5nm]2;
b) [(NdFeB)200nm/Nb5nm]2.

¶nh h−ëng cña nhiÖt ®é ®Õ ®Õn tÝnh dÞ h−íng tõ

vu«ng gãc cña mµng máng NdFeB. Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
Mµng máng tõ cøng - Nam ch©m mµng máng & v.v...
C¸c mµng máng tõ cøng hÖ kh¸c: Re-T NdFeB

a) b) a) Cr, 180 nm,

Ta = 575 0C

b) Cr, 54 nm,
Ta = 550 0C

¶nh TEM cña c¸c mµng máng ®a líp c) Mo, 180 nm,
Ta = 550 0C
(a) [(NdFeB)40nm/Nb5nm]10;
(b) [(NdFeB)40nm/Cr5nm]10

TÝnh chÊt tõ cña mμng máng NdFeB víi c¸c líp lãt d) Ti, 540 nm,
Ta = 575 0C
vμ chiÒu dμy t−¬ng øng còng nh− chÕ ®é ñ nhiÖt
kh¸c nhau: a) Cr 180 nm, Ta = 575 0C, b) Cr 54 nm,
Ta = 550 0C, c) Mo 180 nm, Ta = 550 0C, d) Ti 540
nm, Ta = 575 0C.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion
So s¸nh mét sè th«ng sè quan träng cña pin Li-ion víi c¸c lo¹i pin kh¸c

KiÓu pin §iÖn ¸p danh ®Þnh N¨ng l−îng riªng N¨ng l−îng riªng
theo träng l−îng theo thÓ tÝch

Mét sè −u ®iÓm chÝnh cña pin Li-ion:

ƒ §iÖn ¸p danh ®Þnh cao gÊp 3 lÇn pin Ni-Cd vμ pin Ni-MH
Solid Polymer Electrolyte -
ƒ MËt ®é n¨ng l−îng cao, dung l−îng lín vμ nhÑ. ChÊt ®iÖn ph©n polime r¾n
ƒ Tèc ®é tù phãng thÊp (tõ 2 – 4%/th¸ng).
ƒ Thêi gian sèng dμi (~5 n¨m).
ƒ Sè lÇn n¹p l¹i trªn 1000 lÇn.
ƒ Kho¶ng nhiÖt ®é ho¹t ®éng cña pin rÊt réng (n¹p: – 20 - + 60oC, phãng: – 40 - + 65oC).
ƒ §é an toμn cao cho ng−êi sö dông vμ thiÕt bÞ.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion
- Mét sè ®Æc tr−ng quan träng cña pin Li-ion

§Æc tr−ng Kho¶ng gi¸ trÞ

- Nhu cÇu vµ gi¸ thµnh (USD) cña pin

Li-ion trªn thÕ gií:
ƒ Nhu cÇu n¨m 2005: 1 tû pin Li-ion.
ƒ Lîi nhuËn ~ 4 tû USD
ƒ Gi¸ thμnh gi¶m ~ 50% so víi 1999

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- Nguyªn lý ho¹t ®éng cña pin Li-ion

C¸c ph¶n øng ®iÖn cùc c¬ b¶n diÔn ra trong pin Li-ion:

- ë ®iÖn cùc d−¬ng: LiMO2 Li1-xMO2 + xLi+ + xe–

- ë ®iÖn cùc ©m: C + xLi+ + xe– LixC

Toµn bé qu¸ tr×nh LiMO2 + C LixC + Li1-xMO2

ph¶n øng ®iÖn cùc

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- Nguyªn lý ho¹t ®éng cña

pin Li-ion

Qu¸ tr×nh ®iÖn ho¸

c¬ b¶n gi÷a c¸c ®iÖn
cùc trong pin Li-ion
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- CÊu tróc tinh thÓ cña vËt liÖu ®iÖn cùc d−¬ng trªn c¬ së LiMn2O4

Mn

Li

CÊu tróc spinel víi

c¸c « trèng 8 mÆt CÊu tróc spinel
cña MnO2 cña LiMn2O4

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- CÊu tróc tinh thÓ cña vËt liÖu ®iÖn cùc

d−¬ng trªn c¬ së LiCoO2

- Mét sè ph−¬ng ph¸p tæng hîp vËt liÖu

®iÖn cùc d−¬ng:
¾ Ph−¬ng ph¸p gèm: c¸c nguyªn liÖu ban
®Çu lµ c¸c «xýt hoÆc c¸c muèi nh− Li2CO3;
CoCO3 vµ Ni(NO3)2.6H2O.
¾ Ph−¬ng ph¸p ®ång kÕt tña (co-
precipitates): c¸c nguyªn liÖu ban ®Çu lµ
c¸c hy®r«xýt cña Li, Ni, Co.
¾ Ph−¬ng ph¸p sol-gel: sö dông c¸c phøc
chÊt cña c¸c kim lo¹i Li, Co, Ni,... víi phèi
CÊu tróc tuÇn hoµn líp cña c¸c mÆt
tö lµ c¸c axÝt h÷u c¬. nguyªn tö Co – O – Li
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- Mét sè vËt liÖu th−êng sö dông lµm ®iÖn cùc d−¬ng pin Li-ion, c¸c th«ng
sè vµ −u/nh−îc ®iÓm t−¬ng øng

Dung l−îng §iÖn¸p trung −u ®iÓm hoÆc

VËt liÖu (®iÖn) riªng b×nh ®/v Li nh−îc ®iÓm
(mAh/g) (ë 0.05 C)

Gi¸ thµnh ®¾t v× chøa Co

Gi¸ thµnh t−¬ng ®èi rÎ
Gi¸ thµnh t−¬ng ®èi rÎ
Dung l−îng riªng cao nhÊt
Ph©n ly to¶ nhiÖt m¹nh
RÎ tiÒn, Ýt ®éc h¹i, ph©n ly
to¶ nhiÖt Ýt
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- §Æc tr−ng phãng ®iÖn cña ®iÖn cùc d−¬ng

§Æc tr−ng phãng ®iÖn cña c¸c ®iÖn cùc d−¬ng lµm tõ mét sè vËt liÖu kh¸c nhau.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu tõ nano cho c«ng nghÖ tÝch tr÷ n¨ng l−îng
VËt liÖu nano sö dông cho pin Li-ion

- CÊu t¹o cña pin/¾c quy Li-ion

D¹ng ch÷ nhËt dÑt D¹ng trô

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu nano-composite ®a chøc n¨ng s¾t tõ-s¾t ®iÖn

™ §a chøc n¨ng: thÓ hiÖn ®ång thêi c¶ tÝnh s¾t tõ vµ s¾t ®iÖn
⇒ vËt liÖu s¾t tõ-s¾t ®iÖn (FerroElectroMagnets) hoÆc vËt liÖu ®a
ferro (MultiFerroic)
MultiFerroic
⇒ vËt liÖu cã nhiÒu tÝnh chÊt cïng mét lóc
⇒ t¨ng møc ®é tù do trong viÖc thiÕt kÕ vËt liÖu vµ linh kiÖn
⇒ s¶n phÈm cã nh÷ng tÝnh n¨ng ®éc ®¸o
⇒ c¸c hiÖn t−îng vËt lý míi

™ Ferri tõ spinel - s¾t ®iÖn perovskite

CoFe2O4 BaTiO3 (PbTiO3)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu nano-composite ®a chøc n¨ng s¾t tõ-s¾t ®iÖn
Ferri từ spinel (CoFe2O4)- sắt điện perovskite (BaTiO3/PbTiO3)

KiÓu ®a líp,
(hay cÊu tróc
ngang)
Líp spinel
Líp perovskite
§Õ perovskite

KiÓu th¼ng
®øng

Khèi spinel
NÒn perovskite
§Õ perovskite

C¸c c¸ch s¾p xÕp s¾t tõ-s¾t ®iÖn ⇒ Mét kiÓu nano-composite
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu nano-composite ®a chøc n¨ng s¾t tõ-s¾t ®iÖn
Ferri từ spinel (CoFe2O4)- sắt điện perovskite (BaTiO3/PbTiO3)

CÊu tróc cña mµng máng hai pha dÞ thÓ tù s¾p xÕp CoFe2O4-BaTiO3.

(a) (b)
¶nh AFM (a) vµ TEM (b) cña mµng máng composite dÞ thÓ hai
pha s¾t tõ-s¾t ®iÖn CoFe2O4-BaTiO3 (kiÓu th¼ng ®øng).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
TÝnh chÊt tõ vµ ®iÖn cña mµng máng hai pha dÞ thÓ tù s¾p xÕp CoFe2O4-BaTiO3.

PS ~ 23 μC/cm3
(chuÈn ho¸ theo tû lÖ thÓ
tÝch cña BaTiO3)
EC ~ 8 mV/m

MS ~ 350 emu/cm3
(chuÈn ho¸ theo tû lÖ thÓ
tÝch cña CoFe2O4)
HC (⊥) ~ 5 kOe
Ha ~ 35 kOe ⇒
DÞ h−íng tõ ®¬n trôc.
Hd ~ 2.1 kOe ⇒
DÞ h−íng tõ h×nh d¹ng. (A) §−êng ®iÖn trÔ cho thÊy tÝnh s¾t ®iÖn. (B) §−êng ®iÖn trÔ cña h»ng sè ®iÖn
m«i d33. (C) §−êng tõ trÔ ®o vu«ng gãc víi mÆt ph¼ng (®−êng mμu ®á), vμ song
song víi mÆt ph¼ng (®−êng mμu ®en) cho thÊy cã dÞ h−íng tõ ®¬n trôc lín.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.3. Vật liệu từ khối có cấu trúc nano
VËt liÖu nano-composite ®a chøc n¨ng s¾t tõ-s¾t ®iÖn
Mét sè ph−¬ng ¸n chÕ t¹o vËt liÖu nano-composite s¾t tõ-s¾t ®iÖn

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

Giới thiệu về nano từ sử dụng trong spintronics

Gồm các nội dung:

- Tình hình phát triển của điện tử học truyền thống và sự hạn chế,
mẫu thuẫn gặp phải khi giảm kích thước vật liệu từ.
- Định nghĩa spintronics là gì? Những khái niệm liên quan.
- Các hiệu ứng, hiện tượng cơ bản liên quan đến spin điện tử.
- Những linh kiện sử dụng các hiệu ứng của spin.
- Spintronics ở thang phân tử.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 SỰ PHÁT TRIỂN CỦA CÔNG NGHỆ BÁN DẪN –
CÔNG NGHỆ VI ĐIỆN TỬ
Các quy luật Moore:
Quy luật Moore – I: Sè phÇn tö tÝch cùc tæ hîp ®−îc trªn mét
chÝp t¨ng gÊp ®«i sau mỗi kho¶ng 12-18 th¸ng.
- Dự đoán: Trong TK 21: Mật độ lưu trữ hay tích hợp tăng gấp 3 lần
sau 12 tháng.
Moore’s Law: The trend in the number of transistors per chip over time Transistor count (K)

Microprocessor Year Transistors (000s) Clock Speed (Mhz) The number of transistors per chip
4004 1971 2.3 0.1 doubles every 18 months
8008 1972 3.5 0.2
8080 1974 6 2
8086 1978 29 10
80286 1982 134 12.5
Intel386TM 1985 275 16
Intel486TM 1989 1,200.00 25
Pentium® 1993 3,100.00 60
Pentium®Pro 1995 5,500.00 200
Pentium® II 1997 7,500.00 300
Pentium® III 1999 9,500.00 600

