Chương 7

Bài tập về MOSFET

Chú ý: Trong các BT sau, ta giả sử các N-EMOS có μnCox=200μA/V2 và VTN=0.4V; các P-
EMOS có μpCox=100μA/V2 và VTP= –0.4V

1.
Với N-EMOS, ta xét VGS và VDS:
• VGS ≤ VTN (với VTN >0): miền tắt
• VGS > VTN : (VDS,sat = VGS – VTN )
o VDS < VDS,sat : miền tuyến tính (còn gọi là miền Ohm, miền điện trở hay
miền triode)
o VDS ≥ VDS,sat : miền bão hòa (còn gọi là miền tích cực)
⇒ a) Tắt; b) Bão hòa; c) Triode; d) Triode; e) Triode; f) Tắt.

2.
a) Tắt; b) Tắt; c) Triode; d) Tắt;

3.

Hình 3 Hình 4
1
Ở miền điện trở ( VDS  2 (VGS − VTN ) ) ta có RDS =
W
μnCox (VGS − VTN )
L
Khi đó chúng tương đương như 2 điện trở mắc nối tiếp (vì VDS rất nhỏ ⇒ VGS1 ≈ VGS2 = VGS
2 1 1
Vậy Meq có Req= RDS1+RDS2=2RDS= = =
W W Weq
μnCox (VGS − VTN ) μnCox (VGS − VTN ) μnCox (VGS − VTN )
L 2L Leq
Như vậy Meq có Weq=W và Leq=2L.

4. Mạch ở hình 4 dùng MOSFET làm R thay đổi được. Phải chọn W/L là bao nhiêu để mạch này
cho Vout= 95%Vin (giả sử độ lớn của Vin < 0.1V, RL=100Ω và VG=1.8V).
Ta có Vout/Vin=95%=RL/(RL + RDS)=> RDS=RL/19
Ngoài ra VGS = VG – VS ≈VG = 1.8V
Như vậy :
1 RL W 19
RDS = = ⇒ = ≈ 679
W 19 L μn Cox RL (VGS − VTN )
μnCox (VGS − VTN )
L

BT về MOSFET–1
 Hình 5 Hình 6 Hình 7 Hình 8 Hình 9
5.
a) Xét VGS=1V > VTN=0.4V và VDS,sat=VGS–VTN=1V–0.4V=0.6V
Muốn M1 ở miền bão hòa thì VDS= VDD–RDID ≥ VDS,sat=0.6V
Hay ID ≤ (VDD–VDS,sat)/RD=(1.8V–0.6V)/1K=1.2mA
1 W W 0.0024 A W
⇒ I D = μnCox (VGS − VTN ) ≤ 0.0012 A ⇒ ≤
2
hay ≤ 33.33
2 L L μnCox (VGS − VTN ) 2
L
b) Vì Cox~ 1/dox với dox là độ dày của lớp oxide, do đó khi dox,mới = 2dox, cũ thì ID,mới = ID,cũ/2

6. Với mạch hình 6, giả sử λ=0, hãy tìm giá trị tối thiểu của VDD để cho M1 không đi vào miền
triode?
Xét VGS=1V > VTN=0.4V và VDS,sat=VGS–VTN=1V–0.4V=0.6V
Muốn M1 ở miền bão hòa thì VDS= VDD–RDID ≥ VDS,sat=0.6V
1 W
Hay VDD ≥ RDID + VDS,sat (với RD=500Ω, I D = μnCox (VGS − VTN ) = 2mA và VDS,sat=0.6V)
2

2 L
Hay VDD ≥ 1.6V

7.
8.
9.
10. Với mạch sau, hãy vẽ đặc tuyến IX theo VX khi VX thay đổi từ 0 đến VDD=1.8V, giả sử λ=0.
Trên đặc tuyến xác định trị VX mà tại đó MOSFET thay đổi miền hoạt động.

Hình 10
a) Xét VGS=VX, nếu VGS ≤ VTN=0.4V (hay VX ≤ 0.4V) thì M1 tắt. Khi tăng VX đến khi VX > VTN
thì có 2 khả năng xảy ra M1 ở miền triode hay bảo hòa. Ta có VDS,sat=VGS–VTN=VX-0.4.
Như vậy nếu VDS=1V < VDS,sat=VX–0.4 hay 1.8V ≥ VX > 1.4V(>VTN=0.4V) thì M1 ở miền triode.
Nếu VDS=1V ≥ VDS,sat=VX–0.4 hay 0.4V< VX ≤ 1.4V thì M1 ở miền bão hòa.

