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Transistores de efecto de campo (npn) drenador puerta fuente FET dispositivo de 3 terminales corriente e- de canal desde la fuente al drenador controlada por el campo elctrico generado por la puerta impedancia de entrada muy alta en la base
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colector base emisor BJT dispositivo de 3 terminales corriente e- del emisor al colector controlada por la corriente inyectada en la base

Adems de los transistores de unin bipolares (BJT) que hemos analizado hasta ahora, existen otros tipos de transistores. Un tipo de transistores de 3 terminales son los dispositivos de efecto de campo. En ellos, el parmetro de control es el campo elctrico que atraviesa la unin, en contraposicin a la corriente del BJT. Dado que un campo elctrico se asocia a una tensin, la gran ventaja de los dispositivos de efecto de campo reside en la ausencia de necesidad de que exista una corriente en el elemento de control (la puerta). El resultado es una impedancia muy elevada y una corriente de fuga realmente pequea. El dispositivo ms sencillo de analizar es el transistor de unin de efecto de campo (JFET) que trataremos en primer lugar de forma detallada. El metal-xido-semiconductor FET (MOSFET) desempea un papel realmente importante en las implementaciones de lgica digital.

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Tipos de FET Adems del tipo portador (canal N o P), existen diferencias en la construccin del elemento de control (unin o aislante) y ambos dispositivos deben utilizarse de forma distinta npn FET de unin de agotamiento (JFET) pnp FET de metal-xido-semiconductor (MOSFET) - agotamiento / enriquecimiento - enriquecimiento npn pnp

(los FET de puerta aislada (IGFET), son de funcionamiento equivalente a los MOSFET)
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Al igual que ocurra con los BJT, existen dos tipos de transistores: npn y pnp. La diferencia reside en el portador mayoritario (electrones o huecos). Dado que los FET estn controlados por variaciones del campo elctrico en la unin, es posible construir un condensador en el elemento de control y, de esta forma, reducir an ms la corriente de fuga. La estructura metal-xido-semiconductor de un MOSFET a genera el condensador en la entrada del elemento de control (la puerta).

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Funcionamiento bsico de un FET (1)

El ejemplo ms sencillo de un JFET es el silicio dopado N. fuente N drenador

fuente: terminal por el que entra la corriente portadora (portadores e- de tipo n) En este estado, el dispositivo se comporta simplemente como una resistencia. Por ello, la corriente circula a travs del canal en proporcin a la tensin de la fuente / drenador.

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Comenzaremos describiendo el funcionamiento y el control de un JFET. Bsicamente, la accin de un JFET podra entenderse teniendo en cuenta un canal de conduccin formado por silicio dopado n y dos terminales, uno en cada extremo. El dispositivo se convierte en una resistencia cuyo valor viene dado por el nivel de dopaje. Los tres terminales del JFET reciben el nombre de fuente, drenador y puerta. La fuente equivaldra al emisor del BJT y es el portador mayoritario. As, en un material de tipo n, los portadores son electrones y la fuente es, por tanto, la fuente de los electrones. El drenador equivaldra al colector del BJT y, por tanto, la corriente portadora mayoritaria circula desde la fuente al drenador. De nuevo, el material de los portadores est formado por electrones y la corriente convencional circula en direccin contraria.

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Funcionamiento bsico de un FET (2) Se aade una estructura de puerta para formar un canal. puerta P fuente N drenador

puerta En realidad, las dos regiones de la puerta estn conectadas entre s para definir el canal por el que circula la corriente portadora. El control de la corriente del FET (la resistencia) se obtiene modificando el tamao de las zonas de agotamiento que rodean a las puertas.
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Las puertas son dos regiones de material de tipo p que se establecen para la conduccin desde la fuente al drenador. Las dos regiones de la puerta casi siempre estn conectadas entre s para que el usuario slo vea una conexin entre ellas. Observe que el dispositivo que se muestra arriba es un JFET npn, ya que la fuente es de tipo n, la puerta de tipo p y el drenador de tipo n. Si no se analiza desde la perspectiva de puerta-canal-puerta, estaramos ante una unin pnp.

