MOTO 6809

Liste des instructions :

ABX : Addition de l’accumulateur B à X
ADCA : Addition du contenue mémoire à l’accumulateur A avec la retenue
ADCB : Addition du contenue mémoire à l’accumulateur B avec la retenue
ADDA : Addition du contenu mémoire à l’accumulateur A
ADDB : Addition du contenu mémoire à l’accumulateur B
ADDD : Addition du contenu mémoire au registre D
ANDA : ET logique entre A et le contenu mémoire
ANDB : ET logique entre B et le contenu mémoire
ANDCC : ET logique entre CC et le contenu mémoire
ASLA : Décalage arithmétique à gauche de A
ASLB : Décalage arithmétique à gauche de B
ASL : Décalage arithmétique à gauche du contenu mémoire
ASRA : Décalage arithmétique à droite de A
ASRB : Décalage arithmétique à droite de B
ASR : Décalage arithmétique à droite du contenu mémoire
BCC : branchement si pas de retenue / branchement si supérieur ou égal (non signé)
BCS : branchement si retenue / branchement si inférieur (non signé)
BEQ : branchement si égal à zéro
BGE : branchement si supérieur ou égal
BGT : branchement si supérieur (signé)
BHI : branchement si supérieur (non signé)
BHS : branchement si supérieur ou égal (non signé)
BITA : test de bit mémoire avec A
BITB : test de bit mémoire avec B
BLE : branchement si inférieur ou égal (signé)
BLO : branchement si inférieur (non signé)
BLS : branchement si inférieur ou égal (non signé)
BLT : branchement si inférieur (signé)
BMI : branchement si négative
BNE : branchement si différent de zéro
BPL : branchement si positif
BRA : branchement inconditionnel
BRN : non branchement
BSR : branchement au sous programme
BVC : branchement si pas de débordement
BVS : branchement si débordement
CLRA : mise à zéro de A
CLRB : mise à zéro de B
CLR : mise à zéro d’une case mémoire
CMPA : comparer A avec le contenu mémoire
CMPB : comparer B avec le contenu mémoire
CMPD : comparer D avec le contenu mémoire
CMPS : comparer S avec le contenu mémoire
CMPU : comparer U avec le contenu mémoire
CMPX : comparer X avec le contenu mémoire
CMPY : comparer Y avec le contenu mémoire
COMA : complément à un de A
COMB : complément à un de B
COM : complément à un du contenu mémoire
CWAI : ET logique avec le registre CC puis attente d’interruption
DAA : ajustement décimal de A
DECA : décrémentation de A
DECB : décrémentation de B
DEC : décrémentation du contenu mémoire
EORA : OU exclusif de A avec le contenu mémoire
EORB : OU exclusif de B avec le contenu mémoire
EXG : échange de registres
INCA : incrémentation de A
INCB : incrémentation de B
INC : incrémentation du contenu mémoire
 JMP : saut inconditionnel
JSR : saut au sous programme
LDA : chargement de A avec le contenu mémoire
LDB : chargement de B avec le contenu mémoire
LDD : chargement de D avec le contenu mémoire
LDS : chargement de S avec le contenu mémoire
LDU : chargement de U avec le contenu mémoire
LDX : chargement de X avec le contenu mémoire
LDY : chargement de Y avec le contenu mémoire
LEAS : chargement de l’adresse effective dans S
LEAU : chargement de l’adresse effective dans U
LEAX : chargement de l’adresse effective dans X
LEAY : chargement de l’adresse effective dans Y
LSLA : Décalage logique à gauche de A
LSLB : Décalage logique à gauche de B
LSL : Décalage logique à gauche du contenu mémoire
LSRA : Décalage logique à droite de A
LSRB : Décalage logique à droite de B
LSR : Décalage logique à droite du contenu mémoire
MUL : multiplication non signée
NEGA : complément à deux de A
NEGB : complément à deux de B
NEG : complément à deux du contenu mémoire
NOP : aucune opération
ORA : OU logique entre A et le contenu mémoire
ORB : OU logique entre B et le contenu mémoire
ORCC : OU logique entre CC et le contenu mémoire
PSHS : Empilement de registres sur S
PSHU : Empilement de registres sur U
PULS : dépilement de registres de S
PULU : dépilement de registres de U
ROLA : Décalage circulaire à gauche de A
ROLB : Décalage circulaire à gauche de B
ROL : Décalage circulaire à gauche du contenu mémoire
RORA : Décalage circulaire à droite de A
RORB : Décalage circulaire à droite de B
ROR : Décalage circulaire à droite du contenu mémoire
RTI : retour d’interruption
RTS : retour de sous programme
SBCA : soustraction du contenu mémoire de A avec retenue
SBCB : soustraction du contenu mémoire de B avec retenue
SEX : Extension de signe de l’accumulateur B à A
STA : stockage de A dans la cellule mémoire
STB : stockage de B dans la cellule mémoire
STD : stockage de D dans la cellule mémoire
STS : stockage de S dans la cellule mémoire
STU : stockage de U dans la cellule mémoire
STX : stockage de X dans la cellule mémoire
STY : stockage de Y dans la cellule mémoire
SUBA : soustraction du contenu mémoire de l’accumulateur A
SUBB : soustraction du contenu mémoire de l’accumulateur B
SUBD : soustraction du contenu mémoire de l’accumulateur D
SWI : interruption logicielle
TFR : transfert de registres
TSTA : test de l’accumulateur A
TSTB : test de l’accumulateur B
TST : test de la case mémoire

Pseudo-Instructions :
DB : Affectation de données à une case mémoire
EQU : Equivalence
END : Fin du programme
ORG : définition de l’origine d’un segment de programme