II. kolokvij iz elektronike Pitanja 1. to je PN-spoj? 2. Kakva je Fermijeva razina kod spojenih poluvodia P-tipa i N-tipa? 3.

Kako se stvara osiromaeno podruje? 4. Gdje se stvara ugraeno elektriko polje? 5. Gdje je elektrino polje u PN-spoju maksimalno? 6. Koliko je elektrino polje na rubu osiromaenoga podruja i kvazineutralnih podruja? 7. Kakav je skokovit, a kakav linearno postupni PN-prijelaz? 8. to je kontaktni potencijal? 9. Kako kontaktni potencijal ovisi o koncentraciji primjesa N-strane i P-strane? 10. Na koju stranu se jae iri PN-osiromaeno podruje? Kako se odreuje irina osiromaenog podruja? 11. to je simetrino, asimetrino i jednostranu podruje? 12. to pokazuje kvazi-Fermijeva razina kod PN-spoja u neravnotei? 13. Kakva je irina osiromaenog podruja kod propusne, a kakva kod nepropusne polarizacije PN-spoja? 14. Kako o naponu i koncentraciji primjesa ovisi barijerni kapacitet PN-spoja? 15. Kako ekscesni naboj uz rub osiromaenog sloja PN-spoja ovisi o vanjskom naponu? 16. to su kvazineutralna podruja PN-spoja? 17. Po kojem se zakonu prostorno mijenja koncentracija injektiranih nosilaca naboja udaljavanjem od osiromaenog podruja PN-spoja? 18. Kako se u reimu malog signala rauna difuzijska struja PN-spoja? 19. to je reverzna struja zasienja Is? O emu ovisi? 20. Napisati jednadbu i nacrtati I-U karakteristiku PN-spoja! 21. Definirati diode uskih i irokih strana! 22. to je faktor injekcije kod PN-spoja? 23. Kako faktor injekcije ovisi o provodnosti (koncentraciji primjesa) i difuzijskoj duljini promatranih nosilaca naboja? 24. Zbog ega dolazi do odstupanja od idealne I-U karakteristike kod nepropusne polarizacije PN-spoja? 25. koji su uzroci odstupanja od idealne I-U karakteristike kod propusne polarizacije PNspoja? 26. Objasnite utjecaj visoke injekcije i omskih gubitaka! 27. Raspodjela veinskih i manjinskih nosioca naboja!

Odgovori 1. PN-spoj je spoj dvaju poluvodia razliitih tipova primjesa. PN-spoj je usko podruje koje se protee s obje strane metalurkog spoja. Podruje prostornog naboja ili osiromaeno podruje! PN-podruje omoguuje ispravljaki efekt. 2. Fermijeva razina kod spojenih poluvodia P-tipa i N-tip je iznad razine Fi kod N-tipa poluvodia, a kod P-tipa poluvodia je ispod razine Fi. U termodinamikoj ravnotei Fermijeva razina je jedinstvena i konstantna. 3. Osiromaeno podruje se stvara na nain da podruje nekompenziranog prostornog naboja u prvoj aproksimaciji ine samo nepokretni ioni primjesa, ali ne i slobodni nosioci naboja. 4. Ugraeno elektriko polje se stvara u osiromaenom podruju, a stvara se zbog prostornog naboja u osiromaenom podruju lijevo i desno od PN-spoja. Njegove silnice su usmjerene od donorskih (+) prema akceptorskim ionima (-) tj. od N-podruja prema P-podruju. 5. Elektrino polje u PN-spoju je maksimalno kada je funkcija udaljenosti x=0 tj. tada su elektrina polja s obje strane jednaka i imaju najveu vrijednost FuM. 6. Elektrino polje na rubu osiromaenog podruja i kvazineutralnih podruja je jednako nuli. 7. Skokovit PN-prijelaz je prijelaz konstantne neto koncentracije atoma P-strane (N D-NA)<0 na konstantnu neto koncentraciju N-strane (ND-NA)>0. Takvom spoju je najsliniji spoj dobiven epitaksijalnim rastom sloja N-tipa na podlozi P-tipa, uz konstantnu koncentraciju primjesa. Linearno-postupni PN-prijelaz je prijelaz kod kojeg se koncentracija atoma primjesa (N DNA) postupno mijenja po linearnom zakonu. Takvom spoju je najsliniji tehnoloki postupak difuzije donora u epitaksijalni sloj P-tipa. 8. Kontaktni potencijal je jednak razlici potencijala u kvazineutralnim podrujima poluvodia ND NA N-tipa i P-tipa. U k = U T ln n 2 Taj napon se moe izravno mjeriti budui da se i zatvorenom strujnom krugu na svakom mjestu (povrini) spoja dvaju razliito vodljivih podruja stvara napon kontakata, a u termodinamikoj ravnotei zbroj svih kontaktnih potencijala jednak je nuli. Zato kontaktne potencijale i ne treba uzimati u obzir pri proraunu elektrikih sklopova. 9. Kontaktni potencijal po iznosu je proporcionalan logaritmu omjera ravnotenih koncentracija istog tipa nosilaca naboja s obje strane osiromaenog podruja
n U k = U T ln n 0 n p0 gdje je nn0 ravnotena koncentracija elektrona na N-strani, a np0

ravnotena koncentracija elektrona na P-strani. 10. PN-osiromaeno podruje se jae iri u podruje s manje primjesa tj. u ii poluvodi. irina osiromaenog podruja se odreuje po formuli d = x +x gdje su xp i xn dubine prodiranja osiromaenog podruja na P-stranu i N-stranu, mjereno od metalurkog spoja. db db xp = xp = N N . Osim toga ukupna irina osiromaenog polja ovisi o jakosti 1+ A 1+ D ND NA ugraenog el. polja, odnosno o padu napona na osiromaenom podruju 11. Skokoviti PN-prijelazi mogu biti simetrini i asimetrini. Kod simetrinih su prijelaza koncentracije donora na N-strani i akceptora na P-strani identine. Mnogo ei su asimetrini spojevi kod kojih koncentracija donora na N-strani i akceptora na P-strani nisu identine. Asimetrini prijelazi prelaze u jednostrane ako je simetrija koncentracije takva da se koncentracije veinskih nosilaca meusobno razlikuje za faktor 10 i vie.
b p n

12. Poloaj kvazi-Fermijeva razina kod PN-spoja u neravnotei u odnosu na rubove osiromaenog pojasa je stalan EFp=EFn, odnosno razmaknut za qU.