(Tài liệu nguồn: Science and Engineering Indicators – 2000,

National Science Board (NSB), Washington, DC 20500, 2000 (NSB-00-1) Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
Xu thÕ ph¸t triÓn cña c«ng nghÖ điện tử-tin học-viễn thông
trong những năm cuối cña TK 20
1990s: Xu thÕ c«ng nghÖ IC ®∙ tËp trung ph¸t triÓn theo c¸c h−íng:
1 - Gi¶m kÝch th−íc ph©n gi¶i cho kü thuËt quang kh¾c:
0,3 → 0,28 → 0,25 → 0,20 → 0,15 → 0,1 μm.
VD: sö dông kü thuËt kh¾c tia X (X-ray lythography), kh¾c tia ®iÖn tö (electrolythography)
2 - T¨ng tèc ®é lμm viÖc: ®∙ t¨ng tõ hµng tr¨m MHz tíi hµng chôc GHz: Cuèi 1990s: tèc ®é
vi m¹ch sè ®¹t ®Õn hµng tr¨m MHz (106Hz), thêi gian truy cËp chØ vµi nano gi©y (10-9s)
§èi víi m¹ch t−¬ng tù, tèc ®é ®¹t tíi hµng GHz (109Hz).
3 - Gi¶m ®iÖn ¸p lμm viÖc:
* IBM ®∙ ®Ò xuÊt Transitor CMOS cã kÝch th−íc 0,08 μm, lµm viÖc æn ®Þnh víi nguån 1,5 V.
* H∙ng Siemens ®∙ ®−a ra s¶n phÈm ROM chÕ t¹o trªn c¬ së nhiÒu líp transitor.
* MOS chØ tiªu thô cã 3mW c«ng suÊt víi nguån 2V vµ ®¹t ®−îc tèc ®é truyÒn d÷ liÖu lµ
10Mbit/s.
* H∙ng Sony sö dông kÝch th−íc ph©n gi¶i 0,28 μm ®∙ chÕ t¹o ®−îc æ nhí (ROM) chØ cÇn
lµm viÖc víi nguån 0,6V, mËt ®é tÝch hîp lµ 20 triÖu « nhí/cm.
(Nguån nu«i cña c¸c thiÕt bÞ ®iÖn tö phæ biÕn lµ ë 3V trë lªn).
4 - Sö dông c¸c kü thuËt vμ vËt liÖu míi:
* VËt liÖu nÒn vÉn lµ Si 100%. VÉn sö dông SiO2 lµ chÊt ®iÖn m«i chÝnh.
* C¸c vËt liÖu ®iÖn m«i míi ®−îc ®−a vµo nh− hä s¾t ®iÖn: SrBi2Ta2O4, PZT vv...
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

Quy luật Moore-II: Giá thành nhà máy chế tạo chip sau 3 năm tăng gấp đôi

Kinh tế thế giới

ệ n điện tử
h ki
rườ ng lin
Thị t
dẫn
án
li ệu b
Vật hợ p
h tích
c
Mạ
y
à má
h nh
h àn
i át
G

(Theo: Materials Today; Vol. 9, Iss. 6, June

2006, pp 20-25 by S. E. Thompsona, and S.
Sự tăng trưởng của công nghiệp bán dẫn ở Parthasarathy.)
TK20
(Theo số liệu của Semiconductor International, 2000)

Quy luật Moore về kinh tế trong TK 20 Mâu thuẫn về Kinh tế

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
CÁI GÌ SẼ DIỄN RA TRONG THẾ KỶ 21 ?
TK 21: Công nghệ nano
Ö Các transitor trong mạch logic có
Micro- kích thước nanomét:
technology
- 2000: ~ 100 nm Ö ~ 1000 ®iÖn tö
- 2010: ~ x10 nm Ö ~ 10 ®iÖn tö
Ö Th¨ng gi¸ng thèng kª lín.
- 2020: ~x1 nm: chÊm l−îng tö (Qdot):
Ö 1 ®iÖn tö (đơn điện tử)
Ö ViÖc ®iÒu khiÓn ®iÖn tö trong các
chấm lượng tử ®−îc thùc hiÖn theo
Sự giảm của kích thước đặc trưng trong công
nghệ bán dẫn micro (đường xanh), và công
qui luËt của vật lý lượng tử.
nghệ bán dẫn nano (đường đỏ) biểu thị qua độ
dài của cổng transitor, trong vòng 4 thập kỷ. Quy luật vật lý bị vi phạm
(Theo: Materials Today; Vol. 9, Iss. 6, June 2006, pp 20-
25, by S. E. Thompsona, and S. Parthasarathy.)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
KHUYNH HƯỚNG CỦA CÔNG NGHỆ HẬU SI Ở NỬA ĐẦU TK 21
Ranh giới giữa
2 kỷ nguyên
Ranh giới của XU HƯỚNG CỦA ĐIỆN TỬ
Kỷ nguyên của các HỌC TRONG TƯƠNG LAI
kỷ nguyên Si ? vật liệu mới & linh
(Bipolar Junction Transistor)

kiện điện tử mới.

(Complementary
? Quantum Electronic Device
metal-oxide- Single Electron Transistor
semiconductor)

Theo: Materials Today, Vol. 9, Iss.

6, June 2006, pp 20-25 by S. E.
Sự tăng trưởng của nền công nghiệp dựa trên công nghệ Si. Thompsona and S. Parthasarathy.
Dự báo xu thế sử dụng một số vật liệu mới thay thế Si và
khoảng thời gian xuất hiện của các linh kiện điện tử mới.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
SPINTRONICS LÀ GÌ ?
Tổ hợp của spin (các vật liệu sắt từ) và electronics
Electron
Charge Spin

Electronics Magnetics

Charge + Spin
D Spintronics (Magnetoelectronics, spinics)
- Các hiệu ứng GMR, TMR (MTJ), CMR, BMR
- Phun spin, điều khiển spin, phát hiện spin
⇒ Các linh kiện spintronics.

spintronics = spin + electronics Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
Sự hình thành của spintronics

¾ Cuéc c¸ch m¹ng “magneto-electronics” sẽ t¹o ra nh÷ng linh kiÖn trong

đã tõ tÝnh ®−îc tæ hîp vµo trong c¸c linh kiÖn ®iÖn tö th«ng th−êng
(Gary Prinz, Naval Research Lab. (NRL) - 1995).

¾ Spintronics lµ mét nh¸nh míi cña ®iÖn tö häc, trong ®ã spin cña ®iÖn tö,
cïng víi ®iÖn tÝch cña nã, ®−îc lîi dông ®Ó tÝch hîp cả electronic,
optoelectronic vµ magnetoelectronic. Sù tÝch hîp ®a n¨ng ®ã trªn cïng
mét linh kiÖn ®¬n lµm cho linh kiện điện tử cã thÓ thùc hiÖn nhiÒu chøc
n¨ng h¬n so víi nh÷ng linh kiÖn vi ®iÖn tö th«ng thường (Sankar Das
Sarma, Univ. of Maryland - 2000).

¾ VÒ c¬ b¶n, ch¼ng cã g× míi c¶. Tõ nh÷ng n¨m 60s vµ 70s (cña TK 20),
ng−êi ta ®· cè thö pha chÕ thªm thµnh phÇn tõ tÝnh vµo trong ®iÖn tö
häc. C¸i mµ ®−îc ph¸t hiÖn ra hiÖn nay lµ ë chç ph¸t triÓn ý t−ëng vµ c¸c
kü thuËt kh¶ thi ®Ó thùc hiÖn điều nµy (R.D. Issac, IBM - 2001).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
ĐN spintronics của James Daughton (Nonvolatile Electronics, Inc.) - 2001 :

¾ Whatever You want it to be.

¾ A combination of spin (ferromagnetic materials) and electronics.

¾ New spin transport phenomena applied in combination with electronics.

¾ The third above, but excluding the new (and ultimate) combination with
semiconductors (SPINS).
TÓM LẠI:
Spintronics là một hướng phát triển mới của điện tử học mà ở đó spin của
điện tử là đối tượng được sử dụng để bổ xung hoặc thay thế cho điện tích
của điện tử, nhằm tạo ra những chức năng mới và ưu việt cho các linh kiện
điện tử hiện đại.

Do ®ã môc ®Ých chÝnh cña spintronics lμ:

Sö dông spin cña c¸c h¹t l−îng tö (ch¼ng h¹n c¸c spin cña ®iÖn tö hay cña
h¹t nh©n nguyªn tö) ®Ó chuyÓn ®æi (m· hãa), mang (truyền t¶i) vµ nhËn biÕt
(ph¸t hiện) th«ng tin/tÝn hiÖu.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

Liên hệ thuật ngữ SPINTRONICS

với các thuật ngữ quen thuộc
¾ Electronics: Điện tử (học) – Ngành điện tử

¾ Optics: Quang (học)

¾ Mechanics: C¬ (học)

¾ Magnetics: Từ (học)

¾ Opto-Electronics: Quang học-điện tử (học)

¾ Photo-Electronics: Quang-điện tử (học)

¾ Photonics: Lượng tử (học) ánh sáng/Quang tử (học)

¾ Magneto-Electronics: Từ điện tử (học) (xuÊt hiÖn tõ 1995) ► Spin-

Electronics D Spintronics (xuất hiện từ năm 2000) – Spinics – Nano-
Spinics – Spin Nanoelectronics: Spin điện tử (học) – Spin tử (học)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

Nanospinics là gì ?

Nanospintronics (or Nanospinics)

||
Spintronics + Single Electron Physics

Spin properties ∩ Coulomb blockade

Æ
Magneto - Coulomb effects
[P. Seneor, et. al., J. Phys.: Condens. Matter 19 (2007) 165222 (22pp)]

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
Mô hình của Shockley:
"Sự thành công của nghiên cứu khoa học tỷ lệ với giai thừa của số các khái
niệm (hay ý tưởng) mà một nhà khoa học có thể sử dụng cùng một lúc (tất
nhiên chỉ tính gần đúng các ý tưởng)".

Ä Phương trình Shockley:

Sự thành công khoa học ∝ {Số các khái niệm được bao gồm}!

Lưu ý: & ! là dấu GIAI THỪA (không phải dấu cảm thán).
& Số các khái niệm có thể rất dài, thậm chí dài khủng khiếp.

Ä Đây là một thách thức lớn cho tất cả chúng ta.