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Funcionamiento bsico de un FET (3) Al igual que ocurre en cualquier unin PN, la puerta est rodeada por una zona de agotamiento. puerta P zona de agotamiento fuente zona de agotamiento N drenador

puerta

La zona de agotamiento reduce el tamao eficaz del canal dopado N y, con ello, aumenta la resistencia aparente de dicho canal. Al modular el potencial entre el drenador y la puerta, el campo elctrico de la zona de agotamiento entre la puerta y el drenador vara y tambin lo hace la zona de agotamiento.
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Como ocurre con cualquier unin pn, existe una zona de agotamiento que rodea la puerta. Evidentemente, esta zona reduce el rea de la seccin cruzada del canal de tipo n disponible para la conduccin de electrones. La accin del JFET se controla variando el potencial entre la puerta y el drenador, con lo que tambin cambia el tamao de la zona de agotamiento.

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Funcionamiento bsico de un FET (4) zona de agotamiento

P N

VDS

En este caso, la tensin del drenador a la fuente, VDS, equivale a la tensin entre la puerta y el drenador. CuandoDS aumenta, las V zonas de vaciamiento se aproximan y la resistencia de la fuente aumenta.

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Un sencillo ejemplo sera conectar a tierra el voltaje de la puerta a la fuente para que el voltaje de drenador a la puerta sea igual que el voltaje del drenador a la fuente. Al aumentar el voltaje entre el drenador y la puerta, la zona de vaciamiento aumenta y la conduccin del canal disminuye. En el caso de voltajes pequeos, la resistencia aumenta con el voltaje y recibe el nombre de zona hmica. Por encima del voltaje de estrangulamiento, el canal entra en saturacin y la resistencia se vuelve constante. El voltaje de estrangulamiento podra describirse como el voltaje en el que coinciden las zonas de vaciamiento de las dos puertas.

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Caracterizaremos el dispositivo por su resistencia eficaz de unin. Por supuesto, en este momento la medicin tpica para caracterizar un transistor se basa en medir la corriente de drenador como una funcin del voltaje de drenador-fuente para un conjunto de corrientes (o voltajes) aplicados a la puerta. Recuerde que as es exactamente como se llevan a cabo las comprobaciones en el BJT. Una vez medida la corriente de drenador como funcin del voltaje de drenador-fuente, ya contamos con la informacin necesaria para calcular el valor eficaz de la resistencia CC para este punto de funcionamiento.

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A la izquierda se muestra la caracterstica de la corriente de drenador / voltaje drenadorpuerta en una puerta conectada a tierra. La zona entre cero y el voltaje de estrangulamiento representa la zona hmica, la curva plana representa la zona de saturacin y, a voltajes elevados, se produce una regin de ruptura en la que la conduccin en el canal aumenta rpidamente. Muchos dispositivos se rompen al funcionar en esta zona de ruptura, aunque existen dispositivos diseados para funcionar en esta zona de avalancha, como es el caso de los diodos zener. El grfico de la derecha muestra la resistencia correspondiente. En la zona hmica, la resistencia aumenta de forma lenta y en la zona de saturacin, lo hace con mayor rapidez. Es importante sealar que la corriente de drenador del JFET es independiente del voltaje drenador-fuente de la zona de saturacin. Como tendremos la oportunidad de comprobar en breve, en esta zona la corriente es muy sensible al potencial drenador-puerta. Por ello, si queremos controlar el dispositivo a travs de la puerta, deberemos disear por defecto un dispositivo que funcione en la zona de saturacin. Sin embargo, si lo que buscamos es controlar el dispositivo mediante el voltaje de drenador, situaremos el dispositivo en la zona hmica.

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Control de la puerta del FET El tamao de la zona de vaciamiento puede aumentarse mediante la polarizacin de la unin PN en la puerta. As, la puerta controlar la ID y, como la puerta estar polarizada, fundamentalmente no habr corriente de puerta.
VDS
VGS=0 -1V -2V

ID

IB N

VP

VDS -VGS N P

VGS

VGS
9

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Aqu se muestra la variacin de la curva IV como funcin del voltaje de la puerta. Recuerde que en el estrangulamiento las zonas de vaciamiento de las dos puertas coinciden y, como cambia el voltaje de la puerta, el punto de funcionamiento se desplaza. Lo ms frecuente es invertir la puerta (como se indica en el circuito) para aumentar el campo en la unin PN y, en consecuencia, aumentar el tamao de la zona para un voltaje drenador-fuente constante. Observe que la puerta se polariza.

