1

Cours dElectronique Analogique

ENSPS - 1
ire
anne. Anne universitaire : 2005/2006
Thomas Heiser
Institut dElectronique du Solide et des Systmes (InESS)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
email: heiser@iness.c-strasbourg.fr
Version jour du cours, Archives : noncs examens
http://www-iness.c-strasbourg.fr/~heiser/EA/
2
Introduction
Quest-ce que llectronique ?
Domaine de la physique applique qui

exploite les variations de grandeurs lectriques pour

capter, transmettre ou analyser des informations.
Le traitement de linformation est gnralement assur par des
circuits lectroniques.


3
Un ensemble de composants (rsistances, condensateurs, diodes,
transistors, circuits intgrs: AOP, microprocesseurs, )
qui agissent sur les courants et tensions lectriques
Quest-ce quun circuit lectronique ?
ils engendrent, modifient et utilisent des signaux lectriques.

gnrateur, capteur, compteur,.
amplificateur, redressement, modulateur ,
stockage et traitement de
linformation, commande et
contrle dappareillage,...
4
Lhirarchie de lElectronique
- Conception et modlisation des composants
physique des semiconducteurs (transport de charge, interfaces,)
- Fabrication des composants
physique de la matire condense (croissance cristalline, dopage, )
- Conception de circuits fonctionnels
- Conception assiste par ordinateur
Traitement du signal, algbre de Boole
- Architecture des systmes
- Interfaces avec lenvironnement
- Systmes asservis
Conception de circuits lectroniques et microlectroniques
Ralisation de systmes complets
Technologies des composants semiconducteurs
5
Electronique Analogique ou Numrique
Electronique analogique

- Variation continue des grandeurs lectriques

Information valeurs instantanes I(t) et V(t)
Electronique numrique

- Variation binaire des grandeurs lectriques

Codage de lInformation Niveau dabstraction supplmentaire


6
Pour quelles applications ?
Instrumentation
Robotique
Communications
Multimdia
Systmes informatiques
Cartes mmoires

7
R&D sur les composants lectroniques
rduction des dimensions, introduction de nouveaux matriaux,
nouveaux types de composants: optolectronique, de puissance,
mmoires, ...

Simulation et programmation
R&D sur la simulation de la fabrication et du fonctionnement des C.I.

Conception de circuits lectroniques et de composants intgrs
conception, simulation et ralisation de circuits

Pourquoi quels ingnieurs ?
8
Llectronique : Un domaine en volution exponentielle
En 1947 : le premier transistor
(Shockley, Brattain, Bardeen)
En 1957 : le premier CI (Texas / Kilby)
9
En 1971 : le premier Processeur (Hoff, Faggin, prix 200$)
4004 dINTEL : 15/11/1971
(2250 Transistors Bipolaires,
108 KHz, 4bits, 604 mots ad.)
10
Premier processeur
Deuxime processeur
Mmoire cache
(SRAM)
Aujourdhui: ATHLON 64 X2 Dual-core => deux processeurs sur un seul chip
233 000 000
Transistors
en
technologie
90nm
11
La loi empirique de Moore
Taille des transistors Taux dintgration ^ Vitesse de calcul^
12
et demain
La nano-lectronique
Transistor
25nm
(10nm possible)
Couplage avec la micro-mcanique et loptique (MEMS, MOEMS)
13
Electronique molculaire
Une molcule comme composant
Electronique sur plastique
Les technologies mergentes
14
Mais a ne se fait pas tout seul...
15
L Electronique lENSPS
1A: Les bases :
- Electronique Analogique
- Electronique Numrique
- Complment dlectronique
- Physique et technologie des semiconducteurs (ancien Capteurs )

2A: Notions avances :
- Electronique Numrique et Analogique II
- Simulation et modlisation en microlectronique
- Microcontrleurs

En option :
- Physique des dispositifs lectroniques base de semiconducteurs
- Electronique programmable
- CAO

3A: La spcialisation :
- ENSPS: OPTION ELEC / OPTION PHYSIQUE
- MASTER: micro- et nanolectronique: du composant au systme sur puce
16
Physique de la matire
semiconducteurs, thorie des bandes, transport de charges

Systmes asservis
systmes linaires, circuits contre-raction

Traitement du signal
filtrage, systmes linaires, modulation...
Le lien avec les autres enseignements (1A) :
17
Contenu du cours d lectronique analogique
Quelques rappels utiles

1. Les Diodes et applications des diodes

2. Le Transistor bipolaire et applications

3. Les Transistors effet de champ et applications



Bibliographie
Principes dlectronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
Electronique: composants et systmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
Trait de llectronique analogique et numrique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
Microlectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
Logiciel de simulation gratuit: ICAP/4, version demo (www.intusoft.com)
18
Contenu du cours d lectronique analogique
et pour sentraner

12 sances de travaux dirigs

10 sances de travaux pratiques (4h)

Complments dlectronique (C. Lallement) :
Electronique et temprature, composants de puissance
Amplificateurs oprationnels:
- parfaits et rels
- applications
Autres composants intgrs (N555):
- interface A/N
- autres applications
et aprs
19
Rappels utiles
Composants linaires et loi dOhm
Le modle linaire ne dcrit le comportement rel du composant que dans un
domaine de fonctionnement (linaire) fini.
I
V
Rsistance lectrique = composant linaire :
V = R I
loi dOhm
V
I
R
Gnralisation au rgime harmonique (variation sinusodale des tensions et courants) :
( ) ( ) ( ) e e e I Z V =
( )
e
e
jC
Z
1
=
C L
( ) e e jL Z =
composant linaire :
impdance :
20
Source de tension, source de courant
Sources idales :
I
V
I
o

I
o

V charge
I
source de courant
idale :
le courant fourni par la source est indpendant de la charge
source de
tension idale :
V
I
V
o

V
o

V charge
I
la tension aux bornes de la source est indpendante de la charge
21
V
Sources relles :
I
I
o

source de courant
relle :
Le domaine de linarit dfini la plage de fonctionnement du composant en tant que
source de courant
domaine de fonctionnement linaire
ou domaine de linarit
schma
quivalent
source de courant R
i
>> V/I = Z
e
= impdance dentre de la charge.
i
o
R
V
I I =
o
I cst I = ~
tant que I >> courant dans la rsistance interne

|
|
.
|

\
|
i
R
V
Schma quivalent:
I
o
R
i

V charge
I
R
i
= rsistance interne
(G
i
= 1/R
i
= conductance interne)
hyp : Vedomaine de linarit
22
V
I
V
o

source de tension
relle :
domaine de linarit
schma
quivalent
source de tension R
i
<< Z
e

I R V V
i o
=
o
V cst V = ~
tant que la chute de potentiel aux bornes de R
i
est
faible devant V
( ) V I R
i
<<
charge V
I
V
o

R
i

hyp : Vedomaine de linarit
Schma quivalent:
23
Transformation de schma :
selon la valeur de Z
e
/R
i
on parle de source de tension (Z
e
>>R
i
) ou source de courant (Z
e
<<R
i
)
Sources lies
Lorsque la tension (ou le courant) dlivre par une source
dpend de la tension aux bornes dun des composants du circuit
ou du courant le parcourant, la source est dite lie. Vous verrez
des exemples de sources lies dans le cas des transistors.
en fait...

vu
de la
charge
V
o

R
i

R
i

I
o

avec
i
o
o
R
V
I =
= courant de court-circuit
(charge remplace par un
court-circuit)
I R V V
R
V
R
V
R
V
I I
i o
i i
o
i
o
= = = puisque
[V
o
= tension en circuit ouvert du diple]
c
h
a
r
g
e

c
h
a
r
g
e

I
V
I
V
24
Thorme de Thvenin
Tout circuit deux bornes (ou diple) linaire, constitu de rsistances, de sources de
tension et de sources de courant est quivalent une rsistance unique R
Th
en srie avec
une source de tension idale V
th
.
Calcul de V
th
: ( ) ouvert circuit
!
V V
th
=
V
I
A
B

V
th

R
th

V
I
= gnrateur de Thvenin
A
B
( )
( )
( ) circuit - court
ouvert circuit
circuit - court
!
I
V
I
V
R
th
th
= =
Calcul de R
th
:
ou
[remplacement des sources de tension non-lies par un fil
(V
o
=0), et des sources de courant non-lies par un circuit
ouvert (I
o
=0)]
AB th
R R = en absence des tensions et courants fournies par les sources non-lies.
25
Thorme de Millmann
Thorme utile pour calculer la tension en un nud dun circuit
Considrons le schma suivant :
V
1
V
2
V
i
R
1
R
2
R
i
V
V
1
V
2
V
i
R
1
R
2
R
i
V

=
i
i
i
i
i
R
R
V
V
1
26
Principe de superposition
Dans le cas des circuits lectriques composs exclusivement d'lments linaires
(rsistances, capacits, inductances, gnrateurs de tension ou de courant
indpendants ou dpendant linairement d'un courant, d'une tension...), la rponse
dans une branche est gale la somme des rponses par chaque gnrateur
indpendant pris isolment, en inactivant tous les autres gnrateurs indpendants
(gnrateurs de tension remplacs par des fils et gnrateurs de courants par
des interrupteurs ouverts).
! Le circuit peut inclure des composants non-linaires (diodes ou transistors ), qui
oprent dans un domaine restreint o leur comportement est approximativement
linaire.
Do lintrt des modles segments linaires ou des modles petits
signaux des composants lectroniques dont nous parlerons dans ce cours.
27
Analyse statique / dynamique dun circuit
L Analyse dynamique

ne tient compte que des composantes variables des sources (ou signaux lectriques,
ou encore composantes alternatives (AC) )
L Analyse statique

se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs lectriques
(ou composantes continues, ou encore composantes statiques)

