Khoa Luan Ve Anten

Khóa luận tốt nghiệp đại học Ngành: Thông tin vô tuyến
LỜI CẢM ƠN
Em xin chân thành cảm ơn Tiến sĩ Trần Minh Tuấn, thầy đã tận tình hướng dẫn, giúp
đỡ em trong suốt thời gian thực hiện khóa luận. Không có sự giúp đỡ và những lời
khuyên vô giá của thầy, khóa luận của em không thể được hoàn thành.
Thêm nữa, em cũng muốn bày tỏ lời cảm ơn tới GS. Phan Anh và Ths. Trần Thị Thúy
Quỳnh đã kịp thời trả lời những câu hỏi và những thắc mắc của em trong quá trình
thực hiện khóa luận, cũng như đã tạo điều kiện thuận lợi để em sử dụng các thiết bị,
máy móc trong phòng thí nghiệm để thực hiện chế tạo và đo đạc thực nghiệm.
Cuối cùng, em muốn cảm ơn sâu sắc tới gia đình em. Gia đình đã yêu thương, ủng hộ
và giúp đỡ em không chỉ trong thời gian làm khóa luận mà trong cả khóa học.
Hà Nội, tháng 06 năm 2008

Sinh viên
Lưu Văn Hoan
Sinh viên: Lưu Văn Hoan i Lớp K49 Thông tin vô tuyến
TÓM TẮT NỘI DUNG KHÓA LUẬN
Khóa luận tập trung nghiên cứu, thiết kế, chế tạo một anten vi dải băng rộng, có khả
năng hoạt động tại nhiều dải tần. Anten này sử dụng cho các thiết bị di động hoạt động
trong các dải tần GSM, DCS, PCS, UTMS, WLAN. Anten được chế tạo trên chất nền
có hằng số điện môi εr = 4.4, độ dày là 0.8 mm và được thiết kế tại tần số 900 MHz và
2000 MHz.
Nội dung khóa luận bao gồm 4 chương và phần đánh giá kết quả khóa luận và hướng
phát triển tiếp theo. Trong đó có thể chia thành hai phần với nội dung như sau:
Phần đầu tiên của khóa luận đề cập tới lý thuyết cơ bản về anten, anten vi dải và
đường truyền vi dải. Chương 1 giới thiệu và định nghĩa anten, nêu ra một số tham số
cơ bản để đánh giá hiệu suất của anten như: giản đồ bức xạ, công suất bức xạ, hệ số
định hướng, hệ số tăng ích, phân cực, trở kháng vào, … Tiếp theo là khái niệm về
anten vi dải: các ưu điểm, nhược điểm và một số loại anten vi dải đã được nghiên cứu
và thiết kế. Một số điểm tổng quát về đường truyền vi dải cũng được trình bày.
Chương 2 đưa ra các phương pháp để thiết kế anten vi dải băng rộng và anten vi dải có
thể hoạt động tại nhiều băng tần. Trong đó, một số phương pháp để thiết kế anten vi
dải được trình bày như: phương pháp phối hợp trở kháng liên tục, phương pháp sử
dụng chất nền dày hơn, phương pháp kích thích đa mode, phuơng pháp sử dụng nhiều
patch xếp chồng nhau, … Đồng thời đưa ra các phương pháp để thiết lập anten vi dải
có khả năng hoạt động tại nhiều dải tần khác nhau. Việc thiết kế các anten băng rộng
và đa dải tần đáp ứng xu thế tích hợp, thu nhỏ kích thước cho các thiết bị di động đa
năng.
Phần thứ hai đi vào thiết kế, mô phỏng và đo đạc các tham số của anten. Chương 3
trình bày phương pháp thiết kế các thành phần của anten: thành phần bức xạ, bộ phối
hợp trở kháng dải rộng, và đường truyền vi dải 50 Ω. Chương 4 trình bày quá trình mô
phỏng, qui trình thiết kế và đo đạc thực nghiệm. Phần mô phỏng giới thiệu về phần
mềm Ansoft HFSS, phần mềm được sử dụng trong mô phỏng các bài toán điện từ 3D.
Trong đó trình bày việc thiết đặt các tham số quan trọng để thực hiện phân tích cấu
trúc anten, kết quả mô phỏng cấu trúc anten có nhánh điều chỉnh và không có nhánh
điều chỉnh. Sau khi quá trình thiết kế, mô phỏng đã hoàn thành (đạt được các tiêu chí
yêu cầu), tiến hành chế tạo và đo đạc các tham số của anten sử dụng máy Network
Analyse và hệ đo trường bức xạ của anten.
Kết quả đo đạc thực nghiệm và kết quả mô phỏng cho anten được thiết kế trong khóa
luận tương đối phù hợp nhau. Dựa vào việc phân tích kết quả và phân tích qui trình
chế tạo anten, khóa luận đưa ra các nguyên nhân gây ra sai lệch. Đồng thời đề ra
phương hướng giải quyết và phương hướng nghiên cứu tiếp theo nhằm cải thiện các
đặc tính của anten.
Sinh viên: Lưu Văn Hoan ii Lớp K49 Thông tin vô tuyến
MỤC LỤC
LỜI CẢM ƠN...................................................................................................................i
TÓM TẮT NỘI DUNG KHÓA LUẬN ......................................................................... ii
MỤC LỤC ..................................................................................................................... iii
LỜI NÓI ĐẦU.................................................................................................................1
Chương 1: Lý thuyết cơ bản về anten và anten vi dải

1.1. Lý thuyết chung về anten .........................................................................................3
1.1.1. Giới thiệu...........................................................................................................3
1.1.2. Các tham số cơ bản của anten ...........................................................................5
1.1.2.1. Sự bức xạ sóng điện từ bởi một anten .......................................................5
1.1.2.2. Giản đồ bức xạ ...........................................................................................6
1.1.2.3. Mật độ công suất bức xạ ..........................................................................10
1.1.2.4. Cường độ bức xạ......................................................................................11
1.1.2.5. Hệ số định hướng.....................................................................................12
1.1.2.6. Hệ số tăng ích ..........................................................................................13
1.1.2.7. Băng thông ...............................................................................................14
1.1.2.8. Phân cực...................................................................................................15
1.1.2.9. Trở kháng vào ..........................................................................................17
1.2. Đường truyền vi dải và anten vi dải .......................................................................18
1.2.1. Đường truyền vi dải ........................................................................................18
1.2.1.1. Cấu trúc đường truyền vi dải ...................................................................18
1.2.1.2. Cấu trúc trường của đường truyền vi dải.................................................18
1.2.2. Anten vi dải .....................................................................................................19
1.2.2.1. Giới thiệu chung ......................................................................................19
1.2.2.2. Một số loại anten vi dải cơ bản................................................................20
1.2.2.3. Anten patch hình chữ nhật .......................................................................22
Chương 2: Anten mạch dải băng rộng và anten mạch dải nhiều băng tần
2.1. Giới thiệu chung .....................................................................................................24
2.1.1. Dải thông tần ...................................................................................................24
2.1.2. Dải tần công tác...............................................................................................25
2.2. Mở rộng băng thông của anten vi dải .....................................................................25
2.2.1. Giới thiệu.........................................................................................................25
2.2.2. Ảnh hưởng của các tham số chất nền tới băng thông .....................................27
2.2.3. Lựa chọn hình dạng thành phần bức xạ thích hợp ..........................................28
2.2.4. Lựa chọn kỹ thuật tiếp điện thích hợp.............................................................29
2.2.5. Kỹ thuật kích thích đa mode ...........................................................................30
2.2.5.1. Mở rộng băng thông sử dụng nhiều thành phần bức xạ xếp chồng.........30
2.2.5.2. Mở rộng băng thông sử dụng các thành phần kí sinh đồng phẳng ..........31
2.2.5.3. Các kỹ thuật kích thích đa mode khác .....................................................35
2.2.6. Các kỹ thuật mở rộng băng thông khác ..........................................................35
2.2.6.1. Phối hợp trở kháng...................................................................................36
2.2.6.2. Mắc tải điện trở ........................................................................................37
Sinh viên: Lưu Văn Hoan iii Lớp K49 Thông tin vô tuyến
2.3. Anten vi dải nhiều băng tần....................................................................................37
2.3.1. Anten vi dải 2 tần số cộng hưởng ...................................................................37
2.3.2. Anten vi dải nhiều hơn 2 tần số cộng hưởng ..................................................38
2.4. Phối hợp trở kháng dải rộng ...................................................................................39
2.4.1. Ý nghĩa của việc phối hợp trở kháng ..............................................................39
2.4.2. Phối hợp trở kháng dải rộng............................................................................39
2.4.3. Một số bộ phối hợp trở kháng dải rộng...........................................................42
2.4.3.1. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ .........................................42
2.4.3.2. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác.........................................43
2.4.3.3. Bộ phối hợp trở kháng liên tục Klopfenstein...........................................44
2.4.4. Tiêu chuẩn Bode – Fano .................................................................................46
Chương 3: Thiết kế anten dẹt cấu trúc xoắn, tiếp điện dùng đường truyền vi dải
3.1. Giới thiệu ................................................................................................................48
3.2. Thiết kế thành phần bức xạ ....................................................................................49
3.3. Thiết kế thành phần phối hợp trở kháng dải rộng ..................................................50
3.3.1. So sánh một số bộ phối hợp trở kháng dải rộng..............................................50
3.3.2. Lựa chọn bộ phối hợp trở kháng dải rộng.......................................................52
3.4. Thiết kế đường truyền vi dải 50 Ω .........................................................................53
3.4.1. Thiết kế với Ansoft Designer 2.0 ....................................................................53
3.4.2. Thiết kế dựa vào lý thuyết đường truyền vi dải ..............................................54
3.4.2.1. Trở kháng đặc trưng Z0 ............................................................................54
3.4.2.2. Bước sóng trên đường vi dải λ.................................................................55
3.4.2.3. Công suất cho phép trung bình Pav ..........................................................57
3.4.2.4. Công suất cho phép tối đa Pp ...................................................................58
Chương 4: Mô phỏng, chế tạo và đo đạc các tham số của anten

4.1. Mô phỏng cấu trúc anten với phần mềm Ansoft HFSS..........................................59
4.1.1. Phần mềm HFSS phiên bản 9.1.......................................................................59
4.1.2. Kết quả mô phỏng với HFSS 9.1 ....................................................................61
4.2. Chế tạo anten ..........................................................................................................67
4.3. Đo đạc các tham số của anten.................................................................................69
PHỤ LỤC ......................................................................................................................73

A. Phụ lục 1: Thuật toán chia lưới thích nghi của Ansoft HFSS 9.1 ........................73
B. Phụ lục 2: Một số lưu ý về thiết đặt các tham số trong HFSS..............................74
B.1. Solution Setup ...............................................................................................74
B.2. Mesh Operations ...........................................................................................77
B.3. Radiation Boundary ......................................................................................78
TÀI LIỆU THAM KHẢO .............................................................................................80
Sinh viên: Lưu Văn Hoan iv Lớp K49 Thông tin vô tuyến
LỜI NÓI ĐẦU
Truyền thông không dây đã phát triển rất nhanh trong những năm gần đây, theo đó các
thiết bị di động đang trở nên càng ngày càng nhỏ hơn. Để thỏa mãn nhu cầu thu nhỏ
các thiết bị di động, anten gắn trên các thiết bị đầu cuối cũng phải được thu nhỏ kích
thước. Các anten phẳng, chẳng hạn như anten vi dải (microstrip antenna) và anten
mạch in (printed antenna), có các ưu điểm hấp dẫn như kích thước nhỏ và dễ gắn lên
các thiết bị đầu cuối, …; chúng sẽ là lựa chọn thỏa mãn yêu cầu thiết kế ở trên. Cũng
bởi lí do này, kỹ thuật thiết kế anten phẳng băng rộng đã thu hút rất nhiều sự quan tâm
của các nhà nghiên cứu anten.
Gần đây, đặc biệt là sau năm 2000, nhiều anten phẳng mới được thiết kế thỏa mãn các
yêu cầu về băng thông của hệ thống truyền thông di động tế bào hiện nay, bao gồm
GSM (Global System for Mobile communication, 890 – 960 MHz), DCS (Digital
Communication System, 1710 – 1880 MHz), PCS (Personal Communication System,
1850 – 1990 MHz) và UMTS (Universal Mobile Telecommunication System, 1920 –
2170 MHz), đã được phát triển và đã xuất bản trong nhiều các tài liệu liên quan. Anten
phẳng cũng rất thích hợp đối với ứng dụng trong các thiết bị truyền thông cho hệ thống
mạng cục bộ không dây (Wireless Local Area Network, WLAN) trong các dải tần 2.4
GHz (2400 – 2484 MHz) và 5.2 GHz (5150 – 5350 MHz).
Anten vi dải vốn đã có băng thông hẹp, và mở rộng băng thông thường là nhu cầu đối
với các ứng dụng thực tế hiện nay. Do đó, việc giảm kích thước và mở rộng băng
thông đang là xu hướng thiết kế chính cho các ứng dụng thực tế của anten vi dải.
Nhiều sự cải tiến đáng kể để thiết kế anten vi dải “nén” với đặc tính băng rộng, nhiều
băng tần, hoạt động với cả hai loại phân cực, phân cực tròn và tăng ích cao đã được
báo cáo trong một vài năm gần đây.
Khóa luận tập trung thiết kế một anten vi dải băng rộng và đa dải tần. Đồng thời sử
dụng phần mềm Ansoft HFSS để thiết kế và mô phỏng. HFSS sử dụng phương pháp
phần tử hữu hạn (Finite Element Method, FEM), kỹ thuật chia lưới thích nghi
(adaptive meshing) và giao diện đồ họa đẹp để mang đến sự hiểu biết sâu sắc đối với
tất cả các bài toán trường điện từ 3D.
Khóa luận gồm 4 chương:

Chương 1: Lý thuyết cơ bản về anten và anten vi dải
Chương 2: Anten mạch dải băng rộng và anten mạch dải nhiều băng tần
Chương 3: Thiết kế anten dẹt cấu trúc xoắn, tiếp điện dùng đường truyền vi dải
Chương 4: Mô phỏng, chế tạo và đo đạc các tham số của anten
Bằng những nghiên cứu lý thuyết và thực nghiệm, kết hợp với mô phỏng khóa luận đã
thực hiện được những nội dung chính sau đây:
Sinh viên: Lưu Văn Hoan 1 Lớp K49 Thông tin vô tuyến
¾ Nghiên cứu lý thuyết về anten và anten vi dải.
¾ Nêu ra nguyên lý và các phương pháp để xây dựng anten vi dải băng rộng và
anten có khả năng hoạt động tại nhiều dải tần.
¾ Thiết kế, mô phỏng và chế tạo anten vi dải dẹt có cấu trúc xoắn, tiếp điện dùng
đường truyền mạch dải.
¾ Đo đạc và đánh giá các đặc tính của anten được thiết kế như: tần số cộng
hưởng, băng thông, trở kháng vào, giản đồ bức xạ.
CHƯƠNG 1 LÝ THUYẾT CƠ BẢN VỀ ANTEN VÀ ANTEN VI DẢI
Tóm tắt
Chương này trình bày các vấn đề sau:
¾ Định nghĩa anten
¾ Các tham số cơ bản của anten
¾ Đường truyền vi dải
¾ Anten vi dải, mô tả cụ thể anten vi dải có patch hình chữ nhật
1.1. Lý thuyết chung về anten

1.1.1. Giới thiệu
Thiết bị dùng để bức xạ sóng điện từ (anten phát) hoặc thu nhận sóng (anten thu) từ
không gian bên ngoài được gọi là anten. Nói cách khác, anten là cấu trúc chuyển tiếp
giữa không gian tự do và thiết bị dẫn sóng (guiding device), như thể hiện trong hình
1.1. Thông thường giữa máy phát và anten phát, cũng như giữa máy thu và anten thu
không nối trực tiếp với nhau mà được ghép với nhau qua đường truyền năng lượng
điện từ, gọi là fide. Trong hệ thống này, máy phát có nhiệm vụ tạo ra dao động điện
cao tần. Dao động điện sẽ được truyền đi theo fide tới anten phát dưới dạng sóng điện
từ ràng buộc. Ngược lại, anten thu sẽ tiếp nhận sóng điện từ tự do từ không gian bên
ngoài và biến đổi chúng thành sóng điện từ ràng buộc. Sóng này được truyền theo fide
tới máy thu. Yêu cầu của thiết bị anten và fide là phải thực hiện việc truyền và biến đổi
năng lượng với hiệu suất cao nhất và không gây ra méo dạng tín hiệu.
Hình 1.1. Anten như một thiết bị truyền sóng [3]
Phương trình tương đương Thevenin hệ thống anten trong hình 1.1 làm việc ở chế độ
phát được thể hiện trong hình 1.2, trong đó nguồn được thể hiện bởi bộ tạo dao động lý
tưởng, đường truyền dẫn được thể hiện bởi đường dây với trở kháng đặc trưng Zc, và
anten được thể hiện bởi tải ZA, trong đó ZA=(RL + Rr)+jXA. Trở kháng tải RL thể hiện
sự mất mát do điện môi và vật dẫn (conduction and dielectric loss), 2 thành phần mất
mát này luôn gắn với cấu trúc anten. Trở kháng Rr được gọi là trở kháng bức xạ, nó thể
hiện sự bức xạ sóng điện từ bởi anten. Điện kháng XA thể hiện phần ảo của trở kháng
kết hợp với sự bức xạ bởi anten. Ngoài sóng điện từ bức xạ ra khu xa, còn có trường
điện từ dao động ở gần anten, giàng buộc với anten. Phần công suất này không bức xạ
ra ngoài, mà khi thì chuyển thành năng lượng điện trường, khi thì chuyển thành năng
lượng từ trường thông qua việc trao đổi năng lượng với nguồn. Công suất này gọi là
công suất vô công, và được biểu thị thông qua điện kháng XA. Trong điều kiện lý
tưởng, năng lượng tạo ra bởi nguồn sẽ được truyền hoàn toàn tới trở kháng bức xạ Rr.
Tuy nhiên, trong một hệ thống thực tế, luôn tồn tại các mất mát do điện môi và mất
mát do vật dẫn (tùy theo bản chất của đường truyền dẫn và anten), cũng như tùy theo
sự mất mát do phản xạ (do phối hợp trở kháng không hoàn hảo) ở điểm tiếp điện giữa
đường truyền và anten.
Hình 1.2. Phương trình tương đương Thevenin cho hệ thống anten trong hình 1.1 [3]
Sóng tới bị phản xạ tại điểm tiếp điện giữa đường truyền dẫn và đầu vào anten. Sóng
phản xạ cùng với sóng truyền đi từ nguồn thẳng tới anten giao thoa nhau tạo thành
sóng đứng (standing wave) trên đường truyền dẫn. Khi đó trên đường truyền xuất hiện
các nút và bụng sóng đứng. Một mô hình sóng đứng điển hình được thể hiện là đường
gạch đứt trong hình 1.2. Nếu hệ thống anten được thiết kế không chính xác, đường
truyền có thể chiếm vai trò như một thành phần lưu giữ năng lượng hơn là một thiết bị
truyền năng lượng và dẫn sóng. Nếu cường độ trường cực đại của sóng đứng đủ lớn,
chúng có thể phá hủy đường truyền dẫn. Tổng mất mát phụ thuộc vào đường truyền,
cấu trúc anten, sóng đứng. Mất mát do đường truyền có thể được tối thiểu hóa bằng
cách chọn các đường truyền mất mát thấp, trong khi mất mát do anten có thể được
giảm đi bằng cách giảm trở kháng bức xạ RL trong hình 1.2. Sóng đứng có thể được
giảm đi và khả năng lưu giữ năng lượng của đường truyền được tối thiểu hóa bằng
cách phối hợp trở kháng của anten với trở kháng đặc trưng của đường truyền. Tức là
phối hợp trở kháng giữa tải với đường truyền, ở đây tải chính là anten.
Một phương trình tương tự như hình 1.2 được sử dụng để thể hiện hệ thống anten
trong chế độ thu, ở đó nguồn được thay bằng một bộ thu. Tất cả các phần khác của
phương trình tương đương là tương tự. Trở kháng phát xạ Rr được sử dụng để thể hiện
trong chế độ thu nhận năng lượng điện từ từ không gian tự do truyền tới anten.
Cùng với việc thu nhận hay truyền phát năng lượng, anten trong các hệ thống không
dây thường được yêu cầu là định hướng năng lượng bức xạ mạnh theo một vài hướng
và triệt tiêu năng lượng ở các hướng khác. Do đó, anten cũng cần phải có vai trò như
một thiết bị bức xạ hướng tính. Hơn nữa, anten cũng phải có các hình dạng khác nhau
để phù hợp cho các mục đích cụ thể.
Anten là một lĩnh vực sôi động. Công nghệ anten đã là một phần không thể thiếu trong
các giải pháp truyền thông. Nhiều sự cải tiến đã được đưa ra trong thời gian cách đây
hơn 50 năm vẫn còn sử dụng ngày nay; tuy nhiên các kết quả mới và những thay đổi
đã được đưa ra ngày nay, đặc biệt là nhu cầu hiệu suất hệ thống ngày càng lớn hơn.
1.1.2. Các tham số cơ bản của anten

Phần này trình bày một số khái niệm và các quan hệ cơ bản về anten như: sự bức xạ
sóng, trường bức xạ và giản đồ trường bức xạ, phân cực sóng bức xạ, độ định hướng,
tần số cộng hưởng, trở kháng, băng thông, tăng ích, …
1.1.2.1. Sự bức xạ sóng điện từ bởi một anten