(E.I. Rashba, "Spintronics: Sources and Challenge", J. Superconductivity: Incorporating Novel

Magnetism, Vol. 15, No. 1, Feb. 2002, pp. 13-17).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
Các khái niệm cơ sở: Khởi nguồn của Spintronics
(Theo E.I. Rashba, "Spintronics: Sources and Challenge", J. Superconductivity: Incorporating Novel Magnetism,
Vol. 15, No. 1, Feb. 2002, pp. 13-17)

Các khái niệm bao hàm ở 3 loại vật liệu: BÁN DẪN - VẬT LIỆU TỪ - SIÊU DẪN

- BÁN DẪN: vì thích hợp cho việc thao tác tập thể điện tử
- VẬT LIỆU TỪ: vì là nguồn tự nhiên của các điện tử phân cực spin
- SIÊU DẪN: vì dựa trên sự kết cặp spin

DANH SÁCH CÁC KHÁI NIỆM CƠ SỞ:

1. Lý thuyết dải của CR, nhấn mạnh đặc biệt vào luận điểm về đối xứng của Wigner,
Seitz, Herring, et.al. và hình thức luận k.p của Kohn và Luttinger (xem slide sau).
Công thức này cho phép:
- Nhận được các Hamiltonians thiết lập cơ sở cho mọi lý thuyết vững chắc.
- Bao hàm một cách hợp thức tương tác spin-quỹ đạo (mấu chốt cho
nhiều hiện tượng phụ thuộc spin) và ảnh hưởng của các trường ngoài.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
GHI CHÚ:
Phương pháp k.p trong lý thuyết cấu trúc dải của CR:
- Có nhiều phương pháp để tính toán cấu trúc dải năng lượng của điện tử trong chất rắn. Tuy
nhiên, trong nhiều trường hợp, như ở các bán dẫn, không cần phải tính tất cả các vùng năng
lượng phức tạp, mà chỉ cần tính các trạng thái nằm trong vùng giới hạn năng lượng bậc kBT
(ΔΕ = ± kBT ~ ± 1/40 eV ~ ± 0.025 eV). Trong khi độ rộng vùng cấm ~ 1 eV, nên chỉ cần tính các
trạng thái cực trị của từng vùng, rồi tính các bổ chính năng lượng xuất hiện do bị lệch khỏi các
trạng thái này. Cách giải bài toán này là sử dụng phương pháp hình thức luận k.p và khối lượng
hiệu dụng: Giải p/t Schrodinger:
[p2/2m + U(r)] ψk = Ekψk (1)
với hàm sóng có dạng Bloch
ψk = uk ei k.r. (2)
Thay (2) vào (1), ta được:
(1/2m) (p + ћk)2 uk + U(r)uk = Ekuk (3)

p2 k.p k2 Tương ứng với các bổ chính

Trạng thái cơ Trạng thái nhiễu loạn
bậc 1: (ћ/m)k.〈u0(n)|p|u0(n)〉
bản với k = 0 bậc 1 và bậc 2 với k ≠ 0
và bậc 2: H2 = (ћ2/2m)k2
Hamiltonian trở thành: Ĥ = Ĥ 0 + Ĥ1 + Ĥ2 ¨ E = E0 + E1 + E2 (4)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
DANH SÁCH CÁC KHÁI NIỆM CƠ SỞ:

2. Vật lý và công nghệ của các vi cấu trúc bán dẫn, là cơ sở cho công nghệ nanô.
3. Điện tử học transistor, bao gồm khái niệm của Shockley về mật độ không cân
bằng và vật lý của FET (field effect transistor).
4. Từ học và cộng hưởng từ:
- Vấn đề này bao gồm tất cả các kiểu trật tự từ, chuyển pha từ, và trong các
tính chất từ đặc biệt của các điện tử tương quan mạnh (quan trọng đ/v CMR).
- Nó bao gồm tất cả các cộng hưởng từ, như NMR, EPR, và cộng hưởng gia
tốc (cyclotron), và các khái niệm liên quan đến phương trình Landau-Lifshitz-
Gilbert, các phương trình Bloch, tần số Rabi, tiếng vọng Hahn, v.v... mà
những khái niệm này cung cấp một ngôn ngữ thích hợp cho động lực học
spin (bao gồm cả tính toán lượng tử).
5. Tính siêu dẫn ở trong các hệ mesoscopic, gồm sự xuyên ngầm đơn điện tử (SET) và
xuyên ngầm Josephson, các xoáy Abrikosov và phản xạ Andreev, mà được dựa trên
hình thức luận chặt chẽ của các phương trình Gorkov và Bogolubov-de Gene.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

DANH SÁCH CÁC KHÁI NIỆM CƠ SỞ:

6. Các cơ chế vận chuyển của tất cả các loại (Boltzmann, ballistic, hopping, tunneling,
etc...) trong các hệ vĩ mô đồng nhất và không đồng nhất (bao gồm cả sự vận chuyển
từ (magnetotransport) trong các hệ có cấu trúc lớp quan trọng đối với GMR).
Vấn đề này gồm một số các hiện tượng thú vị, như hiệu ứng Hall dị thường, hiệu ứng
Kondo, và hiệu ứng Aharonov-Bohm.

7. Các khái niệm liên quan đến các vấn đề đặc biệt thuộc lĩnh vực quang và quang-
suất lực điện động (photo-emf) (emf = electromotive force).
Ví dụ: vấn đề phát hiện sự tích tụ spin không cân bằng là một trong những vấn đề
đang "nóng" hiện nay. Trong photo-emf, một nguyên lý chung là emf xuất hiện khi có
bất kỳ sự lệch nào của hàm phân bố mật độ điện tử khỏi sự cân bằng địa phương. Áp
dụng cho sự mất cân bằng spin, Johnson đã ghi nhận được hiện tượng spin-emf.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
SPIN ĐIỆN TỬ

Điện tử có 2 đóng góp chính:

• Điện tích (-e, |e| = 1.60091 x 10-19 C) ➽ tính chất điện
• Spin (S = 1/2) ➽ tính chất từ
Điện tử có 2 chuyển động:
• Chuyển động quỹ đạo (Orbital) (ví dụ: các quỹ đạo s, d, f )
➽ Mômen từ quỹ đạo: μl = [l(l+1)]1/2μB (l = số lượng tử quỹ đạo)
• Chuyển động Spin
➽ Mômen từ riêng: μS = g[S(S+1)]1/2μB (μB = magneton Bohr =
9.2742 × 10-24 J/T (hay A.m2) = 0.92742 × 10-24 erg/Oe);
S = ½, số lượng tử spin;
g ~ 2, tỷ số từ hồi chuyển
(gyromagnetic ratio)
⇒ Mômen từ riêng của điện tử tự do:
μS = - (e/2m) gS = 1.73 μB
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
B¶n chÊt vËt lý cña m«men tõ: do chuyÓn ®éng spin cña ®iÖn tö
¾ Coi ®iÖn tö cã d¹ng h×nh cÇu víi ®iÖn tÝch ®−îc ph©n bè đều kh¾p bÒ mÆt.
Khi ®iÖn tö tù quay xung quanh trôc, ®iÖn tÝch ph©n bè trªn bÒ mÆt h×nh
cÇu t¹o ra nhiÒu dßng ®iÖn nhá khÐp kÝn. Mçi dßng ®iÖn nhá sinh ra mét
m«men tõ h−íng däc theo ph−¬ng trôc quay. Tæng céng c¸c m«men tõ
®−îc t¹o ra bëi mçi dßng ®iÖn nhá sÏ lµ m«men tõ cña ®iÖn tö, μB.
¾ L−u ý: ®©y chØ lµ m« h×nh ®Þnh tÝnh. Cßn ®Ó ®Þnh l−îng ta kh«ng thÓ ¸p
dông m« h×nh nµy v× khi tÝnh tæng céng m«men tõ do c¸c dßng ®iÖn nhá sÏ
cho kÕt qu¶ µ = 5/6 μB chø kh«ng ph¶i lµ μB. §iÒu nµy ®−îc gi¶i thÝch lµ do
h×nh d¹ng thùc sù cña ®iÖn tö lµ hoµn toµn kh«ng x¸c ®Þnh vµ sù ph©n bè
®iÖn tÝch trªn bÒ mÆt cña ®iÖn tö còng hoµn toµn kh«ng biÕt, v.v...

— Spin và từ tính của vật chất: có 3 dạng chính

* Từ tính của ion tự do (Free Ion Magnetism)
* Từ tính định xứ (Located Magnetism)
* Từ tính không định xứ (Itinerant Magnetism)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

I- Các hiệu ứng/hiện tượng vận chuyển phụ

thuộc spin (Spin-Dependent Transport - SDT)

1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)

1.2. Hiệu ứng từ điện trở xuyên hầm (TMR)
1.3. Hiệu ứng từ điện trở siêu khổng lồ (CMR)
1.4. Hiệu ứng từ điện trở xung kích (BMR)
1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon
1.6. Hiện tượng xuyên hầm đơn spin (SSET)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
SỰ KHÁM PHÁ RA HIỆU ỨNG GMR

1986: + Peter Grünberg, et. al., Phys. Rev. Lett. 57 (1986) 2442. ⇒ ΔR/R ~ 1.5 %.
1988: + Albert Fert, et. al., Phys. Rev. Lett., 61(1988) 2472. ⇒ ΔR/R ~ 50 % ⇒ GMR

The 2007 Nobel Prize

in Physics for GMR

GMR effect

Magnetization
Ferromagnetic
layer (Fe ~3-6 nm)
Non-magnetic
layer, (Cr ~1-6 nm)

(001)GaAs substrate

Minh họa cấu trúc lớp của siêu mạng Fe/Cr

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
SỰ TƯƠNG QUAN GIỮA CẤU HÌNH SẮP XẾP TỪ ĐỘ TRONG CÁC LỚP FM VÀ TỪ ĐIỆN TRỞ
Hiệu ứng GMR thể hiện sự thay đổi của điện Ảnh hưởng của khoảng cách giữa hai lớp sắt từ
trở theo từ trường ngoài tác dụng lên cấu trúc
màng mỏng từ đa lớp

R RAP

RP RP

- HS HS
0
Magnetic Field

Δ ρ ρ AP − ρ P ΔR RAP − RP Sù biÕn thiªn dao ®éng cña tû sè GMR theo

GMR max = = = = chiÒu dµy cña líp Cu trong cÊu tróc ®a líp
ρ ρP R RP Co/Cu.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
SỰ TƯƠNG QUAN GIỮA CẤU HÌNH SẮP XẾP TỪ ĐỘ TRONG CÁC LỚP FM VÀ TỪ ĐIỆN TRỞ

Ví dụ

Ph¶n s¾t tõ (AF)

S¾t tõ (FM)

ChiÒu dµy líp c¸ch Ru (Å)

Sự dao động của liên kết trao đổi giữa hai
lớp sắt từ cách nhau bởi một lớp phi từ:
hằng số liên kết trao đổ J (năng lượng liên
kết trên một đơn vị diện tích của bề mặt
tiếp xúc giữa hai lớp) biến thiên kiểu dao
động tắt dần theo chiều dày của lớp phi từ
Sù dao ®éng cña h»ng sè liªn kết
trao ®æi J12 gi÷a hai líp tõ trong
cÊu tróc ®a líp Co20Ni80/Ru/
Co20Ni80.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
SỰ TƯƠNG QUAN GIỮA CẤU HÌNH SẮP XẾP TỪ ĐỘ TRONG CÁC LỚP FM VÀ TỪ ĐIỆN TRỞ

Tương tác kiểu RKKY

Tương tác giữa hai ion từ cách nhau

r
một khoảng r trong môi trường khí
điện tử tự do ➼ Năng lượng liên kết
J(r) ∝ cos(2kFr)/r3 có dạng tuần hoàn theo khoảng cách
M«i tr−êng
λF = 2π/kF r với biên độ giảm theo hàm r3
khÝ ®iÖn tö
tù do
J(r) ∝ sin(2kFr)/r2

Tương tác giữa hai lớp mặt phẳng

chứa các ion từ trong môi trường khí
điện tử tự do ➼ Năng lượng liên kết
d có dạng tuần hoàn theo khoảng cách
với biên độ giảm theo hàm r2
l nS r

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Hiện tượng tán xạ phụ thuộc spin – cơ chế của GMR

Líp tõ Líp phi tõ

t d
H=0 H > HS

ρ↑ + ρ↓ 2 ρ↑ ρ↓
ρ AP = ρ↑ ρ↓ ρP =
2
ρ↑ ρ↓
ρ↑ + ρ↓

Spin-↑ Spin-↓ Spin-↑ Spin-↓

(a) (b)
AF FM
ρ AP > ρ P

Δρ ρ AP − ρ P ⎛ α − 1 ⎞
2
ρ↓ Δρ (α ↑ − α ↓ ) 2 ρ ↑( ↓ )
= =⎜ ⎟ ; (α = ) = ; (α ↑(↓) = ; ρn )
ρ ρ AP ⎝ α +1⎠ ρ↑ ρ ⎛ d ⎞⎛ d ⎞ ρn
4⎜ α ↑ + ⎟⎜ α ↓ + ⎟
⎝ t ⎠⎝ t⎠
α = scattering asymmetric coefficient
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Cơ chế của sự vận chuyển phụ thuộc spin
a)
E E E E

4s 3d 4s 3d
EF EF

M M

NM FM NM FM
b)

EF EF

M M

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
M¤ H×NH trƯỜng THẾ CñA GMR

spin-↑ spin-↑
ThÕ t¸n x¹

ThÕ t¸n x¹
spin-↓ spin-↓

a) b)
Sù t−¬ng ®−¬ng cña mét hÖ mµng máng ®a líp víi mét chuçi rµo
thÕ kh¸c nhau ®èi víi c¸c ®iÖn tö cã spin kh¸c nhau khi c¸c líp tõ
cã cÊu h×nh tõ ®é ph¶n song (a) vµ song song (b).