= Analyse complte du circuit si seules des sources statiques sont prsentes
Notation : lettres majuscules pour les composantes continues

lettres minuscules pour les composantes variables
28
I llustration : Etude de la tension aux bornes dun composant insr dans un circuit.
R
1

R
2
V(t)=V+v(t)
V
E

v
e
v
e
= signal sinusodal, valeur
moyenne nulle
V
E
= source statique
Calcul complet
( ) ( ) | | ( ) t v
R R
R
V
R R
R
t v V
R R
R
t V
e E e E
2 1
2
2 1
2
2 1
2
+
+
+
= +
+
=
V
v(t)
Principe de superposition :
Comme tous les composants sont linaires, le principe de superposition sapplique
la source statique V
E
est lorigine de V et v
e
est lorigine de v
29
V
E

R
1

R
2

V
Analyse statique :
schma statique du circuit
E
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
Une source de tension statique correspond un court-circuit dynamique
0 =
e
v
En statique, une source de tension variable valeur moyenne nulle correspond un
court-circuit
Analyse dynamique :
V
E
= 0 dans lanalyse dynamique
( ) ( ) t v
R R
R
t v
e
2 1
2
+
=
v
e

R
1

R
2

schma dynamique
v
V
E
indpendant du temps
30
Autres exemples:
v
e

I
o

R
1
R
2

R
3
V(t)=V+v(t)
1)
Une source de courant statique est quivalent en rgime dynamique un circuit
ouvert. [puisque i(t)=0!]
Schma dynamique
v
e

R
1
R
2

R
3
v
( )
( )
3 2 1
3
R R R
t v R
t v
e
+ +
=
Schma statique
I
o

R
1
R
2

R
3

V
o
I
R R R
R R
V
3 2 1
3 1
+ +
=
31
2)
V

(t)
v
g
e
R
g

V
al

R
1

R
2

C
Schma statique :
al
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
frquence nulle C = circuit ouvert
! C = composant linaire caractris par une impdance qui
dpend de la frquence du signal
V
V
al

R
1

R
2

32
Schma dynamique :
v
v
g

e
R
g

R
1

R
2

schma quivalent dynamique
g
g
v
Z R R
R R
v
+
=
1 2
1 2
//
//
e iC
R Z
g g
1
avec + =
pour e suffisamment leve :
g
g
v
R R R
R R
v
+
=
1 2
1 2
//
//
e iC
Z
c
1
=
Z
C

g g
R Z ~ et
A trs hautes frquences ( prciser suivant le cas), le condensateur peut tre
remplac par un court-circuit.
33
1. Les Diodes
I
d

V
d

1.1 Dfinition
Caractristique courant-
tension dune diode idale :
I
d

V
d

sous polarisation directe
(V
d
>0), la diode = court-circuit
(i.e. conducteur parfait)
sous polarisation inverse (V
d
<0)
la diode = circuit ouvert
Le courant I
d
ne peut passer que dans un sens.

Ce type de composant est utile pour raliser des fonctions lectroniques telles que le
redressement dune tension, la mise en forme des signaux (crtage, ).

La diode (mme idale) est un composant non-linaire

Aujourdhui la majorit des diodes sont faites partir de matriaux semiconducteurs
(jonction PN ou diode Schottky, cf cours Phys. et Tech. des SC 1A et Option: Physique des
dispositifs lectroniques base de SC, 2A)
34
1.2 Caractristiques dune diode relle base de Silicium
hyp: rgime statique
(tension et courant
indpendants du
temps)
V
d

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d

I
s

Pour V
d
<0, la diode se comporte comme un bon isolant : I
s
~ 1 pA - 1A ,
la diode est dite bloque
dans ce domaine son comportement est approximativement linaire
le courant inverse, I
s
,

augmente avec la temprature
comportement linaire
Pour V
d
>>~0.7, le courant augmente rapidement avec une variation peu prs linaire
la diode est dite passante
mais I
d
nest pas proportionnel V
d
(il existe une tension seuil~ V
o
)
V
o

35
V
d

-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
20
60
100
140
I
d

(

|
|
.
|

\
|
~ 1 exp
T
d
s d
V
V
I I
q
Zone du coude : V
d
e[0,~ V
o
] : augmentation exponentielle du courant
avec 1sqs 2 (facteur didalit)
V
T
= k T/e
k = 1,38 10
-23
J/K= constante de Boltzmann
e= 1.6 10
-19
Coulomb, T la temprature en Kelvin
I
s
= courant inverse
le comportement est fortement non-linaire
forte variation avec la temprature
V
o

! V
T
(300K) = 26 mV / Diode idale car comportement identique celle prvue pour une jonction PN
36
Zone de claquage inverse
Ordre de grandeur :
V
max
= quelques dizaines de Volts
! peut conduire la destruction pour une
diode non conue pour fonctionner dans
cette zone.
! V
max
= P.I. V (Peak Inverse Voltage) ou
P.R.V (Peak Reverse Voltage)
I
d

V
d

V
max

claquage par effet
Zener ou Avalanche
V
o

Limites de fonctionnement :
Il faut que V
d
I
d
=P
max

Limitation en puissance
V
d
I
d
=P
max
I nfluence de T :
V
d
( I
d
constant) diminue de ~2mV/C
diode bloque : I
d
= I
S
double tous les 10C
diode passante :
(diode en Si)
(1/2W pour les diodes standards)
37
1.3 Diode dans un circuit et droite de charge
Point de fonctionnement
V
al

R
L

V
R

I
d

I
d
, V
d
,

?
Comment dterminer la tension aux bornes dune diode insre dans un circuit et le
courant qui la traverse?
V
d

I
d
et V
d
respectent les Lois de Kirchhoff
I
d
et V
d
sont sur la caractristique I(V) du composant
Au point de fonctionnement de la diode, (I
d
,V
d
) remplissent ces deux conditions
38
V
al
/R
L

V
al

Droite de charge
I
d
V
d
Caractristique I(V)
Droite de charge
Loi de Kirchoff :
L
d al
d
R
V V
I

= =Droite de charge de la diode dans le circuit
Connaissant I
d
(V
d
) on peut dterminer graphiquement le point de fonctionnement
! procdure valable quelque soit la caractristique I(V) du composant !
On peut calculer le point de fonctionnement en dcrivant la diode par un modle simplifi.
Q=Point de fonctionnement I
Q

V
Q

Q
39
1.4 Modles statiques
Modle de premire approximation: Diode idale
On nglige lcart entre les caractristiques relle et idale
V
al
>0
I
d

V
d

V
al

pente=1/R
i

V
al
<0
I
d

V
d

V
al

V
al

R
i

I
d

V
d

I
d

V
d

pas de tension seuil
conducteur parfait sous polarisation directe
V
d
<0: circuit ouvert
diode bloque
0 <
d
V
al d d
V V I = = , 0
V
al

R
i

Schmas quivalents :
V
al

R
i

0 , = =
d
i
al
d
V
R
V
I
diode passante
0 >
d
I
hyp: I
d
, V
d
constants ou variation lente (pas deffets transitoires).
=modles grands signaux, basses frquences
40
Modle amlior de seconde approximation
I
d

V
d

I
d

V
d

tension seuil V
o
non nulle
caractristique directe verticale
(pas de rsistance srie)
V
d
<0: circuit ouvert
V
o

V
al

R
i

V
o

schmas quivalents :
diode passante
0 >
d
I
I
d

V
al

R
i

V
al
<V
o

V
d

V
al

o d
i
o al
d
V V
R
V V
I =

= ,
diode bloque
o d
V V <
al d d
V V I = = , 0
V
al

R
i

Schmas quivalents
V
al
>V
o

I
d

V
d

V
al

pente=1/R
i

V
o

! Pour une diode en Si: V
o
~ 0,6-0,7 V
41
Modle de 3
ime
Approximation
I
d

V
d

tension seuil V
o
non nulle
rsistance directe R
f
non nulle
V
d
<0: rsistance R
r
finie
V
d

1
V
o

Modlisation
pente = 1/R
f

pente = 1/R
r
~0
Caractristique relle
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
Schmas quivalents
I
d

