FRANCISCO MERLOS FERNÁNDEZ

El frenético avance de la electrónica en los últimos años ha dejado

los tradicionales métodos de almacenamiento de memoria completamente
obsoletos. La necesidad de movilidad, integración, velocidad, capacidad y
bajo consumo ha llevado a multiples empresas al desarrollo de una nueva
generación de memorias que pueda satisfacer las exigencias de un
mercado que mueve miles de millones de euros cada año. Tres son las
tecnologías que luchan por imponerse sobre las otras: FRAM, MRAM y
OUM.
Mientras unas acabarán extendiendose a lo largo y ancho del globo,
otras, como ya ocurrió con el sistema de telefonía TETRA, pueden acabar
en el olvido.

1 INTRODUCCIÓN:

En la actualidad billones de chips inundan todo tipo de aparatos

electrónicos cuya complejidad supere ligeramente a una bombilla. El
avance de la tecnología binaria ha conseguido hacer que hoy en día casi
cualquier aparato electrónico sea programable. Teléfonos móviles,
ordenadores, calculadoras, relojes despertadores, hasta los microondas
tienen programas de cocción almacenados en pequeñas memorias.

Las memorias se pueden agrupar en dos grandes bloques en base a

unos requerimientos que son muy diferentes:

1.1 MEMORIAS ESTÁTICAS

Por una lado se encuentran los aparatos portátiles, tales como

telefonos móviles, calculadoras, etc. Éstos no requieren grandes memorias
(típicamente unos cuantos KBs), su principal requerimiento es el tamaño,
consumo y que la información contenida en ellas no sea volátil. Estas
memorias de sólo lectura (ROM) contienen, entre otras cosas, las rutinas de
servicio y protocolos de funcionamiento de los dispositivos electrónicos y
una pérdida de memoria en ellos provocaría su deterioro total o parcial.
Además contienen también elementos programables tales como la
configuración y la agenda de un móvil, las canciones de un reproductor
mp3, las fotos de una cámara digital y en definitiva multitud de datos que
no deben desaparecer cuando éstos quedan sin batería.

Algunos tipos de memorias utilizadas para los elementos de memoria

permanente son las PROM (Programmable Read-Only Memory) o las
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) con la única
diferencia de que las primeras sólo pueden programarse una vez y las
segundas varias. Mientras que para el almacenamiento temporal de datos (y
también para el permanente) las más extendidas son las memorias Flash.

Un error frecuente consiste en clasificar las memorias en RAM y

ROM. Esta clasificación no es factible, pues muchas memorias ROM, son
también memorias de acceso aleatorio (RAM).

1.2 MEMORIAS DINÁMICAS

Por otro lado nos encontramos con aparatos como los ordenadores,
que durante su funcionamiento requieren grandes cantidades de memoria,
altas velocidades de acceso y gran resistencia a la fatiga debida a la
escritura y borrado en memoria. Estas son precisamente las peores
cualidades de las memorias anteriormente vistas.

Por ello los ordenadores combinan dos tipos de memoria. Una

memoria principal (“disco duro”) de gran capacidad y no volátil. Y una
memoria volátil dinámica intermedia, con frecuencia denominada RAM
(Random Access Memory), con una gran velocidad de acceso y unos ciclos
de escritura (número de escrituras hasta el deterioro de la memoria) casi
infinitos.

La memoria SRAM, por ejemplo, tiene una velocidad de lectura,

escritura y acceso realmente altas. Otras como la DRAM sin ser tan rápidas,
presentan una gran escala de integración. Pero todas ellas pierden la
memoria almacenada en cada celda al cabo de unos milisegundos. Por ello
la memoria ha de ser continuamente reescrita (“refrescada”) con el
consecuente aunmento de consumo que ello conlleva. Por otro lado, la
memoria contenida en ellas desaparece tan pronto como lo hace el
suministro eléctrico.

*En realidad los ordenadores contienen muchos otros tipos de memoria, ya sea en registros,
biestables, etc. Además, el crecimiento exponencial de la velocidad de procesamiento de la UCP
(Unidad Central de Procesamiento) hace necesario la existencia de otra memoria intermedia a
la RAM, se trata de la memoria Caché del sistema cuya velocidad es muy superior a la RAM.