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
GMR trong cÊu h×nh dßng ®iÖn vu«ng gãc (CPP)
và trong mặt phẳng (CIP)
PhiÕn ®iÖn cùc
phÝa trªn

a)
GMR-CIP

b)
GMR-CPP

§Õ Si
S¬ ®å minh ho¹ sù ph©n bè vect¬ sãng k
PhiÕn ®iÖn
trong mét mµng máng kim lo¹i. a) Khi cùc bªn d−íi
dßng ch¹y trong mÆt ph¼ng mµng máng, Mµng máng
CIP. b) Khi dßng ch¹y vu«ng gãc víi bÒ nhiÒu líp
mÆt mµng máng, CPP.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
H

FM
NM
Hiệu ứng Spin Valves
FM
Các cấu trúc đa lớp tương tự như một cái van
spin khi có dòng điện chạy qua dưới tác dụng
của từ trường ngoài.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)

1991: Spin Valves

+ B. Dieny, et.al., Phys. Rev. B 43 (1991) 1297.
+ B. Dieny et. al., J. Appl. Phys., 69 (1991) 4774.
+ B. Dieny et. al., J. Magn. Magn. Mater., 93 (1991) 101.

off

C (ghim)

C (tù do)

exc

GMR ~ 8-20% at Troom

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Spin Valves
C¸c van spin kh«ng ghim C¸c van spin ghim
kh«ng ®èi xøng
Van spin Van spin kh«ng C¸c van spin ®Ønh C¸c van spin ®¸y
®èi xøng ®èi xøng
F AF
NM F1 F
F NM NM
F2
F
A B C F
AF
Van spin ghim ®èi xøng F1
NM
AF F2
F1
NM
F2 (F1)
D G
NM
F1 AF
AF F1
F2
I NM
F2
F1
Tõ ®é
E H
Tõ ®é líp bÞ ghim
Mét sè kiÓu cÊu tróc van spin th«ng dông. KiÓu A vµ B: kh«ng sö
Tõ ®é líp tù do dông líp AF ®Ó ghim mµ sö dông tõ tr−êng ngoµi, dÞ h−íng tõ,
Tõ ®é líp ®iÒu hoÆc hai líp tõ cã HC kh¸c nhau. C¸c kiÓu tõ C ®Õn I sö dông líp
khiÓn bÒ mÆt AF ®Ó ghim. Trong sè nµy chia lµm 3 lo¹i: Lo¹i ghim ®Ønh (C, D,
E), lo¹i ghim ®¸y (F, G, H) vµ lo¹i ghim ®èi xøng (I).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Liên kết trao đổi dịch (EBC) – Cơ chế để ghim từ độ

Sơ đồ cấu hình sắp xếp spin của một cấu trúc

gồm 2 lớp từ tiếp xúc dị thể - sắt từ với phản sắt
từ (FM/AFM) - ứng với các trạng thái từ hóa
khác nhau để giải thích hiện tượng dịch của
đường từ trễ do tương tác trao đổi spin ở bề mặt
tiếp xúc – hiệu ứng trao đổi dịch:
(i) Lớp AFM là thuận từ, còn lớp FM vẫn là sắt từ,
khi nhiệt độ của hệ thấp hơn TC (của FM) nhưng
cao hơn TN (của AFM).
M (ii) Lớp AFM trở thành phản sắt từ khi T < TN.
Trường trao đổi dịch
(hay trường “ghim”): (iii) Từ trường đảo chiều làm đảo từ độ của lớp FM,
nhưng chưa đủ mạnh để thắng tương tác trao
Hex = Jint /(MFM.tFM) đổi, nên vẫn bị “ghim” lại.
(Jint: năng lượng của bề
(iv) Từ trường đảo chiều đủ mạnh, thắng tương tác
mặt tiếp xúc FM/AFM; trao đổi, nên làm đảo hoàn tòan mômen từ của
MFM: từ độ của lớp FM; H lớp FM (trạn thái bão hòa mômen từ của lớp
tFM: chiều dày của lớp FM) FM).
Hex
(v) Do năng lượng tương tác trao đổi có tính dị
hướng mạnh theo phương từ trường làm lạnh
ban đầu [bước (ii)], nên chỉ cần từ trường ngòai
giảm ít cũng dễ bị cạnh tranh bới trường liên kết
trao đổi dị hướng - mômen từ của lớp FM dễ
dàng bị đảo lại.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Liên kết trao đổi dịch (EBC) – Cơ chế để ghim từ độ
Meiklejohn’s model
• Mô hình đơn giản của Meiklejohn giả thiết tương tác trao đổi chỉ
xảy ra ở bề mặt phân cách AFM/FM.
• Năng lượng tính cho 1 đ.v diện tích bề mặt của hệ EB có dạng:
E = −HMFM tFM cos(θ − β ) + K AFMt AFM sin2 (α ) + K AFMt AFM sin(α ) − J INT cos(β − α )
• Khi bỏ qua dị hướng của lớp FM và lấy cực tiểu năng lượng chỉ
theo các góc α và β, có thể tìm được trường trao đổi dịch (hay
K ,K
trường ghim HE) như sau: M
M α
FM
AFM
AFM FM

J INT β
HE = H
θ

M FM × t FM
và điều kiện về chiều dày tới hạn của lớp AF:
K AFM t AFM ≥ J INT
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Liên kết trao đổi dịch (EBC) – Cơ chế để ghim từ độ
Hex Hex
z z

H
AF AF

x x
Soft Soft
y y
FM FM

Líp s¾t
tõ “tù
Líp s¾t tõ do” - EBC th«ng th−êng, tFM ~ 10 nm vµ
FM
Tầm tác JK ~ 0.01 – 0.5 erg/cm2 ⇒ λinf ~ 1 nm
dụng của
MÆt tiÕp xóc EBC, λinf
AF/FM - Víi hÖ MnPd(Cr)/Co cã GEB, tFM ~
40 -100 nm nh−ng JK > 2 erg/cm2 ⇒
Líp ph¶n
s¾t tõ AF λinf ~ 10 nm
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)
Hiệu ứng GMR trong các cấu trúc dạng hạt
Granular structure (Heterogeneous two phase structure)

Co, Ni, Fe,…

Cu, Ag, Au, ...

Đế ΔR/R

Mi ⋅H
M = ∑ Mi = 0 M = = M S cos θ i
H
ρ = ρ0 + ρph(T) + ρm(T){1 - f[(M/MS)2]}

Δρ ρ(H) − ρ(0) ⎛ M2 ⎞
= = − A⎜⎜ 2 ⎟⎟
ρ ρ(0) ⎝ MS ⎠
ρ m (T )
A= - HS 0 HS
ρ 0 + ρ ph (T ) + ρ m (T ) Magnetic Field

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)

Màng mỏng từ có cÊu tróc d¹ng h¹t

30 nm

¶nh TEM cña mµng máng

hîp kim Co23Ag77 cho thÊy
c¸c h¹t Co nhá cã d¹ng gÇn
nh− h×nh cÇu ®−îc ph©n t¸n
trong nÒn Ag.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.1. Hiệu ứng từ điện trở khổng lồ (GMR)

Hiệu ứng GMR trong các cấu trúc dạng hạt

Chiều tăng x →

x < xp x ~ xp x > xp

GMR tăng GMR = GMRmax GMR gi¶m

ChiÒu biÕn thiªn cña GMR

S¬ ®å minh ho¹ hình th¸i cÊu tróc h¹t víi tû lÖ thµnh phÇn Co x tăng dÇn, dÉn ®Õn
sù kÕt tô cña c¸c h¹t Co khi tû lÖ thµnh phÇn Co lín h¬n ng−ìng lan to¶ xp. Tû sè
GMR tăng theo x vµ ®¹t cùc ®¹i ë xp, sau ®ã gi¶m.

➲ Có một giá trị p ~ xp là tỷ lệ thành phần tối ưu cho tỷ số GMR lớn nhất, GMRmax

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 Mét sè kiểu cÊu tróc cã hiÖu øng GMR
a) MR
NM
FM

Tõ tr−êng
b)
Co MR
Cu
Co
FeMn

Tõ tr−êng
1
c) MR 0

GMR (%)
-1
-2
-3
-4
-5

-100 -80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100

Ag Co Tõ tr−êng H (kOe)

d) MR
NiFe
Ag

Tõ tr−êng
e)
Ag MR
NiFe
Co
NiFe
Tõ tr−êng Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.2. Cấu trúc MTJs & hiệu ứng TMR
(MTJ: Magnetic tunnel junction; TMR: tunneling magnetoresistance)

1995:
+ J.S. Moodera, et. al.,Phys. Rev. Lett., 74 (1995) 3273.
+ H. Fujimori, et. al., Materials Science and Engineering B31 (1995) 219.
+ F. Guevara, et. al., J. Magn. Magn. Mater. 140-144 (1995) 381.

MTJ:[FM/I/FM]

Al2O3, SiO2, Ta2O5, MgO, ...

Fe, Co, CoFe, NiFe,...

Granular MTJ

TMR ~ 10 - 50% at Troom

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.2. Cấu trúc MTJs & hiệu ứng TMR
Cấu trúc MTJ và sự xuyên ngầm lượng tử
Cấu trúc MTJ dạng
hạt: Hạt nano Co trong
Hạt Co nền Si3N4
~ 2.5 nm
4.5 nm [S.Gu´eron, et. al., Laboratory of ASSP,
6 nm Cornell University, Ithaca, NY 14853
3 nm 2.5 nm (2005)]
1nm
21 nm
Al2O3

23 nm

J
φ S¬ ®å rµo thÕ
, Stuart Parkin, June 25, 2002
EF1
eV
D1 EF2
CÊu tróc MTJ: FM/I/FM d
V
D2
Líp rµo thÕ (c¸ch ®iÖn)

∞
FM1 FM2 J (V ) ~ ∫ D1 ( E − V ) D2 ( E)[ f ( E − V ) − f ( E )]dE
−∞

J ~ exp[– 2 d√(2mφ/ħ 2)]

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.2. Cấu trúc MTJs & hiệu ứng TMR
Cơ chế vận chuyển xuyªn ngÇm phô thuéc spin - Hiệu ứng TMR
J1 J2

eV eV

J1 > J2

RAP - RP GP - GAP
TMR = =
RP GAP

[D↑(EF) - D↓(EF)] 2P1P2

P= TMR =
[D↑(EF) + D↓(EF)] (1- P1P2)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.3. Cấu trúc perovskite & hiệu ứng CMR
• 1950: Hợp chất LaMnO3 là chất AF và không dẫn điện. „ Khi thay thế một
phần ion La3+ bằng các ion hoá trị 2 như Sr2+, Ca2+, Ba2+,... (từ 10 - 50%) hợp chất
(La-X)MnO3 trở thành FM và dẫn điện.
• Thực nghiệm đo được ở màng mỏng của hợp
O
chất La-Ga-Mn-O ở 77 K với CMR = Δρ/ρ
~ 127.000 %.
Mn
• Cơ chế:
Ở những vị trí có ion 2+ thay thế vị trí La
La3+, ion Mn3+ gần đó sẽ nhường cho
ion này 1e và trở thành ion Mn4+
„ Giữa ion Mn3+ và Mn4+ có tương tác
trao đổi thông qua ion O2- ở giữa
(góc tương tác Mn-O-Mn là 1800)
Sr
„ Xuất hiện sự trao đổi kép.