V
d

V
al

pente=1/R
i

V
o

V
al
>V
o
:
V
al

R
i

I
d

V
d

V
al
R
r

diode bloque
V
al
<V
o
:
o d
V V <
V
al

R
i

diode passante
V
o

R
f

schmas quivalents :
o d d
V V I > > et 0
d f o d
I R V V + =
V
d

I
d

! Pour une diode en silicium,
V
o
= 0,6-0.7V, R
f
~ q.q. 10O,
R
r
>> MO,
42
Remarques :

d
d
f
I
V
R =
Le choix du modle dpend de la prcision requise.
Les effets secondaires (influence de la temprature, non-linarit de la
caractristique inverse, .) sont pris en compte par des modles plus volus
(modles utiliss dans les simulateurs de circuit de type SPICE).
43
Calcul du point de fonctionnement via lutilisation des schmas quivalents :
Problme: le schma dpend de ltat (passante ou bloque) de la diode. Il y a deux schmas
quivalents possibles Lequel est le bon?
Dmarche (pour dbutant...):
a) choisir le schma (ou tat) le plus vraisemblable (en vous aidant par
exemple de la droite de charge)

b) calculer le point de fonctionnement Q de la diode

c) vrifier la cohrence du rsultat avec lhypothse de dpart

Sil y a contradiction, il y a eu erreur sur ltat suppos de la diode.
Recommencer le calcul avec lautre schma.
Dmarche pour tudiants entrans...
Un coup dil attentif suffit pour deviner ltat (passant/bloqu) de la diode !
Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schma quivalent...
44
Exemple : Calcul de Q du circuit suivant, en utilisant la 2ime approximation pour la diode.
mA I
d
85 , 1 =
V V
d
6 , 0 =
Diode en Si :V
o
= 0.6V
hypothse initiale : diode passante [V
d
>V
o
, (I
d
>0)]
OK!
En partant de lhypothse dune diode bloque:

o d
V V V > = 5 , 2
En utilisant la 3ime approximation: (R
f
= 15O, R
r
= 10MO)
V V mA I
d d
63 , 0 et 82 , 1 = =
50 O
50 O 1kO
5V
50 O
50 O 1kO
5V 50 O
50 O 1kO
5V
0,6V
50 O
50 O 1kO
5V
0,6V
I
D

Rem: Refaites le calcul aprs avoir remplace la rsistance de 1kO par 10O
45
Autres exemples :
1)
V
al

50O
R
c

Calcul de I
d
et V
d


pour :
a)V
al
= -5V, R
c
= 1kO
b) V
al
= 5V, Rc = 1kO
c) V
al
= 1V, R
c
= 1kO
d) V
al
= 1V, R
c
= 10O

Conseil: simplifier le circuit dabord avant de vous lancer dans des calculs
Diode au Si
2)
2 V
D
1
D
2

100 O
Diode au Si
3)
1V
50O
Diodes au Si
46
Variation suffisamment lente pour que I
D
(V
D
) soit toujours en accord avec la
caractristique statique de la diode.

Variation de petite amplitude autour du point de fonctionnement statique Q :
la caractristique I
d
(V
d
) peut tre approxime par la tangente en Q

d
Q
d
d
d
v
dV
dI
i ~
schma quivalent dynamique
correspondant au point Q :

1
Q
d
d
dV
dI
= rsistance dynamique
de la diode
I
d
V
d
V
o

Q
Q
d
d
dV
dI
pente :
Q
d
I
Q
d
V
2|i
d
|
2, v|
Modle petits signaux, basses frquences
! Ce schma ne peut tre utilis QUE pour une analyse dynamique du circuit !
1.5 Modles dynamiques
47
Notation :
r
f
= = rsistance dynamique pour V
d
Q
> 0
r
r
= = rsistance dynamique pour V
d
Q

< 0
1
0

>
d
V
d
d
dV
dI
1
0

<
d
V
d
d
dV
dI
! temprature ambiante :
( )
( ) 1
25
= O ~ q
mA I
r
d
f
Pour V
d
>> V
o
, r
f
~ R
f

Pour V
d
< 0 , r
r
~ R
r

Pour V
d
e [0, ~V
o
] ,
d
T
s
V
V
s
d
V
d
d
f
I
V
I e I
dV
d
dV
dI
r
T
d
d
q
q
=
(
(
(

|
|
|
.
|

\
|
~ =

1
1
! proche de V
o
la caractristique I(V) scarte de la loi exponentielle
r
f
ne devient jamais infrieure R
f
(voir courbe exprimentale, p27)
48
Exemple :
V
d
(t)
V
e

v
e

R
a

1kO C
10F
D
R
b

2kO
5V
Analyse statique : V V mA I
D D
62 , 0 , 2 , 2
2000
6 , 0 5
~ =

~
diode: Si, R
f
= 10O , V
o
= 0,6V ,
Temprature : 300K
( ) t v
e
= t 2 10 sin 1 , 0
3
Analyse dynamique : , 12
2 , 2
26
O = ~
f
r
a c
R Z << O =16
Schma dynamique :
1kO
v
e

2kO
~ 12O
v
d

( ) t v
d
~

t 2 10 sin 10 2 , 1
3 3
Amplitude des ondulations rsiduelles : 1,2 mV
49
Rponse frquentielle des diodes
Limitation haute frquence :

Pour des raisons physiques, le courant I
d
ne peut suivre les variations instantanes de V
d
au del dune certaine frquence.

apparition dun dphasage entre I
d
et V
d


le modle dynamique basse frquence nest plus valable
Le temps de rponse de la diode dpend :

du sens de variation (passant bloqu, bloqu passant) (signaux de grande amplitude)

du point de fonctionnement statique (pour des petites variations)
50
Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation directe (V
d
Q
>0)
Une petite variation de V
d
induit une grande variation I
d
, cest --dire des charges qui
traversent la diode

A haute frquence, des charges restent stockes dans la diode (elle narrivent pas suivre les
variations de V
d
)

~ Comportement dun condensateur, dont la valeur augmente avec I
d

(cf physique des dispositifs semiconducteurs)
Ordre de grandeur : C
d
~ 40 nF 1mA, 300K.
Modle petits signaux haute frquence (V
d
>0) :
T
I
C
Q
d
d

= capacit de diffusion

r
c

r
sc

basse frquence : r
c
+r
s
=r
f


la sparation en deux rsistances tient mieux compte des phnomnes physiques en jeu.
51
suite de lexemple prcdent:
V
d
(t)
v
e

R
a

1kO C
10F
D
R
b

2kO
5V
I
d
= 2,2mA C
diff
~100nF
A quelle frquence la capacit dynamique commence-t-elle
influencer la tension v
d
?
|
|
.
|

\
|
th
v
v
log
log f
-3dB
kHz
C r
f
diff th
130
2
1
~ =
t
Schma dynamique en tenant compte de C
diff
:
1kO
v
e

~ 12O
v
C
diff

r
th
~11O
v
th

v
C
diff

= filtre passe-bas
(hyp simplificatrice: r
c
~0)
52
Variation de V
d
de faible amplitude, sous polarisation inverse (V
d
Q
<0)

:
Une variation de V
d
entrane une variation du champ lectrique au sein de la diode, qui son tour
dplace les charges lectriques.

A haute frquence, ce dplacement donne lieu un courant mesurable, bien suprieur I
s
.

Ce comportement peut encore tre modlis par une capacit lectrique :
r
r

o d
t
V V
C

1
Modle petits signaux haute frquence (V
d
<0) :
= capacit de transition ou dpltion
Ordre de grandeur : ~pF
53
Diode en commutation : Temps de recouvrement direct et inverse
le temps de rponse dpend du courant avant commutation.
ordre de grandeur : ps ns
Le temps de rponse fini de la diode sobserve aussi en mode impulsionnel , lorsque la diode
bascule dun tat passant vers un tat bloqu et vice-versa.
V
d

V
g

R
V
o

V
g

t
-V
R

V
Q

temps de rponse
-V
R

V
d

V
o

I
d

(V
Q
-V
o
)/R
-V
R
/R
54
1.6 Quelques diodes spciales
Ordre de grandeur : V
Z
~1-100 V , I
min
~0,01- 0,1mA, P
max
rgime de fonctionnement
Diode conue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractrise par une tension
seuil ngative ou tension Zener (V
Z
)
Diode Zener
-I
max

I
max
: courant max. support par la diode
(puissance max:P
max
~V
Z
I
max
)
-V
z

V
Z
: tension Zener (par dfinition: V
Z
>0)
-I
min

I
min
: courant minimal (en valeur absolue) au del
duquel commence le domaine linaire Zener
I
d

V
d

Caractristiques
55
I
d

V
d

-V
z

-I
min

-I
max

pente
1/R
z

schmas quivalents
hyp : Q e domaine Zener
Q
Modle statique :

V
z

V
d

I
d

+
R
z

Modle dynamique, basses frquences, faibles
signaux :
z
Q
d
d
z
R
dV
dI
r ~
(
(

=
1
pour |I
d
| >I
min

56
Diode lectroluminescente (ou LED)
Principe : La circulation du courant provoque la luminescence
Fonctionnement sous polarisation directe (V > V
o
)

Lintensit lumineuse courant lectrique I
d


! Ne fonctionne pas avec le Si (cf. cours Capteurs)

V
o
= 0.7V ! (AsGa(rouge): ~1.7V; GaN(bleu): 3V)

