Professional Documents
Culture Documents
Cách 1:
Vcc 20
VB = R2 = 5 = 0,95V
R1 + R2 100 + 5
VBE = 0, 2V
VB − VBE 0,95 − 0, 2
IE = = = 7,5mA
RE 0,1
IC β β 50
= ⇒ IC = I E = 7,5 = 7,35mA
IE 1+ β 1+ β 1 + 50
RB
1+
RE R1.R2
S = (1 + β ) Mà: RB =
R R1 + R2
1+ β + B
RE
Vậy:
R1.R2 100.5
1+ 1+
( R1 + R2 ).RE (100 + 5).0,1
S = (1 + β ) = (1 + 50) = 25
R1.R2 100.5
1+ β + 1 + 50 +
( R1 + R2 ).RE (100 + 5).0,1
Cách 2:
Trong đó: VE = RE .I E = RE ( I B + I C ) = RE ( I B + β I B ) = I B RE (1 + β )
Vcc
Và: VB = I phân áp .R2 mà: I phân áp =
R1 + R2
VCC .R2
Do đó: VB = (2)
R1 + R2
VCC .R2
Từ (1) ⇒ = VBE + I B RE (1 + β )
R1 + R2
VCC .R2
− VBE
Vậy: R1 + R2 ⇒ IC = β I B
IB =
RE (1 + β )
VB − VBE
IE = Trong đó (đề bài cho): Transistor Gemani có : VBE = 0, 2V
RE
Transistor Silicon có : VBE = 0, 6V
Tìm điện áp U CE :
U CE = Vcc − IC RC − IE RE
1+ β
S= R1.R2
β .RE Trong đó: RB =
1+ R1 + R2
RE + RB
Nhận xét: Về dạng bài cho trị số linh kiện, tìm I B , I C , I E , U CE , S của mạch transistor phân
cực kiểu cầu phân áp
1. Phần trên ở cách 2 là chứng minh (để biết từ đâu mà có) công thức. Ta có thể thay số
liệu đã cho vào thẳng công thức (màu vàng) để tìm các thông số làm việc của mạch.
Cách này thích hợp cho thi trắc nghiệm cần kết quả nhanh để chọn.
2. Cách 1 hay cách 2 đều cho kết quả như nhau, đúng đáp án trong sách bài giảng. Tuy
nhiên. Công thức tìm S hơi dài. Nên dùng công thức tính S (màu vàng) ở cách 2 gọn
hơn.
3. Khi thay số vào công thức ta không cần quan tâm đến dấu trừ (-) của nguồn điện. Chỉ
lấy giá trị tuyệt đối. Ví dụ (-20V), ta chỉ thay 20V vào công thức vẫn đúng kết quả. Bởi
vì, dấu nguồn điện là tùy theo transistor loại PNP hoặc NPN mà phân cực các mối nối
P-N cho thích hợp. Nếu ta thay cả dấu nguồn điện thì kết quả của I và V sẽ có dấu (-),
biểu thị sự phân cực của P-N trên mạch transistor. Nhưng điều này không cần thiết ở
đây. Bằng chứng là đáp án trong sách vẫn không có dấu trừ (-).
Ta có: I E = I B + I C = I B + β I B = I B (1 + β )
Và:
VCC = RC ( I B + I C ) + RE .I E + VCE
VCC = RC .I E + RE .I E + VCE
VCC = I E ( RC + RE ) + VCE
VCC = I B (1 + β )( RC + RE ) + VCE
VCC − VCE
⇒ IB = (1)
(1 + β )( RC + RE )
24 − 5
⇒ IB = = 0, 04mA
(1 + 45)(10 + 0, 27)
Tìm trị số RB :
VCE = VBE + RB .I B
VCE − VBE
⇒ RB = (2)
IB
5 − 0, 6
⇒ RB = = 110 K Ω
0, 04.10−3
Tìm hệ số ổn định S:
Vì Vcc và VBE không phụ thuộc vào IC và và IB nên tính đạo hàm IB theo IC ta có:
dI B −( R
+C RE)
=
dI C R B R+ +E
C R
1 +β +1β + 1 45
S = = = = 9,5
dI R RE + + 10 0,27
1 −β( )B 1 +β C 1 +45
dI C RB +
RC+RE 110 +
10 +0,27
Nhận xét: Về dạng bài tìm RB , S của mạch transistor phân cực kiểu hồi tiếp.
1. Như các bạn đã thấy. Để làm được bài này cần có 3 công
thức trên. Nhưng trong sách bài giảng chỉ có công thức (3) tìm S. Còn (1) và
(2) thì không có. Bài giảng trong sách chỉ dạy lý thuyết cho sơ đồ đơn giản
không có RE . Do đó mình đã chứng minh và đưa ra công thức tổng quát cho
trường hợp transistor có RE . Để các bạn áp dụng công thức (màu vàng) để
làm cho nhanh khi thi trắc nghiệm.
Thật ra, sách dạy là lý thuyết chung để hiểu bài trên cơ sở đó vận dụng
để giải bài tập khác. Nhưng chúng ta học từ xa (chỉ đọc sách mà thành…kỹ
sư) không có ai giảng dạy làm sao mà hiểu mà làm. Con gà không có mà
quả trứng cũng không có luôn!
2. Chú ý khi thay giá trị điện trở ở công thức (1). Ta không cần
3
ghi 10 , nên kết quả của I phải là mA. Nhưng khi thay vào công thức (2). Ta
phải ghi 10−3 (đổi ra Ampe).
BÀI 18 TRANG 119. SÁCH BÀI GIẢNG.
GIỐNG 100% BÀI 3 ĐỀ 4. BTĐK KHÓA 1 HK3:
Tìm I B :
I C = β I B + ( β + 1) I CBO
I C − ( β + 1) I CBO
⇒ IB =
β
1 − (100 + 1)5.10−3
= = 4,95.10−3 A
100
I B = 4,95mA
Tìm I E :
IC β I (1 + β )
= ⇒ IE = C
IE 1+ β β
1(1 + 100)
IE = = 1, 01A
100
Tìm RB :
VCC − VBE − I E RE
VCC = VBE + I B RB + I E RE ⇒ RB =
IB
40 − 0, 2 − 1, 01.5
RB = = 7020Ω ≈ 7 K Ω
4,95.10−3
Tìm S:
S = β + 1 = 100 + 1 = 101
Tìm I C 2 :
IC 2
= α 2 ⇒ I C 2 = α 2 .I E2 = 0,96.100 = 96mA
I E2
Tìm I B 2 :
IC 2 I I (1 − α 2 )
IB2 = = C2 = C2
β2 α2 α2
1 − α2
96(1 − 0,96)
IB2 = = 4mA
0,96
Tìm I C1 :
I C1
= α1 ⇒ I C1 = α1.I E1 = 0,98.4 = 3,92mA
I E1
Tìm I B1 :
I C1 α I (1 − α1 )
= β1 = 1 ⇒ I B1 = C1
I B1 1 − α1 α1
3,92(1 − 0,98)
I B1 = = 0, 08mA
0,98
Tìm U CE :
IC
Tìm :
IE
I C I C1 + I C 2 3,92 + 96
= = = 0,9992
IE I E2 100
2
U
I D = I DO 1 − GS
U GSngat
ID
⇒ U GS = U GSngat 1 −
I DO
1
U GS = (−2) 1 − = −2 + 2 = −0,585V ≅ −0, 6V
2
Tìm RS :
U GS −0, 6
U GS = − I D .RS ⇒ RS = − = − −3 = 600Ω
ID 10