„ Các ion Mn3+

và Mn4+ đổi chỗ
cho nhau.
Mn3+ O2 - Mn4+ Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.4. Hiệu ứng từ điện trở xung kích
(Ballistic Magneto Resistance: BMR)

1999, G. Tatara, Y.-W. Zhao, M. Muñoz, and N. Garcı´a

“Domain Wall Scattering Explains 300% Ballistic Magnetoconductance of
Nanocontacts”, PHYSICAL REVIEW LETTERS 83 (1999) 2030.

2001, N. Garcı´a, M. Mun˜oz, G. G. Qian, H. Rohrer, I. G. Saveliev, and Y.-W.

Zhao
“Ballistic magnetoresistance in a magnetic nanometer sized contact: An
effective gate for spintronics”, APPLIED PHYSICS LETTERS 79 (2001) 4550.

2002, H.D. Chopra and S.Z. Hua

“Ballistic magnetoresistance over 3000% in Ni nanocontacts at room
temperature”, PHYSICAL REVIEW B 66, 020403(R) 2002

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.4. Hiệu ứng từ điện trở xung kích
Sự vận chuyển phụ thuộc spin kiểu xung kích trong các cấu trúc tiếp xúc nano dạng chữ T

Ni Cu Cu

Tiếp xúc nano (đặc trưng

Ni

Cu
bởi điện trở tiếp xúc RC )

Dây Ni
Tiếp xúc Ni–Ni hình chữ T: (a) tiếp xúc bằng các dây
Ni;(b) tiếp xúc giữa hai lớp Ni mỏng được tạo ra bằng
phương pháp điện phân một phần trên dây Cu. Dây Ni

(H.D. Chopra et. al., PHYSICALREVIEWB 66 (2002) 020403(R))

(D↑ - D↓)
RC ~ 8 Ohm
p = -----------
BMR ~ 3150 % (D↑ + D↓)
F ≤ 1 (tính không bảo toàn phương spin)

Bán kính cong của các đầu tip thay đổi từ

40 – 400 nm (C) → BMR ~ 500 - 3000 %.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.4. Hiệu ứng từ điện trở xung kích

• Dây Ni có đường kính 125 μm được tạo ra mũi nhọn bằng phương pháp điện hóa.

• Bán kính cong của các đầu tip thay đổi từ 40 – 400 nm → BMR ~ > 500 - > 3000 %.
• Điện trở tiếp xúc Rc xác định đường kính mũi nhọn d:
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon
Spintronics in carbon nanotube

(K.Tsukagoshi, et. al.; PhysicaB 323 (2002) 107–114)

(a) Micrograph of a nanotube device of a single
MWNT electrically contacted by ferromagnetic Co.

(d) Two magnetization

configurations, a resistance of
the anti-parallel state is larger
than a resistance of the parallel
state.

(b) Schematic cross section of the device. The Co (c) Two terminal differential resistance as a function of
contacts lie on top of the MWNT, the conducting magnetic .eld. The magnetic .eld is directed parallel to
channel is approximately 250nm in length. the substrate, and the temperature is 4.2 K.
 1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon

Sù phun Spin qua èng nano carbon

Yªu cÇu: Dây nano carbon
T¸n x¹ Spin ë trong èng nanocarbon còng
nh− ë bÒ mÆt gi÷a èng nano vµ ®iÖn cùc s¾t tõ
Co Co
ph¶i ®ñ nhá. Theo m« h×nh Julliere ®èi víi cÊu
tróc MTJ, chiÒu dµi t¸n x¹ spin λS ~ 260 nm.
Lưu ý :
+ §é ph©n cùc Spin ë gÇn bÒ mÆt tiÕp xóc èng
nano/s¾t tõ phô thuéc vµo chÊt l−îng cña bÒ
Ảnh AFM của ống nano-carbon có
mÆt tiÕp xóc mµng.
đường kính ~ 1-2 nm được nối với
+ §iÖn trë tiÕp xóc cao g©y ra t¸n x¹ m¹nh hai điện cực Co dày 20 nm.
Spin, dÉn ®Õn c¶n trë kh¶ n¨ng phun c¸c điện
tử ph©n cùc Spin vµo trong èng nano carbon. (A.T. Johnson, Jr.; Physics & Systems Engineering,
University of Pennsylvania, 2002).
+ §iÖn trë tiÕp xóc cao cã thÓ do Co bÞ oxy
hãa ë bÒ mÆt, t¹o ra mét hµng rµo xuyªn hÇm
gi÷a èng nano carbon vµ ®iÖn cùc s¾t tõ.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon

Cơ chế vận chuyển xung kích phụ thuộc spin trong ống CNT

Vật dẫn thông thường Vật dẫn xung kích

L > λmfp D tán xạ D điện trở lớn L ~ λmfp D không tán xạ D không
D Sự chuyển động kiểu zigzag điện trở D Sự chuyển động kiểu
xung kích
(Courtesy H.D. Chopra, SUNY-Buffalo, Physical Review B, 1 July 2002.)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon
Trường hợp vận chuyển giữa hai
đômen từ

Chiều dày vách Néel ở màng

mỏng λ ~ 100-200 nm D
BMR không đáng kể

Trường hợp vận chuyển

giữa hai điện cực từ được
nối bởi ống nano

Mặc dù λ ~ (<) λmfp D sự tán xạ vẫn mạnh khi mômen từ của hai
điện cực ngược nhau D BMR không đáng kể
(Courtesy H.D. Chopra, SUNY-Buffalo, Physical Review B, 1 July 2002.)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon
(Courtesy H.D. Chopra, SUNY-Buffalo, Physical Review B, 1 July 2002.)

Hiệu ứng BMR cho trường hợp hai

điện cực từ nối với nhau bởi ống
nano carbon

(A): Trạng thái điện trở cao

(B): Trạng thái điện trở thấp

Hiệu ứng BMR (∆G/G) phụ

thuộc vào: P (độ phân cực
spin) và λ (quãng đường tự do
trung bình của điện tử)

P
P
P

P
P
P
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.5. Sự vận chuyển spin trong sợi nano cacbon

Một khả năng ứng dụng của hiệu ứng BMR làm đầu
đọc các bit từ có kích thước nano (ổ đĩa có mật độ
siêu cao – dung lượng cực lớn)

Co
Co

Có thể ứng dụng BMR trong công nghệ

Một bit từ xác định lưu trữ thông tin: đầu đọc BMR cho đĩa từ
có mật độ siêu cao

(Theo H.D. Chopra, SUNY-Buffalo, Physical Review B, 1 July 2002.)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 1.6. Hiện tượng xuyên hầm đơn spin (SSET)
HIỆU ỨNG CHẮN COULOMB (CB)
Hiện tượng ch¾n Coulomb
eЄ H¹t tÝch ®iÖn ©m
e e

-
Q=0 Q = -e
Líp ®iÖn tÝch d−¬ng ®−îc h×nh thµnh
1 do ph©n bè l¹i ®iÖn tÝch ¨ t¹o nªn
φ (Q ) = φ ext (Q )
ε (Q ) tr−êng thÕ φ ext nh− mét “Rµo ch¾n” "Đảo nano" giữa một khe nano
®èi víi h¹t ®iÖn tÝch ©m.

Hiện tượng vận chuyển đơn điện tử

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.6. Hiện tượng xuyên hầm đơn spin (SSET)
Hiệu ứng chắn Coulomb từ (Magnetic Coulomb Blockade, MCB) &
Sự vận chuyển đơn spin - SSET
Sơ đồ một cấu trúc MTJ kiểu “đảo”

Điện cực FM

“Đảo nano” Co
Điện cực FM
J. Varalda et al. (2005)
Lớp rào Al2O3
hay TiO2
SỰ CHẮN SPIN (SPIN-BLOCKADE)
FM Al2O3 FM Al2O3
FM FM

e- e-
e-

Sơ đồ nguyên lý của linh kiện xuyên ngầm đơn spin

(Single Spin Electron Tunneling: SSET). Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 1.6. Hiện tượng xuyên hầm đơn spin (SSET)

Sự khác nhau cơ bản giữa các linh kiện truyền thống và SET
¾ Các linh kiện truyền thống (MOSFET, BJT )
• Các hạt tải điện tích "chảy" liên tục
• Được mô hình hóa bằng các phương trình
thủy động lực học (hydrodynamic equations)

¾ Các linh kiện đơn điện tử (SET)

• Hoạt động dựa trên sự lượng tử hóa của
điện tích của điện tử
• "Chảy" từng điện tử một
• Hàm sóng điện tử là định xứ
• Sử dụng phương pháp mô phỏng hạt
(phương pháp Monte Carlo trực tiếp)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

II. CÁC VẬT LIỆU SPINTRONICS

2.1. Các kim loại và hợp kim sắt từ

2.2. Bán dẫn từ, bán dẫn từ pha loãng
2.3. Phản sắt từ (AFM)
2.4. Hợp chất/hợp kim sắt từ nửa kim loại (Half-metallic Ferromagnets -
HMF)
2.5. Các vật liệu từ có cấu trúc nano khác
2.6. Phân tử hữu cơ và Spintronics

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.1. Các kim loại và hợp kim sắt từ

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics

2.1. Các kim loại và hợp kim sắt từ

Các sắt từ nửa kim loại (half-metallic ferromagnets):

- Các hợp kim bán Heusler: NiMnSb, PtMnSb, UNiSn
- Cấu trúc rutile: CrO2
- Cấu trúc perovskite: (La1-xSrx)MnO3, Sr2FeMoO6

Các ferri từ nửa kim loại (half-metallic ferrimagnets):

- FeMnSb, Fe3O4

Các phản sắt từ nửa kim loại (half-metallic antiferromagnets):

- CrMnSb, La2VMnO6, La2VCuO6

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.2. Bán dẫn từ (MS), bán dẫn từ pha loãng (DMS)

CÁC BÁN DẪN TỪ

Bán dẫn từ Bán dẫn từ pha loãng Bán dẫn phi từ

(MS) (DMS) (NMS)

(III-V)-Mn AO:M A-B

GaAs-Mn ZnO:Co/Cr GaAs
InSb-Mn TiO2:Co InSb
InAs-Mn SiO2:Mn ZnO
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.2. Bán dẫn từ (MS), bán dẫn từ pha loãng (DMS)
Sự phát triển của các vật liệu trên cơ sở bán dẫn với các tính chất từ hay liên quan đến spin
trong thời đại “điện tử bán dẫn”: 60s-90s, và bắt đầu thời đại “điện tử spin”: ~ 2000s.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.3. Phản sắt từ (AFM) – Vật liệu sử dụng để ghim từ độ

Mét sè yªu cÇu c¬ b¶n ®èi víi hÖ AF/FM

¾ Tr−êng ghim (pinning field, hoÆc exchange bias field) lín:

HE > ~ 300 Oe.
¾ NhiÖt ®é blocking TB > ~ 200 0C.
¾ VËt liÖu sö dông lµm c¸c líp FM vµ AF cã TC, TN > 300 K,
cã ®é bÒn ho¸ häc vµ c¬ häc cao.
¾ ®ßi hái vÒ gia c«ng nhiÖt thÊp nhÊt: viÖc ñ ë nhiÖt ®é cao
lµm mÊt hiÖu øng EB v× qu¸ tr×nh khuÕch t¸n giữa hai líp
FM/AF.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.3. Phản sắt từ (AFM) – Vật liệu sử dụng để ghim từ độ
Material TB (K) TN (K)

NiO (1 1 1) 450 – 500 520

C¸c vËt liÖu sö dông NiO (1 0 0) 480
trong hÖ AF/FM
CoO (poly) (10 K) 290 290

CoO (poly) (150 K) 290

VËt liÖu sö dông lµm líp AF
CoxNi1-xO (poly) 370 290 –
Mét sè «xýt ph¶n s¾t tõ 520
dïng lµm líp AF trong CoxNi1-xO (1 1 1) 390 – 430
c¸c hÖ trao ®æi dÞch vµ
c¸c nhiÖt ®é TB vµ TN CoO/NiO (poly- 380 – 410/290 –
t−¬ng øng. multi) 520
Fe2O3 (poly) 450 – 620
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.3. Phản sắt từ (AFM) – Vật liệu sử dụng để ghim từ độ
Material TB (K) TN (K)
Fe50Mn50 (poly-ann) 420 – 570
Fe50Mn50 (1 1 1) 380 – 480 490
Ni50Mn50 (poly-ann) 770 1070
Ni50Mn50 (1 1 1-ann) 520 – 650
Ni25Mn75 (1 1 1-ann) 420 –
C¸c vËt liÖu sö dông FexNiyMn1-x-y (poly) 470 – 620 –
trong hÖ AF/FM (tiÕp) FeMnRh (poly) 420 –
Cr1-xMnx (poly) 450 –
CrxMnyPt1-x-y (poly) 600 –
CrxMnyRh1-x-y (poly) 620 –
CrxMnyCu1-x-y (poly) 570 –
VËt liÖu sö dông lµm líp AF
CrxMnyPd1-x-y (poly) 650 –
Mét sè hîp kim ph¶n s¾t tõ CrxMnyIr1-x-y (poly) 550 –
dïng lµm líp AF trong c¸c PtxMn1-x (poly-ann) 400 – 650 480–980
hÖ trao ®æi dÞch vµ c¸c nhiÖt PdxPtyMn1-x-y (poly) 570 –
®é TB vµ TN t−¬ng øng. IrxMn1-x (1 1 1) 400 – 520 690
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
3.4. Màng mỏng từ nano & Spintronics
2.3. Phản sắt từ (AFM) – Vật liệu sử dụng để ghim từ độ

Vật liệu sử dụng làm lớp rào

thế trong các cấu trúc MTJ
với hiệu ứng TMR: việc sử
dụng rào thế là MgO từ 2002
đã làm tăng vọt tỷ số TMR.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

III. MỘT SỐ LINH KIỆN, DỤNG CỤ SPINTRONICS & ỨNG DỤNG

3.1. Nguyên tắc & Phân loại các linh kiện spintronics
3.2. Cảm biến, đầu đọc từ van spin
3.3. Bộ nhớ từ không tự xoá (MRAM)
3.4. Các loại tranzito spin
3.4.1. Tranzito Johnson (BST)
3.4.2. Tranzito van spin (SVT)
3.4.3. Tranzito spin hiệu ứng trường (FEST)
3.5. Điốt quang-spin điện tử
3.6. Các linh kiện nanospinics
3.6.1. Linh kiện đơn spin điện tử (SSED)
3.6.2. Linh kiện dẫn spin trên sợi nanocarbon
3.7. Spin và máy tính lượng tử
3.8. Một số ứng dụng
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 Các thế hệ linh kiện/dụng cụ Spintronics
¾ Thế hệ I: GMR, TMR (kim loại sắt từ-kim loại hoặc kim loại sắt từ-điện
môi): Cảm biến, đầu đọc từ, các loại MRAM, các transito kim loại (hay
transito lưỡng cực), tranzito van spin, công tắc/khoá spin,...
¾ Thế hệ II: phun dòng spin trong bán dẫn từ pha loãng, bán dẫn sắt từ,
half-metal. (bán dẫn-sắt từ, bán dẫn từ-bán dẫn, tiếp xúc ôxyt từ xuyên
ngầm spin (MOTJ) hay các tiếp xúc khác, v.v...): Mạch khoá spin siêu
nhanh, các bộ vi xử lý spin và mạch logic lập trình được,...
¾ Thế hệ III: hiệu ứng spin lượng tử (dạng dot, dây, sợi nano →
nanospintics) như các linh kiện vận chuyển kiểu điện đạo (ballistic
electron transport) (các hiệu ứng BMR, MCB),…Các cấu trúc/linh kiện
nano sử dụng các trạng thái spin của các điện tử đơn lẻ: cổng logic
lượng tử spin, là cơ sở cho máy tính lượng tử, các transistor đơn spin
(SSET),...
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 NGUYÊN TẮC CHUNG CỦA CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ THUỘC
DÒNG SPINTRONICS
Nguồn spin

Spin source
Phun spin
¾ Ferromagnetic
materials (FM) Injection
¾ Half-metallic
ferromagnets Thao tác spin
¾ Electronic
(HMF)
¾ Magnetic
¾ Optical Manipulation
semiconductors ¾ Thermal
Phát hiện/đo/phân tích spin
(MSC) ¾ V.v...(???) - Cấu trúc đa lớp
¾ Dilute magnetic
semiconductors
- Cấu trúc dạng hạt
- Cấu trúc van spin
Detection
(DMS) - Cấu trúc MTJ
¾ V.v… (???) - Các cấu trúc lai Các hiệu ứng do sự vận
chuyển phụ thuộc spin:
- v.v… (???) GMR, TMR, BMR, CMR,
... (???)Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 ƯU ĐIỂM CỦA VIỆC SỬ DỤNG SPIN
1. Tiêu thụ ít năng lượng hơn
- Việc chuyển trạng thái 0 và 1 trong các Transistor MOS-FET được thực
hiện bằng cách vận chuyển điện tích vào/ra khỏi kênh transistor.
- Việc vận chuyển điện tích đòi hỏi phải tạo ra được sự chênh lệch của
trường thế (gradient điện trường) ⇒ Bị tổn hao thành nhiệt và không thể
bù đắp. ⇒ Đòi hỏi tiêu tốn năng lượng và thời gian hơn.

2. Không gây ồn/nhiễu như điện tích

- Spin không liên kết dễ dàng với điện trường tạp tán (nhưng lại liên kết
spin-quỹ đạo rất mạnh ở trong chất rắn) ⇒ tránh được nhiễu và ồn như
điện tích.

3. Thao tác nhanh hơn

- Vì không phải mất thời gian cho việc vận chuyển điện tích trong một
khoảng thời gian dài (transit time), chỉ mất thời gian lật phương spin tại
chỗ (flip time).

Ö Đối với spin: chỉ cần “bật” chiều spin “lên” và “xuống” ⇒ Đòi hỏi tiêu tốn ít
năng lượng và thời gian hơn nhiều.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
CÁC LINH KIỆN ĐIỆN TỬ THẾ HỆ MỚI SỬ DỤNG SPIN ĐIỆN TỬ
¾ Cảm biến từ ChuyÓn ®æi
¾ Đầu từ GMR từ-®iÖn
¾ Bộ nhớ từ kh«ng tự xãa
(Non-volatile Magnetoresistance-RAM)
¾ C¸c linh kiÖn/thiết bị tõ-®iÖn tö:
- Transistor lưỡng cực
(Bipolar Transistor, BPT)
- Transistor cộng hưởng spin
(Spin-Resonance Transistor, SRT)
- Transistor xuyên ngầm từ
(Magnetic Tunnel Transistor, MTT)
- Transistor trường spin
(Spin-FET)
-Điốt quang spin
(Spin Light-Emitting Diode, Spin-LED)
¾ Máy tính lượng tử
(Quantum Computer, QC)
* Robot xóc gi¸c/Robot th«ng minh
* PhÝm bÊm kh«ng tiÕp xóc
* §éng c¬ kh«ng chæi than
* Gi¶i m· v¹ch
* §Õm tèc ®é
* §iÒu chØnh ®¸nh löa bugi ®éng c¬
* M¸y trî thÝnh
* HiÓn vi tõ ®iÖn trë
* Đầu đọc ổ đÜa cøng m¸y tÝnh
v.v...
Một số loại cảm biến dùng để đo từ
trường thấp (10-9 Oe/V/Hz)
Công suất (mW)
GMR
Giá thành của hệ cảm biến (USD)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 Các cảm biến từ trường – phạm vi làm việc
& so sánh với cảm biến van spin
C¸c lo¹i c¶m biÕn Ph¹m vi tõ tr−êng cã thÓ ®o ®−îc (kOe)
tõ tr−êng 10-13 10-11 10-9 10-7 10-5 10-3 10-1 101 103

1. SQUID.......................................
2. Cæng tõ th«ng (Flux-gate).........
3. B¬m quang (Optical pumping)..
4. TuÕ sai h¹t nh©n (Nuclear
precession).....................................
5. Sîi quang (Fiber-optic)..............
6. HiÖu øng Hall............................
7. Magneto-diode..........................
8. Magneto-transistors...................
9. Quang tõ (Magneto-optic).........
10. Cuén d©y (Pick-up coil)...........
11. GMR.......................................
12. Tranzito van spin...................
13. AMR........................................
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 Applications of GMR and spin valves

θ
FM
NM
FM

⎛ ΔR ⎞ w 〈cos( θ1 − θ 2 )〉
ΔU = I ⎜ ⎟ R S ↑↑
⎝ R ⎠ max h 2

I I

M2
M1 θ2
θ1
I

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 • Ổ đĩa cứng nhỏ nhất trên thế
giới (Guinness World
Records): 0.85-inch (~ 2 cm)
của Toshiba Corporation công
bố vào ngày 16 March 2004
tại Nhật bản.