57
Sous polarisation inverse, la photodiode dlivre un courant proportionnel
lintensit de la lumire incidente.
Diode Schottky
Une diode Schottky est une diode qui a un seuil de tension V
o
trs bas et un temps de
rponse trs court.
Diode Varicap
Une varicap est une diode capacit variable. Elle utilise la variation de C
t
avec V
d

en polarisation inverse.
Photodiode
58
1.7 Applications des Diodes
Limiteur de crte (clipping)
Fonction : Protger les circuits sensibles (circuits intgrs, amplificateur grand gain) contre
une tension dentre trop leve ou dune polarit donne.
Un aperu qui sera complt en TD et TP.
Limite dutilisation : Puissance maximale tolre par la diode.
Clipping parallle
V
e
V
g

circuit
protger
R
g

Z
e

(diode // charge)
Clipping srie :
V
e
(t)
circuit
protger
Z
e
V
g

R
g

V
e
ne peut dpasser significativement V
o

I
e
ne peut tre ngatif
I
e

59
Protection par diode :

V
max<0
~ - 0.7V

V
A
s ~20,7V

! la conduction de la diode
engendre un courant
transitoire et diminue la
tension inductive.
+20V
V
I
+20V
L
I
V
ouverture de linterrupteur :



V
A
+

risque de dcharge lectrique
travers linterrupteur ouvert

! Linterrupteur pourrait tre un
transistor...
=
dt
dI
L V
Protection contre une surtension inductive (ex: ouverture/ fermeture dun relais)
A
60
Alimentation
Transformer un signal alternatif en tension continue stable
(ex: pour lalimentation dun appareil en tension continue partir du secteur)
Objectif:
Les fonctions effectues par une alimentation :
Redressement
Filtrage passe-bas Rgulation
V>0
V<0
61
Redressement simple alternance
220V
50Hz
R
c
V
s

7 . 0 ~
m
V
V
s

t
(cf avant)
R
i
=rsistance de sortie du transformateur
V
m
=amplitude du signal du secondaire
Redressement double alternance (pont de Graetz)
D
1

D
2

D
3
D
4

R
R
c

V
i
V
s

V
i

t
V
s
,
V V
i
4 . 1 <
~1.4V
62
avec filtrage :
avec condensateur
sans condensateur
D
1
D
2

D
3
D
4

R
V
s

50 O
R
c
=
1
0
k
O

V
i

200F
Charge du condensateur travers R
et dcharge travers R
c

RC << R
c
C
ondulation rsiduelle
Rgulation: utilisation dune diode Zener (cf TD, TP et chapitre sur les transistors)
63
Autres configurations possibles :
! mauvais rendement, puisqu
chaque instant seule la moiti du
bobinage secondaire est utilis
secteur
~
transformateur
point milieu
Utilisation dun transformateur point milieu :
secteur
~
+V
al

-V
al

masse
Alimentation symtrique :
64
Restitution dune composante continue (clamping) ou circuit lvateur de tension
Dcaler le signal vers les tensions positives (ou ngatives)
reconstitution dune composante continue (valeur moyenne) non nulle
Fonction :
Exemple :
V
c

V
g
(t)
C
V
d

D
R
g

Lorsque V
g
- V
c
<0.7, la diode est bloque
V
c
=constant (C ne peut se dcharger!)

V
d
=V
g
+V
c

V
g

R
g

C
V
c

V
d

~ composante continue
Fonctionnement : (hyp: diode au silicium)
Lorsque V
g
- V
c
>~0.7V

, la diode est passante
C se charge et V
c
tend vers V
g
0.7

V
d
~ 0.7
V
g

R
g

C
V
c

V
d
~0.7V
I
65
V
c

V
g
(t)
C
V
d

D
R
g

Cas particulier :
( ) 0 pour sin > = t t V V
m g
e
0 pour 0 < = t V
c
(C dcharg)
Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge
t (s)
C=1F
R
g
=1kO
f= 100hz
V
m
=5V
V
c

V
g

V
d

charge du condensateur
V
d
~0.7V
Simulation
66
Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.
Charge de C avec une constante de temps de R
g
C chaque fois que la diode est passante

Dcharge de C avec une constante de temps R
r
C

Le circuit remplit ses fonctions, si pour f >>1/R
r
C (~10
5
hz dans lexemple) :

en rgime permanent: V
d
~ V
g
- V
m

composante continue
67
Multiplieur de tension
Fonction : Produire une tension de sortie continue partir dun signal dentre variable. La
tension continue est gnralement un multiple de lamplitude du signal dentre.
Exemple : doubleur de tension
clamping
redresseur monoalternance avec filtre RC
~
V
g

R
c
>>R
g

R
g

V
D1
V
Rc



V
m
=10V, f=50Hz, C=10F

R
c
=100kO.
C
C
l

( ) 0 pour 2 sin > = t t f V V
m g
t
t
V
D1
,V
Rc

rgime transitoire / permanent
* En rgime tabli, le courant dentre du
redresseur est faible (~ impdance dentre
leve)
m m R
V V V
c
~ ~ 2 4 , 1 2
* Il ne sagit pas dune bonne source de
tension, puisque le courant de sortie (dans R
c
)
doit rester faible (~ rsistance interne leve)
68

Limpdance dentre de la charge doit tre >> R
f
+ R
transformateur
+R
protection

! source flottante ncessit du transformateur


charge
source
AC
Autre exemples : Doubleur de tension
69
2. Transistor bipolaire
2.1 Introduction
le Transistor = llment clef de llectronique
il peut :
amplifier un signal
amplificateur de tension, de courant, de puissance,...

tre utilis comme une source de courant

agir comme un interrupteur command ( = mmoire binaire)
essentiel pour llectronique numrique

...
il existe :
soit comme composant discret

soit sous forme de circuit intgr, i.e. faisant partie dun circuit plus
complexe, allant de quelques units (ex: AO) quelques millions de
transistors par circuit (microprocesseurs)
70
on distingue le transisor bipolaire du transistor effet de champ

diffrents mcanismes physiques
Ils agissent, en 1
ire
approx., comme une source de courant command

Idalement : ltage dentre ne dpend pas de ltage de sortie.
I
contrle

source de courant
commande par un
courant
contrle command
I A I =
A = gain en courant
transistor bipolaire : command par un courant
V
contrle

source de courant
commande par une
tension
contrle command
V G I =
G

= transconductance.
transistor effet de champ: command par une tension
71
2.2 Structure et fonctionnement dun transistor bipolaire
Structure simplifie
P
+

P
N
E
B
C
metteur
collecteur
base
Transistor PNP
E
C
Transistor NPN
N
N
P
B
+
couplage
entre les
diodes
diode EB
diode BC
Deux jonctions PN ou diodes couples effet transistor

Symtrie NPN/PNP
diode EB
diode BC
72
Effet transistor
si V
EE
> ~ 0.7V , jonction EB passante V
BE
~0.7V, I
E
>>0
V
CC
> 0, jonction BC bloque => champ lectrique intense linterface Base/Collecteur
La majorit des lectrons injects par lmetteur dans la base sont collects par le champ
I
C
~I
E
et I
B
=I
E
-I
C
<< I
E
La jonction EB est dissymtrique (dopage plus lev ct E)
courant port essentiellement par les lectrons (peu de trous circulent de B vers E)
En mode actif, I
C
est contrl par I
E
, et non vice versa
Exemple: Transisor NPN
N N P
+
B
E
C
V
EE

V
CC

R
E
R
C

E

I
E

I
C

I
B

e
-

Conditions de polarisation : Jonction EB : directe
Jonction BC: inverse
= MODE ACTI F du transistor
73
Premires diffrences entre le transistor bipolaire et la source commande idale...
Contraintes de polarisation : V
BE
>~0.7V, V
CB
> - 0.5V
.
Symboles
B
NPN
C
E
B
C
E
PNP
I
E
>0 en mode actif
PNP
I
C

I
E

I
B

Conventions des courants :
NPN
I
C

I
E

I
B

I
E
=I
B
+I
C
74
2.3 Caractristiques du transistor NPN
Choix des paramtres :
Configuration Base Commune
( base = lectrode commune)
Caractristiques : I
E
(V
BE
,V
BC
), I
C
(V
BC
,I
E
)

Configuration Emetteur Commun
(metteur= lectrode commune)
Caractristiques : I
B
(V
BE
, V
CE
), I
C
(V
CE
, I
B
)
La reprsentation des caractristiques en configuration collecteur commun est plus rare.
Les diffrentes grandeurs lectriques (I
E
, I
B
,
V
BE
,V
CE
,) sont lies:

diffrentes repsentations quivalentes des
caractristiques

lectriques existent
R
E
R
C

V
EE

V
CC

I
E

I
C

I
B

V
BE

V
CB

V
CE

75
Caractristiques en configuration BC :
~ caractristique dune jonction PN




! trs peu dinfluence de I
C
(resp. V
CB
)