1.3 LAS NUEVAS MEMORIAS INDELEBLES

La movilidad en las comunicaciones ya hizo en su día que el teléfono

se despegase de la pared para pasar a estar en nuestro bolsillo. Del mismo
modo, la progresiva desparición del cable para el acceso a internet, la
progresiva integración de componentes y la reducción de precios será el
empujón definitivo que terminará con el dominio del ordenador de
sobremesa sobre el ordenador portátil.

De forma paralela se firma la sentencia de muerte para la tecnología

analógica de fotografía y grabación de video. La versatilidad, prestaciones e
integración de las nuevas cámaras digitales han hecho que éstas se hagan
progresivamente con el mercado.

Por último con la avenida de las nuevas formas de almacenamiento

energético como la pila de combustible de hidrógeno el cable pasará
definitivamente a la historia.

Pero este desarrollo ha hecho que nuestra agrupación en memorias

estáticas y dinámicas ya no sea válida. Por un lado los ordenadores
portátiles gastan una gran parte de su energía en el refresco de sus
memorias volátiles. Por otro, el chorro de datos generado por la grabación
digital de video de alta calidad hace requerir a las memorias de gran
capacidad y altas velocidades de lectura/escritura. Aquella memoria que sea
capaz de integrar las propiedades de las memorias Flash con las
propiedades de las DRAM o SRAM, se hará con un mercado que en 2003
tenía proyectada una facturación de $25.000.000.000 según la Corporación
Internacional de Datos (Internacional Data Corp).

2 MEMORIAS INDELEBLES
2.1 MEMORIA FLASH

En la actualidad la mayor parte de los chips de memoria estática del

mercado pertenecen a este tipo de almacenamiento.

En una memoria Flash, un bit de información se almacena mediante

un transistor muy similar al MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field
effect transistor).

Un MOSFET consta básicamente de

un drenador y un surtidor dopados
negativamente e insertados sobre un
substrato semiconductor dopado con
aceptores (“huecos”). Entre ellos se
sitúa la puerta que consta de un
contacto metálico separado del
substrato mediante una capa de óxido
aislante (típicamente SiO2). Cuando
aplicamos un potencial suficiente
sobre la puerta conseguimos crear
entre el óxido y el substrato una densidad superficial de portadores
negativos (electrones). Esta densidad superficial de carga conecta surtidor y
drenador “cerrando” el circuito y permitiendo el paso de corriente. No
consideraremos los efectos de amplificación pues lo único que nos interesa
es la conducción o no conducción del transistor. En la figura podemos ver la
estructura física de un transistor MOSFET de deplexión de canal n.

Si fuéramos capaces de insertar electrones en el óxido, en éste se

crearía un potencial negativo que provocaría la aparición de un potencial
positivo en el substrato anexo a él. Por tanto la tensión que tendríamos que
aplicar para crear el canal de conducción sería mayor. Es decir, a la tensión
que antes nos abría el canal, ahora éste permanecería cerrado. Y esto es
precisamente lo que se utiliza en las memorias Flash.
Como insertar y quitar electrones del óxido no es una tarea sencilla se
utiliza una capa intermedia (insertada en el óxido) de poli silicona. Como
vemos la lectura de información en una memoria Flash es muy sencilla.
Supongamos que no hay electrones insertados en la capa flotante. Al aplicar
la tensión umbral de conducción, nuestro transistor MOSFET “trucado”
creará el canal y existirá conducción entre drenador y surtidor (Figura 1);
esto puede representar el estado lógico “1”. En cambio si insertamos
electrones en la poli silicona, al aplicar el mismo voltaje que antes, el canal
ahora no se creará y el transistor permanecerá cortado (Figura 2); esto
representaría el estado lógico “0”.