Spintronics trong các ổ đĩa cứng máy tính

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3- Nhu cÇu t¨ng mËt ®é vμ dung l−îng l−u tr÷ th«ng tin

T×nh h×nh t¨ng tr−ëng cña mËt ®é l−u tr÷ cña ®Üa cøng
m¸y tÝnh (HDD) trong thêi gian qua

y S¶n phÈm æ ®Üa cøng (HDD) cña IBM

y PTN c«ng nghiÖp demo

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

T×nh h×nh t¨ng tr−ëng dung l−îng nhí cña æ ®Üa cøng m¸y tÝnh (HDD)
trong thêi gian qua

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

Sù ph¸t triÓn cña mËt ®é diÖn tÝch cña æ ®Üa cøng (HDD) vμ bé nhí ®éng
(DRAM)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

Xu thÕ ph¸t triÓn cña mËt ®é l−u tr÷ vμ c¸c
h×nh thøc l−u tr÷ th«ng tin
Giíi h¹n mËt ®é
bÒ mÆt ng.tö

C¸c æ ®Üa tõ
®−îc t¨ng c−êng L−u tr÷ ë
Giíi h¹n diÖn tÝch tiÕp møc ng.tö
xóc AFM

Giíi h¹n siªu thuËn tõ

L−u tr÷ kiÓu

hiÓn vi lùc
ng.tö (AFM) vµ
kü thuËt toµn ¶nh

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 Cấu trúc của đầu từ GMR

Líp tõ "tù do"

Líp ph¶n
Líp c¸ch s¾t tõ
I kh«ng tõ I
Líp tõ bÞ
ghim

Cùc dÉn M1 M2 AF Cùc dÉn

dßng ®iÖn θ2 dßng ®iÖn
θ1

CÊu t¹o cña mét ®Çu từ GMR cña æ ®Üa cøng

m¸y tÝnh sö dông van spin cã ghim

⎛ ΔR ⎞ w 〈cos( θ1 − θ 2 )〉
ΔU = I ⎜ ⎟ R S ↑↑
⎝ R ⎠ max h 2
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 mét sè c¶m biÕn GMR th−¬ng phÈm

M∙ hiÖu/kiÓu Khoảng tõ tr−êng

®é nh¹y Ghi chó
cảm biÕn GMR lµm viÖc

AA002 ~ 15 Oe 1.2 kA/m 4.2 mV/V Oe 52 mV/V kAm-1 Usôt ¸p = 5 kΩ * 1 mA

AA003 ~ 20 - 1.6 - 3.2 - 40 - 5 kΩ * 1 mA

AA004 ~ 50 - 4.0 - 1.3 - 16 - 5 kΩ * 1 mA

AA005 ~ 100 - 8.0 - 0.6 - 8 - 5 kΩ * 1 mA

AA006 ~ 20 - 1.6 - 3.2 - 40 - 30 kΩ * 0.3 mA

AC004 ~ 20 - 1.6 - 3.2 - 40 -

AB001 ~ 252 - 20 - B

I
Ghi chó: mV/VOe t−¬ng øng víi [Ura/Usôt ¸pH], trong ®ã Usôt ¸p = I.R, lµ ®iÖn ¸p sôt trªn c¶m
biÕn khi được nu«i b»ng mét dßng ®iÖn kh«ng ®æi (mçi c¶m biÕn cã mét ®iÖn trë x¸c ®Þnh).
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
Ứng dụng cảm biến GMR trong công nghiệp ô-tô

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

Ứng dụng cảm biến GMR trong công nghiệp ô-tô

MLX90316 wins Best of Sensors 2006 Gold Award Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 Ứng dụng van spin làm Bộ nhớ MRAM
IW
¤ nhí
Líp c¸ch ®iÖn
§−êng ghi
bit
Lớp từ 1
Lớp c¸ch sắt từ IS

Lớp từ 2 §Õ thuû tinh

PhÇn tö van spin §−êng ®äc bit

cã ghim (L−u tr÷
th«ng tin)
a) b) M« h×nh cÊu tróc cña mét
R(H)
« nhí c¬ së sö dông phÇn
Møc “cao” tö GMR víi c¸ch bè trÝ
R + ΔR c¸c ®−êng ®äc vµ ®−êng
ghi bit th«ng tin.

Ô nhớ trong bộ nhớ kiểu VRAM

CoFe
Cu
Møc “thÊp” R
CoFe

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 MỘT SỐ BỘ NHỚ GMR-MRAM

Một số bộ nhớ GMR-MRAM mẫu (prototyp) với các thông số về dung

lượng, kích thước, và thời gian truy nhập:

a) IBM: 1-Kb, chip (1-mm x 1.5-mm). Thời gian truy nhập: 3–10-ns.
b) Motorola: 256-Kb, chip (3.9-mm x 3.2-mm). Thời gian truy nhập: 35-ns.
c) Motorola: 1-Mb, chip (4.25-mm 5.89-mm). Thời gian truy nhập: 50-ns.
d) Motorola: 4-Mb, chip (4.5-mm x 6.3-mm). Thời gian truy nhập: 25-ns.
e) IBM: 16-Mb, chip (7.9-mm 10-mm). Thời gian truy nhập: 30-ns.

(Theo 2000 IEEE, 2001 IEEE, 2002 IEEE, 2003 IEEE và 2004 IEEE.)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 MỘT SỐ TRANSITO SPIN
Transito hiệu ứng trường phân cực spin (SPFET)

SPFET (Spin-FET)
Conventional Electronics

Cæng Vg
Nguån M¸ng
MOSFET Fe InAlAs Fe
InGaAs
Nguồn Cổng Máng
Kªnh dÉn (KhÝ ®iÖn tö 2-D)
n+ Oxit n+
Lớp đảo điện tích
P-type Si

Fe Fe

Spintronics
CÊu t¹o vµ nguyªn lý ho¹t ®éng cña tranzito hiÖu øng tr−êng ph©n cùc spin
(SPFET). Hai ®iÖn cùc nguån vµ m¸ng lµ c¸c líp s¾t tõ, vÝ dô nh− Fe, cã t¸c dông
phun vµ gãp c¸c ®iÖn tö cã spin ®∙ ®−îc ph©n cùc. C¸c ®iÖn tö phân cực ®i qua
kªnh dÉn vµ ®−îc ®iÒu khiÓn b»ng hiÖu øng tr−êng (điện trường) và từ trường.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 NM
Transito Johnson
F1 F2
M. Johnson, Phys. Rev. Lett. 70, 2142 (1993).
F1, F2: Co
NM: Cu, Ag

F1 NM F2 F1 NM F2
IM IM

M M
EF0 EF0 EF0 EF0

Parallel Anti-parallel

- + - +

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 Transito van spin (SVT)
S
V Van spin
T e-
e-

S M S

a) CÊu t¹o vµ nguyªn lý ho¹t ®éng cña tranzito van spin.

Cùc bad¬ lµ mét phÇn tö van spin ë gi÷a hai líp b¸n dÉn
b»ng Si, ®ãng vai trß cña emit¬ vµ colect¬. b) S¬ ®å c¸c
møc n¨ng l−îng ë chç tiÕp xóc trong cÊu tróc kiÓu SMS
(b¸n dÉn/kim lo¹i/b¸n dÉn), c¬ së cña øng dông tranzito
van spin. Trong h×nh (a), phÇn tö van spin ®−îc thay cho
líp kim lo¹i M ë trong cÊu tróc nµy.
D. J. Monsma, et. al, Phys. Rev. Lett. 74, 5260 (1995)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 Spin Light-Emitting Diode

p-type ferromagnetic
semiconductor
Magnetic field
GaMnAs
Spin-polarized
Non-magnetic Hole curent
GaAs

InGaAs
GaAs
n-GaAs
Electro-
luminescence

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

Một số ứng dụng khác của cảm biến GMR và TMR

Pit«ng
Sensor Ph−¬ng
GMR S chuyÓn
®éng cña
Nam pit«ng
N ch©m C¶m biÕn N
vÜnh cöu GMR S

Ph−¬ng tiÕp
cËn víi vËt
(a) (b)

C¸c c¶m biÕn GMR x¸c ®Þnh theo vÞ trÝ

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 Một số ứng dụng khác của cảm biến GMR và TMR

Is
Io +
GMR −
C¶m biÕn
ΔU GMR
- +
VÕt nøt

èng
(a) thÐp H
U
+
I1
−
I2 GMR
_
ΔU Cuén d©y t¹o tõ
+ tr−êng

(b)

Dïng c¶m biÕn ®Ó lµm phÇn tö nh©n KiÓm tra vËt liÖu kh«ng ph¸ huû
(a): ΔU ~ ISI0, vµ phÇn tö céng (b): mÉu (èng thÐp) b»ng c¶m biÕn
ΔU ~ (I1 + I2) GMR.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
Đo cường độ dòng điện lớn từ xa

a) Nguyên lý để đo dòng lớn không trực

tiếp.
b) Đặc tuyến V-I của cảm biến RMS đo
dòng xoay chiều tần số công nghiệp
(50 Hz). Độ nhạy xác định được là 35
mVrmsrA.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 Điều khiển vị trí góc (Angular Position monitoring)

(a) Sơ đồ bố trí cảm biến để đo tốc độ quay. Hệ thống gồm bánh răng bằng vật liệu từ
mềm, một nam châm vĩnh cửu mà ở phần đầu có lắp một cảm biến GMR hay TMR sao
cho lớp bị ghim có phương từ độ hướng xuống phía dưới, còn từ độ của lớp tự do có
thể quay trong một mặt phẳng vuông góc với màn hình (hướng từ phía sau ra phía
trước màn hình). Như vậy cảm biến này chỉ nhạy với thành phần của từ trường nằm
dọc theo hướng của lớp bị ghim. (b) Khi bánh răng quay, các răng lần lượt di chuyển
qua cảm biến và làm nhiễu đường sức từ. (c) Đường đặc trưng của điện áp ra phụ
thuộc góc của cảm biến.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 Điều khiển tốc độ quay
a) Cảm biến đặt cách mặt biên của bánh xe
bằng nam châm vĩnh cửu đang quay một
khoảng d.
b) Đồ thị biểu diễn tín hiệu điện áp ra của
cảm biến theo thời gian ứng với tốc độ
quay của bánh xe là 360 vòng /phút đối
với trường hợp khi d = 1 mm. Bảng nhỏ
cho ở trong đồ thị này cho thấy biên độ tín
hiệu đo dược phụ thuộc vào khoảng cách
d, và thấy rõ tín hiệu có biên độ ổn định ở
khoảng cách từ d = 0.5 mm tới d = 2 mm.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

6. ITIMS VÀ CÁC ĐƠN VỊ KHÁC TRONG NƯỚC ĐÃ NGHIÊN CỨU NHỮNG
VẤN ĐỀ GÌ LIÊN QUAN ?

TiÕp cËn spintronics t¹i ITIMS

Bắt đầu từ 1995 (là đơn vị đầu tiên trong nước)

¾ Nghiªn cøu GMR trong mµng máng ®a líp vµ d¹ng h¹t (1995-2006)

¾ Nghiªn cøu GMR cña hîp kim dÞ thÓ hai pha nguéi nhanh (1999-2006)

¾ ChÕ t¹o van spin, sensor GMR vµ nghiªn cøu øng dông van spin lµm c¶m biÕn tõ
truêng (2000 – nay)

¾ Nghiªn cøu hiÖu øng TMR trong c¸c cÊu tróc MTJ (2002-nay)

¾ Nghiªn cøu hiÖu øng trao ®æi dÞch (EBC) (2002-nay)

¾ Nghiªn cøu mét sè hîp chÊt half-metal (2004-nay)

¾ Nghiªn cøu cÊu tróc MTJ d¹ng ®¶o vµ hiÖn t−îng ch¾n Coulomb từ (2004-nay)

¾ Nghiªn cøu cÊu tróc MTJ d¹ng h¹t vµ hiÖu øng TMR (2005-nay)

¾ Nghiªn cøu vËt liÖu b¸n dÉn tõ (???)

