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FÍSICA DE SEMICONDUCTORES
GRUPO: 5
Autores:
FERNANDO RIVERA Código: 7726694
ERNESTO JOSÉ CÁRCAMO Código: 9146752
SAMUEL ALFONSO QUINTERO Código: 8201656
Tutor:
ANDRES FELIPE TARAZONA
MAYO 17 DE 2012
BOGOTÁ D.C.
INTRODUCCION
Al igual que lo que sucede con el TBJ, el FET tiene tres regiones de operación.
Estas regiones son:
Zona Lineal.
Zona de Saturación.
Zona de Corte.
ZONA LINEAL
Por la terminal de puerta (G) no circula más que la corriente de fuga del diodo GS,
que en una primera aproximación podemos considerar despreciable. La
corriente ID presenta una doble dependencia:
ID = ( VGS - VP )VDS
Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 volts por ejemplo, éste se distribuye
a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D, la tensión será de
5 volts, pero a medio camino circulante la corriente habrá reducido su potencial a
la mitad (2,5 V), y en el terminal S el voltaje será nulo. Por otra parte, si V GS es
negativo (-2 V, por ejemplo), la tensión se distribuirá uniformemente a lo largo de
la zona al no existir ninguna corriente (Figura 5).
NOTA: se desprecia la caída de tensión en las zonas situadas por debajo de los
contactos.
Figura 4: Esquema del transistor de canal N con VGS = -2V y VDS = 5V.
ZONA DE SATURACIÓN
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
ZONA DE CORTE
ID = Corriente de Drenaje
IDSS = Corriente de Drenaje de Saturación
VGS = Voltaje Puerta-Fuente
VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.
Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar
los transistores JFET. En primer lugar, en la representación I D v/s VGS para un
VDS dado, se aprecia claramente el paso de la región de corte a la región
de saturación. En la práctica sólo se opera en el segundo cuadrante de la gráfica,
puesto que en el primero, VGS positiva hace crecer rápidamente a IG.
En la característica VDS v/s ID del JFET canal N, se observa la diferencia entre las
regiones lineal y de saturación. En la región lineal, para un determinado valor de
VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo este
crecimiento se atenúa hasta llegar a ser nulo. Se alcanza el valor de saturación
cuando ID sólo depende de VGS.
CIRCUITO EQUIVALENTE FET DE AC
VO = - (gm.Vgs)(RD||rd)
AV = VO/Vi = [- (gm.Vgs)(RD||rd)]/Vgs
AV = - gm.(RD||rd)
AV = - gm.RD
Al igual que el BJT, el FET es un dispositivo de tres terminales, pero sólo tiene una
unión pn en vez de dos, como en el BJT.
El JFET de canal n se construye utilizando una cinta de material tipo n con dos
materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado. El JFET de canal p tiene
una cinta de material tipo p con dos materiales de tipo n difundidos en ella.
VDD proporciona una tensión drenaje a fuente, vDS, que provoca una corriente de
drenaje, iD, del drenaje a la fuente. La corriente de drenaje, que es idéntica a la
corriente de fuente, existe en el canal rodeado por la compuerta de tipo p. La
tensión compuerta a fuente, vGS, que es igual a -VGG, crea una región desértica en
el canal, que reduce el ancho de éste y por tanto aumenta la resistencia entre
drenaje y fuente. Como la unión compuerta-fuente está polarizada en inverso, el
resultado es una corriente de compuerta nula.
CARACTERÍSTICA DE TRANSFERENCIA.
Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados
por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por
corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: I drenador a source o
fuente), VGSD (intensidad drain o (tensión gate o puert source o fuente) y V
(tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET. DS
REGIÓN DE CORTE
En esta región la intensidad entre drenador y fuente es nula (I=0). En este caso, la
tensión entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las zonas de
inversión bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre drenador y
fuente. En las hojas técnicas se denomina a esta tensión como
de estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off)D o Vp. Por ejemplo,
el BF245A tiene una V (off)=-2V.GS
REGIÓN LINEAL
En esta región, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es
utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable
controlada por tensión. El fabricante proporciona curvas de resistencia drenador-
fuente (rds (on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra en la figura
3. En esta región el transistor JFET verifica las siguientes relaciones:
VGS (off) = - VP
RD = (VCC – VD) / ID
VGS = - ID*RS
AV = -Gm*RD
RS = VGS (off) / IDSS
RG » 500 KΩ
Gm = ID / VGS
P=1/f
Estudio físico de las ecuaciones de fotomultiplicadores o
centelladores:
PROCESOS DE DETECCIÓN.