Figura 2 Figura 1

La escritura se divide en dos procesos. En el primero borramos toda

la información contenida en un bloque de memoria (típicamente un
conjunto de varios miles de transistores). Que el borrado sea poner todos los
transistores a “1” o a “0” es cuestión de criterios. En el segundo, para
insertar o quitar los electrones de la poli silicona, se utiliza un proceso que
en inglés se denomina “hot-carrier injection” (¿inyección de portador
caliente?). El proceso básicamente consiste en proporcionar a los electrones
energía suficiente (mediante un campo eléctrico por diferencias de
potencial) para atravesar el óxido e incrustarse en la poli silicona. El
problema es que los electrones al atravesar una y otra vez la puerta acaban
por crear defectos en el óxido que originan corrientes de fuga (los
electrones escapan de la poli silicona y nuestro “condensador” se descarga,
con la consecuente perdida del bit almacenado). Es por ello que las
memorias Flash tienen unos ciclos de vida típicos de “sólo” unos cuantos
millones de escrituras/borrados. Además para que los electrones tengan
energía suficiente para atravesar el óxido habría que aplicar una tensión de
al menos 12 Voltios y esto implica consumo y complicación en el diseño.

2.2 MRAM

La MRAM, del inglés “magnetoresistive random access memory”,

como veremos adelante, además de ser una memoria indeleble como la
Flash, incorpora unos ciclos de duración altísimos y una velocidad
comparable a la de las memorias dinámicas más rápidas (DRAM o SRAM).

Cada célula de memoria (equivalente a un bit) está formada por una

línea de corriente, dos láminas ferromagnéticas separadas una capa
intermedia y otra línea de corriente de salida.

Las láminas ferromagnéticas,

como su nombre indica esta fabricadas
con aleaciones ferromagnéticas. En un átomo, los electrones que giran
alrededor del núcleo son cargas aceleradas continuamente (aceleración
centrífuga de giro) que crean alrededor del átomo un campo magnético con
una determinada orientación. En la mayoría de los materiales la orientación
de los átomos es aleatoria, de tal forma que los momentos magnéticos del
conjunto de los átomos se anulen (igual que lo hacen cargas positivas y
negativas en la materia neutra). Pero en los materiales ferromagnéticos los
átomos (más que los átomos los ejes de giro de los electrones en su órbita)
pueden ser orientados a voluntad sin más que aplicarles un campo
magnético exterior lo suficientemente intenso. Además en algunos
materiales ferromagnéticos los átomos permanecen en la orientación que los
colocamos de forma muy prolongada (durante años).

Como vemos en la figura, el momento magnético de la lamina

inferior en las MRAM permanece estático y es la lámina superior la que
cambia su momento para colocarlo de forma paralela o antiparalela con
respecto a la lámina de abajo. Son estos estados, momentos paralelos o
antiparalelos, los que determinan los niveles lógicos “1” o “0”.

¿Pero cómo somos capaces de determinar estos estados a partir de

circuitos que solo son capaces de detectar niveles de tensión o corriente?
Veámoslo de una forma más o menos intuitiva, pues su desarrollo
corresponde ya a otro trabajo.

Los electrones no solo giran alrededor de los núcleos a los que están
asociados sino que además poseen un movimiento de rotación respecto de si
mismos (al igual que los planetas). Estos son los denominados “spins”. Al
contrario de lo que se podría pensar, no todos los spins tienen el mismo
sentido de giro, y tampoco hay igual número de spins horarios que
antihorarios.

Al girar los electrones, que pueden ser vistos como nubes de carga
electrónica, producen el mismo efecto que produciría una esfera cargada en
rotación. Es decir un campo magnético orientado. Es lógico pensar que los
spins mayoritarios en cada lámina ferromagnética serán aquellos que tengan
sus momentos magnéticos alineados con el momento de la lámina. Si ambas
láminas tienen sus momentos magnéticos alineados, las proporciones de
spins en ellas serán idénticas, y una eventual corriente de una lámina a la
otra no presentará salvo la resistencia de la lámina que las une. En cambio,
si los momentos son antiparalelos, los spins mayoritarios en una lámina
serán minoritarios en la otra y un traslado de carga se vería dificultado por
estas proporciones y por lo tanto habría una mayor resistencia eléctrica.