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El diseo de los circuitos FET suele funcionar con ecuaciones relativamente sencillas para la corriente de drenador, en trminos de parmetros de dispositivo y de condiciones de funcionamiento. Evidentemente, stos dependen de si el punto de funcionamiento se encuentra en la zona hmica o en la de saturacin. Dado que el rendimiento del dispositivo no debe depender fundamentalmente de los parmetros del circuito, se suelen adoptar una serie de atajos y al final el circuito se evala con un paquete de simulacin (como un Spice). Ayuda en gran medida a poder simplificar el diseo a sus partes funcionales y, entonces, ver claramente cmo debera funcionar. Esto, por supuesto, requiere prctica y en este curso le guiaremos en el proceso.

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Una caracterstica importante, aunque algo difcil de entender, de un dispositivo de tres parmetros es la transconductancia, gm. Recuerde que estamos diseando el FET como una resistencia de voltaje controlado, por lo que la corriente de drenador es una funcin del voltaje entre la puerta y la fuente. Evidentemente, esto se aprecia en las representaciones IV del FET en la zona de saturacin. La transconductancia es la tasa de cambio de la corriente de drenador con un cambio en el voltaje a tensin constante drenador-fuente. Las unidades de la transconductancia es la inversa del ohmio (mhos). Por norma general, las fichas tcnicas incluyen las dos transconductancias para una puerta en cortocircuito. A menudo, en el anlisis de los circuitos FET, las propiedades del circuito pueden simplificarse a una funcin de la transconductancia.

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Aqu planteamos un ejemplo sencillo de una fuente con corriente derivada JFET. La puerta se ha cortocircuitado a tierra) (observe que no est cortocircuitada a la fuente). La resistencia de la fuente introduce un voltaje de fuente y, con ello, se produce un voltaje puerta-fuente negativo. Debemos encontrar la corriente de drenador como una funcin de la resistencia de la fuente. El voltaje de drenador es lo suficientemente grande para que podamos asumir que el dispositivo trabaja en la zona de saturacin. As, podemos detectar inmediatamente la corriente de drenador como una funcin del voltaje de puerta-fuente. El voltaje de puerta-fuente es exactamente menos el voltaje de fuente y ste es la cada de voltaje de la corriente de drenador que atraviesa la resistencia de la fuente.

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Igualamos ambas ecuaciones y obtenemos la ecuacin de segundo grado para la corriente de drenador. Como el FET se apaga a -4V, la solucin -8V no es posible y optamos por la solucin -2V, de la que se desprende una corriente de 2 mA. A partir de este dato podemos calcular tambin la resistencia drenador-fuente del dispositivo y la cada del voltaje en el FET.

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Un segundo ejemplo de una aplicacin del FET es una resistencia controlada por tensin. En este caso nos fijamos en la variacin de la cada del voltaje en el FET para controlar el brillo de una lmpara (el brillo es una funcin no lineal de la corriente que atraviesa la lmpara). Cuando la puerta se cortocircuita con la fuente, la corriente aumenta y la lmpara se enciende. Si la puerta se polariza en negativo, la corriente de drenador disminuye y la lmpara se atena. El proceso contina hasta que se apaga. Es posible combinar este circuito con el anterior para crear un potencimetro de luz que se accione mediante una resistencia variable, pero normalmente lo apropiado es disear un dispositivo controlado por tensin.

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El seguidor de fuente JFET es funcionalmente similar al seguidor de emisor BJT. Asimismo, no proporciona ganancia de voltaje, pero s modifica la impedancia, creando ganancia de corriente (y de potencia). Seguimos utilizando buenas prcticas de diseo, por lo que al pensar en el seguidor de fuente como una fuente de voltaje, conseguimos que la resistencia de fuente sea mucho menor que la de carga y, as, podemos obviar la carga en nuestro anlisis. La cada de voltaje en la resistencia de fuente es, por lo tanto, la resistencia de fuente es una potencia de la corriente de drenador. Podemos relacionar la corriente de drenador con el voltaje puerta-fuente mediante la transconductancia. Y tambin comprobamos que el voltaje de fuente coincide con el de salida. Observe que la transconductancia tpica corresponde a una resistencia ms pequea (aproximadamente de 200 ohmios) que la resistencia de fuente y, por lo tanto, la ganancia se aproxima a 1.