(

|
|
.
|

\
|
~ 1 exp
T
BE
s E
V
V
I I
Jonction BE passante
I
E
>0, V
BE
~ 0.6-0.7V= V
o

Jonction BE bloqu
I
E
~ 0, V
BE
< 0.5 V
CAS DU TRANSISTOR NPN
I
E
(V
BE
, V
CB
) :
caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
I
E
(mA)
V
BE
(V)
V
CB
=0 , -15
0.1 0.5
1
2
76
I
C
(V
CB
, I
E
) :
1
1.5
2.0
tension seuil de la jonction BC
mode actif
+ pour V
CB
> ~-0.5V, on a I
C
=o
F
I
E
, avec o
F
proche de 1.
7 En mode actif, ( )
F E C E B
I I I I o = = 1
Ordre de grandeur : o
F
~0.95 - 0.99 o
F =
gain en courant continue en BC
I
E
(mA)
jonction PN polarise en inverse
V
CB
(V)
0.5
1.0
1.5
-0.5
1 2 3
0
I
c
(mA)
+ pour I
E
= 0, on a I
C
= courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0
7 Transistor en mode bloqu
+ pour V
CB
~ -0.7, la jonction BC est passante, I
C
nest plus controle par I
E
7 Transistor en mode satur
0.5
|
BE
V
E C
I I ~
77
Caractristiques en configuration EC :
I
B
(V
BE
, V
CE
) :
V
BE
(V)
I
B
(A)
0.1 0.2 0.3
0
0.5
1.5
3
0.1V
>1V
E

I
C

I
B

I
E

N N P
V
CE
=
+ V
BE
> 0.6V, jonction PN passante
I
B
<<I
E
charges non collectes par le champ lectrique de la jonction BC
+ Influence non-ngligeable de V
CE
sur o
F
Effet Early
( )
E F B
I I o = 1
caractristique dentre
hypothse: diode BC bloque (mode usuel)
78
I
C
(V
CE
, I
B
) :
Mode actif
Mode actif : BE passant, BC bloque V
BE
~ 0.7V et V
CB
>~ -0.5 V

V
CE
= V
CB
+V
BE
> -0.5 + 0.7 ~0.2 V
! Grande dispersion de fabrication sur h
FE
.

( )
B FE B
F
F
C B C F E F C
I h I I I I I I " "
1
=

= + = =
o
o
o o
ordre de grandeur : h
FE
~ 50 - 250
h
FE
=

gain en courant
continue en EC = |
F

Effet Early : o
F
tend vers 1 lorsque V
CE
augmente h
FE
augmente avec V
CE

I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
b
=20 A
15A
10A
5A
1
2
1 3 5
Transistor satur
Mode satur : Diode BC passante -> I
C
~ indpendant de I
B

h
FE
diminue lorsque V
CE
0
Transistor bloqu
I
C
= I
CO

79
Modes actif / bloqu / satur
Configuration EC :
Transistor NPN
Mode satur :
V V
BE
8 . 0 ~
V V
CE
2 . 0 ~
B FE c
I h I =
~0.2V
B
C
E
~0.8V
Mode satur
Mode bloqu : 0 ~
B
I
CC CE
V V ~
0 ~
C
I
B C
E
Mode bloqu
h
FE
I
B

B
E
C
~0.7V
I
B

~
Mode actif
Mode actif :
B FE c
I h I ~ V V
BE
7 . 0 ~
CC CE
V V V < < 3 . 0 ~
B
C
E
V
CC
= source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin)
V
CE
ne peut pas dpasser cette valeur!
80
Mode actif :
B FE c
I h I ~ V V
BE
7 . 0 ~
Mode bloqu : 0 ~
B
I
) 0 ( 3 . 0 ~ < < <
CC CE
V V V
Configuration EC :
CC CE
V V ~
0 ~
C
I
Mode satur :
V V
BE
8 . 0 ~
V V
CE
2 . 0 ~
B FE c
I h I =
B
E
C
~0.7V h
FE
I
B

I
B

B
Transistor PNP
C
E
~
Mode actif
~0.2V
B
C
E
~0.8V
Mode satur
B C
E
Mode bloqu
81
Valeurs limites des transistors
Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB, BC)

Puissance maximale dissipe : P
max
=V
CE
I
C

fiches techniques :
Courants de saturations inverses :
I
C
, I
B
et I
E
=0 en mode bloqu

I
C
V
CE
=P
max

82
Influence de la temprature
La caractristique dune jonction PN dpend de la temprature
! les courants inverses (mode bloqu) augmentent avec T

V
BE
, I
B,E
constant, diminue avec T

ou rciproquement : pour V
BE
maintenue fixe, I
E
(et donc I
C
) augmente avec T
Risque demballement thermique :
| | | | T dissipe Puissance
C
I T
83
2.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit
Droites de charges :
Le point de fonctionnement est dtermin par les caractristiques du transistor et par les lois de
Kirchhoff appliques au circuit.
Exemple : Comment dterminer I
B
, I
C
, V
BE
, V
CE
?
Droites de charges :
+V
CC

V
th

R
th

R
c

BE B th th
V I R V + =
th
BE th
B
R
V V
I

=
CE C C CC
V I R V + =
C
CE CC
C
R
V V
I

=
Point de fonctionnement
84
Point de fonctionnement
V
BEQ
~0.6-0.7V, ds que V
th
> 0.7V
(diode passante
transistor actif ou satur)
V
BE
(V)
I
B

0.1 0.2 0.3
Q
I
BQ

V
BEQ

th
BE th
B
R
V V
I

=
CC CE CE
V V V
Q sat
s s
c
CC
c
CE CC
c CO
R
V
R
V V
I I
sat
~

s s
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
BQ

C
CE CC
C
R
V V
I

=
Q
V
CEQ

I
CQ

V
CEsat

I
CO

Q fixe le mode de fonctionnement du transistor
85
Exemple : Calcul du point de fonctionnement
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=30kO
R
c
=3kO
h
FE
=100
A I
Q
B
10 =
mA I
Q
C
1 =
V V
Q
CE
7 =
On a bien : ~0,3 <V
CEQ
< V
CC

Rsultat cohrent avec le mode actif du transistor.
V
th

R
th
R
c

V
cc

I
B

0.7V
h
FE
I
B

86
Remplacement de R
th
par 3kO :
A I
Q
B
100 =
mA I
Q
C
10 =
V V
Q
CE
20 = !!
Rsultat incompatible avec le mode actif

! le modle donne des valeurs erronnes
Cause :
I
c
(mA)
V
CE
(V)
I
BQ

Q
V
CEQ

En ayant augment I
BQ
,(rduction de R
th
)
Q a atteint la limite de la zone
correspondant au mode actif
V V
Q
CE
3 . 0 ~
et mA I
Q
C
2 . 3 =
+V
CC
=10V
V
th
=1V
R
th
=3kO
R
c
=3kO
h
FE
=100
87
Quelques circuits lmentaires :
t<0 :
V
BE
< 0.7V Mode bloqu
Transistor interrupteur:
+V
CC

R
c

R
B

V
BB

t
0.7V
I
C

V
CE
V
CC

Interrupteur ouvert
c
cc
R
V
+V
CC

R
C

R
B

Interrupteur
ouvert
0 =
C
R
I
Interrupteur ferm
t>0 : V
BE
> ~0.8V, telque R
c
I
c
~V
CC
V
CE
~qq. 100mV
~0.8V
~0.2V <<V
CC

V
CC

R
C

R
B

Interrupteur
ferm
C
CC
C
CC
R
R
V
R
V
I
C
~

=
2 . 0
B
BE
FE c
cc
B
R
V
h R
V
I
7 . 0
min
ferm) ur interrupte (
min

~ ~
88
Transistor source de courant :
charge
R
c
V
CC

V
BB

R
E

I
E
Source de courant
E
BB
R
V V
I
7 . 0
~
quelque soit R
c

tant que le transistor est en mode actif
Domaine de fonctionnement :

E
cc
c
R
I
V
R ~
max
pour R
c
suprieure R
cmax
transitor satur
!
0
min
=
c
R
( )
CC C E C CC CE
V I R R V V < + = < ~ 0
( ) V V
BB
7 . 0 >
89
Exercices : Calculer le courant dans la charge, la plage de tension
15V
10k
10k
V
z
=5,6V
charge
I
10V
560O
4,7k
I
charge
90
Transistor, amplificateur de tension :
+V
CC

V
BB

v
B

R
E

R
C

V
Sortie

E
B

I
C

E
B
c
R
v
i ~ En ngligeant la variation de V
BE
:
hypothses :
Point de fonctionnement au repos :
Transistor en mode actif lorsque v
B
=0
(amplificateur classe A)
Amplitude du signal v
B
suffisamment faible
pourque le transistor soit chaque instant actif
Enfin :
s S C c cc Sortie
v V I R V V + = = avec :
C cc S
I R V V =
et
b
E
c
c c s
v
R
R
i R v = = Le signalv
B
est amplifi par le facteur
E
c
v
R
R
A =
! A
v
= pour R
E
=0 ?? voir plus loin pour la rponse...
Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manire optimale?
c C C
E
B
E
i I I
R
V
I + = ~

~
7 . 0
(I
B
<<I
C
)
En 1
ire
approximation :
91
2.5 Circuits de polarisation du transistor
Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor


Le choix du point de repos dpend de lapplication du circuit.


Il doit tre lintrieur du domaine de fonctionnement du transisor (I
C(B)
< I
max,
, V
CE (BE)
<V
max
,....)