Pues bien, estos diferentes niveles de resistencia implicarán diferentes

niveles de corriente atravesando la célula, desde la línea de corriente
superior a la inferior, con lo que ya si puede ser interpretado por nuestra
circuitería el nivel lógico correspondiente. La variación del nivel de
resistencia entre un estado y otro oscila entre el 10% y el 50%, lo cual no es
mucho. Aumentar esta variación es crítico para aumentar los márgenes de
error y simplificar así los diseños y es uno de los principales objetivos de
las compañías desarrolladoras de esta tecnología.
 Como vemos, aquí lo difícil es
leer, porque escribir es
relativamente sencillo. La línea de
corriente superior está colocada
de forma perpendicular a los
momentos magnéticos de la
lámina contigua. De esta forma,
cuando una corriente eléctrica
atraviese la línea se generará un
campo magnético a su alrededor
que en la superficie tangencial de
la lámina estará en la dirección de
los momentos magnéticos. El sentido del campo vendrá dado por el sentido
de la corriente. Sin más que cambiar el sentido de la corriente generaremos
un campo en uno u otro sentido capaz de orientar los átomos de la lámina y
fijar un momento magnético. Una vez desaparece la corriente, el momento
magnético, y por tanto la información contenida en la célula, permanece
inalterado.

2.3 FRAM

Existen dos tipos de almacenaje mediante memorias de acceso

aleatorio ferroeléctricas (Ferroelectric Random Access Memory). Unas, las
DRO FRAM (destructive read out FRAM) destruyen la información
contenida en cada bit durante el proceso de lectura, por lo que tras la lectura
es necesario rescribir la información en cada celda. Las otras, las NDRO
FRAM (non destructive read out FRAM) leen el contenido de cada bit sin
modificar la información contenida en él.
2.3.1 DRO FRAM

Este tipo de memorias indelebles están ya disponibles a la venta,

aunque su densidad y capacidad están aun lejos de los requerimientos
necesarios para su uso en ordenadores portátiles o cámaras digitales de
video. Ramtrom Internacional Corp., el pionero en este tipo de tecnologías,
las ha estado vendiendo desde 1992. Sin embargo la capacidad de cada
memoria no superaba los 256Kb. Como vemos, el mayor reto para los
desarrolladores de este producto está en aumentar la escala de integración y
reducir el voltaje necesario para su funcionamiento. En Noviembre de 2002
Texas Instruments anunció haber construido una FRAM de 64Mb mediante
un proceso estándar CMOS de 0.13 micras.

Su funcionamiento se basa en el comportamiento

dipolar de determinadas estructuras moleculares.
Como vemos en la figura cada molécula o
“célula PZT” está formada por un cubo en cuyos
vértices se sitúan átomos de plomo. En el centro
de cada cara existe un átomo de oxígeno y en el
centro del cubo un átomo de circonio o titanio.
La nube electrónica molecular se sitúa alrededor
del centro geométrico del cubo, mientras que el
núcleo de Ti o Zr no está centrado sino que
permanece cerca de la parte superior o inferior de dicho cubo. De esta
forma, como si de una esfera cargada negativamente, en cuyo interior se
haya otra esfera no concéntrica de carga positiva, se tratara, nuestra
molécula se comporta como un dipolo eléctrico. Además el núcleo de Ti-Zr
puede conmutar fácilmente de posición sin más que aplicar un campo
eléctrico externo en la dirección y sentido del dipolo que buscamos.
 Para entender porqué el átomo de Ti-Zr permanece en una de estas
posiciones, asociadas a los estados lógicos “0” o “1”, hay que aclarar que la
célula PZT no es cúbica, sino que está alargada en la dirección de
conmutación del átomo central. Para verlo de forma intuitiva imaginemos
como se comportaría un sistema como el de la figura en el que los átomos
de oxígeno y Ti-Zr presentaran carga neta positiva y los de plomo carga
neta negativa. En ese sistema, cuando el átomo de titanio estuviera justo en
el centro se encontraría en una situación de equilibrio inestable y cualquier
vibración molecular haría a este salir repelido de ese estado de máxima
energía potencial para pasar a un estado de mínima energía potencial, ya sea
en la parte superior o inferior de la estructura.