Khi năng lượng từ nguồn được truyền tới anten, 2 trường được tạo ra. Một trường là
trường cảm ứng (trường khu gần), trường này giàng buộc với anten; còn trường kia là
trường bức xạ (trường khu xa). Ngay tại anten (trong trường gần), cường độ của các
trường này lớn và tỉ lệ tuyến tính với lượng năng lượng được cấp tới anten. Tại khu xa,
chỉ có trường bức xạ là được duy trì. Trường khu xa gồm 2 thành phần là điện trường
và từ trường (xem hình 1.3).
Hình 1.3. Các trường bức xạ tại khu xa [8]
Cả hai thành phần điện trường và từ trường bức xạ từ một anten hình thành trường
điện từ. Trường điện từ truyền và nhận năng lượng điện từ thông qua không gian tự do.
Sóng vô tuyến là một trường điện từ di chuyển. Trường ở khu xa là các sóng phẳng.
Khi sóng truyền đi, năng lượng mà sóng mang theo trải ra trên một diện tích ngày càng
lớn hơn. Điều này làm cho năng lượng trên một diện tích cho trước giảm đi khi khoảng
cách từ điểm khảo sát tới nguồn tăng.
1.1.2.2. Giản đồ bức xạ
Các tín hiệu vô tuyến bức xạ bởi anten hình thành một trường điện từ với một giản đồ
xác định, và phụ thuộc vào loại anten được sử dụng. Giản đồ bức xạ này thể hiện các
đặc tính định hướng của anten.
Giản đồ bức xạ của anten được định nghĩa như sau: “là một hàm toán học hay sự thể
hiện đồ họa của các đặc tính bức xạ của anten, và là hàm của các tọa độ không gian”.
Trong hầu hết các trường hợp, giản đồ bức xạ được xét ở trường xa. Đặc tính bức xạ là
sự phân bố năng lượng bức xạ trong không gian 2 chiều hay 3 chiều, sự phân bố đó là
hàm của vị trí quan sát dọc theo một đường hay một bề mặt có bán kính không đổi. Hệ
tọa độ thường được sử dụng để thể hiện trường bức xạ trong hình 1.4.
Hình 1.4. Hệ thống tọa độ để phân tích anten [3]
Trong thực tế, ta có thể biểu diễn giản đồ 3D bởi hai giản đồ 2D. Thông thường chỉ
quan tâm tới giản đồ là hàm của biến θ với vài giá trị đặc biệt của φ , và giản đồ là
hàm của φ với một vài giá trị đặc biệt của θ là đủ để đưa ra hầu hết các thông tin cần
thiết.
Giản đồ đẳng hướng và hướng tính

Anten đẳng hướng chỉ là một anten giả định, bức xạ đều theo tất cả các hướng. Mặc dù
nó là lý tưởng và không thể thực hiện được về mặt vật lý, nhưng người ta thường sử
dụng nó như một tham chiếu để thể hiện đặc tính hướng tính của anten thực. Anten
hướng tính là “anten có đặc tính bức xạ hay thu nhận sóng điện từ mạnh theo một vài
hướng hơn các hướng còn lại.
Một ví dụ của anten với giản đồ bức xạ hướng tính được thể hiện trong hình 1.5. Ta
nhận thấy rằng giản đồ này là không hướng tính trong mặt phẳng chứa vector H
(azimuth plane) với [ f (φ ), θ = π / 2 ] và hướng tính trong mặt phẳng chứa vector E
(elevation plane) với [ g (θ ), φ = const ] .
Hình 1.5. Giản đồ bức xạ vô hướng của một anten [3]
Mặt phẳng E được định nghĩa là “mặt phẳng chứa vector điện trường và hướng bức xạ
cực đại”, và mặt phẳng H được định nghĩa là “mặt phẳng chứa vector từ trường và
hướng bức xạ cực đại”. Trong thực tế ta thường chọn hướng của anten thế nào để ít
nhất một trong các mặt phẳng E hay mặt phẳng H trùng với một trong các mặt phẳng
tọa độ (mặt phẳng x hay y hay z). Một ví dụ được thể hiện trong hình 1.6. Trong ví dụ
này, mặt phẳng x-z (với φ = 0 ) là mặt phẳng E và mặt phẳng x-y (với θ = π / 2 ) là mặt
phẳng H.
Hình 1.6. Giản đồ bức xạ trong mặt phẳng E và mặt phẳng H cho anten loa [3]
Các búp sóng của giản đồ bức xạ hướng tính
Các búp sóng khác nhau của giản đồ bức xạ định hướng hay còn gọi là các thùy (lobe)
có thể phân loại thành thùy chính, thùy phụ, thùy bên và thùy sau. Hình 1.7(a) minh
họa giản đồ cực 3D đối xứng với một số thùy bức xạ. Một vài thùy có cường độ bức
xạ lớn hơn các thùy khác. Nhưng tất cả chúng đều được gọi là các thùy. Hình 1.7(b)
thể hiện giản đồ 2D (một mặt phẳng của hình 1.7(a)).
Hình 1.7. Các búp sóng của anten bức xạ hướng tính [3]
(a). Thùy bức xạ và độ rộng chùm của anten
(b). Đồ thị của giản đồ công suất và các thùy và các độ rộng chùm kết hợp với nó
Thùy chính (cũng được gọi là chùm chính) được định nghĩa là “thùy chứa hướng bức
xạ cực đại”. Trong hình 1.7, thùy chính đang chỉ theo hướng θ = 0 . Có thể tồn tại
nhiều hơn một thùy chính. Thùy phụ là bất kỳ thùy nào, ngoại trừ thùy chính. Thường
thường, thùy bên là thùy liền sát với thùy chính và định xứ ở bán cầu theo hướng của
chùm chính. Thùy sau là “thùy bức xạ mà trục của nó tạo một góc xấp xỉ 180 độ so với
thùy chính. Thường thì thùy phụ định xứ ở bán cầu theo hướng ngược với thùy chính.
Thùy phụ thể hiện sự bức xạ theo các hướng không mong muốn, và chúng phải được
tối thiểu hóa. Thùy bên thường là thùy lớn nhất trong các thùy phụ. Cấp của thùy phụ
được thể hiện bởi tỷ số của mật độ công suất theo hướng của thùy đó với mật độ công
suất của thùy chính. Tỉ số này được gọi là tỉ lệ thùy bên hay cấp thùy bên.
Trường khu gần và trường khu xa

Không gian bao quanh một anten được chia thành 3 vùng; (a) trường gần tác động trở
lại (reactive near-field), (b) trường gần bức xạ (radiating near-field, Fresnel) và (c)
trường xa (Fraunhofer) như chỉ ra trong hình 1.8.
Các vùng trường được phân định như vậy để xác định cấu trúc trường trong mỗi vùng.
Không có sự thay đổi trường đột ngột nào khi đi qua biên giới giữa các vùng nói trên.
Các biên phân giới các vùng trường không phải là duy nhất, do có nhiều tiêu chuẩn
khác nhau sử dụng để xác định các vùng trường.
Vùng trường gần tác động trở lại (reactive near-field region) được định nghĩa là
“phần không gian trường gần trực tiếp bao quanh anten, xét ở khía cạnh trường tác
động trở lại chiếm ưu thế”. Trường này giàng buộc với nguồn bức xạ và trao đổi năng
lượng với nguồn. Với hầu hết các anten, biên của vùng này được tính tại khoảng cách
R < 0.62 D 3 / λ tính từ mặt phẳng anten, ở đó λ là bước sóng và D là đường kính lớn
nhất của anten.
Hình 1.8. Các vùng trường của một anten [3]
Vùng trường gần bức xạ (radiating near-field (Fresnel) region) được định nghĩa là
“phần không gian nằm giữa trường gần tác động trở lại và trường xa, xét ở khía cạnh
trường bức xạ chiếm ưu thế”. Nếu đường kính cực đại của anten không lớn hơn so với
bước sóng, vùng này có thể không tồn tại. Biên trong được tính ở khoảng cách
R ≥ 0.62 D 3 / λ và biên ngoài ở khoảng cách R < 2 D 2 / λ , trong đó D là kích thước
lớn nhất của anten.
Vùng trường xa (Far-field (Fraunhofer) region). Nếu anten có kích thước lớn nhất là
D (D phải lớn hơn bước sóng, D > λ ), vùng trường xa thường được xem là tồn tại ở
khoảng cách lớn hơn 2 D 2 / λ tính từ anten. Trong vùng này, trường là trường điện từ
ngang. Biên bên trong được xem như ở khoảng cách R = 2 D 2 / λ và biên ngoài ở vô
cực. Trong vùng trường xa, dạng của giản đồ bức xạ hầu như không thay đổi khi dịch
chuyển điểm quan sát ra xa dần. Điều này được minh họa trong hình 1.9.
Hình 1.9. Giản đồ bức xạ trường xa của anten parabol tại các khoảng cách R khác
nhau [3]
1.1.2.3. Mật độ công suất bức xạ

Sóng điện từ được sử dụng để truyền tải thông tin qua môi trường vô tuyến hay cấu
trúc dẫn sóng, từ điểm này tới điểm khác. Đại lượng được sử dụng để mô tả năng
lượng kết hợp với sóng điện từ là vector Poynting tức thời được định nghĩa như sau:
(2.1)
2
Ở đó, vector Poynting tức thời (W/m )
cường độ điện trường tức thời (V/m)
cường độ từ trường tức thời (A/m)
Tổng công suất đi qua một mặt kín có thể thu được bằng cách tích phân thành phần
pháp tuyến với mặt kín của vector Poynting trên toàn mặt kín đó. Phương trình là:
( 2.2)
Trong đó, tổng công suất tức thời (W)
vector đơn vị pháp tuyến với bề mặt
vi phân diện tích của bề mặt (m2)
Khi trường biến đổi theo thời gian, ta thường tìm mật độ năng lượng trung bình bằng
cách tích phân vector Poynting tức thời trong 1 chu kỳ và chia cho chu kỳ. Khi trường
biến đổi tuần hoàn theo thời gian có dạng e j ω t , ta định nghĩa các trường phức E và
H, chúng có quan hệ với các thành phần tức thời và bởi công thức:
(2.3)
(2.4)
1
Ta có Re[ Ee jωt ] = [ Ee jωt + E * e − jωt ] . Khi đó (2.1) có thể được viết lại là:
2
(2.5)
Thành phần đầu tiên của (2.5) không biến đổi theo thời gian, và thành phần thứ hai
biến đổi theo thời gian có tần số bằng 2 lần tần số ω cho trước. Vector Poynting trung
bình theo thời gian (mật độ công suất trung bình) có thể được viết lại là:
(2.6)
Thành phần ½ xuất hiện trong (2.5) và (2.6) bởi vì các trường E và H tính theo biên
độ.
Dựa trên định nghĩa (2.6), công suất trung bình bức xạ bởi anten (công suất bức xạ) có
thể được định nghĩa là:
(2.7)
1.1.2.4. Cường độ bức xạ

Cường độ bức xạ theo một hướng cho trước được định nghĩa như sau: “năng lượng
được bức xạ từ anten trên một đơn vị góc đặc”. Cường độ bức xạ là tham số trường xa,
và được tính bằng cách đơn giản là nhân mật độ bức xạ với bình phương của khoảng
cách.
U = r 2Wrad (2.8)
Ở đó, U là cường độ bức xạ (W/đơn vị góc đặc).
Wrad là mật độ bức xạ (W/m2).
Cường độ bức xạ cũng có quan hệ với điện trường trong trường xa của anten bởi:
r2 r2 2 2
U (θ , φ ) = [ E (r , θ , φ ] ≈
2
[ Eθ (r , θ , φ ) + Eφ (r , θ , φ ) ]
2η 2η
1 2 2
(2.8a)
≈ [ E o θ (θ , φ ) + E o φ (θ , φ ) ]
2η
Ở đó: η là trở kháng sóng của môi trường.
e − jkr
E (r ,θ , φ ) = E o (θ , φ ) là cường độ điện trường trong trường xa của anten.
r
Eθ , Eφ là các thành phần điện trường trong trường xa của anten.
Tổng công suất bức xạ nhận được bằng cách tích phân cường độ bức xạ, như được cho
bởi (2.8) trên toàn góc đặc 4 π . Do đó:
(2.9)
Ở đó, dΩ = sin θ dθ dφ là một vi phân góc đặc.
1.1.2.5. Hệ số định hướng

Hệ số định hướng của anten được định nghĩa như sau: “tỉ lệ của cường độ bức xạ theo
một hướng cho trước so với cường độ bức xạ trung bình trên tất cả các hướng. Cường
đồ bức xạ trung bình bằng tổng công suất bức xạ bởi anten chia cho 4π . Nếu hướng
không được xác định, hướng của cường độ bức xạ cực đại được chọn”.
Đơn giản hơn, hệ số định hướng của một nguồn bức xạ hướng tính bằng với tỉ lệ của
cường độ bức xạ theo một hướng cho trước (U) và cường độ bức xạ của một nguồn
đẳng hướng (U0):
U 4πU
D= = (2.10)
U0 Prad
Hướng bức xạ cực đại (hướng tính cực đại) được biểu diễn như sau:
U max U max 4πU max
Dmax = D0 = = = (2.10a)
U0 U0 Prad
Ở đó, D là hướng tính (không có thứ nguyên).
D0 là hướng tính cực đại (không có thứ nguyên).
U là cường độ bức xạ (W/đơn vị góc đặc).
Umax là cường độ bức xạ cực đại (W/đơn vị góc đặc).
U0 là cường độ bức xạ của nguồn đẳng hướng (W/đơn vị góc đặc).
Prad là tổng công suất bức xạ (W).
Với nguồn đẳng hướng, hiển nhiên từ (2.10) hay (2.10a) ta nhận thấy rằng hướng tính
bằng 1 khi U, Umax và U0 bằng nhau.
Với anten có các thành phần phân cực trực giao, chúng ta định nghĩa hệ số định hướng
riêng (partial directivity), theo một phân cực cho trước và một hướng cho trước, là tỉ lệ
của cường độ bức xạ tương ứng với một phân cực cho trước chia cho tổng cường độ
bức xạ trung bình trên tất cả các hướng. Với định nghĩa này, thì theo một hướng cho
trước “hệ số định hướng tổng là tổng của các hệ số định hướng riêng”. Trong hệ tọa độ
cầu, hướng tính cực đại D0 với các thành phần tọa độ θ và φ của anten có thể được
viết là:
D0 = Dθ + Dφ (2.11)
Trong đó hệ số định hướng riêng Dφ và Dθ được biểu diễn bởi:
4πU θ
Dθ = (2.11a)
( Prad )θ + ( Prad ) φ
4πU φ
Dφ = (2.11b)
( Prad )θ + ( Prad ) φ
Ở đó, U θ là cường độ bức xạ theo một hướng cho trước chỉ phụ thuộc θ .
U φ là cường độ bức xạ theo một hướng cho trước chỉ phụ thuộc φ .
( Prad )θ là công suất bức xạ theo tất cả các hướng chỉ phụ thuộc vào θ .
( Prad ) φ là công suất bức xạ theo tất cả các hướng chỉ phụ thuộc vào φ .
1.1.2.6. Hệ số tăng ích

Một đơn vị khác để mô tả hiệu suất của anten là hệ số tăng ích (G). Hệ số tăng ích của
anten có quan hệ với hệ số định hướng, và là đơn vị dùng để tính toán hiệu suất của
anten cũng như khả năng hướng tính của nó. Trong khi hệ số định hướng chỉ thể hiện
được đặc tính hướng tính của anten.
Hệ số tăng ích được xác định bằng cách so sánh mật độ công suất bức xạ của anten
thực ở hướng khảo sát và mật độ công suất bức xạ của anten chuẩn (thường là anten vô
hướng) ở cùng hướng và khoảng cách như nhau, với giả thiết công suất đặt vào hai
anten bằng nhau, còn anten chuẩn là anten có hiệu suất bằng 1 (không tổn hao).
Cường độ bức xạ của anten đẳng hướng bằng với công suất đặt vào anten chia cho 4π
(do ta giả thiết anten chuẩn có hiệu suất bằng 1, nên công suất bức xạ bằng công suất
đặt vào anten). Do đó, ta có:
Cường độ bức xạ của anten thực tại hướng khảo sát

G = 4π
Cường độ bức xạ của anten anten vô hướng
U (θ , φ )
=> G = 4π (Không thứ nguyên) (2.12)
P in
Tổng công suất bức xạ (Prad) có quan hệ với tổng công suất đặt vào anten (Pin) bởi:
Prad = ecd Pin (2.13)
Ở đó, ecd là hiệu suất bức xạ của anten (không thứ nguyên). Sử dụng (2.13) biến đổi
(2.12) thành:
⎡ U (θ , φ ) ⎤
G (θ , φ ) = ecd ⎢4π ⎥ (2.14)
⎣ Prad ⎦
Sử dụng công thức (2.10), ta có:

G (θ , φ ) = ecd D(θ , φ ) (2.15)
Giá trị cực đại của hệ số tăng ích có quan hệ với hệ số định hướng cực đại bởi:
G 0 = G (θ , φ ) max = ecd D(θ , φ ) max = ecd D0 (2.16)
Cũng như đối với hệ số định hướng, ta định nghĩa hệ số tăng ích riêng (partial gain)
của anten theo một phân cực cho trước và một hướng cho trước như sau: “phần cường
độ bức xạ tương ứng với một phân cực cho trước chia cho tổng cường độ bức xạ khi
anten bức xạ đẳng hướng”. Với định nghĩa này, thì theo một hướng cho trước “tổng hệ
số tăng ích là tổng của các hệ số tăng ích riêng”. Trong hệ tọa độ cầu, hệ số tăng ích
cực đại G0 theo các thành phần trực giao θ và φ của anten có thể được viết như sau,
theo dạng tương tự như hệ số định hướng cực đại trong (2.11a) và (211b):
G 0 = Gθ + Gφ (2.17)
Trong khi các hệ số tăng ích riêng Gθ và Gφ được biểu diễn bởi:
4πU θ
Gθ =
Pin (2.17a)
4πU φ (2.17b)
Gφ =
Pin
Trong đó: Pin là tổng công suất đưa vào anten.
U θ là cường độ bức xạ theo một hướng cho trước chứa trong thành phần truờng Eθ .
U φ là cường độ bức xạ theo một hướng cho trước chứa trong thành phần trường Eφ .
Thường thì hệ số tăng ích được biểu diễn theo khái niệm dB thay vì không có thứ
nguyên như trong công thức (2.16). Công thức tương ứng được cho bởi:
G0 (dB) = 10 log10 [ecd D0 ] (2.18)
1.1.2.7. Băng thông

Băng thông (BW) của anten được định nghĩa như sau: “khoảng tần số mà trong đó
hiệu suất của anten thỏa mãn một tiểu chuẩn nhất định”. Băng thông có thể được xem
xét là khoảng tần số, về hai bên của tần số trung tâm (thường là tần số cộng hưởng), ở
đó các đặc tính anten (chẳng hạn như trở kháng vào, giản đồ, độ rộng chùm, phân cực,
cấp thùy bên, hệ số tăng ích, hướng chùm, hiệu suất bức xạ) đạt giá trị có thể chấp
nhận được.
Với các anten dải rộng, băng thông thường được biểu diễn là tỉ số của tần số trên và
tần số dưới khi anten hoạt động với các đặc tính có thể chấp nhận được. Ví dụ, băng
thông 10:1 chỉ ra rằng, tần số trên lớn hơn 10 lần tần số dưới.
f max
BW = (2.19)
f min
Với anten dải hẹp, băng thông được thể hiện bởi tỉ lệ phần trăm của sự sai khác tần số
(tần số trên – tần số dưới) so với tần số trung tâm của băng thông. Ví dụ, băng thông
5% thể hiện rằng, sự sai khác tần số là 5% tần số trung tâm của băng thông.
f max − f min
BW = (2.20)
f0
Bởi vì các đặc tính như trở kháng vào, giản đồ bức xạ, hệ số tăng ích, phân cực, … của
anten không biến đổi giống nhau theo tần số, nên có nhiều định nghĩa băng thông khác
nhau. Tùy từng ứng dụng cụ thể, yêu cầu về các đặc tính của anten được chọn thế nào
cho phù hợp.
1.1.2.8. Phân cực

Phân cực của anten theo một hướng cho trước được định nghĩa như sau: “là phân cực
của sóng được truyền đi bởi anten. Chú ý: khi không đề cập tới hướng nào, phân cực
được xem là phân cực theo hướng có hệ số tăng ích cực đại”.
Sự phân cực của sóng bức xạ được thể hiện bởi đầu mút của vector điện trường tức
thời, và hướng mà nó vạch theo khi quan sát dọc theo hướng truyền sóng. Một đường
vạch theo bởi đầu mút của vector điện trường là hàm của thời gian được thể hiện trong
hình 1.10(a) và (b).
(a)
(b)
Hình 1.10. Sự quay của sóng điện từ phẳng phân cực elip là hàm theo thời gian [3]
(a). Sự quay của vector điện trường (b). Phân cực elip ở z = 0
Phân cực phân thành 3 loại: thẳng, tròn và ellip. Nếu đầu mút vector điện trường ở một
điểm trong không gian luôn hướng theo một đường thẳng, trường này được gọi là phân
cực tuyến tính. Tổng quát, đầu mút vector điện trường vạch ra là một elip, và trường
được gọi là phân cực ellip. Phân cực tuyến tính và tròn là truờng hợp đặc biệt của phân
cực elip. Đầu mút vector điện trường quay theo chiều kim đồng hồ (clockwise, CW)
gọi là phân cực phải và ngược kim đồng hồ (counterclockwise, CCW) gọi là phân cực
trái.
Trường tức thời của sóng phẳng khi sóng này truyền theo chiều âm trục z, có thể được
biểu diễn như sau:
(2.21)
Các thành phần tức thời có quan hệ với các thành phần phức của nó bởi:
(2.22)
(2.23)
Ở đó, Exo và Eyo tương ứng là biên độ cực đại của các thành phần trường theo trục x và
y.
Phân cực thẳng
Để sóng bức xạ phân cực thẳng, độ lệch pha theo thời gian giữa 2 thành phần phải là:
(2.24)
Phân cực tròn

Phân cực tròn có thể đạt được chỉ khi biên độ của 2 thành phần là giống nhau, và sự
khác pha theo thời gian giữa chúng phải bằng số lẻ lần . Tức là:
(2.25)
(2.26)
(2.27)
Nếu hướng truyền sóng bị đảo ngược (ví dụ, theo hướng +z), các độ lệch pha trong
(2.26) và (2.27) cho hướng CW và CCW phải trao đổi cho nhau.
Phân cực ellip