13. irina osiromaenog podruja kod propusne polarizacije se suuje, a potencijalna barijera snizuje. Suuje se jer se u osiromaenom podruju neutralizira dio naboja nekompenziranih iona donora i akceptora. PN-spoj je u neravnotei i takvo se stanje moe odravati samo pomou vanjskog elektrikog polja (vanjskog izvora). irina osiromaenog podruja kod nepropusne polarizacije se iri, a potencijalna barijera postaje via. iri se zato to vanjsko elektriko polje kroz vanjski izvor napajanja dodatno izvlai slobodne elektrone i upljine osiromaujui jo vie N-stranu i P-stranu osiromaenog podruja.. 14. Barijerni kapacitet PN-spoja je naponski promjenjivi kapacitet pa je stoga proporcionalan naponu tj. poveanjem napona poveava se i kapacitet. Barijerni kapacitet PN-spoja je obrnuto proporcionalan koncentraciji primjesa tj. dodavanjem primjesa barijerni kapacitet se smanjuje. 15. Ekscesni naboj uz rub osiromaenog sloja PN-spoja je proporcionalan vanjskom naponu tj. poveanjem vanjskog napona poveava se i ekscesni naboj. 16. Kvazineutralna podruja su podruja dovoljno udaljena od PN-prijelaza gdje koncentracija nosilaca naboja ostaje ista kao i prije spajanja monokristala P-tipa i N-tipa. Ona se nadovezuju na osiromaeno podruje i u njemu nema zamjetnog djelovanja elektrikog polja. 17. Koncentracija injektiranih nosilaca naboja udaljavanjem od osiromaenog podruja PNspoja mijenja se po eksponencijalnom zakonu (smanjuje se) 18. U reimu malog signala tj. niske koncentracije manjinskih nosilaca naboja driftna komponenta zbog vanjskog polja se moe zanemariti, pa se ukupna struja moe pripisati samo difuzijskom gibanju manjinskih nosilaca naboja. 19. Reverzna struja zasienja Is je posljedica termike generacije parova nosilaca naboja (elektron upljina) u kvazineutralnom podruju i zatim difuzije manjinskih nosilaca u podruje prostornog naboja, kroz koje se oni pod utjecajem elektrinog polja prebacuju na suprotnu stranu. Ovisi o kvadratu intrinsine koncentracije nosilaca naboja, povrini PNspoja 20. Jednadba je I D = I S exp
U 1 UT

21. Kod dioda uskih strana kvazineutralna podruja znatno su kraa od difuzijskih duljina , pa stoga kod njima ne dolazi do znaajnije rekombinacije nosilaca naboja. Svi manjinski nosioci rekombiniraju tek na omskim kontaktima takve diode. Kod dioda irokih strana P-podruja i N-podruja znatno su dulja od osiromaenog podruja. U takvoj se diodi zbog rekombinacije, ravnotena koncentracija nosilaca naboja ponovo uspostavlja na dovoljnoj udaljenosti od osiromaenog podruja. 22. Faktor injekcije je omjerom injektirane struje manjinskih nosilaca naboja i ukupne struje PN-spoja 23. Faktor injekcije upljina na N-strani je vei to je vea provodnost odnosno koncentracija primjesa one strane iz koje se injektiraju nosioci. Uvijek je manji od jedan, a tei prema jedinici tak kada je struja drugog tipa nosilaca zanemarivo mala. 24. Do odstupanja od idealne I-U karakteristike kod nepropusne polarizacije dolazi zbog utjecaja generacije i rekombinacije u osiromaenom podruju, zbog visoke injekcije manjinskih nosilaca naboja i zbog padova napona na kvazineutralnim podrujima P-tipa i N-tipa, te vanjskim kontaktima. 25. Do odstupanja od idealne I-U karakteristike kod propusne polarizacije dolazi zbog utjecaja generacije i rekombinacije u osiromaenom podruju, zbog visoke injekcije manjinskih nosilaca naboja i zbog padova napona na kvazineutralnim podrujima P-tipa i N-tipa, te vanjskim kontaktima. 26. Pri stvaranju modela idealne PN-diode zanemareni su padovi napona na kvazineutralnim podrujima P-tipa i N-tipa. Pri veem porastu struje kroz diodu treba uzeti u obzir i padove napona na kvazineutralnim podrujima to se esto pojednostavljeno prikazuje

dodavanjem otpornika u seriju s osiromaenim slojem. Smanjenje napona na osiromaenom podruju smanjuje razinu injekcije nosilaca naboja pa pri veim naponima struja raste sporije. Daljnju nevolju pri proraunu omskih gubitaka izaziva injenica da se s poveanom injekcijom nosilaca naboja zbog poveanja struje mijenja i provodnost kvazineutralnih podruja, koja pri velikim strujama moe smanjiti iznose otpora Rp i Rn (otpori kvazineutralnih podruja)