BT về MOSFET–2
11. Với mạch sau hãy vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ nếu các MOSFET có λ=0.01V-1 và
W/L=20/0.18.

Hình 11
HD: Áp dụng mô hình Pi hoặc T

12. Hãy vẽ mạch tương đương tín hiệu nhỏ của các mạch sau: (giả sử λ ≠ 0)

HD: Áp dụng mô hình Pi hoặc T

13. Tìm miền hoạt động của các P-EMOS trong các mạch sau:

BT về MOSFET–3
 Với P-EMOS, ta xét VGS và VDS:
• VGS ≥ VTP (với VTP < 0): miền tắt
• VGS < VTN : (VDS,sat = VGS – VTP )
o VDS > VDS,sat : miền tuyến tính (còn gọi là miền Ohm, miền điện trở hay
miền triode)
o VDS ≤ VDS,sat : miền bão hòa (còn gọi là miền tích cực)

⇒ a) Tắt; b) Tắt; c) Bão hòa; d) Tắt.

14. Mạch ở hình 14 dùng các N-EMOS có VTN=1V, μnCoxW/L=2A/V2, và λ = 0. Hãy tìm các giá
trị của VS1, VD2 và IS.

Hình 14 Hình 15 Hình 16

Giả các N-EMOS ở miền bão hòa.
Xét M1 Ta có
VGS1 = 10V–VS1
1 W
(VGS1 − VTN ) = (9 – VS1)2
2
ID1=0.25A= μnCox
2 L
Giải phương trình trên cho
• VS1=8.5V (nhận vì VDS1=10-8.5=1.5 > VGS–VTN=1V ⇒ bão hòa)
• VS1=9.5V (loại vì VDS1=10-9.5=0.5 < VGS–VTN=1V ⇒ triode)
Xét M2:
VG2 = 0.25A x 12Ω = 3V
VGS2 = VG2 – VS2=3–IS x 1Ω= 3 – IS
1 W
(VGS 2 − VTN )
2
Ngoài ra I S = I D 2 = μnCox
2 L

BT về MOSFET–4
Suy ra: IS = (3 – IS – 1)2 = (2 – IS)2
⇒ IS2 – 5IS + 4=0
⇒ IS = 1A (nhận) và IS = 4A (loại vì lúc đó sụt áp trên 2 điện trở của M2 phần D&S là 12V!!)
⇒ VD2 = 10V – IS x 2Ω = 8V
(kiểm chứng M2 bão hòa vì VGS2=2V > VTN=1V và VDS=10V–IS(2+1)=7V > VGS–VTN=1V)
Như vậy ĐS là
VS1 = 8.5V; V D2 = 8V; và IS=1A.

15. Mạch ở hình 15 dùng 2 NMOS giống nhau và các tham số Iref=1mA, R=7KΩ, và VTN=1V.
a) Nếu RL=2KΩ, khi đó dòng I bằng bao nhiêu?
b) Giá trị của RL là bao nhiêu để dòng I giữ không đổi.

NX: Đây là mạch gương dòng điện dùng MOSFET và để cho hoạt động đúng gương dòng điện
thì cả 2 MOSFET đều phải hoạt động ở miền bão hòa!
a) Giả sử M2 vẫn ở miền bão hòa, khi đó I=Iref=1mA. Ta kiểm chứng lại:
VDS2=10V–IDRL=10V–1mA x 2K = 8V > VGS–VTN=3V–1V=2V thỏa miền bão hòa!
(VGS2 = VGS1 = 10V–IrefR =10V–1mAx7K = 3V)

b) Để I vẫn không đổi (=Iref) thì M2 phải luôn ở miền bão hòa
VGS(=3V)>VTN (=1V) và VDS=10V–IRL > VDS,sat=VGS–VTN=2V
Hay RL < 8V/1mA = 8KΩ
Như vậy RL < 8KΩ

BT về MOSFET–5