Phân cực ellip có thể đạt được chỉ khi độ lệch pha theo thời gian giữa 2 thành phần là
một số lẻ lần và biên độ của chúng không bằng nhau hay độ lệch pha giữa 2 thành
phần không là bội của (không quan tâm đến biên độ của chúng). Đó là:
(2.28)
(2.29)
Hay:
(2.30)
Với phân cực ellip, đường cong được quét ở một vị trí cho trước như một hàm theo
thời gian, và nói chung nó là một ellip, như được chỉ ra trong hình 1.10(b). Tỉ lệ bán
trục lớn và bán trục nhỏ của ellip được gọi là hệ số trục (axial ratio, AR), và bằng với:
(2.31)
Ở đó:
(2.32)
(2.33)
Độ nghiêng của ellip, có quan hệ với trục y, được thể hiện bởi góc cho bởi:
(2.34)
Khi ellip thẳng với các trục chính trục chính (phụ) bằng
với Ex0 (Eyo) hay Eyo (Exo) và tỉ lệ trục (AR) bằng:
1.1.2.9. Trở kháng vào

Trở kháng vào được định nghĩa như sau: “trở kháng của anten tại điểm đầu vào của nó
hay tỉ số điện áp so với dòng điện tại đầu vào hay tỉ số của các thành phần tương ứng
của điện trường so với từ trường ở một điểm”. Trong phần này, chúng ta quan tâm chủ
yếu tới trở kháng vào tại đầu vào của anten. Tỉ số điện áp trên dòng điện ở đầu vào
này, không có tải, xác định trở kháng của anten như sau:
ZA = RA + jXA (2.35)
Trong đó, ZA là trở kháng của anten ở các đầu vào (Ohm).
RA là điện trở của anten ở các đầu vào (Ohm).
XA là điện kháng của anten ở các đầu vào (Ohm).
Nói chung, thành phần điện trở trong (2.35) bao gồm 2 thành phần là:
R A = Rr + RL (2.36)
Trong đó, Rr là trở kháng bức xạ (radiation resistance) của anten.
RL trở kháng mất mát (loss resistance) của anten.
Trở kháng vào của một anten nói chung là hàm của tần số. Do đó, anten chỉ được phối
hợp tốt với đường tiếp điện chỉ trong cùng một dải tần nào đó. Thêm nữa, trở kháng
vào của anten phụ thuộc vào các yếu tố như: hình dạng của anten, phương pháp tiếp
điện cho anten, và ảnh hưởng của các đối tượng bao quanh nó. Do sự phức tạp của
chúng, chỉ một lượng giới hạn các anten thực tế được nghiên cứu và phân tích tỉ mỉ.
Với các loại anten khác, trở kháng vào được xác định bằng thực nghiệm.
1.2. Đường truyền vi dải và anten vi dải
1.2.1. Đường truyền vi dải
1.2.1.1. Cấu trúc đường truyền vi dải
Đường truyền vi dải được sử dụng nhiều nhất trong môi trường truyền dẫn là các mạch
tích hợp siêu cao tần. Đường truyền vi dải là cấu trúc mạch in “cấp cao”, bao gồm một
dải dẫn điện bằng đồng hoặc kim loại khác trên một chất nền cách điện, mặt kia của
tấm điện môi cũng được phủ đồng gọi là mặt phẳng đất. Ta thấy mặt phẳng đất là mặt
phản xạ. Do đó, đường truyền vi dải có thể được xem như là đường truyền gồm 2 dây
dẫn.
Hình 1.11. Cấu trúc của đường truyền vi dải [9]
Có hai tham số chính là độ rộng dải dẫn điện W và chiều cao tấm điện môi h. Một
tham số quan trọng khác là hằng số điện môi tương đối của chất nền εr. Độ dày của dải
dẫn điện là t và điện dẫn suất là σ là các tham số kém quan trọng hơn và đôi khi có thể
bỏ qua.
1.2.1.2. Cấu trúc trường của đường truyền vi dải

Sóng truyền trên đường truyền vi dải là sóng có dạng gần với TEM (quasi-TEM). Điều
này có nghĩa rằng có một vài vùng trong đó chỉ có một thành phần điện trường hoặc từ
trường theo hướng truyền sóng. Hình 1.12 thể hiện giản đồ trường điện từ của một
đường truyền vi dải cơ bản.
Hình 1.12. Giản đồ trường của một đường vi dải [9]
Trên cấu trúc đường vi dải, giản đồ quasi-TEM xuất hiện, bởi vì mặt tiếp giáp giữa
chất nền điện môi và không gian xung quanh là không khí. Các đường sức điện trường
không liên tục tại mặt tiếp giáp này. Điều kiện biên cho điện trường là thành phần tiếp
tuyến của điện trường phải liên tục khi truyền xuyên qua biên; do đó một chất nền có
hằng số điện môi là 10, thì điện trường sẽ giảm đột ngột 10 lần so với trong không khí.
Mặt khác, thành phần tiếp tuyến (song song với bề mặt dải dẫn điện) của điện trường
cũng phải liên tục khi xuyên qua biên. Do đó, một phần năng lượng điện trường được
lưu trữ trong không khí và một phần được lưu trữ trong điện môi. Hằng số điện môi
hiệu dụng đối với các sóng trên đường truyền nằm giữa giá trị hằng số điện môi không
khí và hằng số điện môi của chất nền.
1.2.2. Anten vi dải

1.2.2.1. Giới thiệu chung
Khái niệm anten vi dải lần đầu tiên được đưa ra bởi Deschamps vào năm 1953, Gutton
và Bassinot vào năm 1955. Tuy nhiên mãi tới tận năm 1972 người ta mới đi vào chế
tạo các anten vi dải, bởi vì thời điểm này mới xuất hiện chất nền có các đặc tính tốt.
Như được chỉ ra trong hình 1.13, anten vi dải với cấu hình đơn giản nhất bao gồm một
patch phát xạ nằm trên một mặt của chất nền điện môi (εr<=10), mặt kia của chất nền
là mặt phẳng đất. Patch là vật dẫn điện, thông thường là đồng hay vàng, có thể có hình
dạng bất kỳ, nhưng các hình dạng thông thường nói chung được sử dụng nhiều.
Hằng số điện môi của chất nền đóng vai trò quan trọng nhất đối với hoạt động của
anten. Nó ảnh hưởng đến trở kháng đặc tính, tần số cộng hưởng, băng thông và hiệu
suất của anten.
Hình 1.13. Cấu trúc của anten vi dải đơn giản nhất [7]
Ưu điểm của anten vi dải

¾ Trọng lượng nhẹ, kích thước nhỏ, có cấu trúc phẳng nên dễ dàng chế tạo.
¾ Giá thành sản xuất thấp, phù hợp cho nhiều ứng dụng.
¾ Dễ dàng được gắn lên các đối tượng khác.
¾ Có thể tạo ra các phân cực tròn, tuyến tính chỉ đơn giản bằng cách thay đổi
phương pháp tiếp điện.
¾ Dễ dàng chế tạo các anten có thể hoạt động với nhiều dải tần.
¾ Mạng phối hợp trở kháng và đường tiếp điện có thể được in cùng với cấu trúc
anten.
Nhược điểm của anten vi dải
¾ Băng thông nhỏ (chỉ ~ 0.5 tới 10%).
¾ Hầu hết anten vi dải bức xạ trong nửa không gian.
¾ Giới hạn độ tăng ích cực đại (~ 20 dB).
¾ Hiệu suất bức xạ kém.
¾ Xuất hiện các sóng mặt.
¾ Công suất cho phép thấp.
1.2.2.2. Một số loại anten vi dải cơ bản
Anten patch vi dải

Anten có patch vi dải (microstrip patch antenna, MPA) bao gồm một patch dẫn điện có
hình dạng phẳng hay không phẳng trên một mặt của một chất nền điện môi, và mặt
phẳng đất trên mặt còn lại của chất nền. Các cấu hình cơ bản mà được sử dụng trong
thực tế được chỉ ra trong hình 1.14(a).
Hình 1.14 (a). Các hình dạng anten patch vi dải cơ bản thường được sử dụng trong
thực tế [7]
Hình 1.14 (b). Các hình dạng kiểu khác cho các anten patch vi dải [7]
Anten dipole vi dải
Hình 1.15. Một vài dipole mạch in và vi dải [7]
Anten khe mạch in

Các anten khe mạch in (printed slot antenna) có một khe được cắt trên mặt kim loại.
Khe này có thể có bất kỳ hình dạng nào. Về lý thuyết, hầu hết các hình dạng của patch
vi dải mà được chỉ ra trong hình 1.7 có thể được thực hiện lại trong dạng của một khe
mạch in.
Hình 1.16. Một số anten khe mạch in cơ bản với các cấu trúc tiếp điện [7]
Anten sóng chạy vi dải
Anten sóng chạy vi dải (microstrip traveling-wave antenna, MTA) gồm các dải dẫn
điện tuần hoàn hoặc một đường vi dải dài đủ rộng để hỗ trợ TE mode. Điểm cuối kia
của anten sóng chạy được mắc một tải có điện trở được phối hợp trở kháng để tránh
các sóng phản xạ trên anten.
Hình 1.17. Vài cấu hình anten sóng chạy vi dải mạch in [7]
1.2.2.3. Anten patch hình chữ nhật

Đây là một anten phẳng cơ bản nhất, nó bao gồm một phiến dẫn điện phẳng bên trên
một mặt phẳng đất. Có nhiều phương pháp tiếp điện cho anten, nhưng thông thường
tiếp điện bằng cáp đồng trục hoặc đường truyền vi dải. Phần tiếp điện đưa năng lượng
điện từ vào và/hoặc ra khỏi patch. Hình dưới đây thể hiện phân bố điện trường của
anten patch hình chữ nhật được kích thích ở mode cơ bản.
Trên hình 1.18a, điện trường bằng 0 ở tâm patch, đạt cực đại (dương) ở một cạnh và
đạt cực tiểu (âm) ở cạnh đối diện. Tuy nhiên sự biến đổi giữa cực đại và cực tiểu xảy
ra liên tục do pha tức thời của tín hiệu đặt vào anten. Điện trường mở rộng ra cả bên
ngoài mặt phân giới điện môi – không khí. Thành phần điện trưởng mở rộng này được
gọi là trường viền (fringing field) và nó làm cho patch bức xạ. Một số phương pháp
phân tích anten vi dải phổ biến dựa trên khái niệm hốc cộng hưởng rò (leaky-cavity).
Do đó, mode cơ bản khi sử dụng lý thuyết hốc cộng hưởng là mode TM10.
Kí hiệu này thường gây ra nhầm lẫn. TM tượng trưng cho phân bố từ trường ngang.
Điều này có nghĩa rằng chỉ có 3 thành phần, đó là: điện trường theo hướng z, từ trường
theo hướng x và y trong hệ tọa độ Đề các, trong đó trục x và y song song với mặt
phẳng đất, và trục z vuông góc với mặt phẳng đất. Nói chung, các mode được kí hiệu
là TMnmz. Giá trị z hầu như bị bỏ qua do sự biến đổi của điện trường theo trục z coi
như không đáng kể. Do đó, kí hiệu TMnm chỉ ra sự biến đổi của trường theo hướng x
và y. Sự biến đổi của trường theo hướng y hầu như không đáng kể, do đó m bằng 0.
Trường biến đổi chủ yếu theo hướng x, do đó ở mode cơ bản thì n = 1.
Hình 1.18b,c thể hiện sự biến đổi dòng (từ trường) và điện áp (điện trường) trên patch,
dòng đạt cực đại tại tâm patch và cực tiểu gần các cạnh trái và phải; trong khi điện
trường bằng 0 tại tâm patch và đạt cực đại gần cạnh trái, cực tiểu gần cạnh phải. Từ
biên độ của dòng và áp, ta có thể tìm được trở kháng (trong hình 1.18c). Trở kháng đạt
cực tiểu ở giữa patch và cực đại ở gần 2 cạnh. Có một điểm nằm ở đâu đó dọc theo
trục x, tại đó trở kháng là 50 Ω, ta có thể đặt điểm tiếp điện tại đó.
(a)
(b)
(c)
Hình 1.18. Anten patch hình chữ nhật
(a). Phân bố trường ở mode cơ bản
(b). Phân bố dòng trên bề mặt patch
(c). Phân bố điện áp (U), dòng (I) và trở kháng (|Z|) theo chiều dài patch
ANTEN MẠCH DẢI BĂNG RỘNG VÀ

CHƯƠNG 2 ANTEN MẠCH DẢI NHIỀU BĂNG TẦN
Tóm tắt
Thiết kế các anten băng rộng và anten nhiều băng tần là xu hướng phát triển mới của
các anten vi dải. Điều này nhằm đáp ứng nhu cầu mở rộng băng thông cho các ứng
dụng đa phương tiện trên thiết bị di động. Hơn nữa, các thiết bị di động ngày càng
được tích hợp nhiều chức năng, và anten nhiều băng tần đáp ứng yêu cầu này.
Chương này trình bày các phương pháp (về nguyên lý) để thiết kế các anten mạch dải
băng rộng và nhiều băng tần.
2.1. Giới thiệu chung

Một trong các nhược điểm lớn của anten vi dải là băng thông rất hẹp. Thông thường
băng thông chỉ nhỏ hơn 1%, và nhiều nhất là chỉ vài %. Tuy nhiên hiện nay, có rất
nhiều ứng dụng đòi hỏi anten phải có kích thước nhỏ, băng thông rộng, đồng thời lại
phải có khả năng hoạt động tại nhiều dải tần khác nhau. Chương này sẽ giới thiệu một
số phương pháp thiết kế anten vi dải băng rộng và anten vi dải hoạt động tại nhiều dải
tần. Nhưng trước hết chúng ta sẽ làm rõ hơn một số khái niệm như: dải thông tần
(băng thông) và dải tần công tác.
2.1.1. Dải thông tần

Ngoài các đặc tính bức xạ của anten về mặt năng lượng, khi khảo sát anten còn cần lưu
ý đến một đặc tính quan trọng nữa là dải thông tần (hay băng thông), nghĩa là dải tần
số mà trong giới hạn ấy anten có thể đảm bảo được quá trình bức xạ hoặc thu phổ của
tín hiệu mà không bị méo dạng tín hiệu.
Hình 2.1. Băng thông của anten
Thông thường, trở kháng vào của mỗi anten là một hàm phụ thuộc vào tần số. Do đó,
nếu anten làm việc với tín hiệu có phổ rộng (như tín hiệu xung số, tín hiệu video
truyền hình, …) thì ứng với mỗi tần số khác nhau của phổ tín hiệu, biên độ tương đối
của dòng điện đặt vào anten (trong trường hợp anten phát) hoặc sức điện động thu
được (trong trường hợp anten thu) sẽ biến đổi, do đó làm thay đổi dạng phổ của tín
hiệu. Khi dùng fide tiếp điện cho anten, sự biến đổi trở kháng vào của anten theo tần
số sẽ dẫn đến tình trạng lệch phối hợp trở kháng và làm xuất hiện sóng phản xạ trong
fide. Khi đó ứng với mỗi tần số khác nhau của phổ sẽ có sự trễ pha khác nhau, và gây
ra méo dạng tín hiệu. Vì vậy, tốt nhất là phải đảm bảo được trong suốt dải tần làm
việc: Rv.A = const và Xv.A = 0.
Ngoài ra, vì đặc tính phương hướng của anten cũng phụ thuộc tần số, nên khi nó làm
việc với tín hiệu có phổ rộng thì biên độ tương đối của cường độ trường bức xạ (hoặc
thu được) đối với các tần số khác nhau của phổ cũng biến đổi và gây ra méo dạng tín
hiệu. Thường thì ảnh hưởng của yếu tố này không lớn lắm, và trong thực tế, độ rộng
dải tần (băng thông) của anten được quyết định chủ yếu bởi đặc tính phụ thuộc của trở
kháng vào của anten theo tần số.
2.1.2. Dải tần công tác

Trong nhiều ứng dụng, chúng ta yêu cầu anten phải có khả năng làm việc ở một số tần
số khác nhau. Ứng với mỗi tần số khác nhau ấy, anten phải đảm bảo những chỉ tiêu kỹ
thuật nhất định về đặc tính phương hướng, trở kháng vào, dải thông tần, …. Dải tần số
mà trong giới hạn ấy, anten làm việc thoả mãn các chỉ tiêu kỹ thuật yêu cầu gọi là dải
tần công tác của anten. Chỉ tiêu kỹ thuật này có thể khác nhau đối với từng loại anten
cụ thể.
Căn cứ theo dải tần công tác, có thể phân loại anten thành 4 nhóm:
∆f
¾ Anten dải tần hẹp: < 10%
f0
∆f
¾ Anten dải tần tương đối rộng: 10% < < 50%
f0
1.5 f max 4
¾ Anten dải tần rộng: < <
1 f min 1
f 4
¾ Anten dải tần siêu rộng: max >
f min 1
Tỉ số của tần số cực đại và tần số cực tiểu của dải tần công tác fmax/fmin gọi là hệ số bao
trùm dải sóng.
2.2. Mở rộng băng thông của anten vi dải

2.2.1. Giới thiệu
Anten vi dải có nhiều đặc tính rất hữu ích, nhưng một trong các hạn chế đáng kể của
các anten loại này là đặc tính băng hẹp của chúng. Băng thông tính theo trở kháng
(impedance bandwidth) của anten vi dải điển hình thường trong khoảng nhỏ hơn 1%
tới vài % đối với các chất nền mỏng thỏa mãn tiêu chuẩn h/λ0 < 0.023 và có ε r ≈ 10 ,
cho tới h/λ0 < 0.07 và có ε r ≈ 2.3 . Điều này hoàn toàn trái ngược với băng thông từ
15% tới 50% của các anten như là dipole, khe và loa. Các nhà nghiên cứu đã đi vào
nghiên cứu các anten mạch dải này để cải thiện giới hạn băng hẹp trong gần 20 năm,
và đã thành công trong việc cải thiện băng thông tính theo trở kháng tới 90% và băng
thông tính theo hệ số tăng ích (gain bandwidth) tới 70%. Hầu hết những sự đổi mới
này đều sử dụng nhiều hơn 1 mode, điều đó làm tăng kích thước, chiều cao hoặc thể
tích, và đồng thời làm giảm sút một số đặc tính khác của anten. Mong muốn làm tăng
băng thông cũng có thể đạt được bằng việc chọn kỹ thuật tiếp điện và mạng phối hợp
trở kháng thích hợp.
Chúng ta bắt đầu bằng việc định nghĩa băng thông (bandwidth). Một số đặc tính của
anten chẳng hạn như VSWR (hoặc S11), độ rộng chùm (beamwidth), bậc thùy bên
(sidelobe level), hệ số tăng ích (gain), phân cực (polarization), …. Các đặc tính này
đều biến đổi theo tần số. Do đó, có thể có nhiều định nghĩa khác nhau về băng thông
tương ứng với các đặc tính trên.
Trở kháng vào của anten vi dải biến đổi nhanh hơn theo tần số, do đó việc giới hạn dải
tần giúp cho thành phần bức xạ có thể được phối hợp trở kháng với đường tiếp điện.
Chúng ta sẽ sử dụng băng thông tính theo trở kháng trong phần còn lại của chương để
định nghĩa băng thông của anten. Băng thông tính theo trở kháng của một anten vi dải
cộng hưởng có thể được xác định từ đáp ứng tần số của mạch tương đương của nó. Đối
với mạch tương đương cộng hưởng song song, băng thông nửa công suất (BW) được
cho bởi:
2G
BW = (2.1)
dB
ω0
dω ω0
Trong đó, Y = G + jB là dẫn nạp đầu vào tại tần số cộng hưởng ω 0 . Đối với mạch
tương đương cộng hưởng nối tiếp G được thay thế bởi R và B được thay thế bởi X
trong (2.1), trong đó Z = R + jX là trở kháng vào tại tần số cộng hưởng. Một vài nhà
nghiên cứu định nghĩa băng thông trở kháng (impedance bandwidth) theo khái niệm
băng thông với VSWR = 2. Băng thông nửa công suất của (2.1) tương đương với băng
thông với VSWR ≈ 2.4 khi anten được tiếp điện bởi đường truyền mạch dải. Sự chuyển
đổi băng thông từ một giá trị VSWR này sang một giá trị VSWR khác có thể được
thực hiện thông qua quan hệ sau:
VSWR − 1 (2.2)
BW =
Q VSWR
Trong đó Q là hệ số phẩm chất của anten. Công thức (2.2) chỉ ra rằng, băng thông với
VSWR 2 bằng khoảng 78% băng thông nửa công suất. Các yêu cầu đối với băng
thông trở kháng không nhất thiết phải phù hợp với các tiêu chuẩn băng thông tính theo
các đặc trưng khác của anten. Các nghiên cứu gần đây chỉ ra rằng phân cực xiên
(cross-polarization) là thành phần chính hạn chế băng thông của các anten vi dải băng
rộng.
2.2.2. Ảnh hưởng của các tham số chất nền tới băng thông
Băng thông trở kháng của anten vi dải tỉ lệ nghịch với hệ số phẩm chất Q của anten
(xem (2.2)). Do đó, ta có thể thay đổi các tham số của chất nền chẳng hạn như hằng số
điện môi ε r và độ dày h để đạt được hệ số Q mong muốn nhằm tăng băng thông trở
kháng. Hệ số Q của anten cộng hưởng được định nghĩa như sau:
Năng lượng được tích trữ (Energy stored)
Q= (2.3)
Năng lượng mất mát (Power lost)
Hình 2.2 biểu diễn ảnh hưởng của độ dày chất nền tới băng thông trở kháng và hiệu
suất với 2 giá trị hằng số điện môi là 2.2 và 10. Ta thấy rằng băng thông tăng đơn điệu
theo độ dày. Khi hằng số điện môi ε r giảm thì băng thông tăng. Điều này có thể được
giải thích từ việc thay đổi giá trị Q.
Hình 2.2. Ảnh hưởng của hằng số điện môi và độ dày chất nền tới băng thông trở
kháng (VSWR < 2) và hiệu suất bức xạ [7]
Hình 2.3. Sự biến đổi của hệ số Q của anten vi dải có patch hình chữ nhật theo hằng
số điện môi chất nền. Trong đó h=1.59 mm, W=0.9L, f=3 GHz [7]
Hệ số Q của anten vi dải với patch hình chữ nhật là hàm của εr và h được vẽ trong hình
2.3 và 2.4. Hình 2.3 chỉ ra rằng, hệ số Q hầu như tăng tuyến tính khi tăng εr. Thành
phần bức xạ (patch) hình chữ nhật được mô hình hoá như một tụ có mất mát (lossy
capacitor), việc tăng hệ số Q là do năng lượng được tích trữ (energy strored) tăng và
năng lượng bức xạ giảm khi tăng εr (theo công thức 2.3). Tương tự, khi độ dày chất
nền tăng lên, năng lượng được tích trữ giảm làm giảm hệ số Q như thấy trong hình 2.4.
Về mặt vật lý, điều này xảy ra là do “trường viền” (fringing field) tăng khi tăng h và
giảm εr.
Kết luận, tăng h và giảm εr sẽ làm tăng băng thông trở kháng của anten. Tuy nhiên,
phương pháp này chỉ có thể áp dụng khi h < 0.02λ. Có nhiều nhược điểm do sử dụng
các chất nền có hằng số điện môi cao và độ dày lớn, bao gồm:
¾ Năng lượng sóng mặt tăng lên, dẫn tới kết quả là hiệu suất bức xạ kém (xem
hình 2.2). Bức xạ từ các sóng mặt có thể làm méo giản đồ bức xạ gần đầu cuối
đường tiếp điện vi dải.
¾ Các chất nền có độ dày lớn, khi tiếp điện tại cạnh của thành phần bức xạ sẽ làm
tăng bức xạ “giả” (spurious radiation) từ đường vi dải tại những chỗ thay đổi về
độ rộng (step-in-width) và những chỗ bất liên tục trên đường vi dải. Sự bức xạ
từ đầu tiếp điện (probe feed) cũng sẽ tăng.
¾ Các chất nền dày hơn 0.11λ0 và có εr=2.2 có trở kháng tại điểm tiếp điện cho
anten tăng, dẫn tới các vấn đề về phối hợp trở kháng.
¾ Các mode bậc cao hơn chạy dọc theo chiều dày chất nền có thể tăng, điều này
làm méo các giản đồ bức xạ và thay đổi trở kháng đặc tính. Đây là một tham số
hạn chế việc đạt được băng thông lớn hơn.
Hình 2.4. Sự biến đổi của hệ số Q của anten vi dải có patch hình chữ nhật theo độ dày
chất nền. Trong đó εr=2.2, W=0.9L, f=3 GHz [7]
2.2.3. Lựa chọn hình dạng thành phần bức xạ thích hợp
Người ta nhận thấy rằng: một vài hình dạng thành phần bức xạ (patch) có hệ số Q thấp
hơn so với những hình dạng khác. Do đó băng thông của chúng sẽ cao hơn. Các hình
dạng thành phần bức xạ này bao gồm: vành khuyên (annular ring), vành hình chữ
nhật/hình vuông (rectangular/square ring), patch phần tư bước sóng (được ngắn mạch)
và một số hình dạng khác. Anten có patch vành khuyên tròn với b = 2a khi hoạt động
ở mode TM12 cho băng thông gấp 5 lần anten patch hình chữ nhật với L = 1.5W.
Tương tự, anten có patch vành hình chữ nhật/hình vuông với chu vi trung bình 1 λg có
thể được sử dụng.
Băng thông của anten có patch phần tư sóng ngắn mạch hay vành khuyên được so sánh
với anten có patch hình tròn hay hình chữ nhật trong bảng 2.1. Chúng ta có thể nhận
thấy từ bảng này rằng: băng thông của anten patch hình chữ nhật tăng khi độ rộng của
patch tăng.
Bảng 2.1. So sánh băng thông tại VSWR = 2