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Configuracin tpica del amplificador del seguidor de fuente. Simplificando mucho, los condensadores sirven para eliminar la corriente continua, la resistencia de puerta para polarizar y la resistencia de carga puede obviarse debido a la resistencia de fuente. Por lo tanto, podemos observar la misma ganancia.

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La configuracin tpica de fuente es un amplificador con ganancia. En nuestro caso, el voltaje se divide en la resistencia de drenador, en el FET y en la resistencia de fuente. La resistencia de fuente slo establece el punto de funcionamiento de CC. Observe que que existe un condensador conectado en paralelo que cortocircuita la resistencia a altas frecuencias.

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Cundo utilizar JFET

El JFET tiene impedancias de entrada mucho ms altas y corrientes de salida mucho ms bajas que los BJT. Los BJT son ms lineales que los JFET. La ganancia de un BJT es mucho ms alta que la de un JFET.

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Por norma general, los JFET slo se utilizan cuando los BJT no son la solucin ms conveniente, por ejemplo, cuando la corriente de fuga de la base de un BJT es demasiado elevada. En aplicaciones de lgica digital, el uso de los FET es importante, ya que son mucho ms rpidos y disipan menos energa. Sin embargo, la mayora de estas aplicaciones utilizan MOSFET, que presentan impedancias mucho ms elevadas incluso que los JFET.

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En algunas ocasiones resulta ms til el funcionamiento en la zona hmica que en la de saturacin. El anlisis no cambia en absoluto, pero las ecuaciones son menos complicadas. En nuestro caso, calculamos el comportamiento de un JFET empleado como resistencia controlada por tensin. Como cabra esperar, volvemos a obtener una funcin cuadrtica.

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Grficos generados por Mathematica

La curva generada con Mathematica muestra la variacin de la corriente de drenador con respecto al voltaje de entrada. Esto puede resultar til para conseguir un desfase preciso y controlable.

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Grficos generados por Mathematica

Dada la variacin en corriente, resulta bastante sencillo mostrarla como una resistencia con ayuda de Mathematica. Observe que en la zona hmica podemos permitir que el voltaje puerta-fuente sea positivo. Suele ser bastante acertado en cualquier aplicacin calcular la potencia disipada en el FET, que, evidentemente, ser una funcin del voltaje de control. En este caso, la potencia mxima disipada tiene lugar cuando la resistencia del FET es igual a la resistencia de drenador.

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Podremos comprobar ms adelante que con un amplificador operacional es posible obtener amplificadores diferenciales ptimos y que su ganancia viene controlada por las resistencias de retroalimentacin. Con un JFET se obtiene fcilmente una resistencia de voltaje controlado y, en consecuencia, una ganancia de voltaje controlada.

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Estamos ante un circuito que mide la dependencia de frecuencia de la transconductancia (en este caso, yfs como suele entenderse para frecuencias altas). La resistencia elevada de puerta se utiliza slo por motivos de estabilidad.

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Smbolos del JFET drenador puerta fuente NPN puerta fuente PNP drenador

A menudo, las zonas de las puertas estn dopadas en distinta medida para las especificaciones de drenador / fuente. En algunos dispositivos, el drenador y la fuente son intercambiables. En ocasiones, las dos puertas no estn interconectadas y se obtiene un dispositivo de cuatro terminales.
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Al igual que ocurre con los BJT, existen JFET de tipo npn y pnp. Los de tipo NPN suelen denominarse de canal n para evitar confusiones con la configuracin de puertas. Es posible intercambiar el drenador y la fuente o no hacerlo, dependiendo de sus niveles relativos de dopaje.