PROCESOS DE DETECCIÓN.
El material del detector debe ser transparente a los fotones visibles, para que así,
estos logren viajar y llegar a un fotomultiplicador donde se hará la medición. Por
eso, aunque en la primera etapa de detección se busca que la energía
prohibida Eg sea lo más pequeña posible, ésta no debe tener una frecuencia
asociada en la escala del rango visible pues entonces los fotones producidos
serían absorbidos por el compuesto. Al incidir en un PMT, el fotón libera un
electrón. Un voltaje es aplicado dentro del fotomultiplicador por lo que el electrón
es acelerado y en su trayectoria puede colisionar con otro electrón creando un
efecto avalancha. La corriente medida es proporcional al número de electrones
producidos por el PMT, es decir, es proporcional al número de fotones gamma
que incidieron en el etector. El número de fotones visibles medidos es
directamente proporcional al número de fotones de alta energía que incidieron en
el detector.
Producción de Luz.
Por lo tanto, L se refiere a la eficiencia del cristal para convertir radiación ionizante
a radiación visible.
Rapidez.
El índice de refracción del cristal debe ser similar al índice de refracción del
fotomultiplicador para evitar que parte de los fotones sean reflejados. Se coloca
un compuesto de silicón entre las superficies del cristal y del PMT, ya que este
material hace
El máximo del espectro de la luz emitida por el centellador también debe coincidir
con el máximo de la eficiencia cuántica del fotomultiplicador, es decir, alrededor de
280 a 500 nm. También existen otros fotosensores hechos de silicio que pueden
sustitur a los PMT cuando se requiere. La eficiencia cuántica de estos sensores es
máxima en el rango de 500 a 900 nm. Por otro lado, una emisión ultravioleta
puede ser detectada por el fotomultiplicador si se le adapta un material especial
que transforme la longitud de onda UV a visible.
TRANSISTOR MOSFET
Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su
principio de operación y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro
tipos de transistores MOS:
Enriquecimiento de canal N
Enriquecimiento de canal P
Empobrecimiento de canal N
Empobrecimiento de canal P
Los símbolos son:
PRINCIPIO DE OPERACION
Supongamos que se aplica una tensión VDS mayor que cero mientras que VGS se
mantiene en cero. Al aplicar una tensión positiva a la zona N del drenaje, el diodo
que forma éste con el sustrato P se polarizará en inversa, con lo que no se
permitirá el paso de corriente: el MOS estará en corte.
NMOS de empobrecimiento
En este caso el canal ya está creado. Por lo tanto, si con VGS = 0 aplicamos una
tensión VDS aparecerá una corriente de drenaje ID. Para que el transistor pase al
estado de corte será necesario aplicar una tensión VGS menor que cero, que
expulse a los electrones del canal.
Figura 15: Esquema del transistor NMOS de empobrecimiento en corte
También en este caso, la aplicación de una VDS mucho mayor que VGS
provoca una situación de corriente independendiente de VDS.
CURVAS CARACTERISTICAS
Con los transistores MOS se manejan dos tipos de gráficas: la característica VGS
- ID, con VDS constante, y la VDS - ID con VGS constante.
PARAMETROS COMERCIALES
Los parámetros comerciales más importantes del transistor MOS son análogos a
los de los JFET presentados en el apartado 1.3.
MODELOS CIRCUITALES
Tal y como se ha visto, las curvas de funcionamiento de los transistores MOS son
similares a las de los JFET. Por ello, todos admiten una representación circuital
análoga.
Región de corte
o Condición VGS<VTH
o Intensidad ID=0
Región lineal.
o Condiciones: VGS>VTH
Intensidad:
Donde K es una constante que depende del material y de las dimensiones del
transistor
Región de saturación
Intensidad:
ELECTRONICA ANALOGICA
ELECTRONICA DIGITAL
Es menos ruidoso.