Hình dạng patch Kích thước patch Băng thông (%)
Hình chữ nhật hẹp L=4.924 cm, W=2.0 cm 0.7
Hình chữ nhật rộng L=4.79 cm, W=7.2 cm 1.6
Hình vuông L=W=4.82 cm 1.3
Hình tròn Bán kính a=2.78 cm 1.3
Hình vành khuyên b=8.9 cm, a=4.45 cm 3.8
Hình chữ nhật ¼ bước sóng L=2.462 cm, W=2.0 cm 1.05
εr = 2.32, h = 1.59 mm, f = 2 GHz
2.2.4. Lựa chọn kỹ thuật tiếp điện thích hợp

Có nhiều kỹ thuật tiếp điện khác nhau như: tiếp điện bằng “đầu dò” (probe feeding),
tiếp điện ở cạnh patch (edge feeding), ghép gần patch với một đường truyền vi dải
(proximity coupling to a microstrip line), ghép khe patch với một đường tiếp điện vi
dải (aperture coupling to a microstrip feed line). Trong đó phương pháp ghép khe
(aperture coupling) được sử dụng cho các anten băng rộng trên các chất nền dày. Điều
này là do thực tế rằng: kỹ thuật tiếp điện này cho phép một lượng lớn tham số có thể
điều chỉnh như độ dài khe, độ rộng khe và hình dạng khe, …. Phương pháp ghép khe
khi được điều chỉnh một cách kỹ lưỡng có thể làm tăng băng thông một cách đáng kể.
Băng thông khoảng 70% có thể đạt được khi sử dụng kỹ thuật tiếp điện này.
Anten vi dải ghép khe

Anten vi dải ghép khe được thể hiện trong hình 2.5. Nó bao gồm một patch hình chữ
nhật có kích thước a x b được in trên chất nền có độ dày h và hằng số điện môi εra.
Patch vi dải được tiếp điện bởi đường vi dải thông qua một khe hở hoặc một rãnh rạch
trên mặt phẳng đất chung của patch và đường tiếp điện vi dải như trong hình 2.5.
Khe có các kích thước là La x Wa và tâm khe tại điểm (x0, y0). Độ rộng của đường vi
dải là W và được in trên một chất nền có độ dày t và hằng số điện môi εrf. Trở kháng
đặc trưng của đường vi dải được kí hiệu là Z0m và trở kháng đặc trưng của khe được kí
hiệu bởi Z0s. Việc ghép khe với giữa patch và đường vi dải xảy ra bởi vì khe “phá vỡ
sự liên tục” của dòng điện chạy theo dọc theo patch. Phân tích anten vi dải ghép khe
cho thấy: hầu hết các đặc tính đều tương tự với anten khe tiếp điện bằng đường vi dải.
Kỹ thuật tiếp điện ghép khe được giới thiệu bởi Pozar và nó có nhiều ưu điểm so với
các kỹ thuật tiếp điện khác. Các ưu điểm đó là: bảo vệ được anten khỏi sự bức xạ “giả”
từ phần tiếp điện (spurious feed radiation), sử dụng chất nền cho cả cấu trúc tiếp điện
và anten, sử dụng chất nền dày để tăng băng thông của anten.
Hình 2.5. Anten vi dải tiếp điện bằng ghép khe [7]
2.2.5. Kỹ thuật kích thích đa mode

Sử dụng nhiều mode cộng hưởng là phương pháp rất hiệu quả trong thiết kế các anen
vi dải băng rộng. Ý tưởng cơ bản của phương pháp này xuất phát từ các bộ cộng
hưởng (resonator) được ghép, trong đó thì 2 bộ cộng hưởng hoặc nhiều hơn được ghép
với nhau để bao phủ toàn dải tần mong muốn. Phương pháp này được áp dụng cho
nhiều hình dạng patch khác nhau. Có nhiều phương pháp để thiết kế theo khái niệm
này với mục tiêu tăng băng thông trở kháng (impedance bandwidth). Ta khảo sát một
phương pháp, trong đó dùng 2 thành phần cộng hưởng hoặc nhiều hơn (tần số cộng
hưởng của mỗi thành phần khác nhau đôi chút), mỗi thành phần cộng hưởng này được
ghép “sát” với thành phần cộng hưởng khác. Việc ghép “sát” được điều khiển để tăng
băng thông. Các phương pháp thông thường nhất để mở rộng băng thông sử dụng
phương pháp ghép kí sinh (parasitic coupling) được mô tả ngay sau đây.
2.2.5.1. Mở rộng băng thông sử dụng nhiều thành phần bức xạ xếp chồng
Anten vi dải với 2 patch được xếp chồng điển hình được thể hiện trong hình 2.6. Ảnh
hưởng của việc xếp chồng các patch được nghiên cứu đầu tiên vào năm 1978 ngay khi
các nghiên cứu về anten vi dải bắt đầu. Patch bên dưới có thể được tiếp điện bằng một
connector đồng trục hoặc bởi một đường vi dải. Patch bên trên được ghép “sát” với
patch bên dưới. Kích thước của patch phía trên hơi khác kích thước của patch bên dưới
để thu được tần số cộng hưởng hơi khác một chút.
Ta có thể thay đổi một số tham số, ví dụ: độ dày d1 và d2 của các chất nền; hằng số
điện môi εr1 và εr2; độ lệch giữa tâm của các patch; kích thước của các patch và vị trí
tiếp điện. Đối với các anten có 2 dải tần, kích thước của 2 patch được quyết định bởi 2
tần số cộng hưởng mong muốn. Đối với anten băng rộng, các tham số khác được tối
ưu hóa để đạt được băng thông lớn nhất có thể. Một sự dịch chuyển nhỏ các patch theo
các hướng x và y cũng có ảnh hưởng đáng kể đến băng thông trở kháng và giản đồ bức
xạ.
Hình 2.6. Anten vi dải với patch xếp chồng tiếp điện bằng ghép khe [7]
Các nghiên cứu đã chỉ ra rằng, việc xếp lệch các patch có tác dụng mở rộng băng
thông, tính không đối xứng của cấu trúc làm tăng bức xạ xiên (beam squint) trong mặt
phẳng E. Băng thông trở kháng từ 10% tới 29% đạt được với các patch xếp chồng tiếp
điện bằng đầu nối (probe-fed), và băng thông trở kháng từ 18% tới 67% đạt được với
các patch xếp chồng tiếp điện bằng ghép khe. Băng thông lớn hơn có thể đạt được khi
sử dụng chất nền dày hơn.
Anten với patch xếp chồng có một số đặc điểm hấp dẫn như sau:
¾ Việc xếp chồng các patch không làm tăng diện tích bề mặt của anten, so với
phương pháp sử dụng các thành phần kí sinh đồng phẳng, các patch xếp chồng
được sử dụng trong anten mảng mà không cần tăng khoảng cách giữa các patch
và giải quyết được vấn đề búp sóng phụ.
¾ Giản đồ bức xạ và tâm pha của anten patch xếp chồng duy trì tính đối xứng trên
toàn dải tần hoạt động của nó.
2.2.5.2. Mở rộng băng thông sử dụng các thành phần kí sinh đồng phẳng
Một phương pháp khác cũng cho đặc tính băng rộng là ghép gần các patch đồng phẳng
có tần số cộng hưởng khác nhau chút ít. Một vài hình dạng được thể hiện trong hình
2.7 và 2.8. Chỉ có patch ở giữa (patch điều khiển) được tiếp điện và các patch khác
hoặc là được ghép khe hoặc là được ghép trực tiếp với patch điều khiển.
Trong hình 2.7(a): 2 dipole ghép với một patch bức xạ được đưa ra vào năm 1979. Khi
2 patch được ghép khe với patch điều khiển dọc theo các cạnh bức xạ của patch điều
khiển (xem hình 2.7(b)), băng thông lớn nhất có thể tăng tới 5.1 lần so với băng thông
của anten chỉ có 1 patch hình chữ nhật. Kiểu ghép kí sinh dọc theo các cạnh không bức
xạ (hình 2.7(c)) cho băng thông lớn hơn gấp 4 lần. Một cấu hình tương tự bao gồm các
patch ¼ bước sóng được ngắn mạch (xuống mặt phẳng đất) ghép với một patch ½
bước sóng dọc theo các cạnh bức xạ (hình 2.7(d)) cho băng thông lớn gấp 5.35 lần.
Một ví dụ khác, 2 patch ngắn mạch dài λ/4 được ghép với nhau dọc theo cạnh bức xạ
(xem hình 2.7(e)). Cấu hình 4 patch được ghép khe tại 4 cạnh của một patch điều
khiển thể hiện trong hình 2.7(f). Nó cho băng thông tới 6.7 lần băng thông của anten
chỉ có một patch đơn.
Hình 2.7. Một vài anten vi dải băng rộng sử dụng các patch ghép khe đồng phẳng [7]
(a). Một patch điều khiển được ghép khe với 2 dipole dọc theo các cạnh bức xạ
(b). Một patch điều khiển được ghép khe với 2 patch dọc theo các cạnh bức xạ
(c). Một patch điều khiển được ghép khe với 2 patch dọc theo các cạnh không bức xạ
(d). 1 patch điều khiển ghép khe với 2 patch ¼ bước sóng dọc theo các cạnh bức xạ
(e). Một patch ¼ bước sóng (điều khiển) được ghép khe với một patch ¼ bước sóng
(f). Một patch điều khiển được ghép khe với 4 patch dọc theo 4 cạnh của nó
(g). Anten mảng vi dải với một patch điều khiển và các patch kí sinh ghép khe
(h). Mảng 7 dipole ghép khe
(i). Anten nhiều patch ghép khe cộng hưởng tại nhiều tần số
(j) Một hình dạng khác của anten nhiều patch ghép khe cộng hưởng tại nhiều tần số
Khái niệm về các thành phần ghép khe được mở rộng cho các mảng anten ghép khe.
Trong các mảng này, một patch điều khiển được ghép khe “sát” (về không gian) với
các patch xung quanh, một số khe được ghép xa hơn, tạo ra một mảng phẳng (xem
hình 2.7(g)). Khe ghép giữa các patch liền sát nhau thường rất nhỏ, bằng khoảng 0.1
tới 2 lần độ dày chất nền. Anten mảng phẳng có kích thước 1.56 mm x 30 mm x 30
mm tại tần số 8.55 GHz cho băng thông 16%, độ tăng ích 9 dB và các thùy bên chỉ -
26dB.
Một anten mảng gồm 7 dipole được ghép dọc theo các cạnh không bức xạ, nhưng với
độ rộng và khoảng cách khe giữa các dipole được tối ưu hóa để đạt được băng thông
lớn hơn 8 lần (xem hình 2.7(h)).
Một cấu hình khác đó là một số dipole có chiều dài khác nhau được kích thích bởi một
khe đặt ở giữa tạo ra cấu hình xếp so le (xem hình 2.7(i) và (j)). Một sự thay đổi nho
nhỏ ở cấu hình này là tất cả các dipole hoạt động ở cùng một tần số và được ghép khe
với đường tiếp điện vi dải. Băng thông của cấu hình với 3 dipole đối xứng là khoảng
23% đối với anten có điện môi dày 0.083λ0. Băng thông này bằng khoảng 1.5 lần băng
thông của anten patch hình vuông tương ứng. Cuối cùng, khái niệm patch cộng hưởng
được xếp so le có thể được mở rộng cho mảng loga chu kỳ được thể hiện trong hình
2.8(a).
Anten với patch cộng hưởng được ghép trực tiếp cũng đã được nghiên cứu. Các anten
này được thể hiện trong hình 2.8(b – d). Trong các trường hợp này, các patch phía
ngoài là các patch kí sinh vào patch được tiếp điện, nhưng các patch kí sinh được ghép
trực tiếp tới patch được tiếp điện. Băng thông cho các anten 2.8(b), (c), (d) tương tự
như các anten ghép khe ở hình 2.7(b), (c) và (f).
Anten ghép kí sinh đồng phẳng với patch hình tròn cũng đã được nghiên cứu. Nó bao
gồm một đĩa vi dải được ghép khe với một vành khuyên ngắn mạch trên cùng bề mặt.
Anten này được thể hiện trong hình 2.8(e). Anten này cũng có thể được xem như một
hốc hình trụ (cylindrical cavity) ghép với một khe vành khuyên (annular slot). Các tần
số cộng hưởng của đĩa vi dải và cavity gần bằng nhau. Anten này tạo ra một giản đồ
bức xạ đối xứng tròn với độ rộng chùm 10dB là khoảng 1600, và nó thích hợp để chiếu
xạ (illuminate) cho một bộ phản xạ với F/D = 3. Phân cực ngang cực đại (maximum
cross-polarization) với độ rộng chùm 10dB được đo là -21dB trên toàn dải 5GHz tới
5.44GHz. Ta có thể đạt được băng thông trở kháng 10% bằng cách điều chỉnh kích
thước khe ghép.
Tất cả các anten vi dải với các bộ cộng hưởng kí sinh đồng phẳng có một nhược điểm
là diện tích bề mặt tăng lên. Hơn nữa, giản đồ bức xạ và tâm pha biến đổi rõ rệt theo
tần số, đặc biệt đối với các thiết kế băng thông rộng hơn.
Hình 2.8. Anten vi dải băng rộng sử dụng các patch ghép khe đồng phẳng [7]
(a). Cấu hình của một mảng vi dải loga chu kỳ ghép khe băng rộng
(b). Patch điều khiển được ghép trực tiếp với 2 patch dọc theo các cạnh bức xạ
(c). Patch điều khiển được ghép trực tiếp với 2 patch dọc theo các cạnh không bức xạ
(d). Patch điều khiển được ghép trực tiếp với 4 patch dọc theo 4 cạnh của nó
(e). Anten với đĩa vi dải được ghép khe với một vành khuyên ngắn mạch
2.2.5.3. Các kỹ thuật kích thích đa mode khác
Các phương pháp trong phần này đều sử dụng 2 mode độc lập được kích thích vào
cùng một patch hoặc vào patch và mạng tiếp điện. Một patch gần vuông được sử dụng
để thu được băng thông gần 3 lần bằng cách kích thích 2 mode với phân cực trực giao.
Trong trường hợp này, để kích thích cả hai mode, đường tiếp điện được đặt dọc theo
đường chéo (xem hình 2.9(a)). Đồ thị trở kháng vào cho anten này được vẽ trong hình
2.9(b) với L = 13.6 cm, W/L = 0.99, ρ0/L = 0.16 và h/λ0 = 0.0037.
Hình 2.9. Anten vi dải băng rộng sử dụng 2 mode phân cực trực giao [7]
(a). Patch gần vuông (b). Đồ thị trở kháng vào
Patch hình chữ nhật với một khe U được cắt trên nó (xem hình 2.10) cũng là anten
băng rộng. Patch và khe U được thiết kế để cho tần số cộng hưởng gần nhau. Tần số
cộng hưởng và hệ số Q tại điểm cộng hưởng có thể được điều khiển độc lập bằng cách
điều chỉnh chiều dài và rộng của chúng (patch và khe U).
Hình 2.10. Patch được rạch khe U tạo ra 2 tần số cộng hưởng và tăng băng thông [7]
Patch hình chữ nhật với một khe H được cắt trên nó ở hình 2.11.
2.2.6. Các kỹ thuật mở rộng băng thông khác

Trong các phần trước, chúng ta đã thay đổi các tham số của chất nền để làm tăng băng
thông trở kháng. Các patch cộng hưởng được đặt so le trong cấu hình patch xếp chồng
và cấu hình ghép khe đã được mô tả trong phần trước. Việc sử dụng nhiều hơn một
mode kích thích vào cùng một patch cũng được mô tả. Trong phần này, chúng ta thảo
luận thêm một vài phương pháp để tăng băng thông trở kháng.
Hình 2.11. Một anten dipole cuộn tròn kép với băng thông rộng [7]
2.2.6.1. Phối hợp trở kháng

Một trong các kỹ thuật trực tiếp và thông thường nhất được sử dụng để cải thiện băng
thông trở kháng là sử dụng một mạng phối hợp trở kháng. Ta có thể dùng các nhánh và
các đoạn vi dải ¼ bước sóng có thể được sử dụng cho mục đích này. Mạng phối hợp
trở kháng nên được đặt gần thành phần bức xạ nhất có thể. Tuy nhiên, các chỗ không
liên tục trong mạng phối hợp trở kháng cũng có thể bức xạ, điều đó làm giảm sút đặc
tính phân cực ngang (cross-polarization) của anten. Sự phức tạp và các mất mát của
mạng phối hợp trở kháng nói chung hạn chế băng thông có thể đạt được chỉ khoảng từ
10% tới 30%. Pues và Van de Capelle đã đạt được băng thông khoảng 10% tới 12% sử
dụng một mạng phối hợp trở kháng đồng phẳng thụ động. Các kỹ thuật tương tự được
sử dụng bởi Paschen đưa ra băng thông lớn hơn 25%, băng thông đó đủ để bao phủ cả
dải GPS chỉ với một thành phần bức xạ đơn.
Một phương pháp khéo léo khác đó là một thành phần chuyển tiếp hình nón 3D (3D
transition) được sử dụng để tăng băng thông trở kháng tới khoảng 90%. Hình dạng của
anten này được thể hiện trong hình 2.12.
Anten và thành phần chuyển tiếp không được in trên bất kỳ một vật liệu điện môi nào.
Patch được chống ở tâm bởi một trụ (kim loại hoặc không phải kim loại). Thành phần
chuyển tiếp có thể là dải kim loại độ rộng không thay đổi dựng nghiêng xuống tới mặt
phẳng đất như thể hiện trong hình 2.12(a), hoặc có thể là một dải có độ rộng thon dần
vuông góc với mặt phẳng đất như trong hình 2.12(b). Cả hai phương pháp này cho kết
quả băng rộng. Ưu điểm của anten này là có một băng thông VSWR rất lớn, khoảng
90%, tránh được các ảnh hưởng của sóng mặt và ảnh hưởng của độ phân bố
(dispersion) của chất nền, hiệu suất cao hơn.
Hình 2.12. Anten với patch đơn băng rộng sử dụng thành phần chuyển tiếp 3D [7]
(a). Patch “lơ lửng” với một thành phần chuyển tiếp 3D nghiêng
(b). Patch “lơ lửng” với một thành phần chuyển tiếp 3D dựng đứng
2.2.6.2. Mắc tải điện trở