17 26-28 Visite el sitio Web del fabricante para obtener la ficha tcnica del producto. Siga estos pasos: 1. Vaya al sitio Web de Fairchild Semiconductor: http://www.fairchildsemi.com/ 2. Consulte las condiciones de uso del sitio en el enlace llamado Site Terms & Conditions o haciendo clic en el siguiente enlace: http://www.fairchildsemi.com/legal/index.html 3. Vuelva a la pgina de inicio. 4. En el cuadro de bsqueda escriba el nmero del producto (2N5457), seleccione Product Folders and Datasheets y haga clic en go. La ficha tcnica que necesita es N- Channel General Purpose Adapter. 5. Se le ofrecern varias opciones (descargar el PDF, correo electrnico, etc.). Seleccione el mtodo que desee para recibir la ficha tcnica.

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MOSFET (1) Los transistores de efecto de campo de semiconductores de metalxido difieren bastante de los JFET y se presentan en una gama muy variable. La funcin que los caracteriza es que la puerta est acoplada con un condensador. puerta fuente drenador metal aislante N N P MOSFET npn de vaciamiento ausencia de campo en la puerta =
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fuente

drenador

corriente de fuga muy pequea


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Hoy da, los MOSFET son ms comunes que los JFET, y su funcionamiento es demasiado extenso para analizarlo con detalle. El hallazgo inteligente fue darse cuenta de que, al interesarse slo por el campo elctrico entre la puerta y el drenador, no haba necesidad de establecer una conexin galvnica y que bastaba con una conexin de condensacin que tuviese el mismo efecto. Por ello, en los MOSFET existe una capa de aislante (vidrio) entre el conector de la puerta y el semiconductor dopado p. Obsrvese que, en ausencia de un voltaje de puerta, el semiconductor funciona como unin NPN entre el drenador y la fuente y tiene el aspecto de dos diodos bidireccionales (con la consiguiente corriente pequea entre drenador y fuente). Compare este hecho con los BJT (donde la zona de las puertas es pequea) y los JFET (en los que el drenador y la fuente conforman un canal de conduccin).

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MOSFET de enriquecimiento Un voltaje de sustrato de puerta positivo induce una carga negativa entre la fuente y el drenador y crea un canal de tipo n. Ahora la corriente puede circular.

VG N P N

conector de sustrato
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Para analizar el funcionamiento de un MOSFET, comenzamos por estudiar la unin capacitiva de la puerta y preguntarnos cul ser la distribucin de cargas en el semiconductor para distintos potenciales de puerta. Observe que ahora nos interesa la diferencia de potencial entre el electrodo de la puerta y el sustrato (hasta ahora no hemos mencionado ni la fuente ni el drenador). Si la puerta del sustrato est cargada positivamente, obtendremos una concentracin de electrones entre los canales de tipo n de la fuente y del drenador y la corriente podr circular. Estar formada, evidentemente, por portadores mayoritarios en las zonas de la fuente y del drenador y por portadores minoritarios en la zona de la puerta (que hemos concentrado nosotros). Se trata, pues, del mecanismo normal de conduccin de los llamados MOSFET de enriquecimiento.

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Smbolos del MOSFET drenador puerta Canal N Vaciamiento drenador puerta Canal N Enriquecimiento
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drenador puerta Canal P sustrato fuente

sustrato fuente

drenador puerta Canal P sustrato fuente

sustrato fuente

Adems de los MOSFET de enriquecimiento, existen los de vaciamiento Los distintos smbolos se muestran en la figura. Al utilizar estos dispositivos es importante prestar atencin a la conexin del sustrato, ya que forma el segundo terminal del condensador de la puerta.

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MOSFET de vaciamiento puerta

fuente aislante N+

drenador N+

N P

Las zonas de la fuente y el drenador estn ms dopadas que el canal, pero cuando la puerta est polarizada a cero, existe corriente.

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En los dispositivos de vaciamiento, la cara secundaria del condensador es una regin pequea de material de tipo n. Ahora, sin polarizacin en la puerta, tenemos un canal de tipo n desde el drenador a la puerta y la corriente circula. Esta zona de la puerta est muy dopada y el campo elctrico del condensador de la puerta se utiliza para manipular las concentraciones de portadores en la zona y poder, as, controlar la corriente drenadorfuente.

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MOSFET de vaciamiento (2)

Un voltaje negativo entre la puerta y el sustrato induce un canal de tipo p en la zona dopada de la puerta y desactiva la corriente drenadorfuente.