Cada dominio capaz de almacenar un bit (“0” o “1”) está formado por
millones de estas moléculas cuyos dipolos permanecen todos alienados.
Para escribir un bit, basta con someter al dominio a un campo eléctrico
externo y los dipolos conmutarán hasta alinearse con él.

Para leer, aplicamos al dominio un campo eléctrico en uno de los

sentidos dipolares de la molécula. Si los átomos centrales de cada célula
PZT están dispuestos de tal forma que el dipolo que originan está alineado
con el campo eléctrico que introducimos, la estructura no sufrirá ningún
cambio. Pero si por el contrario, el dipolo del dominio se encuentra de
forma antiparalela al campo externo, los átomos centrales de Ti-Zr
conmutarán de posición hasta que el dipolo creado se alinee con el campo
externo. Este desplazamiento del átomo central de carga no neutra (pues su
última capa electrónica se ha visto afectada por la unión molecular) se
manifiesta como un pulso de corriente que puede ser detectado y
amplificado para determinar el estado “0” o “1” del dominio
correspondiente. Como vemos, el proceso de lectura lleva inherente un
proceso de borrado, esto es por lo que se denominan Destructive Read-Out
FRAM. Para evitar la pérdida de la información, una vez leído cada bit, este
debe ser reescrito. Este es sin duda el mayor inconveniente para la
velocidad en las FRAM, pues la necesidad de rescribir la información
ralentiza el proceso global de lectura.

2.3.2 NDRO FRAM

El funcionamiento básico de estas memorias es prácticamente igual al

utilizado en las memorias Flash. La unidad básica de memoria, como en el
caso de las Flash, se trata de un transistor MISFET (Metal Insulator
Semiconductor Field Effect Transistor). Pero al contrario que en las
memorias Flash, los electrones necesarios en la puerta para aumentar la
tensión umbral de conducción no son inyectados y extraídos de una capa de
silicona, sino que su presencia se debe a la polarización de una delgada capa
de material ferroeléctrico.
 El proceso de lectura de un bit es idéntico al utilizado en las Flash,
pero para la escritura ya no necesitamos inyectar electrones en la silicona,
eliminando así los defectos creados en la estructura y las consecuentes
corrientes de fuga que limitaban los ciclos de lectura-escritura. En lugar de
eso, basta con crear un campo eléctrico suficiente para conmutar el dipolo
creado por la capa ferroeléctrica y colocar así cargas positivas/negativas en
la puerta que disminuyen/aumentan la tensión umbral de conducción
haciendo que nuestra unidad básica de almacenamiento conduzca/no-
conduzca a una tensión determinada.

Estructura MFS

Las primeras versiones de la NDRO FRAM utilizaban estructuras

MFS (Metal Ferroelectric Semiconductor) así como capas ferroeléctricas de
BaMgF4. El problema era que con este material eran necesarios al menos
19’9 Voltios para conmutar el dipolo, lo cual no solo no es compatible con
la tecnología CMOS de integración sino que además no es factible en
ninguno de los usos para los que se requiere. Y lo que es más, al someter el
transistor a un potencial semejante se produce el ya mencionado efecto
“Hot Carrier Inyection” por el que los electrones son insertados en la
silicona que separa drenador de surtidor. Esta inyección que buscábamos en
las Flash, es ahora totalmente indeseada y produce los mismos defectos
estructurales y las mismas corrientes de fuga que nos llevaron a desechar la
tecnología Flash.

Para sopesar este inconvenientes se diseñó una nueva estructura, la

MFMIS (Metal Ferroelectric Metal Insulator Semiconductor), en la que
ahora se añadía una capa aislante (generalmente oxido de silicio) que hacía
de barrera entre la puerta y la silicona para evitar la inserción perjudicial de
electrones.