Theo Pozar, băng thông trở kháng của anten vi dải có thể tăng lên bằng cách hạn chế
các tham số mất mát, nhưng bù lại hiệu suất bức xạ giảm. Mất mát gây ra do vật liệu
điện môi, lớp đồng dẫn điện, do chính tải điện trở mắc vào. Hình 2.13 thể hiện một
anten vi dải được gắn thêm điện trở 1Ω gần cạnh của patch.
Hình 2.13. Anten vi dải băng rộng được mắc thêm tải điện trở l = 0.79L [7]
Tại Return Loss = 10 dB, băng thông của anten này bằng 4.9 lần băng thông khi không
mắc thêm tải điện trở. Thêm nữa, kích thước patch giảm đi 0.39 lần so với khi không
mắc thêm tải điện trở. Tuy nhiên, hệ số tăng ích lại giảm.
2.3. Anten vi dải nhiều băng tần

2.3.1. Anten vi dải 2 tần số cộng hưởng
Anten vi dải cộng hưởng kép có thể hoạt động tại 2 tần số cộng hưởng trên các cấu
trúc đơn hoặc đa bức xạ. Về lý thuyết, các anten vi dải cộng hưởng kép phải có cùng
các đặc tính bức xạ và phối hợp trở kháng tại cả hai tần số cộng hưởng. Để thực hiện
điều này bằng cách sử dụng công nghệ phẳng là một vấn đề phức tạp.
Có một số phương pháp để thiết lập anten cộng hưởng kép và được phân thành 3 loại
chính:
¾ Kích thích anten bằng 2 mode.
¾ Sử dụng nhiều patch bức xạ cho anten.
¾ Mắc tải hỗn hợp.
Kỹ thuật kích thích bằng 2 mode được thực hiện bằng cách kích thích 2 mode cộng
hưởng khác nhau lên một patch vi dải đơn. Đối với cấu trúc sử dụng nhiều patch bức
xạ, cộng hưởng kép đạt được bằng cách sử dụng nhiều patch bức xạ, mỗi patch cộng
hưởng tại một tần số nhất định. Cấu trúc này có thể được thực hiện bằng cách sử dụng
nhiều patch đồng phẳng hoặc xếp chồng nhiều patch, trong đó các patch bức xạ có
hình dạng giống nhau hoặc khác nhau. Các anten này hoạt động hoạt động tại 2 tần số
với cùng phân cực hoặc 2 phân cực khác nhau. Khi anten vi dải được yêu cầu là phải
hoạt động tại 2 tần số khác biệt, kỹ thuật được sử dụng phổ biến nhất là mắc tải hỗn
hợp hoặc mắc tải điện kháng cho 1 patch đơn. Một số kiểu mắc tải thường sử dụng
như: nhánh, khe hình V, ngắn mạch, sử dụng tụ điện và khe.
Anten vi dải 2 tần số có thể hình thành bằng cách xếp chồng 2 phần tử mạch dải, mỗi
phần tử có tần số cộng hưởng riêng, và được tiếp điện nối tiếp như trên hình 2.14. Đặc
tính quan trọng nhất cần lưu ý ở đây là khi một trong 2 phần tử mạch dải không cộng
hưởng với tần số làm việc của phần tử kia thì nó giống như một phiến kim loại bị đoản
mạch. Điều này cho phép mỗi phần tử mạch dải hoạt động độc lập tại tần số khong
cộng hưởng của phần tử mạch dải kia. Điều này có thể đạt được khi khoảng cách tần
số nhỏ hơn 10%, hoặc khi các tần số đó là hài nhau.
Hình 2.14. Hình dạng anten mạch dải 2 băng tần [1]
(a). Tiếp điện nối tiếp cho từng phần tử
(b). Cấu trúc tương đương tại tần số f1
(c). Cấu trúc tương đương tại tần số f2
2.3.2. Anten vi dải nhiều hơn 2 tần số cộng hưởng

Sử dụng kỹ thuật kích thích đa mode ở trên ta cũng có thể thiết kế các anten vi dải
nhiều tần số cộng hưởng. Bằng cách chọn các tần số cộng hưởng nằm trong dải tần
mong muốn.
Ta có thể xếp chồng nhiều phần tử và tiếp điện nối tiếp để tạo thành một hệ anten
mạch dải nhiều tần số. Điều quan trọng là phải tìm điểm phù hợp của mỗi phần tử để
có thể đặt nguồn nuôi vào đó với trở kháng đầu vào là 50 Ω. Kích thước chính xác của
phần tử tiếp điện nối tiếp và các điểm phù hợp để đặt nguồn nuôi tốt nhất là được xác
định bằng thực nghiệm.
2.4. Phối hợp trở kháng dải rộng

Như trên đã trình bày, có nhiều phương pháp để thiết kế anten mạch dải băng rộng,
phần này xin trình bày chi tiết phương pháp phối hợp trở kháng dải rộng.
2.4.1. Ý nghĩa của việc phối hợp trở kháng

Nội dung của phối hợp trở kháng được minh hoạ ở hình 2.15 trong đó sử dụng một
mạch phối hợp đặt giữa tải và đường truyền dẫn sóng. Mạch phối hợp thường là một
mạch không tổn hao để tránh làm giảm công suất và được thiết kế sao cho trở kháng
vào nhìn từ đường truyền có giá trị bằng trở kháng sóng Zo của đường truyền. Khi ấy
sự phản xạ sóng ở phía trái của mạch phối hợp về phía đường truyền dẫn sẽ không còn
nữa, chỉ còn trong phạm vi giới hạn giữa tải và mạch phối hợp, cũng có thể là phản xạ
qua lại nhiều lần. Quá trình phối hợp cũng được coi là quá trình điều chỉnh.
Hình 2.15. Mạch phối hợp trở kháng không tổn hao giữa trở kháng tải bất kì
và đường truyền dẫn sóng có trở kháng đặc trưng Z0 [2]
Khi thực hiện phối hợp trở kháng công suất truyền cho tải sẽ đạt được cực đại, còn tổn
thất trên đường truyền là cực tiểu. Phối hợp trở kháng sẽ giúp cải thiện tỷ số tín
hiệu/tạp nhiễu của hệ thống khác trong hệ thống sử dụng các phần tử nhạy cảm như
anten, bộ khuếch đại tạp âm thấp, ….
Khi tải và đường truyền được phối hợp sẽ không có sóng phản xạ trên đường truyền,
do đó công suất truyền vào tải đạt cực đại, bằng với công suất đưa vào. Khi không đảm
bảo việc phối hợp trở kháng sẽ xuất hiện sóng đứng trên đường truyền. Nếu giá trị
Vmax tại điểm bụng điện áp trên đường truyền đạt tới hoặc vượt quá giới hạn cho phép
Vx sẽ xảy ra đánh lửa, điều này có thể dẫn tới việc phá huỷ đường truyền.
2.4.2. Phối hợp trở kháng dải rộng

Khi khảo sát bộ phối hợp trở kháng dùng đoạn biến đổi λ/4, ta thấy nếu các trở kháng
cần phối hợp có độ chênh lệch càng cao thì dải tần của thiết bị phối hợp càng hẹp. Vì
vậy muốn mở rộng dải tần phải dùng nhiều đoạn biến đổi mắc nối tiếp nhau thành
chuỗi để mỗi đoạn chỉ phối hợp với một tỷ số trở kháng thấp mà thôi. Đó chính là ý
tưởng của bộ biến đổi trở kháng nhiều cấp hay nhiều phân đoạn.
Bộ biến đổi gồm N đoạn dây truyền sóng (hình 2.16) có độ dài giống nhau nhưng khác
nhau về trở kháng đặc tính. Hãy rút ra công thức gần đúng để tính hệ số phản xạ tổng
Γ.
Hình 2.16. Bộ biến đổi nhiều phân đoạn [2]
Tại mỗi chỗ nối, ta xác định được các hệ số phản xạ riêng như sau:
Z1 − Z 0
Γ0 = (2.4a)
Z1 + Z 0
…………
Z n +1 − Z n
Γn = (2.4b)
Z n+1 + Z n
…………
ZL − ZN
ΓN = (2.4c)
ZL + ZN
Ta cũng giả thiết là các Zn sẽ tăng hoặc giảm đơn điệu dọc theo chiều dài của bộ phối
hợp trở kháng, đồng thời coi ZL là thực. Điều đó có nghĩa các Γn là thực và có cùng
dấu. Ta thấy: Γn > 0 khi ZL > Z0 và Γn < 0 khi ZL < Z0. Hệ số phản xạ tổng:
Γ (θ ) = Γ0 + Γ1 e −2 iθ + Γ2 e −4 iθ + ... + ΓN e −2 iNθ (2.5)
Ta giả thiết tiếp là bộ biến đổi được chế tạo đối xứng, sao cho:
Γ0 = ΓN , Γ1 = ΓN −1 , Γ2 = ΓN − 2 , …
Biểu thức (2.5) được viết lại như sau:
{ [ ] [ ] }
Γ(θ ) = e−iNθ Γ0 eiNθ + e−iNθ + Γ1 ei( N −2)θ + e−i( N −2)θ + ... (2.6)
ΓN −1 iθ
Nếu N lẻ, số hạng cuối sẽ là
2
( )
e + e −iθ . Nếu N chẵn, số hạng cuối sẽ là N .
Γ
2
Phương trình (2.6) có dạng một chuỗi Fourier cosine hữu hạn theo θ, như sau:
Đối với N chẵn
⎡ 1 ⎤
Γ(θ ) = 2e −iNθ ⎢Γ0 cos Nθ + Γ1 cos( N − 2)θ + ... + Γn cos( N − 2n )θ + ... + ΓN 2 ⎥ (2.7)
⎣ 2 ⎦
Đối với N lẻ
⎡ Γ ⎤
Γ(θ ) = 2e −iNθ ⎢Γ0 cos Nθ + Γ1 cos( N − 2 )θ + ... + Γn cos( N − 2n )θ + ... + N −1 cos θ ⎥ (2.8)
⎣ 2 ⎦
Ý nghĩa quan trọng của các kết quả trên là ở chỗ trên thực tế ta có thể tổng hợp được
hệ số phản xạ tổng dưới dạng một hàm số theo tần số (hay θ) bằng cách lựa chọn thích
hợp các Γn và sử dụng số lượng vừa đủ các phân đoạn (số N). Điều đó là hiển nhiên vì
như ta đã biết, một chuỗi Fourier cosine có thể được biểu thị như một hàm trơn tuỳ ý
nếu đưa vào một số số hạng vừa đủ. Nội dung này được gọi là “lý thuyết các phản xạ
nhỏ”.
Ở trên ta đã thảo luận cách thức một trở kháng tải thực bất kỳ có thể được phối hợp
với một đường truyền trên toàn một băng thông mong muốn bằng cách sử dụng bộ
phối hợp nhiều phân đoạn. Khi số lượng các phân đoạn rời rạc (N) tăng lên thì sự khác
biệt về trở kháng đặc tính giữa các phân đoạn sẽ giảm đi. Khi N tiến đến vô cùng,
chúng ta có một cấu trúc mà sự biến đổi trở kháng đặc trưng là liên tục (hình 2.17).
Hình 2.17. Phối hợp trở kháng bằng dải liên tục và mô hình để tăng số lượng phân
đoạn N lên tiến tới vô cùng [2]
(a). Bộ phối hợp trở kháng liên tục
(b). Bộ phối hợp nhiều phân đoạn
Tất nhiên, trong thực tế, một bộ phối hợp trở kháng phải có chiều dài hữu hạn, và
thường không dài hơn một vài phân đoạn. Nhưng thay vì các phân đoạn rời rạc, bộ
phối hợp trở kháng có thể là đoạn liên tục như trong hình 2.17. Sau đó, bằng cách thay
đổi hình dạng của bộ phối hợp trở kháng, chúng ta có thể đạt được các đặc tính dải
truyền khác nhau.
Ta sẽ rút ra lí thuyết gần đúng về bộ biến đổi liên tục, dựa trên “lí thuyết các phản xạ
nhỏ” để biểu thị sự phụ thuộc của hệ số phản xạ theo sự biến đổi của trở kháng đặc
tính Z(z).
Hình 2.17a mô tả một đoạn đường truyền liên tục giống như được ghép bởi nhiều vi
phân đoạn ∆z mà trở kháng đặc tính của các vi phân đoạn chênh nhau một lượng
∆Z (z ) . Khi đó gia số của hệ số phản xạ tại z sẽ là:
∆Γ =
(Z + ∆Z ) − Z ≅
∆Z 1 ∆Z
= (2.9)
(Z + ∆Z ) + Z 2Z 2 Z
Cho ∆z → 0 , ta nhận được:

1 dZ 1 d (ln Z Z 0 )
dΓ = = dz
2 Z 2 dz
d (ln f ( z )) 1 df (z ) df ( z ) d (ln f ( z ))
Lưu ý rằng: = ⇒ = dz
dz f ( z ) dz f ( z) dz
Áp dụng lý thuyết các phản xạ nhỏ, hệ số phản xạ tổng tại z = 0 có thể tìm được bằng
cách lấy tổng tất cả các hệ số phản xạ riêng, với góc dịch pha tương ứng:
d ⎛ Z ⎞
L
1
Γ(θ ) = ∫ e − 2iβz ln⎜ ⎟dz trong đó θ = 2βl . (2.10)
2 z =0 dz ⎜⎝ Z 0 ⎟⎠
Nếu biết Z(z) thì có thể tìm hàm Γ(θ ) là hàm phụ thuộc tần số, ngược lại nếu cho
trước Γ(θ ) thì về nguyên tắc có thể xác định hàm Z(z), tuy nhiên đây là một thủ tục rất
khó và trong thực thế người ta thường tránh thực thiện.
2.4.3. Một số bộ phối hợp trở kháng dải rộng

Chúng ta sẽ xem xét một vài trường hợp đặc biệt của Z(z) và đưa ra các đánh giá về
đáp ứng của Γ(θ ) .
2.4.3.1. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ

Chúng ta hãy xem xét bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ, trong đó:
Z ( z ) = Z 0 eαz , trong đó 0 < z < L (2.11)
Hàm Z(z) trong (2.11) được vẽ trong hình 2.19a.
Hình 2.18. Bộ phối hợp trở kháng dạng hàm mũ
Tại z = 0, ta mong muốn đạt được: Z(0) = Z0. Với biểu thức của Z(z) đã chọn ở trên, ta
sẽ có:
Z(0) = Z0eα0 = Z0 (đúng như điều ta mong muốn)
Tại z = L, chúng ta mong muốn đạt được:
1 ⎛ ZL ⎞
Z(L) = ZL = Z0 eαL ⇒α = ln⎜ ⎟ (2.12)
L ⎜⎝ Z 0 ⎟⎠
Bây giờ chúng ta sẽ tìm hệ số phản xạ tổng Γ(θ) bằng cách sử dụng (2.12) và (2.11)
thay vào (2.10), chúng ta có:
L
1
Γ(θ ) = ∫ e −2 jβz
20
d
dz
(
ln eαz dz )
L
ln Z L / Z 0 −2 jβz
⇒ Γ(θ ) =
2L ∫0 e dz
ln Z L / Z 0 − jβL sin β L (2.13)
⇒ Γ(θ ) = e
2 βL
(a)
(b)
Hình 2.19. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ [4]
(a). Sự biến đổi của trở kháng theo z
(b). Đáp ứng biên độ của hệ số phản xạ Γ(θ)
Ta nhận xét rằng, phép lấy đạo hàm này thừa nhận rằng β (hệ số lan truyền của bộ phối
hợp trở kháng kiểu liên tục) không là hàm của z. Giả định này nói chung chỉ hợp lý đối
với các đường truyền TEM.
Biên độ của hệ số phản xạ tổng Γ(θ) trong (2.13) được vẽ trong hình 2.19b; chú ý rằng
các đỉnh của |Γ| giảm khi tăng chiều dài L của bộ phối hợp trở kháng. Và chiều dài L
nên chọn lớn hơn λ/2 (βL > π) nhằm mục đích tối thiểu hoá sự mất phối hợp trở kháng
ở tần số thấp.
2.4.3.2. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác
Tiếp theo chúng ta xem xét bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác đối với thành
phần [dln(Z/Z0)]/dz. Trong đó, Z(z) có dạng:
⎧⎪ Z 0 e 2 ( z / L ) ln Z L / Z 0
2
với 0 ≤ z ≤ L / 2 (2.14)
Z ( z) = ⎨ 2 2
⎪⎩Z 0 e ( 4 z / L − 2 z / L −1) ln Z L / Z 0 với L / 2 ≤ z ≤ L
Hình 2.20. Bộ phối hợp trở kháng dạng tam giác
Từ biểu thức (2.14) ta xác định được:
d (ln Z / Z 0 ) ⎧ (4 z / L2 ) ln(Z L / Z 0 ) với L / 2 ≤ z ≤ L (2.15)
=⎨
⎩(4 / L − 4 z / L ) ln(Z L / Z 0 )
2
dz với 0 ≤ z ≤ L / 2
Đồ thị của Z(z) được vẽ trong hình 2.21a. Thay (2.15) trở lại (2.10) ta có:
2
1 ⎛Z ⎞ ⎡ sin( βL / 2) ⎤
Γ(θ ) = e − jβL ln⎜⎜ L ⎟⎟ ⎢ ⎥
2 ⎝ Z0 ⎠⎣ βL / 2 ⎦ (2.16)
(a)
(b)
Hình 2.21. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác [4]
Biên độ của Г là |Г| được vẽ trong hình 2.21b. Chú ý rằng, với βL > 2π, các đỉnh của
|Г| của bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác nhỏ hơn các đỉnh tương ứng của
|Г| của bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ. Nhưng điểm không (của |Г|) đầu
tiên đối với bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác xảy ra tại βL = 2π, trong khi
điểm không (của |Г|) đầu tiên đối với bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ xảy
ra ở βL = π.
2.4.3.3. Bộ phối hợp trở kháng liên tục Klopfenstein

Hãy xem xét một thực tế rằng, có rất nhiều hình dạng có thể chọn cho bộ phối hợp trở
kháng liên tục. Do đó, ta có thể đặt ra câu hỏi là “Hình dạng nào phù hợp nhất đối với
bộ phối hợp trở kháng liên tục?”. Với một chiều dài cho trước của bộ phối hợp trở
kháng liên tục (lớn hơn một giá trị tới hạn), bộ phối hợp trở kháng liên tục
Klopfenstein được cho là tối ưu ở phương diện hệ số phản xạ nhỏ nhất trên toàn dải
truyền. Nếu xét đặc điểm hệ số phản xạ cực đại trong dải truyền, thì bộ phối hợp trở
kháng Klopfenstein cho chiều dài phần phối hợp trở kháng ngắn nhất.
Bộ phối hợp trở kháng liên tục Klopfenstein nhận được từ bộ phối hợp dải rộng nhiều
đoạn Chebyshev khi ta cho số lượng các đoạn tiến tới vô cùng, điều này cũng tương tự
như phân bố Taylor của lý thuyết mảng anten. Chúng ta sẽ không thể hiện chi tiết các
biến đổi này, mà chỉ đưa ra các kết quả để thiết kế các bộ phối hợp trở kháng liên tục
Klopfenstein.
Hình 2.22. Bộ phối hợp trở kháng Klopfenstein
Loga của trở kháng đặc trưng của bộ phối hợp trở kháng Klopfenstein được cho bởi:
1 Γ0
ln Z ( z ) = ln Z 0 Z L + A2φ (2 z / L − 1, A) với 0 ≤ z ≤ L (2.17)
2 cosh A
Trong đó, hàm φ ( x , A) được định nghĩa như sau:

x
I1 ( A 1 − y 2 ) với x ≤ 1 (2.18)
φ ( x, A) = −φ (− x, A) = ∫ dy
0 A 1− y 2
Trong đó, I1(x) là hàm Bessel sửa đổi. Hàm này nhận các giá trị đặc biệt dưới đây:
φ ( 0, A ) = 0
φ ( x ,0 ) = x / 2
cosh A − 1
φ (1, A) =
A2
Nhưng nếu không thì hàm I1(x) phải được tính toán theo phương pháp số.
Hệ số phản xạ tổng được cho bởi:

− jβL cos ( β L) 2 − A 2
Γ(θ ) = Γ0 e với βL > A (2.19)
cosh A
Nếu βL < A, thì ta có cos ( β L ) 2 − A 2 trở thành cosh A 2 − (βL) 2 .
Trong (2.17) và (2.19), Г0 là hệ số phản xạ tại tần số 0 Hz, và được cho bởi:
Z − Z0 1 ⎛ Z L ⎞
Γ0 = L ≈ ln⎜ ⎟
Z L + Z 0 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟⎠ (2.20)
Dải truyền được định nghĩa với β L ≥ A , và giá trị độ gợn cực đại trong dải truyền là:
Γ0
Γm =
cosh A (2.21)
Bởi vì Γ (θ ) dao động trong khoảng (−Γ0 / cosh A,+ Γ0 / cosh A) với βL > A.
Chú ý rằng, hàm Z(z) trong (2.17) có các bước nhảy tại z = 0 và z = L (hai đầu của bộ
phối hợp trở kháng). Giống như bộ phối hợp trở kháng nhiều đoạn Chebyshev, đáp
ứng của bộ phối hợp trở kháng liên tục Klopfenstein có các đỉnh (phần gợn) bằng nhau
trên toàn dải truyền của nó.
(a)
(b)
Hình 2.23. Bộ phối hợp trở kháng liên tục Klopfenstein [4]
2.4.4. Tiêu chuẩn Bode – Fano

Chúng ta sẽ giới hạn các thảo luận đối với mạch trong hình 2.1, ở đó mạng phối hợp
trở kháng không tổn hao được sử dụng để phối hợp một tải phức bất kỳ trên toàn băng
thông của nó. Chúng ta có thể đặt ra mấy câu hỏi sau đây:
¾ Chúng ta có thể đạt được phối hợp trở kháng hoàn hảo không (hệ số phản xạ
bằng 0) trên toàn băng thông xác định?
¾ Nếu không đạt được phối hợp trở kháng hoàn hảo, thì chúng ta có thể phối hợp
trở kháng tốt tới mức nào? Đâu là sự thoả hiệp giữa Гm, sự phản xạ cực đại có
thể cho phép trong dải truyền và băng thông?
¾ Mạng phối hợp trở kháng phải phức tạp đến mức nào để thoả mãn các tiêu
chuẩn cho trước?
Các câu hỏi này có thể được trả lời bởi tiêu chuẩn Bode – Fano (chỉ phù hợp với một
số loại trở kháng tải nhất định). Tiêu chuẩn này chỉ ra: giới hạn nhỏ nhất (về lý thuyết)
biên độ của hệ số phản xạ có thể đạt được đối với một mạng phối hợp trở kháng bất
kỳ. Do đó, tiêu chuẩn Bode – Fano thể hiện kết quả tối ưu có thể đạt được một cách lý
tưởng, và dù kết quả như vậy trong thực tế chỉ là xấp xỉ. Tuy nhiên, các kết quả tối ưu
như vậy luôn quan trọng, bởi vì chúng đưa ra giới hạn trên về hiệu suất và cung cấp
một điểm chuẩn để mà các thiết kế thực tế có thể so sánh.
THIẾT KẾ ANTEN DẸT CẤU TRÚC XOẮN, TIẾP