Les principales caractristiques dun circuit de polarisation sont :

sensibilit par rapport la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur h
FE
, )

stabilit thermique.
(coefficient de temprature des diffrents paramtres du transistor :V
BE
, h
FE
,).
92
Circuit de polarisation de base ( courant I
B
constant)
B
cc
B
BE cc
B
R
V
R
V V
I
7 . 0
~

=
c c cc B FE c
I R V V I h I Q = =
CE
et :
V
CC

R
C

R
B

Consquence : A h
FE
A I
c
A V
CE
Le point de repos dpend fortement de h
FE
=inconvnient majeur


Circuit de polarisation peu utilis.
I
C

V
CE

c
cc
R
V
cc
V
Q
1

V
CE1

I
C1

2 transistors
diffrents mme I
B

Q
2

V
CE2

I
C2

Exemple : Transistor en mode satur R
B
tel que

en prenant pour h
FE
la valeur minimale garantie par le constructeur.
FE c
cc
B B
h R
V
I I
sat
~ >
Dispersion de fabrication:
h
FE
mal dfini
93
Polarisation par raction de collecteur
+V
CC

R
C

R
B

FE
B
C
CC
C
h
R
R
V
I
+

~
7 . 0
Le point de fonctionnement reste sensible h
FE

Proprit intressante du montage :
Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque V
CE

ne peut tre infrieur 0.7V
Cas particulier : R
B
=0
C
CC
C
R
V
I
7 . 0
~
Le transistor se comporte comme un diode.
V V
CE
7 . 0 =
94
Polarisation par diviseur de tension - polarisation courant (metteur) constant
R
1

R
2

R
E

R
C

+V
CC

Peu sensible h
FE
:

Bonne stabilit thermique de I
C
condition que V
th
>>V
o
<~> V
B
>>V
o

E
o th
C E
FE
th
R
V V
I R
h
R
si

~ <<
+V
CC

V
th

R
th

R
c

( )
C E C CC CE
I R R V V + =
CC th
V
R R
R
V
2 1
2
+
=
2 1
// R R R
th
=
avec
et
FE th E
o th
E C
h R R
V V
I I
/ +

~ ~ (V
o
~0.7V)
Rgles dor pour la conception du montage :

R
th
/R
E
s 0.1 h
FE
min

ou encore R
2
< 0.1 h
FE
min
R
E
I
R2
~10 I
b

V
E
~V
CC
/3
Diminuer R
th
augmente le courant de polarisation I
R1

95
R
E
introduit une contre-raction
Une faon de comprendre la stabilit du montage :
R
1

R
2

R
E

R
C

+V
CC

Augmentation de T
V
E
augmente
V
B
~V
th

V
BE
et I
E
diminuent
contre-raction
E
I
BE
V
diminue de 2mV/C
I
E
augmente
96
2.6 Modle dynamique petits signaux
Variation de faibles amplitudes autour dun point de fonctionnement statique
Comportement approximativement linaire
Modles quivalents
Caractristique dentre :
+V
CC

V
BB

v
B

R
E

R
C

V
Sortie

E
B

I
C

I
BQ

V
BE

0.2 0.4 0.6
0
I
B

V
BEQ

v
BE

i
B

t
t
Q
B
v
Pour v
B
petit:
" "
ie
be
be
T FE
E
be
Q
BE
B
b
h
v
v
V h
I
v
V
I
i =

~
c
c
~
FE
T
BE
s B
h
V
V
I I
(

|
|
.
|

\
|
~ 1 exp
h
ie
= rsistance dentre dynamique du
transistor en EC
97
h
ie
i pour input, e pour EC, h pour paramtre hybride (cf quadriple linaire)
Notation :
E
T FE
ie
I
V h
h = " " = rsistance dentre dynamique du transistor en EC
!

Ne pas confondre h
ie
avec limpdance dentre du circuit complet. (voir plus loin).

B
E
C
h
ie

i
b

v
be

!

A temprature ambiante (300K) on a :
( )
( ) O

~
mA I
h
h
E
FE
ie
26
98
Caractristique de sortie en mode actif :
b fe c
i h i " " ~
En premire approximation :
I
c

V
CE

I
BQ

Q
droite de charge
i
c
=h
fe
i
b

t
I
BQ
+i
b

Q
CE
V
v
ce
En tenant compte de leffet Early:
ce oe b fe c
v h i h i + = o
Q
CE
c
oe
V
I
h
c
c
=
h
fe
=gain en courant dynamique
~ h
FE
en Q (*)
i
b

h
ie

h
fe
i
b

B
E
C
i
c

B i
b

h
ie

h
fe
i
b

E
C
i
c

h
oe
-1

1
oe
h = impdance de sortie du transistor en EC
Ordre de grandeur : 100kO - 1MO
Le modle dynamique ne dpend pas du type (NPN ou PNP) du transistor
99
I
c

V
CE

I
B
(A)
droite de charge
1
5
10
15
20
I
c

I
B
(A)
Q Q
tangente en Q
b fe c
i h i =
B FE C
I h I =
droite passant par lorigine
FE fe
h h ~
on a gnralement :
sauf proximit du domaine satur
Note sur h
FE
et h
fe
:
100
Analyse statique / analyse dynamique

Exemple: Amplificateur de tension
V
CC

R
1

R
2

R
c

R
E

C
v
g

V
s
=V
S
+v
s

composante
continue
signal
V
CC

R
1

R
2

R
c

R
E

V
S

statique
+ Point de fonctionnement statique Q (cf avant)
Analyse statique : on ne considre que la composante continue des courants et tensions
C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule travers C).
V I R V V
N A
C c CC S
Q
10
.
= =
mA I
R
V V
R R
R
I
N A
C
E
BE CC
E
Q Q
2 . 2
. actif mode
2 1
2
= ~
|
|
.
|

\
|

+
~
A.N.:
V
cc
=15V
R
1
=47k
R
2
=27k
R
c
=2.4k
R
E
=2.2k
h
FE
=100

101
Hypothses : transistor en mode actif schma quivalent du transistor
Analyse dynamique :
e iC
1
v
g

R
1
// R
2

R
E

h
ie

h
fe
i
b

i
b

v
s

R
c

en ngligeant h
oe
...
Schma dynamique du circuit :
e iC
1
v
g

R
1

R
2

R
E

i
b

v
s

R
c

(circuit ouvert)
h
ie

h
oe
-1

h
fe
i
b

transistor
102
Pour C suffisamment leve on peut ngliger son impdance devant les rsistances :
Calcul de la fonction de transfert v
s
/v
g
:
i
b

v
g

R
1
// R
2

R
E

h
ie

h
fe
i
b

v
s

R
c

E
R
i
( )
b E fe ie R E b ie g
i R h h i R i h v
E
+ = + =
b fe c s
i h R v =
fe
ie
E
c
fe E ie
fe c
g
s
h
h
R
R
h R h
h R
v
v
+
=
+

=
Pour R
E
>> h
ie
/h
fe
on retrouve le rsultat de la page 94.
103
En statique : V
e
= 15V
V
D
~ V
Z
et V
BE
~0.6V V
S
~ 10 V
A
R
V V
I
S e
R
5 . 0
1
1
=

=
A
R
I
L
R
L
4 . 0
10
= =
mA I
R
2 , 1
500
6 . 0
2
= =
z L Z
D R D R C
I I I I I = = 1 . 0
1
et
fe
C
B R D
h
I
I I I
z
+ = + = 0012 . 0
2
mA
h
I
I mA I mA I
FE
C
B C D
Z
2 et 97 , 3 ~ = ~ ~
Autre exemple :

Rgulateur de tension
composante
continue
D
Z
= diode Zener avec |V
Z
|=9,4V
I
min
= 1 mA

C
.
D
Z
T
R
L
V
e
=
15 2V
R
1
=10O
R
2
= 500O
V
s
=V
S
+ v
s

B .
50 = =
fe FE
h h

~
1
oe
h
O = 25
L
R
Transistor de puissance
ondulation rsiduelle
I
Dz

I
C

I
R2
charge:
104
Efficacit de rgulation ondulation rsiduelle : V
e


varie de 2V, quelle est la variation rsultante de V
s
?
v
s

R
L v
e

R
1

R
2

h
ie
h
fe
i
b

i
b

R
z

Etude dynamique du montage :
C
.
( )
b fe
i h i + = 1
( )
b ie z s
i h R v + =
O ~
+
~
+
+
= 4 . 0
1
fe
ie z
fe
ie z s
h
h R
h
h R
i
v
C
.
R
L v
e

R
1

h
ie
h
fe
i
b

i
b

R
z

v
s

i
h
ie
<<R
2

( )
O ~

~ 13
25
mA I
mV h
h
E
fe
ie
~ mA I
c
100
105
R
L v
e

R
1

v
s

C
.
i
1 03 , 0
1
1
<< =
+ +
+
=
+
+
+
~
R h h R
h R
R
h
h R
h
h R
v
v
fe ie z
ie z
fe
ie z
fe
ie z
e
s
Le mme montage sans transistor aurait donne une ondulation rsiduelle de
( )
( )
7 . 0
//
//
1 2
2
~
+ +
+
~
R R R R
R R R
v
v
L z
L z
e
s
O 4 . 0
106
Modle dynamique hautes frquences
Aux frquences leves on ne peut pas ngliger les capacits internes des jonctions EB et BC.
En mode actif :
la jonction EB introduit une capacit de diffusion C
d

la jonction BC introduit une capacit de transition C
t
.
Schma quivalent dynamique hautes frquences
i
B

h
FE
r
se

h
fe
i
B

i
C

r
o

C
t

C
d

! Ces capacits influencent le fonctionnement du transistor aux frquences leves et sont
responsable d une bande passante limite des amplificateurs transistor bipolaire (cf plus loin).
B
C
E
r
ce