Estructura MFMIST

Pero como la mayoría de las veces, al arreglar algo estropeamos otra

cosa. Y es que al introducir otra capa de metal y de aislante la tensión que
aplicamos al transistor se divide entre el condensador que forma la capa
ferroeléctrica (VF) y el que forma el aislante (VOX) .Si además tenemos en
cuenta la alta constante dieléctrica que es característica de las capas
ferroeléctricas nos encontramos con que el campo eléctrico efectivo
aplicado sobre el dipolo es considerablemente menor.
 La tensión necesaria para la polarización de una lámina ferroeléctrica
depende también de la constante dieléctrica del material. Cuanto mayor sea
ésta, mayor tensión necesitaremos para conmutar el dipolo eléctrico. Por
todas estas razones necesitamos materiales ferroeléctricos con constantes
dieléctricas muy bajas. Habitualmente los materiales ferroeléctricos poseen
una constante dieléctrica relativa con valores entre 800 y 1000.
Algunos óxidos ferroeléctricos de la forma A 2B2O7 presentan
constantes dieléctricas relativas bajas, pero tienen el inconveniente de
reaccionar con la silicona creando capas intermedias indeseadas que
deterioran el funcionamiento de nuestra estructura MFS. En cambio, en las
estructuras MFMIS, al existir una capa entre la lámina ferroeléctrica y la
silicona este problema queda solucionado. Concretamente el Sr2Nb2O7
presenta una constante dieléctrica relativa de tan sólo 60.
 Como vemos, este
tipo de tecnología
presenta ventajas
sobre las DRO
FRAM. Mayor
velocidad al eliminar
el proceso de
reescritura, gran escala de integración, compatibilidad con los procesos
actuales de fabricación de Flash, y además no presenta fatiga por los
procesos de lectura y escritura.

2.4 OUM

La tecnología OUM (Ovonic Unified Memory) es probablemente la

más antigua de todas, aunque su estudio fue aparcado durante años y en la
actualidad se ha retomado. Fue inicialmente propuesta en los años sesenta
por Stanford Ovshinsky, presidente de Energy Conversion Devices Inc.
(Rochester Hills, Michigan). Se basa en el mismo fundamento que los
actuales CD-RW y DVD-ROM y en la actualidad está siendo desarrollado
por Ovonyx Inc. (Santa Clara, California).

Las memorias OUM constan de una delgada lámina de Chalcogenide.

Este material esta compuesto por una aleación de germanio, antimonio y
telurio. Su principal característica, la que nos permite grabar en él
información, son sus dos estados alotrópicos amorfo y cristalino.
 El estado amorfo de esta aleación se consigue
elevando la temperatura del material por encima de su
punto de fusión y enfriándolo rápidamente. En ese
estado, los átomos se encuentran completamente
desordenados y el material presenta “baja”
conductividad eléctrica y es no reflectante.

Por otro lado el estado cristalino se consigue

elevando la temperatura de la aleación un poco por
debajo de la temperatura de fusión y manteniendo
esta temperatura durante unos 50 ns para dejar que
los átomos se organicen en una estructura cristalina
donde permanecen ordenados. Esta estructura
presenta alta conductividad eléctrica y la propiedad de ser reflectante.

En la siguiente figura podemos ver algunas de las principales aleaciones

con estas propiedades.
 En las memorias OUM se utiliza la aleación Ge2Sb2Te5.

Al contrario que en las MRAM, la diferencia entre los niveles de

resistencia de uno u otro estado son de un factor de 100, suficiente para
determinar un estado lógico con casi total probabilidad.

La diferencia básica entre las memorias OUM y los discos ópticos de

memoria estriba en que mientras estos últimos utilizan un láser para la
lectura y escritura de cada bit, las estructuras OUM utilizan pequeños
transistores para realizar los cambios de fase eléctricamente, así como
medir la resistencia eléctrica en lugar de la reflexión luminosa. De esta
forma se consigue almacenar la información en superficies mucho menores
(=> mayor escala de integración y menor consumo) y con velocidades de
lectura escritura muy superiores a sus homólogas ópticas.
 La estructura básica de almacenamiento consta de una lámina de
Chalcogenide en fase cristalina conectada a un electrodo resistivo que eleva
la temperatura de las proximidades del contacto entre ambas como podemos
ver en la siguiente figura.
 Los ciclos de reescritura de las memorias OUM (aprox. 10 13) son
menores que en las memorias DRAM y FRAM, pero aun así son muy
superiores a los de las memorias Flash y suficientes para la práctica
totalidad de requerimientos posibles.