CHƯƠNG 3 ĐIỆN DÙNG ĐƯỜNG TRUYỀN VI DẢI
Tóm tắt
Khóa luận tập trung thiết kế một anten đơn cực phẳng phù hợp cho ứng dụng trong
các thiết bị cầm tay di động (mobile hanset). Anten bao gồm một bộ phát xạ hình chữ
nhật bị xẻ bởi các rãnh uốn khúc tạo thành 3 nhánh, trong đó 2 nhánh cộng hưởng và
1 nhánh điều chỉnh. Anten được in trên chất nền FR4 và được tiếp điện bởi một đường
vi dải 50 Ω. Anten này có thể hoạt động trong các dải tần GSM, DCS, PCS, UTMS và
WLAN với hệ số sóng đứng VSWR nhỏ hơn 2.5.
Chương này sẽ trình bày chi tiết phương pháp thiết kế từng thành phần của anten như:
thành phần bức xạ, bộ phối hợp trở kháng dải rộng, đường vi dải 50 Ohm.
3.1. Giới thiệu

Sự phát triển nhanh cóng của các hệ thống truyền thông không dây hiện đại kéo theo
xu hướng thiết kế các anten nhiều băng tần và anten băng rộng hoặc các anten có cả
hai tính chất này. Có rất nhiều hình dạng anten khác nhau đã được nghiên cứu dành
cho các thiết bị cầm tay di động, chẳng hạn như: anten hình F ngược phẳng (PIFA,
Planar Inverted-F Antenna), anten dây phẳng và anten đơn cực phẳng. PIFA có kích
thước tương đối nhỏ, nhưng băng thông của nó khá hẹp, và chiều cao từ anten tới mặt
phẳng đất phải đủ thì mới đạt được hiệu suất có thể chấp nhận được. Anten dây phẳng
cho băng thông lớn hơn, nhưng nó lại có kích thước lớn nên không phù hợp cho các
ứng dụng di động. Các anten đơn cực phẳng có các ưu điểm hơn như: kích thước nhỏ,
băng thông đủ lớn cho các ứng dụng di động và thỏa mãn yêu cầu về giản đồ bức xạ.
Tuy nhiên, cấu trúc của các anten đơn cực lại là cấu trúc 3D thay vì 2D, điều này làm
tăng sự khó khăn trong sản xuất và giá thành.
Trong khóa luận này, một anten đơn cực phẳng với cấu trúc 2D được thiết kế. Cả cấu
trúc và các tham số của cấu trúc đều được điều chỉnh một cách cẩn thận để đạt được
yêu cầu cộng hưởng ở nhiều tần số (đa cộng hưởng), băng thông đủ và convenient
profile. Anten có 3 nhánh và được in trên một tấm điện môi. Trước tiên, 2 nhánh được
thiết kế để cộng hưởng ở 2 tần số nhất định, và sau đó nhánh thứ 3 được thêm vào để
điều chỉnh tần số cộng hưởng cho phù hợp với các dải tần mong muốn. Với diện tích
nhỏ 36 x 15 mm2, anten đáp ứng yêu cầu của các chuẩn truyền thông sau: GSM
(Global System for Mobile communications, 890 MHz – 960 MHz), DCS (Digital
Communication System, 1710 MHz – 1880 MHz), PCS (Personal Communication
Services, 1850 MHz – 1990 MHz), UTMS (Universal Mobile Telecommunication
System, 1920 MHz – 2170 MHz) và WLAN (Wireless Local Area Network, 2400
MHz – 2484 MHz).
Hình 3.1. Hình dạng của anten được thiết kế trong khóa luận
3.2. Thiết kế thành phần bức xạ

Hình dạng tổng thể của anten mà khoá luận thiết kế được thể hiện trong hình 3.1 và
thành phần bức xạ được thể hiện trong hình 3.2 dưới đây.
Hình 3.2. Thành phần bức xạ của anten
Thành phần bức xạ đơn cực phẳng chiếm diện tích là 36 x 15 mm2, và được in trên
chất nền FR4 dày 0.8 mm (hằng số điện môi tương đối là 4.4). Tấm điện môi này được
dùng phổ biến để làm các mạch PCB cho điện thoại di động. Chất nền (lớp điện môi)
rộng 36 mm và dài 75 mm. Ở mặt sau của tấm điện môi, mặt phẳng đất được in có
chiều rộng 36 mm và chiều dài 60 mm. Thành phần bức xạ đơn cực được tiếp điện bởi
một đường vi dải 50 Ω như được chỉ ra trong hình 3.1.
Thành phần bức xạ chính (patch) ban đầu có dạng hình chữ nhật. Bằng cách xẻ một
rãnh uốn khúc trên thành phần bức xạ ban đầu tạo ra 3 nhánh, trong đó nhánh cộng
hưởng thứ nhất là nhánh dài hơn, nhánh cộng hưởng thứ hai là nhánh ngắn hơn và
nhánh điều chỉnh (nhánh thứ ba) với các kích thước chi tiết được chỉ ra trong hình 3.3.
Hình 3.3. Kích thước chi tiết thành phần bức xạ của anten
Ta mong muốn anten hoạt động tại 2 dải tần (dải thứ nhất cho GSM và dải thứ hai gồm
4 dải gần nhau là DCS, PCS, UTMS và WLAN), do đó thiết kế ban đầu chỉ có 2 nhánh
cộng hưởng (không có nhánh thứ ba). Chiều dài của nhánh dài hơn tính từ điểm tiếp
điện tới đầu cuối của nhánh cộng hưởng thứ nhất là khoảng 75 mm. Giá trị này rất gần
với ¼ bước sóng tại tần số 900 MHz trong không gian tự do. Cũng nên chú ý rằng, tần
số cộng hưởng phụ thuộc cả vào chiều dài của nhánh và chiều rộng của đầu cuối. Theo
cách tương tự, chiều dài của nhánh cộng hưởng thứ hai tính từ điểm tiếp điện tới đầu
cuối của nó là khoảng 35 mm, xấp xỉ ¼ bước sóng tại tần số 2 GHz. Độ dài 2 nhánh
cộng hưởng được chọn ngắn hơn so với ¼ bước sóng cộng hưởng được chọn. Lý do
chính là một số tồn tại trong thực tế của chất nền sẽ thu ngắn bước sóng cộng hưởng.
Anten với chỉ 2 nhánh cộng hưởng 1 và 2 có khả năng hoạt động ở 2 dải tần. Tuy
nhiên, băng thông lại chưa đủ để bao phủ tất cả 5 dải tần được liệt kê ở trên, đặc biệt là
dải WLAN (kết quả mô phỏng được thể hiện trong chương sau). Do đó, nhánh điều
chỉnh (nhánh thứ ba) được thêm vào tại một vị trí thích hợp trên nhánh cộng hưởng thứ
nhất. Các kết quả mô phỏng chỉ ra rằng, bằng cách điều chỉnh cẩn thận các kích thước
của nhánh thứ ba, các mode cộng hưởng cơ bản và bậc cao hơn của nhánh cộng hưởng
thứ nhất có thể được điều chỉnh tới tần số mong muốn. Theo dữ liệu mô phỏng, tần số
cộng hưởng của mode cơ bản được giảm từ 900 MHz xuống 870 MHz. Đối với mode
bậc cao hơn, tần số cộng hưởng thay đổi từ lớn hơn 3 GHz xuống khoảng 2.3 GHz. Do
đó, anten khi có đủ 3 nhánh có thể hoạt động ở cả 5 dải tần
GSM/DCS/PCS/UTMS/WLAN.
3.3. Thiết kế thành phần phối hợp trở kháng dải rộng
3.3.1. So sánh một số bộ phối hợp trở kháng dải rộng
Trong phần này, ta đưa ra một ví dụ về thiết kế bộ phối hợp trở kháng dải rộng. Sau đó
vẽ đồ thị biến đổi của Z(z) và Γ(θ ) để so sánh.
Ví dụ: Thiết kế bộ phối hợp trở kháng liên tục

Thiết kế bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng tam giác, dạng hàm mũ và dạng
Klopfenstein (với Гm = 0.02) để phối hợp tải 50 Ω với đường truyền 100 Ω. Vẽ sự biến
đổi trở kháng Z(z) theo z và biên độ của hệ số phản xạ theo βL.
Giải
Bộ phối hợp trở kháng dạng tam giác:

Từ (2.14), sự biến đổi của trở kháng Z(z) theo z là:
⎧⎪ Z 0 e 2 ( z / L ) ln Z L / Z 0 với 0 ≤ z ≤ L / 2
2
Z ( z) = ⎨
( 4 z / L − 2 z 2 / L2 −1) ln Z L / Z 0
⎪⎩Z 0 e với L / 2 ≤ z ≤ L
Với Z0 = 100 Ω và ZL = 50 Ω. Đáp ứng biên độ của hệ số phản xạ được cho bởi (2.16):
2
1 ⎛Z ⎞ ⎡ sin( β L / 2) ⎤
| Γ(θ ) |= ln⎜⎜ L ⎟⎟ ⎢ ⎥
2 ⎝ Z0 ⎠ ⎣ βL / 2 ⎦
Bộ phối hợp trở kháng dạng hàm mũ:

Từ (2.11) ta có:
Z ( z ) = Z 0 eα z , trong đó 0 < z < L
với α = (1 / L) ln Z L / Z 0 = 0.693 / L . Đáp ứng biên độ của hệ số phản xạ được cho bởi
(2.13):
ln Z L / Z 0 sin β L
| Γ(θ ) |=
2 βL
Bộ phối hợp trở kháng Klopfenstein:

Sử dụng (2.20) cho Г0:
Z − Z0 1 ⎛ Z L ⎞
Γ0 = L ≈ ln⎜ ⎟ = 0.346
Z L + Z 0 2 ⎜⎝ Z 0 ⎟⎠
Và sử dụng (2.21) cho A ta có:

Γ0 ⎛Γ ⎞ ⎛ 0.346 ⎞
Γm = ⇒ A = cosh −1 ⎜⎜ 0 ⎟⎟ = cosh−1 ⎜ ⎟ = 3.543
cosh A ⎝ Γm ⎠ ⎝ 0.002 ⎠
Biểu thức của Z(z) có thể tính được theo (2.17). Đáp ứng biên độ của hệ số phản xạ
được cho bởi (2.19):
cos ( βL) 2 − A2
| Γ(θ ) |= Γ0
cosh A
Dải truyền đối với bộ phối hợp trở kháng Klopfenstein được định nghĩa với:
βL > A = 3.543 = 1.13π.
Hình 3.4.a,b thể hiện sự biến đổi trở kháng (theo z/L) và đáp ứng biên độ của hệ số
phản xạ (theo βL) đối với 3 loại bộ phối hợp trở kháng trên.
(a)
(b)
Hình 3.4. Đồ thị cho ví dụ trên [4]

(a). Sự biến đổi của Z(z) của bộ phối hợp dạng tam giác (T), hàm mũ (E) và Klop (K)
(b). Đáp ứng biên độ - tần số của hệ số phản xạ cho 3 loại bộ phối trên
Ta dễ dàng nhận thấy rằng, bộ phối hợp trở kháng Klopfenstein cho đáp ứng mong
muốn |Г| <= Гm = 0.02 khi βL >= 1.13π thấp hơn so với 2 bộ phối hợp trở kháng kia.
Trong dải thông của bộ phối hợp trở kháng Klopfenstein, đáp ứng biên độ có các đỉnh
bằng nhau.
3.3.2. Lựa chọn bộ phối hợp trở kháng dải rộng

Trong khóa luận này ta lựa chọn bộ phối hợp trở kháng dạng tam giác. Do hình dạng
của nó dễ dàng thực hiện được bằng phương pháp thủ công.
3.4. Thiết kế đường truyền vi dải 50 Ω
3.4.1. Thiết kế với Ansoft Designer 2.0
Chúng ta sẽ xác định độ rộng (W) của một đường truyền vi dải có trở kháng đặc trưng
Z0 = 50 Ω, hằng số điện môi chất nền εr = 4.4 (FR4-epoxy), chiều cao chất nền h = 0.8
mm, độ dày lớp đồng là t = 0.034 mm.
Các bước thiết kế lần lượt như sau:

1. Khởi động Ansoft Designer 2.0
2. Từ menu Project, chọn Insert Planar EM Design… Sau đó cửa sổ Choose
Layout Technology xuất hiện cho phép bạn chọn Layout.
3. Ta chọn MS-FR4(Er=4.4) 0.060 inch, 0.5 oz copper. Sau đó nhấn Open.
4. Cửa sổ thiết kế xuất hiện, cho phép bạn thực hiện các thao tác thiết kế. Từ menu
Layout, ta chọn Layers, chọn tab Stackup để sửa đổi các thông số của đường
truyền như hình 3.5 sau:
Hình 3.5. Thiết lập các thông số của đường truyền
5. Ta sẽ ước lượng độ rộng (W) của đường truyền vi dải. Từ menu Planar EM, ta
chọn Estimate. Cửa sổ Estimate xuất hiện, với tab mặc định là Tline.
Hình 3.6. Ước lượng độ rộng W của đường truyền vi dải
Nhập trở kháng đặc trưng của đường truyền vào phần “Estimate Parameters” và nhấn
Calculate. Ansoft Designer cho kết quả W = 1.526 mm như trong hình 3.6.
3.4.2. Thiết kế dựa vào lý thuyết đường truyền vi dải

Đường truyền phẳng (planar transmission line) là thành phần tạo nên mạng tiếp điện vi
dải và các anten mạch in. Anten có thể được tiếp điện bởi nhiều loại đường truyền
khác nhau, như là các bộ chia công suất, bộ dịch pha, bộ suy giảm, …
Có nhiều phương pháp số đã được giới thiệu mô hình hóa đường truyền vi dải, và các
phương pháp này sử dụng một số lượng lớn phép tính toán học. Ở đây, ta đưa ra các
biểu thức có độ chính xác phù hợp với các loại sai số khác nhau, chẳng hạn như: dung
sai trong các tham số vi dải (εr, h và W) và sai số do phép đo. Các biểu thức sẽ được
thể hiện bao gồm: trở kháng đặc trưng, bước sóng, mất mát trên đường truyền, công
suất cho phép (power handling capability) và hệ số phẩm chất Q. Mode chiếm ưu thế
trên đường truyền vi dải là mode quasi-TEM. Ta sử dụng phép phân tích quasi-static
cho một cấu trúc truyền dẫn để xác định dung kháng C trên mỗi đơn vị chiều dải
đường truyền. Sau đó, giá trị này được sử dụng để xác định trở kháng đặc trưng (Z0)
và hằng số điện môi hiệu dụng của đường truyền (εre) bằng cách sử dụng các quan hệ
dưới đây:
Z 0 = (c CC a ) −1 (3.1)
εre = C/Ca (3.2)
Trong đó, Ca là dung kháng trên mỗi đơn vị chiều dài của đường truyền vi dải khi lớp
điện môi được thay thế bằng không khí và c là vận tốc ánh sáng trong chân không.
3.4.2.1. Trở kháng đặc trưng Z0

Giả sử độ dày của lớp đồng dẫn điện t = 0. Trở kháng đặc trưng của một đường truyền
vi dải được xác định như sau:
η0
Z0 = ln( F1 / u + 1 + 4 / u 2 ) (3.3)
2π ε re
Trong đó:
F1 = 6 + (2π − 6) exp{−(30.666 / u ) 0.7528 }
η 0 = 120π Ω
u =W /h
Hằng số điện môi hiệu dụng:

ε +1 ε r −1 10
ε re = r + (1 + ) −ab (3.4)
2 2 u
Trong đó:
1 ⎧ u 4 + (u / 52) 2 ⎫ 1 ⎧⎪ ⎛ u ⎞ 3 ⎫⎪
a = 1 + ln ⎨ 4 ⎬+ ln ⎨1 + ⎜ ⎟ ⎬
49 ⎩ u + 0.432 ⎭ 18.7 ⎪⎩ ⎝ 18.1 ⎠ ⎪⎭
0.053
⎛ ε − 0. 9 ⎞
b = 0.564⎜⎜ r ⎟⎟
ε
⎝ r − 0 . 3 ⎠
Hình 3.7. Hình dạng đường truyền vi dải và mô hình dẫn sóng phẳng tương ứng
Ở đây, W là chiều rộng của dải dẫn điện, h là độ dày của chất nền điện môi, và εre là
giá trị hằng số điện môi hiệu dụng tại tần số zero của đường vi dải. Sai số tương đối
lớn nhất của Z0 theo công thức (3.3) nhỏ hơn 1%. Độ chính xác của biểu thức cho εre
nhỏ hơn 0.2% đối với các chất nền có εre <= 128 và 0.01 <= u <= 100.
Đối với Z 0 ε re > 89.91 , và A > 1.52, ta có:

W 8 exp( A)
= (3.5)
h exp(2 A) − 2
Đối với Z 0 ε re < 89.91 và A<= 1.52, ta có:
W 2⎧ ε −1 ⎡ 0.61⎤ ⎫
= ⎨ B − 1 − ln(2 B − 1) + r ⎢ln( B − 1) + 0.39 − ⎬ (3.6)
h π⎩ 2ε r ⎣ ε r ⎥⎦ ⎭
Trong đó:
1/ 2
Z 0 ⎧ ε r + 1⎫ ε r −1 ⎧ 0.11⎫
A= ⎨ ⎬ + ⎨0.23 + ⎬
60 ⎩ 2 ⎭ εr +1⎩ εr ⎭
60π 2
B=
Z0 ε r
Một lần nữa, độ chính xác của (3.5) và (3.6) đạt tới nhỏ hơn 1%. Ảnh hưởng của độ
dày dải kim loại dẫn điện t tới trở kháng đặc trưng Z0 có thể được kể đến bằng cách
thay thế u bằng u’ trong công thức (3.3), trong đó u’ được định nghĩa như sau :
1 t ⎛ 4 exp(1) ⎞
u '0 = u + ln⎜⎜1 + ⎟ với εr = 1 (3.7a)
π h ⎝ (t / h) coth ( 6.517u ) ⎟⎠
2
u ' 0 − u ⎛⎜ 1 ⎞
⎟
u'z = u + 1+ với εr > 1 (3.7b)
2 ⎜⎝ cosh ε r − 1 ⎟⎠
Dựa vào các phương trình trên đây, trở kháng đặc trưng và hằng số điện môi hiệu dụng
của một đường vi dải với t > 0 và εr > 1 được cho bởi công thức sau :
'
Z 0t = Z 0 (u z ) (3.8a)
ε ret = ε re (u z ' ) (3.8b)
3.4.2.2. Bước sóng trên đường vi dải λ

Bước sóng trên đường vi dải được yêu cầu để thiết kế các mạch vi dải và các anten vi
dải. Nó được định nghĩa như sau :
υp
λ= (3.9)
f
Trong đó, f là tần số hoạt động, và υ p là vận tốc pha trên đường vi dải, và được cho
bởi :
c
υp = (3.10)
ε re ( f )
Và c là vận tốc ánh sáng. Giá trị εre(f) luôn nhỏ hơn hằng số điện môi εr của chất nền.
Từ (B.9) và (B.10) ta có :
λ0
λ= (3.11)
ε re ( f )
Trong đó, λ0 là bước sóng trong không gian tự do. Hằng số điện môi hiệu dụng εre(f)
được cho bởi :
ε − ε re
ε re ( f ) = ε r − r (3.12a)
1 + P( f )
Trong đó :
P( f ) = P1 P2 {(0.1844 + P3 P4 ) f n }
1.5763
{ }
P1 = 0.27488 + u 0.6315 + 0.525 /(1 + 0.00157 f n ) 20 − 0.065683 exp( −8.7513u )
P2 = 0.33622{1 − exp(−0.03442ε r )}
P3 = 0.0363 exp( −4.6u ){1 − exp[ −( f n / 38.7) 4.97 ]}
{
P 4 = 1 + 2.75 1 − exp[−(ε r / 15.916) 8 ] }
f n = fh (G Hz.mm) = 47.713k 0 h (3.12b)
Tần số f tính theo GHz và độ dày h tính theo mm. Độ chính xác của (3.12a) khoảng
0.6% khi tần số tới tận 60 GHz với 1 ≤ ε r ≤ 20, 0.1 ≤ W / h ≤ 100, 0 ≤ h / λ0 ≤ 0.13 .
Mô hình dẫn sóng phẳng