¾ Nghiên cứu các hiện tượng vật lý spin mới: spin torque; spin Hall; magnetic
Casimir effect, magnetic plasmon,…(2008 – nay)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
MỘT SỐ ĐƠN VỊ Ở TRONG NƯỚC NGHIÊN CỨU VỀ SPINTRONICS

1. HIỆU ỨNG GMR & CẤU TRÚC VAN SPIN (ITIMS, IMS)

2. CẤU TRÚC MTJ VÀ HIỆU ÚNG TMR (ITIMS)

3. TRAO ĐỔI DỊ HƯỚNG ĐƠN HƯỚNG (TRAO ĐỔI DỊCH) (ITIMS)

4. SỰ CHẮN COULOMB TỪ VÀ SỰ XUYÊN NGẦM ĐƠN SPIN (ITIMS)

5. SẮT TỪ NỬA KIM LOẠI (HALF-METALLIC FERROMAGNETS) (ITIMS, IMS)

6. BÁN DẪN TỪ (MAGNETIC SEMICONDUCTORS & DILUTE MAGNETIC

SEMICONDUCTORS ) (IMS, CRYOLAB, HUE, ITIMS)

7. Spin torque transfer (ITIMS)

8. Spin-plasmonics (ITIMS) MỚI BẮT ĐẦU

TRIỂN KHAI VÀ DỰ
9. Spin Hall effect (ITIMS)
KIẾN TRIỂN KHAI
10. Magnetic Casimir effect (tương tác từ tầm xa) (ITIMS)
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 CÁC nGHIÊN CỨU CỤ THỂ t¹i ITIMS
CỦA NHÓM spintronics
1. GMR: Co-Ag; Co-Cu; NiFe-Ag; Co/Ag/Co; Co/Cu/Co; Co/Ag/NiFe;
CoFe/Ag(Cu)/CoFe; CoNiFe/Ag(Cu)/CoNiFe; ...
2. ChÕ t¹o van spin: Co/Ag/Co; Co/Cu/Co; NiFe/Ag/NiFe;
FeMn/Co(NiFe)/Ag/NiFe(Co); NiMn/Co/Ag(Cu)/NiFe(Co);
PdMn/Co/Ag/NiFe; ...
3. MTJ/TMR & Chắn Coulomb từ: Co/Al2O3/NiFe; Co/Al2O3/Co;
Co/Co-Al-O/Co; Co-Al-O; Co/Al2O3/Co/Al2O3/Co
4. Half-metals: HÖ Heusler: Ni(Co, Cu)-Mn-Sb(Si, Al, Sn, Bi)
(d¹ng mµng máng vµ khèi); FM-CrAl (dạng màng mỏng) - FM = Fe,
Ni, Co, CoFe, NiFe,...
Hệ oxyt: CrO2 ; NiMnSb; FM-CrAl (d¹ng mµng máng)
5. EBC: MnPd/Co; MnNi/Co; MnCr/Co; MnPd/NiFe; MnPt/Co;
MnPt/NiFe; MnNi/NiFe; IrMn/Co(CoFe); {MnPd/Co}10.
Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 CÁC nGHIÊN CỨU CỤ THỂ t¹i ITIMS
CỦA NHÓM spintronics

6. DMS: ZnO:Co
7. Spin-plasmonics: Co/Ag; Co/Cu; NiFe/Ag; CoFe)/Ag; Co-Ag; Co-
Cu; Co/Al2O3; Co-Al2O3.
8. Hiệu ứng Casimir từ - tương tác từ tầm xa trong các MTJ:
Co/Al-O/Co; Co/Ag/Co; NiFe/Ag/Co; Co/Cu/Co; NiFe/Cu/Co;
9. Bộ chuyển đổi từ điện:
- Sử dụng cảm biến van spin kim loại mắc theo kiểu mạch cầu
Wheatston chế tạo các bộ chuyển đổi từ-điện.
- Bộ đo từ trường, khoảng cách, góc, vận tốc, gia tốc, khối lượng, áp
lực/áp suất.
- Các bộ chuyển mạch cơ-điện sử dụng van spin

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.6. Phân tử và nguyên tử từ cô lập
Các chùm phân tử từ (magnetic molecular clusters) - còn gọi là các nam châm
nano phân tử (molecular nanomagnets) hoặc các nam châm đơn phân tử (single-
molecule magnets: SMM) - là những giới hạn nhỏ cuối cùng của hệ từ khi đi từ khối
đến các nguyên tử.

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

3.6. Phân tử và nguyên tử từ cô lập
- Ở các hệ SMM đang kỳ vọng
quan sát thấy các hiện tượng lượng O N
tử vì chúng có cấu trúc rất xác định
với trạng thái spin nền và dị hướng
từ rất đặc trưng.
- Các phân tử từ này có thể được
điều khiển để lắp ráp thành các
tinh thể từ lớn mà ở đó tất cả các
phân tử thường có cùng hướng. Vì
vậy từ các phép đo vĩ mô có thể
suy trực tiếp đến các tính chất của
phân tử đơn.
- Một phân tử từ, tương tự một C
nam châm nano nhỏ, phải có một
dị hướng từ rõ rệt và phải có một Sơ đồ của một lõi từ của chùm Fe8
spin trạng thái cơ bản lớn. Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010
 3.7. Các kỹ thuật hiện đại quan sát và phân tích các đặc trưng
cấu trúc từ nano
1- Hiển vi điện tử (SEM, CTEM, STEM) cho độ phân giải ~ 0.25 – 0.1 nm đ/v UA ~
200 – 1250 V

2- Hiển vi Lorentz

3- Hiển vi lực từ (MFM)

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

 PHỤ LỤC

SỰ PHÂN BỐ CÁC CHỦ ĐỀ NGHIÊN

CỨU NANO TỪ TRÊN THẾ GIỚI

Nguyen Anh Tuan - ITIMS-2010

NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
 NHỮNG THÁCH THỨC CỦA
SP NTRON↓CS
SP↑
TRONG TƯƠNG LAI

• Những thách thức chung

• Những thách thức riêng
1- Các cấu trúc MTJ trong MRAM tổ hợp với CMOS

2- Các thách thức về kết cấu/kiến trúc nanoelectronic

NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
Những thách thức chung
• Số các khái niệm sử dụng trong spintronics rất lớn:
Phương trình Shockley: Sự thành công khoa học ∝ {Số các khái niệm
được bao gồm}! ( bao trùm toàn bộ các vấn đề của vật lý chất rắn :
kim loại - bán dẫn - điện môi - siêu dẫn
• Là một lĩnh vực liên ngành Ä cần phải phát huy một cách tích cực tất cả vốn
hiểu biết cơ sở Ä tạo ra một thách thức lớn.

• Các vấn đề liên quan đến lượng tử spin, rối lượng tử và thông tin lượng tử.
Liên ngành là gì ?
Một lĩnh vực được gọi là liên ngành khi các hoạt động nghiên cứu của nó
được sự hỗ trợ, tổ hợp của nhiều tri thức khoa học và công nghệ thuộc nhiều
ngành, nhiều lĩnh vực khác nhau nhằm giúp cho việc hiểu biết đúng đắn hơn,
chính xác hơn đối với các sự vật hay hiện tượng phúc tạp, hoặc tạo ra những
sản phẩm, những hoạt động động cụ thể có những tính năng, tính chất thuộc
về nhiều lĩnh vực, nhiều ngành thành phần, nhằm giải quyết các vấn đề (kể
cả tri thức hiểu biết) mà riêng mỗi ngành, mỗi lĩnh vực thành phần không có
khả năng hoặc không thể giải quyết được một cách tốt nhất.
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
Những thách thức riêng

1- Các cấu trúc MTJ trong MRAM tổ hợp với CMOS

• Vấn đề xung khắc/cạnh tranh về nhiệt độ xử lý khi tổ hợp cấu trúc MTJ với CMOS
trong các bộ MRAM: Một số quá trình CMOS chuẩn xảy ra ở nhiệt độ Ta ~ 4000C,
trong khi ở nhiệt độ này hiệu ứng TMR lại giảm nghiêm trọng, có thể giảm từ 40 % (ở
~ 250-270oC) xuống còn 1-2 %.

• Vấn đề độ đồng đều của điện trở bề mặt RA (resistance-area) trên bề mặt phiến bán
dẫn (wafer) rộng. Có nhiều kỹ thuật để tạo ra lớp rào thế ôxýt Al-O, và kỹ thuật được
ưa chuộng sử dụng nhất là plasma (do đơn giản và tính cạnh tranh công nghiệp).
Các kỹ thuật khác nhau gây ra sự khác nhau về độ đồng đều của điện trở MTJ. Chìa
khoá cho một cấu trúc MTJ có RA đồng đều là chiều dày của lớp Al phải có độ đồng
đều cao.
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
Những thách thức riêng

• Vấn đề tạo ra vật liệu MTJ có RA rất thấp. Trong MRAMs, các bits càng nhỏ đòi hỏi
vật liệu MTJ có RA càng thấp. Trong đầu đọc ổ cứng sử dụng hiệu ứng TMR cũng
đòi hỏi vật liệu MTJ có RA thấp. Với cấu trúc MTJ thông thường, chiều dày lớp AlO
dưới 1 nm (ứng với TMR ~ 20%), RA ~ 400 Ω-μm2 (đây là giá trị cần tiệm cận đến
đối với MRAM trong tương lai và gần với giá trị mà các đầu đọc ổ cứng sẽ phải đạt).

2- Các thách thức về kết cấu/kiến trúc nanoelectronic

• Vấn đề giảm thiểu công suất-nhiệt (P/H): phân tán/phân bố đều công suất, tản nhiệt
và loại trừ các điểm phát nhiệt tập trung;

• Vấn đề độ bền/chắc chắn (reliablity) (REL): phải được tăng lên qua độ dư thừa về
không gian và thời gian, hoặc cả hai, nhưng các yếu tố dư thừa cần phải (rất) nhỏ;

• Vấn đề kiểm định (TST): liên quan đến giá thành, phải được giảm thiểu;
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
• Vấn đề kết nối (connectivity) (CONN): giảm đồng thời cả chiều dài và số
các kết nối trong cấu trúc (liên quan đến dây dẫn, ảnh hưởng đến REL);

• Vấn đề thông tin liên lạc (COMM) giữa các cấu trúc phải sử dụng các
phương pháp tối ưu;

• Vấn đề tổ hợp lai (hybrid integration) (HYB): phải được tạo ra, bao gồm cả
thiết kế hỗn hợp và tiếp xúc bề mặt;

• Vấn đề logic và mã hoá/giải mã (L/C): phải được tối ưu để giảm các

mạch chuyển đổi (switching), tính toán và thông tin liên lạc;

- Vấn đề cải tiến thuật toán (ALG): ví dụ vấn đề xác suất;

- Vấn đề tính phức tạp trong thiết kế (design complexity) (DCOM): cần phải
được suy giảm (ví dụ bằng cách sử dụng lại).

NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
Phân loại thứ hạng (theo tầm quan trọng) các thách thức về kết cấu nanoelectronic
"Tầm quan trọng" của mỗi thách thức được thể hiện qua tỷ lệ %. Tổng cộng tất cả các thách
thức là 100 %.

ALG DCOM
10%
5%
5% 5%
5% 5%
10% 5%

5%
Algorithms ALG -5% 15% -5% 5%
DesignComplexity DCOM -10% -10% -5% 10% -10% -10% 5%
(100%)
D Cấu trúc của các kết cấu nanoelectronics có thể sẽ phải khác đi
NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
Các giải pháp cho các thách thức về kết cấu nanoelectronic

- Giải pháp ngắn hạn/trước mắt: điều chỉnh thích ứng, đồng thời, kết nối, biến đổi

- Giải pháp trung hạn: đồng bộ cục bộ chưa đồng bộ toàn bộ (GALS), VD: GOLE

- Giải pháp dài hạn: tính đến điện tử học phân tử và tính toán/máy tính lượng tử,

người máy bằng tế bào dot lượng tử và cạnh tranh sinh học.

NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
Trong tương lai gần, sẽ có những linh kiện ở đó tổ hợp các
loại linh kiện có những chức năng khác nhau:
hybrid system-on-chip

NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010
KẾT LUẬN CHUNG VỀ VẬT LIỆU TỪ NANO
& SPINTRONICS

NguyenAnhTuan-ITIMS - 2010