3 COMPARATIVA

Como vemos, cada tipo de memoria presenta unas ventajas e

inconvenientes con respecto al resto. Aunque parezca que las memorias
Flash están en seria desventaja ante las nuevas memorias emergentes, en la
actualidad se han conseguido almacenar varios bits en cada célula
(transistor) y los nuevos compuestos como el nitrito que sustituye al óxido
de silicio utilizado como aislante en la puerta hace que las defectos creados
en la escritura sean mermados.

Además la NDRO FRAM, cuyo funcionamiento es muy similar a las

Flash y cuya estructura es prácticamente idéntica ha presentado unas
ventajas importantes sobre las DRO FRAM y el resto de memorias. Además
por tener una estructura muy similar a la Flash, el tamaño de estas
memorias puede ser entre 200 y 400 veces menor (tal y como ocurre con las
Flash).

Aunque claro está, estas tecnologías emergentes están en pleno

proceso de desarrollo, y su tamaño y sus prestaciones irán mejorando a
medida que la tecnología va madurando. Pero en palabras de Bomy Chen,
vicepresidente de Silicon Storage Technology Inc. (Sunnyvale, California)
“Cada tecnología necesita muchos años y mucho esfuerzo hasta conseguir
una producción rentable”. Por lo que cada vez es más difícil introducir una
nueva tecnología en el mercado, sobretodo si sus nuevas prestaciones no
son imprescindibles.

Device DRAM SRAM FLAS FFRAM FRAM MRA OUM

H M
Tamaño 256 256 256 256 64 1 4
( Mb )
Tiempo de
program. 50 ns 10ns 1000 20 ns 40 ns 50 ns 50 ns
ns
Tiempo 50 ns 10ns 20 ns 20 ns 40 ns 50 ns 50 ns
acceso
Voltaje 5V 3’3V 2V 5V 1’5 V 3’3 V 0’4 V
lectura
Voltaje 5V 3’3V 12 V 2V 1’5 V 3’3 V 1V
program.
Duración 0 0 10 años 10 años 10 a. 10 a. ∞
Fatiga ∞ ∞ 106 ∞ 1016 1014 1013

Como hemos visto a lo largo de las últimas décadas, en muchos casos

la tecnología implantada y establecida en la sociedad no ha sido la que
mejores prestaciones presentaba, sino no la que con más inteligencia y
estrategia ha sido introducida. Bien conocido es por todos el caso de los
videos Beta frente a las cintas de video tradicionales, que presentaban
peores prestaciones pero que se hicieron con la externalidad del mercado
hasta hacer desaparecer a su competidor.

Otro ejemplo es la tecnología TETRA frente a la actual GSM. A

pesar de que la primera presentaba muchísimas ventajas en velocidad,
calidad, servicio, frente a la rudimentaria GSM, el simple hecho de que los
terminales GSM tuvieran menor tamaño acabó con TETRA y las empresas
que la habían estado desarrollando hasta entonces.

Es por ello por lo que concluiremos notando como las empresas

inversoras en el desarrollo de estas tecnologías se encuentran en “la cuerda
floja”. Tan fácil pueden conseguir el mayor de los éxitos como pueden
obtener el mayor de los fracasos.

BIBLIOGRAFÍA

 http://www.ramtrom.com/aboutfram/technology.html

 http://www.research.ibm.com/thinkreserach/pages/2001/20010202_m
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 http://www.ovonyx.com/ovonyxtech.html

 Stefan Lai, “Future trends in non-volatile memory technology”, IDF,

Feb. 2002.

 Linda Geppert, “The new indelible memories”, IEEE Spectrum,

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 Axon Technology Corporation – página web official

http://www.axontc.com
 Ashok K. Sharma, Semiconductor Memories: Technology, Testing
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 Ramtron Corporation – página web oficial http://www.ramtron.com

 Ovonyx official website at http://www.ovonyx.com

 www.intel.com

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 http://palmera.datsi.fi.upm.es/msde/transparencies/tema6_5.pdf