Mô hình dẫn sóng phẳng của một đường vi dải đã được phát triển để phân tích những
chỗ bất liên tục trong các mạch vi dải. Từ đó, nó được sử dụng trong nhiều ứng dụng
khác. Đối với mô hình dẫn sóng phẳng, đường vi dải được mô hình hóa như một dẫn
sóng có 2 bản dẫn điện song song và chiều dài hữu hạn, với các vật dẫn từ lí tưởng ở
các mặt xung quanh và các vật dẫn điện lí tưởng ở mặt trên và mặt dưới của dẫn sóng.
Cấu hình này được thể hiện trong hình 3.7. Dẫn sóng có độ cao h bằng với độ dày của
chất nền vi dải. Dẫn sóng được lấp đầy bởi một điện môi có hằng số điện môi tương
đối εre. Điều này đảm bảo rằng, dẫn sóng phẳng và đường vi dải tương ứng có cùng
vận tốc pha. Độ rộng bản đối với dẫn sóng là We được xác định để đảm bảo rằng cả
dẫn sóng và đường vi dải đều có cùng trở kháng đặc trưng Z0 là :
η h
Z0 = 0 (3.13)
ε re We
Một biểu thức đối với độ rộng hiệu dụng We là một hàm của các tham số vật lý của
đường vi dải có thể được xác định bằng cách so sánh (3.3) và (3.13). Hằng số điện môi
hiệu dụng εre có thể nhận được hoặc là từ (3.4) hoặc là từ (3.12). Biểu thức We phụ
thuộc vào tần số là :
We (0) − W
We ( f ) = W + (3.14)
1 + ( f / f c1 ) 2
Trong đó We(0) là giá trị We khi sử dụng phép phân tích quasi-static được định nghĩa
trong (3.13) và fc1 là tần số cắt của mode TE10 trong mô hình dẫn sóng phẳng :
c
f c1 = (3.15)
2We (0) ε re
Giá trị phụ thuộc tần số của trở kháng đặc trưng Z0(f), dựa trên mô hình dẫn sóng
phẳng, được định nghĩa như sau :
η0 h
Z0 ( f ) = (3.16)
ε re ( f ) We ( f )
3.4.2.3. Công suất cho phép trung bình Pav

Công suất cho phép trung bình (average power handling capability, APHC) của một
đường vi dải được quyết định bởi sự tăng nhiệt độ của dải dẫn điện và chất nền điện
môi. Các tham số tham gia vào các phép tính toán khả năng lưu giữ năng lượng trung
bình là các tham số mất mát trên đường truyền, nhiệt dẫn suất của vật liệu chất nền,
diện tích bề mặt của dải dẫn điện và nhiệt độ. Do đó, các chất nền điện môi với mất
mát bề mặt thấp (low-loss tangent) và nhiệt dẫn suất lớn sẽ làm tăng khả năng lưu giữ
năng lượng trung bình của đường vi dải.
Năng lượng trung bình cực đại đối với một đường vi dải cho trước có thể được tính
toán từ công thức :
Tmax − Tamb
Pav = (3.20)
∆T
Với gia số nhiệt độ là :
0.2303h ⎛ α c αd ⎞
∆T = ⎜⎜ + ⎟ (o C /W ) (3.21)
K ⎝ We 2We ( f ) ⎟⎠
Trong đó, We được định nghĩa ở (3.13) và :

We − W
We ( f ) = W + (3.22)
1 + ( f / f p )2
Z0
fp = (3.23)
2µ 0 h
Tmax : nhiệt độ lớn nhất cho phép đối với chất nền
Tamb : nhiệt độ môi trường xung quanh (ambient)
αc (dB/đơn vị chiều dài) : mất mát do vật dẫn trên dải dẫn điện
αd (dB/đơn vị chiều dài) : mất mát do điện môi của chất nền
K = nhiệt dẫn suất của vật liệu chất nền
Các đặc tính của các chất nền khác nhau được đưa ra trong bảng 3.1. Đối với
polystyrene, nhiệt độ lớn nhất cho phép là 1000, trong khi các điện môi còn lại đều có
nhiệt độ lớn nhất cho phép lớn hơn 1000. Với Tmax = 1000, Tamb = 250 và Z0 = 50 Ω, giá
trị của APHC đối với các chất nền khác nhau tại 2 GHz và 10 GHz được tính toán và
được liệt kê trong cùng bảng. Trong các điện môi xem xét, APHC thấp nhất ở điện
môi polystyrene và cao nhất ở điện môi BeO.
Bảng 3.1 : Các đặc tính của các chất nền điện môi khác nhau và APHC
tanδ ở 10 K Độ bền APHC ở APHC ở
Vật liệu ε 0
GHz (W/cm/ C) (kV/cm) 2.0 GHz 10.0GHz
-4
Polystyrene 2.53 4.7x10 0.0015 280 0.321 0.124
-4 3
Thạch anh 3.8 1.0x10 0.01 10x10 1.200 0.523
3 -4
Si (ρ=10 Ω-cm) 11.7 50x10 0.9 300 3.19 2.23
GaAs(ρ=107Ω-cm) 12.3 16x10-4 0.3 350 3.55 1.47
-4 3
Ngọc bích 11.7 1x10 0.4 4x10 11.65 5.10
-4 3
Alumina 9.7 2x10 0.3 4x10 12.12 5.17
-4
BeO 6.6 1x10 2.5 - 174.5 75.7
3.4.2.4. Công suất cho phép tối đa Pp

Việc tính toán công suất cho phép tối đa của đường vi dải phức tạp hơn. Điện áp đỉnh
có thể đặt vào đường vi dải mà không gây ra đánh thủng điện môi xác định công suất
cho phép tối đa (Peak Power Handling Capability, PPHC). Nếu Z0 là trở kháng đặc
trưng của đường vi dải và V0 là điện áp cực đại mà đường vi dải có thể chịu đựng
được, năng lượng cực đại được cho bởi:
Pp = V02/(2Z0) (3.24)
Các chất nền dày có thể chịu đượng điện áp cao hơn. Do đó, các đường truyền có trở
kháng đặc trưng thấp và các đường truyền có chất nền dày sẽ cho công suất cho phép
tối đa lớn hơn.
Cường độ trường cực đại cho vật liệu điện môi (dielectric strength) của vật liệu chất
nền, cũng như cường độ trường cực đại cho không khí, là các tham số quan trọng.
Cường độ đánh thủng của không khí khô xấp xỉ 30 kV/cm. Do đó, điện trường cực đại
gần cạnh của dải dẫn phải nhỏ hơn 30 kV/cm. Để tránh đánh thủng không khí gần
cạnh của dải dẫn điện, thì cạnh của dải dẫn điện nên được sơn một lớp sơn (có tính
chất điện môi), lớp sơn này có cùng hằng số điện môi như chất nền và là vật liệu
không tổn hao. Cường độ trường cực đại cho các điện môi khác nhau cũng được liệt kê
trong bảng 3.1.
MÔ PHỎNG, CHẾ TẠO VÀ ĐO ĐẠC CÁC THAM SỐ

CHƯƠNG 4
CỦA ANTEN
Tóm tắt
Khóa luận sử dụng phần mềm Ansoft HFSS phiên bản 9.1 để mô phỏng cấu trúc anten
được thiết kế. Phần đầu chương giới thiệu về công cụ dùng để mô phỏng HFSS, phần
phụ lục đưa ra một số chú ý khi thiết lập các tham số quan trọng trước khi tiến hành
phân tích.
Tiếp theo nêu ra qui trình thiết kế anten vi dải, xuất phát từ yêu cầu của bài toán, thiết
kế sơ bộ ban đầu, tiến hành mô phỏng, điều chỉnh tham số, … cho tới khi đạt được
anten thỏa mãn các yêu cầu nói trên. Cuối cùng trình bày kết quả đo đạc bằng máy
network analyze, và so sánh kết quả thực nghiệm với kết quả mô phỏng.
4.1. Mô phỏng cấu trúc anten với phần mềm Ansoft HFSS
4.1.1. Phần mềm HFSS phiên bản 9.1
HFSS là viết tắt của Hight Frequency Structure Simulator. HFSS là phần mềm mô
phỏng trường điện từ theo phương pháp toàn sóng (full wave) để mô hình hóa bất kỳ
thiết bị thụ động 3D nào. Ưu điểm nổi bật của nó là có giao diện người dùng đồ họa.
Nó tích hợp mô phỏng, ảo hóa, mô hình hóa 3D và tự động hóa (tự động tìm lời giải)
trong một môi trường dễ dàng để học, trong đó lời giải cho các bài toán điện từ 3D thu
được một cách nhanh chóng và chính xác. Ansoft HFSS sử dụng phương pháp phần tử
hữu hạn (Finite Element Method, FEM), kỹ thuật chia lưới thích nghi (adaptive
meshing) và kỹ thuật đồ họa. Ansoft HFSS có thể được sử dụng để tính toán các tham
số chẳng hạn như: tham số S, tần số cộng hưởng, giản đồ trường, tham số γ, ...
HFSS là một hệ thống mô phỏng tương tác, trong đó phần tử mắt lưới cơ bản là một tứ
diện. Điều này cho phép bạn có thể tìm lời giải cho bất kỳ vật thể 3D nào. Đặc biệt là
đối với các cấu trúc có dạng cong phức tạp. Ansoft là công ty tiên phong sử dụng
phương pháp phần tử hữu hạn (FEM) để mô phỏng trường điện từ bằng các kỹ thuật
như: phần tử hữu hạn, chia lưới thích nghi, …
Ansoft HFSS cung cấp một giao diện trực giác và dễ dàng sử dụng để phát triển các
mô hình thiết bị RF thụ động. Chu trình thiết kế được minh họa trong hình 4.1, bao
gồm các bước sau:
1. Vẽ mô hình với các tham số cho trước: vẽ mô hình thiết bị, các điều kiện biên
và nguồn kích thích.
2. Thiết đặt các thông số để phân tích: thực hiện thiết đặt các thông số để tìm lời
giải.
3. Chạy mô phỏng: quá trình này hoàn toàn tự động.
4. Hiển thị kết quả: đưa ra các báo cáo và đồ thị trường 2D.
Trong quá trình thực hiện phân tích, HFSS sẽ chia toàn bộ cấu trúc thành các tứ diện
nhỏ (gọi là mắt lưới). Hệ thống mắt lưới sẽ lấp kín toàn bộ cấu trúc. Tại mỗi bước
thích nghi, HFSS sẽ tính giá trị của tham số S cho từng mắt lưới. Giữa 2 bước thích
nghi liên tiếp, HFSS sẽ tính gia số Delta S với công thức như sau:
Delta S = Maxij[mag(SNij – S(N-1)ij] (4.1)
Trong đó i và j là chỉ số của phần tử tuơng ứng trong ma trận S và N là chỉ số của bước
thích nghi. Delta S là giá trị lớn nhất của gia số của biên độ của tham số S tương ứng.
HFSS sẽ so sánh giá trị Delta S này với tiêu chuẩn hội tụ do người dùng định nghĩa để
kết luận sự hội tụ của lời giải.
Hình 4.1. Chu trình thực hiện mô phỏng với HFSS
Kỹ thuật mô phỏng được sử dụng trong HFSS để tính toán trường điện từ 3D bên
trong một cấu trúc dựa trên phương pháp phần tử hữu hạn (Finite Element Method,
FEM). Một cách tổng quát, phương pháp FEM chia toàn bộ không gian của bài toán
thành hàng ngàn vùng con nhỏ hơn (gọi là phần tử mắt lưới) và biểu diễn trường trong
mỗi phần tử mắt lưới theo một hàm cơ sở riêng cho phần tử đó.
Còn trong HFSS, toàn bộ cấu trúc được chia tự động thành một số lượng lớn các khối
tứ diện. Tập hợp toàn bộ các khối tứ diện này gọi là hệ thống mắt lưới phần tử hữu
hạn. Ta phải chọn lựa giữa kích thước mắt lưới, độ chính xác mong muốn và tài
nguyên (bộ nhớ) mà máy vi tính sẵn có. Bạn luôn mong muốn đạt được độ chính xác
tối đa, điều đó có nghĩa là mắt lưới cực nhỏ. Nhưng rất có thể tràn bộ nhớ và vượt quá
khả năng xử lí của máy vi tính.
Để tạo ra hệ thống mắt lưới tối ưu, HFSS sử dụng quy trình lặp, gọi là phân tích thích
nghi (adaptive analysis), trong đó mắt lưới được tự động “cải tiến” trong các vùng con
quan trọng. Trước tiên, nó đưa ra một lời giải dựa trên một hệ thống mắt lưới được
khởi tạo “thô”. Sau đó, nó “cải tiến” mắt lưới trong các vùng có tỷ trọng lỗi cao và tạo
ra lời giải mới. Khi các tham số đã chọn hội tụ trong một giới hạn mong muốn, HFSS
sẽ thoát khỏi quy trình lặp.
4.1.2. Kết quả mô phỏng với HFSS 9.1

Với tiêu chuẩn hội tụ được thiết đặt ở trên là: sự thay đổi cực đại của biên độ của tham
số S phải nhỏ hơn 0.02 (giá trị mặc định), HFSS cần 6 bước thích nghi để thỏa mãn
tiêu chuẩn hội tụ này. Hình 4.2 thể hiện quá trình hội tụ của lời giải.
Hình 4.2. Sự hội tụ của lời giải trong HFSS
Trong HFSS, ta thu được bảng này bằng cách click phải vào Resuls, sau đó chọn
Solution Data. Số lượng bước thích nghi (Number of Passes) cực đại ta thiết lập ban
đầu là 12, trong khi lời giải hội tụ chỉ sau 6 bước thích nghi. Biên độ cực đại của Delta
S (Max Mag. Delta S) ta thiết lập ban đầu là 0.02, và khi lời giải hội tụ giá trị này chỉ
là 0.0099079. Số lượng mắt lưới (khối tứ diện) tăng lên sau từng bước thích nghi. Khi
lời giải hội tụ tại bước thích nghi thứ 6, hệ thống mắt lưới có 15791 khối tứ diện, hệ
thống này sẽ lấp đầy toàn bộ không gian giới hạn bởi biên bức xạ như hình 4.3 dưới
đây.
Nếu muốn đạt được kết quả chính xác hơn nữa, ta có thể thay đổi tham số “Minimum
Number of Passes” tới giá trị lớn hơn 6. Và tiến hành phân tích lại.
Hình 4.3. Hệ thống mắt lưới khi lời giải hội tụ
Đồ thị hệ số phản xạ S11 (Return Loss) theo tần số cho anten được mô phỏng thể hiện
trong hình 4.4a và 4.4b. Trong hình này thể hiện kết quả mô phỏng cho cả anten có
nhánh điều chỉnh (nhánh thứ 3) và không có nhánh điều chỉnh.
Hình 4.4a. Đồ thị S11 cho anten có nhánh điều chỉnh (nhánh thứ 3)
Hình 4.4b. Đồ thị S11 cho anten không có nhánh điều chỉnh (nhánh thứ 3)
Hình 4.5. Đồ thị VSWR cho anten có nhánh điều chỉnh (nhánh thứ 3)
Với mất mát do phản xạ (Return Loss) S11 = -8 dB (tương ứng với hệ số sóng đứng
VSWR = 2.5), ta thấy anten không có nhánh thứ 3 cộng hưởng gần các tần số 900
MHz và 2200 MHz, tuy nhiên băng thông chưa đủ để bao phủ tất cả 5 dải tần yêu cầu,
đặc biệt là dải của WLAN và GSM. Còn anten có nhánh thứ 3 cộng hưởng gần các tần
số 870 MHz, 2160 MHz. và 2380 MHz. Khi có nhánh thứ 3, tần số cộng hưởng của
anten được điều chỉnh tới xung quanh 5 dải tần ta mong muốn, đồng thời băng thông
cũng gần đủ để bao phủ tất cả 5 dải yêu cầu. Tuy nhiên tần số cộng hưởng tại dải GSM
không được sâu, và băng thông vẫn chưa đủ để bao phủ dải này. Ta cũng thấy rằng
đỉnh cộng hưởng ở anten có nhánh thứ 3 sâu hơn.
Bảng 4.1. Tần số cộng hưởng và băng thông tương ứng của anten có nhánh thứ 3
Dải tần Tần số cộng hưởng Băng thông VSWR = 2.5
GSM (890 MHz – 960 MHz) 870 MHz 860 MHz – 880 MHz
DCS (1710 – 1880 MHz)
PCS (1850 – 1990 MHz) 2160 MHz
1530 MHz – 2530 MHz
UMTS (1920 – 2170 MHz) 2380 MHz
WLAN (2400 – 2484 MHz)
Tiếp theo ta xem xét các giản đồ trường bức xạ được đưa ra bởi HFSS. Ở đây, ta chỉ
quan tâm tới giản đồ bức xạ trường xa trong các mặt phẳng tọa độ XOY, XOZ và
YOZ.
Hình 4.6. Giản đồ bức xạ trường xa trong mặt phẳng XOY
Từ các hình 4.6, 4.7 và 4.8 ta thấy, tại tần số 870 MHz, anten bức xạ có hướng trong
mặt phẳng XOY và XOZ, bức xạ vô hướng trong mặt phẳng YOZ. Tuy nhiên, tại các
tần số cộng hưởng cao hơn thì giản đồ bức xạ trong cả ba mặt phẳng bị méo dần so với
tại tần số cộng hưởng 870 MHz.
Hình 4.7. Giản đồ bức xạ trường xa trong mặt phẳng XOZ
Hình 4.8. Giản đồ bức xạ trường xa trong mặt phẳng YOZ
Hình 4.9. Giản đồ bức xạ 3D trường xa trong hệ tọa độ cực tại tần số 870 MHz
Từ các giản đồ bức xạ trên ta thấy, khi tần số tăng lên thì giản đồ bức xạ của anten bị
bóp méo dần, do ảnh hưởng của bức xạ của mặt phẳng đất, cũng như bức xạ do đường
tiếp điện vi dải, cũng như sự lệch phối hợp trở kháng tăng lên.
4.2. Chế tạo anten

Sơ đồ khối trong hình 4.12 thể hiện phương pháp thiết kế và chế tạo anten vi dải thỏa
mãn các yêu cầu của bài toán.
Thiết kế sơ bộ anten (trước khi mô phỏng)

Công việc này được thực hiện trước khi thực hiện quá trình mô phỏng. Ở bước này, ta
phải xác định các tham số của anten dựa trên các yêu cầu của bài toán:
¾ Các tham số cơ bản của anten.
¾ Các tham số của anten vi dải: hằng số điện môi chất nền, mất mát bề mặt, hình
dạng và kích thước thành phần bức xạ, chiều cao chất nền, điện dẫn suất của dải
dẫn điện, vị trí tiếp điện, VSWR đầu vào có thể chấp nhận được để tính toán
băng thông.
Thiết kế anten (giai đoạn mô phỏng)

Tính toán chi tiết các tham số của anten sử dụng các phương trình toán học:
¾ Liệt kê các phương trình tính toán các tham số của anten vi dải.
¾ Thực hiện mô phỏng anten với các tham số đã được tính sơ bộ ở trên và biểu
diễn kết quả thu được.
¾ So sánh kết quả mô phỏng với yêu cầu mong muốn xem đã phù hợp chưa?
¾ Chuẩn bị chế tạo anten: vẽ lại kết cấu anten trên Protel hoặc AutoCAD.
Chế tạo anten

Từ file Protel hoặc AutoCAD, ta có thể đi đặt mạch in hoặc thực hiện làm thủ công.
Các ý Thiết kế Chế tạo

tưởng
Con người Thiết kế Phần mềm Đo đạc

sơ bộ mô phỏng
Các kỹ Kết quả Thiết kế

thuật thiết phân tích cuối cùng
kế anten
Hình 4.12. Phương pháp thiết kế anten vi dải
(a). Mặt trước
(b). Mặt sau
(c). So sánh với kích thước của đồng xu

Hình 4.13. Anten được thiết kế trong khóa luận
Đo đạc các tham số của anten
¾ Sử dụng máy Network Analyze để đo các tham số: hệ số phản xạ (return loss,
hay S11), hệ số sóng đứng, trở kháng vào, …
¾ Lập hệ đo trường bức xạ của anten.
¾ Lưu lại tất cả dữ liệu và đồ thị.
¾ So sánh kết quả đo đạc với kết quả mô phỏng.
Thiết kế hoàn thiện

¾ Thực hiện mô phỏng lại để tối thiểu hóa các lỗi.
¾ Chế tạo lại anten.
Tiếp tục đo đạc anten mới cho tới khi kết quả có thể chấp nhận được.
Hình 4.13 thể hiện hình ảnh thực tế của anten được thiết kế trong khóa luận, sử dụng
chất nền FR4 có hằng số điện môi εr = 4.4, độ dày chất nền 0.8 mm.
4.3. Đo đạc các tham số của anten

Bằng máy Network Analyse ta có thể đo được các tham số của anten như: suy hao do
phản xạ (S11), hệ số sóng đứng trên đường truyền vi dải (VSWR), trở kháng vào tại
điểm đặt đầu đo (R + jX), … Sau đó thực hiện lập hệ đo trường bức xạ của anten.
Từ hình 4.14 và 4.15, ta thấy dạng của đường cong hệ số phản xạ S11 và hệ số sóng
đứng VSWR tương đổi khớp với mô phỏng trên HFSS.
Với giá trị hệ số phản xạ (Return Loss, hay S11) được chọn là: S11 = -8 dB, tương ứng
với hệ số phản xạ VSWR = 2.5.
S11 (dB) = -20log10(VSWR) (4.2)
Băng thông đo được trên máy Network Analyse tương ứng cho từng dải như sau:
Bảng 4.2. Băng thông thu được trên thực nghiệm
Băng tần Tần số Băng thông
GSM 856 MHz – 891 MHz 35 MHz
UMTS 1941 MHz – 2235 MHz 294 MHz
WLAN 2337 MHz – 2556 MHz 219 MHz
Bảng 4.3. Băng thông chuẩn cho các dải tần mong muốn
Băng tần Tần số Băng thông
GSM 890 MHz – 960 MHz 70 MHz
DCS 1710 MHz – 1880 MHz 170 MHz
PCS 1850 MHz – 1990 MHz 140 MHz
UMTS 1920 MHz – 2170 MHz 250 MHz
WLAN 2400 MHz – 2484 MHz 84 MHz
Băng thông chưa đủ để bao phủ tất cả 5 dải tần mong muốn như liệt kê trong bảng 4.3.
Trong đó đặc biệt là các dải GSM, DCS, PCS. Anten được chế tạo mới chỉ bao phủ
được 3 là GSM, UMTS và WLAN.
Hình 4.14. Tham số S11
Hình 4.15. Hệ số sóng đứng (VSWR)
Đồ thị so sánh kết quả mô phỏng và kết quả đo đạc thực nghiệm trên hình 4.16:
Hình 4.16. So sánh kết quả thực nghiệm và mô phỏng
Kết quả thực nghiệm hơi lệch so với kết quả mô phỏng có thể do một số nguyên nhân
sau:
¾ Việc chế tạo anten được thực hiện theo phương pháp thủ công, do đó thành
phần phối hợp trở kháng dải rộng có kích thước không chính xác như thiết kế.
Điều này làm tăng hiện tượng sóng đứng trên đường truyền vi dải, do đó công
suất truyền ra thành phần bức xạ giảm đi. Đồng thời làm giảm độ sâu cộng
hưởng.
¾ Vật liệu chất nền (tấm điện môi mạch in) tại phòng thí nghiệm không phải là
vật liệu tốt, vì vậy hằng số điện môi của chất nền εr không chính xác bằng 4.4,
chiều cao chất nền h và độ dày dải dẫn điện t không hoàn toàn khớp với thiết
đặt trên Ansoft HFSS và Ansoft Designer, các tham số mất mát do vật liệu điện
môi cao hơn.
¾ Việc mô phỏng chưa được tối ưu hóa.
ĐÁNH GIÁ KẾT QUẢ KHÓA LUẬN