107
2.7.1 Caractristiques dun amplificateur
2.7 Amplificateurs transistors bipolaires
+V
CC

-V
EE

R
L

v
g

R
g

source
amplificateur
charge
v
L

v
e

i
e

i
l

Fonction: amplifier la puissance du signal
tout amplificateur est alimente par une source denergie externe (ici: V
CC
et (ou) V
EE
)
La sortie agit comme une source de tension v
s
caractrise par son impdance de sortie Z
s

v
s

Z
s

Lentre de lamplificateur est caractrise par son impdance dentre
e
e
e
i
v
Z =
Z
e

! Z
s
=rsistance de Thvenin quivalent au circuit vu par R
L
108
+V
CC

-V
EE

R
L

v
g

R
g

source
charge
v
L

v
e

i
e

i
L

Z
e

v
s

Z
s

Gain en tension :
Comme Z
s
= 0 le gain en tension dpend de la charge
e
s
R
e
L
v
v
v
v
v
A
L
= =
=
Gain en circuit ouvert :
Dfinitions
Gain sur charge :
v
s L
L
e
L
vL
A
Z R
R
v
v
A
+
= =
* Comme Z
e
= , A
vc
diffre de A
vL

vL
e i
e
g
L
vc
A
Z R
Z
v
v
A
+
= = Gain composite:
(tient compte de la
rsistance de sortie
de la source)
Gain en courant :
L
e vL
e
L
i
R
Z A
i
i
A = =
Gain en puissance :
i v
e g
L L
p
A A
i v
i v
A
c
= =
109
Lamplificateur idal :
Gains indpendants de lamplitude et de la frquence (forme) du signal dentre

Impdance dentre leve peu de perturbation sur la source

Impdance de sortie faible peu dinfluence de la charge
La ralit...
Domaine de linarit : distorsion du signal pour des amplitudes trop leves
Nonlinarit des caractristiques lectriques des composants
la tension de sortie ne peut dpasser les tensions dalimentation
Bande passante limite : le gain est fonction de la frquence du signal
capacits internes des composants
condensateurs de liaison
Impdances dentre (sortie) dpendent de la frquence
110
Illustration : systme audio
111
2.7.2 Amplificateur metteur commun (EC)
Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor

La sortie est prise sur le collecteur

La borne de lmetteur est commune lentre et la sortie + Emetteur commun

Particularits des amplificateurs EC :
Les diffrences dun amplificateur EC lautre sont :
Le circuit de polarisation

Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage (cf plus loin).
112
R
1

R
2

R
E

R
C

C
B

v
s

v
g

V
CC

C
C

R
L

Exemple :
4 A la frquence du signal les impdances condensateurs de liaison sont ngligeables :
L
C B
R
C
R R
C
<< <<
e e
1
; //
1
2 1
hypothses :
4 Point de repos du transistor: mode actif
( choix des rsistances)
! C
B
est ncessaire pour que le point de fonctionnement statique (v
g
=0) ne soit pas modifi par la
prsence du gnrateur de signaux.

! C
c
vite que la charge voit la composante continue de V
C
, et quelle influence le point de repos
du transistor.
+ Polarisation par diviseur de tension

+ Couplage capacitif avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
113
Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts
circuit de polarisation pont diviseur
Analyse dynamique :
2 1
// R R r
B
=
C L c
R R r // =
v
g

r
B

h
ie

h
fe
i
b

i
e

v
e

r
c

i
b

R
E

( )
b fe R
i h i
E
+ = 1
E
R
i
R
1

R
2

R
E

R
C

v
L

v
g

C
R
L

Gain en tension (sur charge):
fe E ie
fe c
e
L
v
h R h
h r
v
v
A
L
+

= =
Gain en circuit ouvert :
Remplacer r
c
par R
c

v
L

114
v
g

r
B

h
ie

h
fe
i
b

i
e

v
e

i
L

R
E

Gain en courant :
( )
B
E fe ie
fe
e
L
i
r
R h h
h
i
i
A
1
1
+ +
+
= =
r
c

Impdance dentre :
( ) | | | |
E fe B E fe ie B
e
e
e
R h r R h h r
i
v
Z // 1 // ~ + + = =
- Impdance dentre vue de la source :
( )
E fe E fe ie e
R h R h h Z ~ + + = 1 '
- Impdance dentre vue aprs les rsistances de polarisation :
'
e
Z
Z
e
dpend de lendroit do vous regardez lentre
de lamplificateur.
( )
b fe E R
i h R V
E
+ = 1
schma quivalent vu de la source :
r
B

h
ie

i
e

v
e

( ) 1 +
fe E
h R
Z
e

b fe
i h
(h
ie
~qq. 100 qq. 1k Ohms)
115
Impdance de sortie :
! ne tient pas compte de leffet Early (h
oe
)

! approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif
c s
R Z = Impdance de sortie vue de la charge (R
L
):
h
fe
i
b

R
c

Z
s

R
L

Z
s
de lordre de quelques kO loin dune source de tension idale

A
vL
diminue lorsque R
L
< ~R
c

Z
s
dpend de lendroit do vous regardez la sortie.
Parfois R
C
constitue aussi la charge de lamplificateur (tout en permettant la polarisation du
transistor)
Impdance de sortie vue de R
c
:
Z
s

" "
'
=
s
Z
116
Avec leffet Early :
i
e
i
L

v
g

r
B

h
ie

h
fe
i
b

v
e

R
c

R
E

1
oe
h
v
sortie

Z
s

Mthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) :
Z
s
= R
Th
AB
= rsistance entre A et B, avec v
g
court-circuit
= v
s
/ i
s
!
i
s

r
B

h
ie

h
fe
i
b

R
E

1
oe
h
i
b

v
s

A


B
( ) | | ( )
b s E b fe s oe s
i i R i h i h v + + =
1
: 1
( ) ( )
b s E b ie
i i R i h + + = 0 : 2
E ie
ie E
E ie
E fe
oe
s
s
s
R h
h R
R h
R h
h
i
v
Z
+
+
(

+
+ = =

1
1
117
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique

( )
E
ce
c
c E c c E L ce
R r
v
i
i R r i R v v
C
+
=
+ = =
v
ce

droite de charge dynamique: pente 1/(r
c
+R
E
), passe par Q
repos

t
i
c

v
ce

droite de charge statique
E C
CE CC
C
R R
V V
I
+

=
I
c

V
CE

I
BQ

Q(repos)
118
I
c

V
CE

I
BQ

Q(repos)
droite de charge
Point de repos optimale pour une dynamique maximale :
( )
Q Q
C E c CE
I R r V + ~
La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites,
bloque ou sature, du domaine linaire.
ce s ce
E c
c
c c s
v v v
R r
r
i r v
+
= =
I
c

V
CE

I
BQ

Q(repos)
( )
Q
C E c
I R r +
Q
CE
V
Q
C
I
Q
CE
V
v
ce

119
rsum sous forme dun schma 1D (Morgan)
120
Amplificateur EC avec metteur la masse :
Remde : dcoupler (shunter) R
E
par un condensateur en parallle
seul le schma dynamique est modifi.
C
E

R
E
est ncessaire pour la stabilit du point de fonctionnement statique.

R
E
diminue considrablement le gain...
R
1

R
2

R
E

R
C

C
B

v
s

v
g

V
CC

C
C

R
L

v
g

r
B

h
ie

h
fe
i
b

i
e

v
e

r
c

i
b

pour C
E
ou f suffisamment
*
lev :
* :
fe
ie
E E
h
h
C R << //
121
Gain en tension (sur charge):
f
c
ie
fe c
v
r
r
h
h r
A
L
=

=
>>gain avec R
E

le gain dpend fortement de r
f
(rsistance interne de la fonction BE)

(la contre-raction nagit plus en dynamique)
ie
b
e
e
h
i
v
Z = = Impdance dentre de la base : significativement rduit...
or
C
f
I
kT
r ~
kT
I r
A
C c
v
L
~
Le gain dpend de I
C
distorsion du signal aux amplitudes leves
Impdance de sortie :
c oe s
R h Z //
1
= (vue de la charge R
L
)
122
Droite de charge dynamique et dynamique de sortie :
Il y a dformation du signal ds que :
( )
Q Q
C c CE s
I r V v , min >
Le point de repos optimal correspond
Q Q
C c CE
I r V =
c c ce
r i v =
droite de charge dynamique
Q
C c
I r
Q
CE
V
V
CE

droite de charge statique
I
c

I
CQ

Q
i
c

v
ce

123
Lamplicateur EC en rsum :
Emetteur la masse :
absolue en valeur 1 >> = =
f
C
fe
ie
C
v
r
R
h
h
R
A
C s
R Z ~ Impdance de sortie :
Impdance dentre de la
base du transistor:
ie e
h Z ~
Gain en circuit ouvert :
(de q.q. kO )
(de q.q. kO )
Impdance dentre de la base:
Avec rsistance dmetteur (amplificateur stabilis ):
E
C
E f
C
v
R
R
R r
R
A ~
+
~ Gain en circuit ouvert :
Impdance de sortie :
C s
R Z ~
( )
E fe ie e
R h h Z 1 + + = (leve, h
fe
~100-200)
Linconvnient du faible gain peut tre contourn en mettant plusieurs tages
amplificateur EC en cascade (cf. plus loin).
124
Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) la base du transisor