N P N

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Una polarizacin negativa en el condensador del sustrato de la puerta atrae a los huecos del material de tipo p hacia el canal de conduccin y disminuye la corriente drenadorfuente. Con este funcionamiento, el dispositivo se comporta como un JFET, en el que el potencial negativo de la puerta retarda la corriente de drenador.

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Grficos generados por Mathematica

Representacin IV de una ficha tcnica de un MOSFET de agotamiento; el resto de parmetros siempre se facilitan en alguna seccin de la ficha tcnica.

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Al igual que ocurre en los JFET, existe una serie de frmulas que relacionan la corriente de drenador con los parmetros del circuito. stas se utilizan de la misma forma que en los JFET.

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Grficos generados por Mathematica

Las frmulas de enriquecimiento son bastante parecidas, pero incluyen el denominado parmetro de construccin, que describe la capacidad del canal. Suele aparecer de forma explcita en las fichas tcnicas, por lo que no es necesario calcularlo.

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Caractersticas de transferencia de los tres tipos de FET

Grficos generados por Mathematica


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Aqu se muestran las caractersticas de transferencia de los tres tipos de MOSFET, (1) agotamiento, (2) enriquecimiento y (3) ambos. Las representaciones IV de la derecha muestran la corriente de drenador con respecto al voltaje drenador-fuente para distintos potenciales de puerta. Estos datos son los que suelen obtenerse en las fichas tcnicas. Las curvas de la izquierda muestran la variacin de la corriente de drenador como funcin del potencial de la puerta en la zona activa. No suele mostrarse este dato, pero es una buena forma de ver las diferencias entre los tres tipos de dispositivos. Tambin es til para deducir dnde deben ubicarse los puntos de funcionamiento.

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Como ejemplo, analizaremos el punto de funcionamiento de un amplificador MOSFET de agotamiento. El FET y la resistencia de drenador comparten el voltaje y, como la puerta est polarizada en inversa, el FET se apaga y el voltaje crece en el FET (el voltaje de salida, en consecuencia, aumenta).

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Como buscamos un cambio en la corriente (resistencia) con el voltaje de control, necesitamos centrarnos en la transconductancia, pero primero debemos decidir en qu punto calcularemos la ganancia. Estudiemos las proximidades del voltaje de entrada nulo. Ahora podemos obtener la corriente de la hoja de especificaciones y el voltaje de salida es 2 V (en un punto medio adecuado). Tambin podemos calcular directamente la transconductancia, que es 200 mohs. Dado que con ello obtenemos la resistencia de drenador-fuente, podemos calcular tambin ahora la ganancia.

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En este caso, asumimos una pequea seal y buscamos una solucin lineal cercana a un voltaje de entrada nulo. Realizaremos algunas suposiciones y nos desharemos de algunos trminos para evitar un problema cuadrtico. Es vlida cualquiera de las dos propuestas y la respuesta obtenida es, en esencia, la misma. Recuerde que todos los parmetros del circuito pueden variar. Modificamos el voltaje de salida para los pequeos cambios de la resistencia de drenadorfuente y nos damos cuenta de que, al hacerlo, el voltaje sufre pequeas variaciones.

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Ample la resistencia drenador-fuente en trminos de voltaje de entrada y aproveche el hecho de que el voltaje de entrada es pequeo para poder simplificar. El resultado es que el dispositivo se convierte en un atenuador (la ganancia se reduce a la mitad) ms que en un amplificador. Debera detectar que, si aumentamos el voltaje (o disminuimos la resistencia de drenador) podramos aumentar la ganancia.

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Uno de los usos ms importantes de los MOSFET es la construccin de circuitos lgicos que disipen muy poca energa. Si implementamos la configuracin del MOSFET que aparece en la figura, habr una corriente en la carga y no en la otra. Observe que el sustrato se conecta a la fuente.

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En un dispositivo de canal p, la corriente se asocia con el estado de encendido. Observe aqu que el sustrato sigue conectado a la fuente (que ahora tiene voltaje positivo).

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En lgica complementaria de MOSFET (CMOS), la misma puerta se construye a partir de una combinacin de dispositivos de canal p y n, de tal forma que no hay circulacin de corriente en ninguno de los estados lgicos. Evidentemente, la ausencia de corriente implica que no se disipa ninguna energa.

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