HƯỚNG NGHIÊN CỨU TIẾP THEO
Khóa luận là bước mở đầu trong nghiên cứu, thiết kế và chế tạo anten mạch dải băng
rộng có khả năng hoạt động tại nhiều băng tần. Tuy nhiên trong điều kiện cơ sở vật
chất còn khó khăn, em đã thực sự cố gắng để đạt được một số kết quả thiết thực nhất
định.
Hướng phát triển tiếp theo của khóa luận gồm những vấn đề sau:
¾ Tối ưu hóa các thiết đặt tham số trong phần mềm mô phỏng Ansoft HFSS 9.1
để thu được kết quả chính xác hơn nữa (Chi tiết trình bày trong phần phụ lục
B). Một số tham số quan trọng trong đó là:
o Mesh Operations
o Chia dải tần cần quan sát thành các dải nhỏ hơn, thực hiện phân tích từng
dải với tham số Solution frequency được chọn phù hợp cho từng dải.
¾ Làm tăng băng thông thêm nữa. Tập trung vào việc điều chỉnh kích thước của
nhánh cộng hưởng thứ 1, vị trí của điểm tiếp điện, và nghiên cứu chi tiết các
ảnh hưởng của nhánh điều chỉnh (nhánh thứ 3).
¾ Lựa chọn bộ phối hợp trở kháng dải rộng khác có đặc tính tốt hơn. Cụ thể là bộ
phối hợp trở kháng liên tục Klopfenstein (như chương 2 đã phân tích).
¾ Sử dụng các thiết bị chuyên dùng để chế tạo anten nhằm thực hiện chính xác
các kích thước như thiết kế.
PHỤ LỤC
A. Phụ lục 1: Thuật toán chia lưới thích nghi của Ansoft HFSS 9.1
Kỹ thuật chia lưới thích nghi tạo ra một lưới phù hợp cho các phép phân tích cấu trúc.
Bằng cách thực hiện kỹ thuật chia lưới thích nghi, lưới được tự động điều chỉnh để đạt
được một lưới chính xác và hiệu quả nhất có thể. Nếu không có kỹ thuật chia lưới
thích nghi, thì việc tạo ra lưới chính xác sẽ dành cho người sử dụng. Đây là công việc
chán ngắt và dễ gây ra lỗi. Với kỹ thuật chia lưới thích nghi, bạn sẽ biết câu trả lời
đúng ở ngay lần đầu tiên.
Kỹ thuật chia lưới thích nghi làm việc như thế nào?
Thuật toán chia lưới thích nghi tìm các gradient lớn nhất trong trường E hoặc sai số và
chia thành các mắt lưới trong các vùng này. Các vị trí đặc biệt, chẳng hạn như vùng
gần biên của vật dẫn, phải chia thành các mắt lưới có dạng đặc biệt.
Sự gia tăng số lượng mắt lưới sau mỗi bước thích nghi (adaptive pass) được điều khiển
bởi tuỳ chọn Tetrahedron Refinement trong phần Setup Solution (ở tab Advanced).
Bạn nên chú ý rằng, tuỳ chọn Tetrahedron Refinement tính theo phần trăm. Điều này
đảm bảo rằng giữa mỗi bước, mắt lưới được xáo trộn đủ và đảm bảo bạn sẽ không
nhận được điểm hội tụ sai. Sau khi hệ thống mắt lưới lấp kín toàn bộ cấu trúc, lời giải
được thực hiện và quá trình lặp lại cho tới khi hội tụ.
Sự hội tụ
Sau mỗi bước thích nghi, HFSS so sánh tham số S nhận được từ mắt lưới hiện tại với
tham số S nhận được từ mắt lưới trước đó. Nếu kết quả không thay đổi so với giá trị
được định nghĩa bởi người dùng hoặc giá trị Delta S không thay đổi, thì lời giải được
coi là hội tụ, và mắt lưới hiện tại hoặc trước đó có thể được sử dụng để tính toán các
tham số khác. Nếu lời giải đã hội tụ, thì về mặt kỹ thuật mắt lưới trước đó cũng như
mắt lưới hiện tại. Trong trường hợp này, HFSS sẽ sử dụng mắt lưới trước đó để biểu
diễn các đồ thị.
Hình A.1. Sự hội tụ của lời giải trong HFSS
Trên hình vẽ cho ta thấy, lời giải hội tụ sau 6 bước thích nghi. Giá trị Delta S mà ta
mong muốn là 0.02 (giá trị mặc định của HFSS, thông thường là đủ cho các ứng
dụng), và sau khi lời giải hội tụ giá trị Delta S đạt được là 0.009711.
Delta S
Delta S là tiêu chuẩn mặc định được sủ dụng để xác định độ hội tụ của lời giải. Delta S
được định nghĩa là giá trị chênh lệch lớn nhất của biên độ của tham số S giữa 2 bước
thích nghi liên tiếp.
¾ Maxij[mag(SNij – S(N-1)ij], trong đó i và j là chỉ số của phần tử tuơng ứng trong
ma trận S và N là số lượng bước thích nghi.
¾ Bởi vì đây là biên độ của một đại lượng vector, nó có thể biến đổi trong khoảng
0 đến 2.
Do kỹ thuật chia lưới thích nghi dựa trên trường E, việc chọn Adaptive Frequency
(hay Solution Frequency) thích hợp có thể là tham số quyết định. Giống như bất kỳ
điều gì trong kỹ thuật, tất cả các qui tắc đều có ngoại lệ, nhưng nói chung, các gợi ý
dưới đây sẽ giúp bạn chọn Solution Frequency hợp lý.
¾ Các cấu trúc băng rộng: giới hạn trên của dải tần bạn quan tâm nên được sử
dụng, do mắt lưới nhỏ hơn sẽ hợp lý ở tất cả các điểm tần số thấp hơn.
¾ Các bộ lọc hoặc các thiết bị băng hẹp: một tần số trong dải thông (pass-band)
hoặc vùng hoạt động nên được sử dụng, do trong dải triệt (stop-band) thì trường
E chỉ xuất hiện tại các port. ….
Thiết đặt tiêu chuẩn hội tụ

Ta thường yêu cầu độ chính xác quá lớn khi định nghĩa Delta S. Hãy nhớ rằng, quá
trình chế tạo, các thiết bị trong phòng thí nghiệm và quá trình đo đạc đều có dung sai
cố hữu. Nói chung, Delta S khoảng 0.02 (2%), đó là giá trị mặc định, hoặc 0.01 (1%)
là đủ.
Sự hội tụ của lời giải – Ma trận S và các đại lượng trường

Tiêu chuẩn hội tụ được thiết lập dựa trên ma trận S. Thông thường, ma trận S hội tụ
trước khi các đại lượng trường (E và H) hội tụ. Điều này nói lên rằng, nếu bạn đang
tìm giá trị trường tuyệt đối trong miền không gian bạn định nghĩa, có thể bạn cần phải
giải thêm một vài bước thích nghi để thu được cùng giá trị hội tụ mà bạn đạt được đối
với ma trận S. Và điều này cũng còn phụ thuộc vào đại lượng trường (E hay H) mà bạn
đang tìm lời giải. Ansoft HFSS tìm trực tiếp lời giải cho trường E. Từ trường E, nó
tính ra trường H và từ trường H nó mới tính ra dòng. Do đó, các đại lượng trường cũng
sẽ hội tụ khi thay đổi mật độ mắt lưới.
B. Phụ lục 2: Một số lưu ý về thiết đặt các tham số trong HFSS
B.1. Solution Setup
Click phải vào Analysis và chọn Add Solution Setup…. Cửa sổ Solution Setup sẽ hiển
thị. Tại đây ta sẽ thiết đặt Solution Frequency (hay Adaptive Frequency) và
Convergence Criteria (tiêu chuẩn hội tụ).
General Tab
Solution Frequency
Tần số này được sử dụng bởi thành phần chia lưới thích nghi (adaptive mesher) để tự
động chia mắt lưới. Sau khi thiết đặt “Solution frequency”, tất nhiên sẽ nhận được một
giá trị bước sóng tương ứng, và HFSS sẽ thiết đặt việc tính toán các mắt lưới theo giá
trị bước sóng này. Do đó, nếu thiết đặt tần số “Solution frequency” cao hơn, ta sẽ nhận
được bước sóng ngắn hơn, mắt lưới ta thu được cũng nhỏ hơn. Điều đó cũng có nghĩa
rằng, số lượng mắt lưới sẽ lớn hơn. Về lý thuyết, kết quả mô phỏng nhận được sẽ
chính xác hơn. Vì vậy, “Solution frequency” không nhất thiết phải trùng với tần số
cộng hưởng của cấu trúc.
Tuy nhiên, ta sẽ gặp một vấn đề khác đó là: tài nguyên của máy vi tính (bộ nhớ) là có
hạn. Do đó, nếu số lượng mắt lưới quá lớn, sẽ làm tràn bộ nhớ máy tính. Giải pháp cho
vấn đề này được thực hiện như sau: chia dải tần quan tâm (500 MHz – 3 GHz), đối với
anten được thiết kế trong khóa luận này, thành 5 dải tần nhỏ hơn và thực hiện phân
tích với thiết đặt “Solution frequency” cho từng dải nhỏ như sau:
Bảng B.1. Lựa chọn Solution frequency
Dải tần Solution frequency
500 -- 1000 MHz 1000 MHz
1000 -- 1500 MHz 1500 MHz
1500 -- 2000 MHz 2000 MHz
2000 -- 2500 MHz 2500 MHz
2500 -- 3000 MHz 3000 MHz
Hình B.1. Thiết đặt các tùy chọn “Solution Setup” trong tab General
Khi quá trình phân tích cho tất cả 5 dải tần trên kết thúc, ta sẽ vẽ các kết quả thu được
cho 5 dải tần trên trên cùng một đồ thị bằng cách xuất dữ liệu ra file *.m (Matlab), sau
đó sử dụng Matlab để vẽ đồ thị.
Solve Ports Only

Khi sử dụng tùy chọn này, HFSS xác định tần số hoặc mode ban đầu được sử dụng để
kích thích cấu trúc. Lời giải chỉ áp dụng tại các port có thể được sử dụng để tính toán
giản đồ trường tại port. Lời giải này hữu dụng khi cần xác định số lượng mode, độ dài
port và/hoặc thiết lập port hợp lý trước khi chạy Analysis để tìm toàn bộ lời giải.
Adaptive Solutions
Maximum Number of Passes: giá trị này điều khiển số lượng bước thích nghi lớn nhất
mà thủ tục chia lưới thích nghi sẽ thực hiện khi nó cố gắng thoả mãn tiêu chuẩn hội tụ.
Maximum Delta S Per Pass: giá trị này định nghĩa tiêu chuẩn hội tụ cho quá trình chia
lưới thích nghi. Thông thường giá trị này được chọn khoảng 0.02 hoặc 0.01 là đủ.
Quá trình chia lưới thích nghi có thể sẽ ngừng khi số lượng bước thích nghi chưa đạt
đến giá trị “Maximum Number of Passes” nếu giá trị Delta S đã thỏa mãn tiêu chuẩn
hội tụ “Maximum Delta S Per Pass” được thiết lập ở trên.
Advanced Tab
Initial Mesh Options
Do Lambda Refinement: lưới khởi tạo là một hệ thống mắt lưới có dạng tứ diện bất kỳ.
Quá trình Lambda Refinement sẽ thao tác trên lưới khởi tạo cho tới khi hầu hết các độ
dài của phần tử mắt lưới xấp xỉ ¼ bước sóng trong không khí và 1/3 bước sóng trong
điện môi. Bước sóng được tính toán từ giá trị tần số được nhập vào trong tuỳ chọn
“Solution Frequency” trong tab General.
Use Free Space Lambda: tuỳ chọn này sẽ ép quá trình Lambda Refinement hướng tới
kích thước mắt lưới xấp xỉ ¼ bước sóng trong không khí. Các đặc tính vật liệu của cấu
trúc sẽ bị bỏ qua. Điều này có thể hữu dụng trong các ứng dụng sử dụng các điện môi
có độ dẫn điện cao.
Adaptive Options
Refinement Per Pass: số lượng mắt lưới tăng lên sau mỗi bước thích nghi và được điều
khiển bởi tuỳ chọn Refinement Per Pass, tham số này tính theo phần trăm. Điều này
đảm bảo rằng giữa mỗi bước thích nghi, mắt lưới đủ xáo trộn và đảm bảo rằng bạn sẽ
không nhận được sự hội tụ sai.
Minimum Number of Passes: một phân tích thích nghi sẽ không dừng cho tới khi số
lượng bước tối thiểu mà bạn xác định trong tùy chọn này đã hoàn thành, thậm chí ngay
cả khi tiêu chuẩn hội tụ đã thoả mãn.
Minumum Converged Passes: một phân tích thích nghi sẽ không dừng trừ khi số lượng
bước hội tụ tối thiểu mà bạn xác định đã hoàn thành. Tiêu chuẩn hội tụ phải phù hợp
với số lượng bước tối thiểu này trước khi các phân tích thích nghi dừng. Thông thường
các tùy chọn trong tab này đều để mặc định là đủ. Nếu muốn kết quả chính xác hơn, ta
có thể thay đổi các tùy chọn này.
Hình B.2. Thiết đặt các tùy chọn” Solution Setup” trong tab Advanced
B.2. Mesh Operations

Click phải vào “Mesh Operations”, chọn Assign, chọn On Selection, chọn Length
Based… Cửa sổ Element Length Based Refinement xuất hiện. Tại đây cho phép bạn
thiết đặt các tùy chọn cho quá trình chia lưới thích nghi.
Maximum Length of Elements

Kinh nghiệm thực tế từ mô phỏng cho ta một nhận xét rằng: thiết đặt tùy chọn
Maximum Length of Elements với giá trị bằng 1/30 giá trị bước sóng trong chân
không ở tần số cao nhất trong dải tần thực hiện phân tích sẽ cho kết quả đủ chính xác.
Ví dụ trong dải 500 MHz – 1000 MHz thì tần số 1000 MHz là tần số cao nhất trong
dải, bước sóng trong chân không tương ứng với tần số đó là 300 mm, do đó 1/30 của
bước sóng này sẽ là 10 mm.
1 c
Maximum Length of Elements = (B.1)
30 f top
Giá trị Maximum Length of Elements được thiết đặt cho 5 dải tần trong mô phỏng cho
anten trong khóa luận như sau:
Bảng B.1. Lựa chọn độ dài cực đại của mắt lưới
Dải tần Maximum Length of Elements
500 -- 1000 MHz 10 mm
1000 -- 1500 MHz 7 mm
1500 -- 2000 MHz 5 mm
2000 -- 2500 MHz 4 mm
2500 -- 3000 MHz 3 mm
Hình B.3. Thiết đặt tùy chọn Mesh Operations
B.3. Radiation Boundary

Biên bức xạ (radiation boundary), cũng còn gọi là biên hấp thụ (absorbing boundary).
Sóng điện từ bức xạ ra ngoài cấu trúc anten và đi thẳng tới biên bức xạ. Hệ thống sẽ
hấp thụ các sóng bức xạ này tại biên bức xạ. Các biên bức xạ cũng có thể được đặt
tương đối gần với cấu trúc và có thể có hình dạng bất kỳ. Với cấu trúc được thiết lập
biên bức xạ, các tham số S được tính toán có tính đến cả các ảnh hưởng của mất mát
do bức xạ. Khi biên bức xạ được thiết lập trong một cấu trúc, trường xa được tính toán
dựa trên sóng hấp thụ thu được tại biên bức xạ.
Để đơn giản, ta thường vẽ biên bức xạ là một hình hôp chữ nhật, và độ dài cạnh của nó
thường được chọn bằng bước sóng trong chân không của tần số thấp nhất trong dải tần
quan tâm. Tuy nhiên, đôi khi quá trình mô phỏng với thiết đặt biên bức xạ như vậy
diễn ra quá chậm, ta có thể thiết đặt biên bức xạ bằng chỉ ½ giá trị bước sóng trong
chân không của tần số thấp nhất. Trong khóa luận này, tần số thấp nhất trong dải 500
MHz – 3000 MHz là 500 MHz, do đó ta vẽ biên bức xạ là một hình hộp chữ nhật (hình
B.4) với độ dài cạnh là 300 mm (1/2 bước sóng tại tần số 500 MHz).
Hình B.4. Biên bức xạ cho anten trong khóa luận
TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng Việt
[1] GS. TSKH. Phan Anh, Lý thuyết và kỹ thuật anten, NXB Khoa học kỹ thuật, Hà
Nội, 2007
[2] GS. TSKH. Phan Anh, Lý thuyết và kỹ thuật siêu cao tần, Tài liệu giảng dạy tại
trường ĐH Công nghệ - ĐH Quốc gia Hà Nội
Tiếng Anh
[3] Constantine A. Balanis, Antenna Theory – Analysis and Design, John Willey &
Son, INC, Second Editon
[4] David M. Pozar, Microwave Engineering, John Willey & Son, INC, Second Editon
[5] Y. J. Wang, C. K. Lee, Design of Dual-Frequency Microstip Patch Antennas and
Application for IMT-2000 Mobile Handsets, Nanyang Technological University,
Nanyang Avenue, Singapore
[6] Xu Jing, Zhengwei Du and Ke Gong, Compact Planar Monopole Antenna for
Multi-band Mobile Phones, Tsinghua University, Beijing, People’s Republic of China
[7] Ramesh Garg, Prakash Bhartia, Inder Bahl, Apisak Ittipiboon, Microstrip Antenna
Design Hanbook, Artech House
[8] U.S. Marine Corps, Field Antenna Handbook
[9] Chin Liong Yeo, Active Microstrip Array Antennas, Submitted for the degree of
Bachelor of Engineering, University of Queensland
Công cụ tìm kiếm Google, với các từ khóa: wideband impedance matching,
broadband antenna, monopole antenna, multiband antenna.

Khoa Luan Ve Anten

Uploaded by

Document Information

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Khoa Luan Ve Anten

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

Khóa luận tốt nghiệp đại học Ngành: Thông tin vô tuyến

Hà Nội, tháng 06 năm 2008

TÓM TẮT NỘI DUNG KHÓA LUẬN

Chương 1: Lý thuyết cơ bản về anten và anten vi dải

Chương 4: Mô phỏng, chế tạo và đo đạc các tham số của anten

PHỤ LỤC ......................................................................................................................73

TÀI LIỆU THAM KHẢO .............................................................................................80

LỜI NÓI ĐẦU

Khóa luận gồm 4 chương:

CHƯƠNG 1 LÝ THUYẾT CƠ BẢN VỀ ANTEN VÀ ANTEN VI DẢI

1.1. Lý thuyết chung về anten

Hình 1.1. Anten như một thiết bị truyền sóng [3]

1.1.2. Các tham số cơ bản của anten

1.1.2.1. Sự bức xạ sóng điện từ bởi một anten

Hình 1.3. Các trường bức xạ tại khu xa [8]

Hình 1.4. Hệ thống tọa độ để phân tích anten [3]

Giản đồ đẳng hướng và hướng tính

Hình 1.5. Giản đồ bức xạ vô hướng của một anten [3]

Trường khu gần và trường khu xa

Hình 1.8. Các vùng trường của một anten [3]

1.1.2.3. Mật độ công suất bức xạ

1.1.2.4. Cường độ bức xạ

1.1.2.5. Hệ số định hướng

1.1.2.6. Hệ số tăng ích

Cường độ bức xạ của anten thực tại hướng khảo sát

Sử dụng công thức (2.10), ta có:

1.1.2.7. Băng thông

1.1.2.8. Phân cực

Phân cực tròn

Phân cực ellip

1.1.2.9. Trở kháng vào

Hình 1.11. Cấu trúc của đường truyền vi dải [9]

1.2.1.2. Cấu trúc trường của đường truyền vi dải

Hình 1.12. Giản đồ trường của một đường vi dải [9]

1.2.2. Anten vi dải

Ưu điểm của anten vi dải

1.2.2.2. Một số loại anten vi dải cơ bản

Anten patch vi dải

Hình 1.15. Một vài dipole mạch in và vi dải [7]

Anten khe mạch in

1.2.2.3. Anten patch hình chữ nhật

ANTEN MẠCH DẢI BĂNG RỘNG VÀ

2.1. Giới thiệu chung

2.1.1. Dải thông tần

Hình 2.1. Băng thông của anten

2.1.2. Dải tần công tác

2.2. Mở rộng băng thông của anten vi dải

Bảng 2.1. So sánh băng thông tại VSWR = 2

2.2.4. Lựa chọn kỹ thuật tiếp điện thích hợp

Anten vi dải ghép khe

2.2.5. Kỹ thuật kích thích đa mode

2.2.6. Các kỹ thuật mở rộng băng thông khác

2.2.6.1. Phối hợp trở kháng

2.2.6.2. Mắc tải điện trở

2.3. Anten vi dải nhiều băng tần

2.3.2. Anten vi dải nhiều hơn 2 tần số cộng hưởng

2.4. Phối hợp trở kháng dải rộng

2.4.1. Ý nghĩa của việc phối hợp trở kháng

2.4.2. Phối hợp trở kháng dải rộng

Hình 2.16. Bộ biến đổi nhiều phân đoạn [2]

Cho ∆z → 0 , ta nhận được:

2.4.3. Một số bộ phối hợp trở kháng dải rộng

2.4.3.1. Bộ phối hợp trở kháng liên tục dạng hàm mũ

Hình 2.18. Bộ phối hợp trở kháng dạng hàm mũ