La sortie est prise sur lmetteur

La borne du collecteur est commune lentre et la sortie + Collecteur commun
Particularits des amplificateurs CC :
Les diffrences dun amplificateur CC lautre sont :
Le circuit de polarisation

Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

La prsence ventuelle de condensateurs de dcouplage.
2.7.3 Amplificateur collecteur commun (CC) ou encore montage metteur suiveur
125
Exemple:
+ Polarisation par diviseur de tension

+ Couplage capacitif avec la source, v
g
, et la charge R
L
.
hypothse: Mode actif
Analyse simplifie ( 1
ire
approximation ) :
V V actif Mode
BE
7 . 0 ~ V V V
B E
7 . 0 =
g B E s
v v v v = ~ =
1 ~ =
g
s
v
v
v
A Lmetteur suit la base.
R
1

R
2

R
E

V
CC

C
v
s

v
g

E
B
C
R
L

sortie
i
Z
e

126
1
1
~
+
~
+
+
=
f E
E
fe
ie
E
E
v
r R
R
h
h
R
R
A Gain en tension en circuit ouvert :
|
|
.
|

\
|
= >>
E
f E
I
kT
r R
Analyse dynamique :
Gain en tension sur charge :
1 ~
+
=
f E
E
v
r r
r
A
L
L E E
R R r // = avec
Impdance dentre : ( ) | | 1 1 // >> + + =
E fe ie B e
r h h r Z
Z
e

Gain en courant :
1 >> ~ = = =
L
e
L
e
vL
e
g
L
s
entre
L
i
R
Z
R
Z
A
Z
v
R
v
i
i
A
R
1
//R
2

v
g

v
s

h
ie

h
fe
i
b

R
E

transistor
B
E
C
R
L

i
entre

i
L

i
b
127
Impdance de sortie
0 =
=
g
v
s
s
s
i
v
Z
i
s

v
s

r
B

h
fe
i
b

R
E

v
s

h
ie

i
b

( )
f
fe
ie
fe
ie
E
E
fe
ie
fe
ie
E
fe E ie
ie E
s
r
h
h
h
h
R
R
h
h
h
h
R
h R h
h R
Z
!
1
//
1
1
1
= ~ =
+
+
+
=
+ +
=
+
( ) | |

)
`

=
+ =
b ie s
b fe s E s
i h v
i h i R v 1
( )
(

+ + =
ie
s
fe s E s
h
v
h i R v 1
128
Dynamique de sortie
R
1

R
2

R
E

V
CC

C
v
s

v
g

E
B
C
R
L

sortie
i
I
c

V
CE

Q(repos)
droite de charge statique
E
CE CC
C
R
V V
I

=
V
E
max
~ V
CC
-0.2V
V
E
min
~ 0 V
CE CC E
V V V =
droite de charge dynamique : pente 1/r
E

Q
C E
I r
Point de repos optimal :
Q Q
C E CE
I r V ~
! Le point optimal dpend de la charge.
129
Lamplicateur CC en rsum :
Intrts du montage :
Faible impdance de sortie
Impdance d entre leve
1 ~
v
A
E fe E fe ie e
R h r h h R R Z ~ + = ) //( //
2 1
peut tre de lordre de quelques 100kO
fe
ie g
fe
ie g
E s
h
h R
h
h R
R Z
+
~
+
+
=
1
//
infrieure quelques dizaines d Ohms
v
s L
L
v v
A
Z R
R
A A
L
~
+
=
1 >> = =
L
e
v
e
L
i
R
Z
A
i
i
A
L
~ h
fe
si R
E
constitue la charge
(i
L
= i
c
et i
e
~ i
b
)
Applications :

Etage - tampon Isolement d une source haute impdance de sortie d une charge basse
impdance.
1
exemple :
Amplificateur de puissance (cf plus loin)
130
Le transistor en mode actif

Le signal dentre est appliqu (inject) lmetteur du transisor

La sortie est prise sur le collecteur

La borne de la base est commune lentre et la sortie + Base commune
Particularits des amplificateurs BC :
2.7.4 Amplificateur base commune (BC)
V
CC

v
g

R
L

R
E

R
C

R
1

R
2

h
ie

h
fe
i
b

i
b

r
c

R
E

E
C
B
131
Proprits :
Gain en courant : 1
1
~
+ +
=
fe
E
ie
fe
i
h
R
h
h
A
Z
e

Impdance dentre :
Q
C
f
fe
ie
fe
ie
E e
I
kT
r
h
h
h
h
R Z = ~
+
~
+
=
1 1
// quelques O.
Z
s

Impdance de sortie : " " =
s
Z (h
oe
= 0) sinon
1
=
oe s
h Z comportement en source
de courant
h
ie

h
fe
i
b

i
b

r
c

R
E

E
C
B
Gain en tension :
ie
c fe
v
h
r h
A
L
=
e
v
132
Exemple dapplication : convertisseur courant - tension
Z
e

Z
s
v
g

R
i
e

A
i
i
e

i
s

R
L

! Lorsque v
g
= 0, (i
e
=0), la sortie est vue par la charge comme une rsistance trs grande (h
oe
-1
)
(cf. charge active)
R
v
Z R
v
i
g
e
g
e
~
+
=
~indpendant de Z
e

tant que R
L
<<Z
s
. e i L s L s
i A R i R v ~ =
tension de sortie courant dentre
quadriple quivalent ltage BC
133
On se limitera au montage EC pour illustrer linfluence de la frquence du signal sur les
performances dun amplificateur transistor bipolaire.
Limitation basse frquence condensateurs de liaison et de dcouplage
Limitation haute frquence capacits internes au transistor
2.7.5 Influence de la frquence du signal
{ }
o i
c c
f f , max
Frquence de coupure infrieure du
montage ~
( )C R R
f
C L
c
o
+
=
t 2
1
filtres passe-haut
g e
i
c
R Z R R r
rC
f + = = // // avec ,
2
1
2 1
t
Z
e
= impdance
d entre de l tage
0 // = =
E E E
C R Z
Z
E
diminue le gain
(voir ampli stabilis)
2 1
// R R
C R
g

v
g

h
ie
h
fe
i
b

i
b

R
E
C
E

C
R
C
R
L

Basse frquence
C et C
e
= court circuit
dynamique
R
C

R
E

R
1

R
2

R
L

R
G

+V
CC

134
Hautes frquences
2 1
// R R
R
g

h
ie

h
fe
i
b
L c
R R //
C
be

C
bc

i
b

qualitativement: aux frquences leves, C
be
court-circuite la jonction base-metteur i
b
diminue
C
bc
cre une contre-raction.
On montre que :
| |
2 / 1
// // 1 2
1
R R h R
h
h
C C
f
g ie L
ie
fe
bc be
c
h
(

|
|
.
|

\
|
+ +
~
t
Comportement en filtre passe-bas, avec
135
2.7.6 Couplage entre tages
Objectif
Coupler plusieurs tages pour amliorer les proprits du circuit...
Exemple : Amplificateur avec
- gain en tension lev
- faible distorsion
- bonne stabilit (thermique, dispersion)
- impdance dentre leve
- impdance de sortie faible
Solution possible :
stabilit et faible distorsion EC stabilis (R
E
)

gain lev plusieurs tages en cascades

Z
e
leve tage C.C en entre

Z
s
faible tage C.C en sortie
Difficults du couplage : 4 Polarisation de chaque tage
4 Gain sur charge : chaque tage charge ltage prcdent
4 Rponse en frquence de lensemble (cf. couplage capacitif)
136
Couplage capacitif
Exemple: amplificateur trois tages CC - EC - CC
Utilisation de condensateurs de liaison, C
L

+V
CC

R
1

R
1

R
1

R
2

R
2

R
2

R
C

R
E

R
E

R
E

charge
v
entre
C
L

C
L

C
L

C
L

C
E

C.C. E.C. C.C.
* Les points de fonctionnement des 3 tages sont indpendants (en statique C
L
= circuit ouvert)
(dans lhypothse o la rsistance interne de V
cc
ngligeable)
* Les paramtres dynamiques (gains, impdances) ne sont pas indpendants
ex: limpdance dentre du 3
ime
tage (= charge de ltage E.C.) dtermine le
gain sur charge du 2
ime
tage, etc.
137
C.C.
+V
CC

R
1

R
1

R
1

R
2

R
2

R
2

R
C

R
E

R
E

R
E

charge
v
entre
C
L

C
L

C
L

C
L

C
E

E.C.
C.C.
I nconvnient: les condensateurs imposent une frquence de coupure basse au montage (cf. plus loin)
. 3 . 2 . 1 t
v
t
v
t
v
montage
v
ier
L
ier
L
ier
L L
A A A A =
comme et
. . EC
s
C C
e
CC
s
C E
e
Z Z Z Z >> >> v
tages
v
A A
L
~
=
2
2
.
1
T
ie
T
fe c
C E
v
montage
v
CC
v
h
h R
A A A
L
= ~ ~
T
1
T
2

T
3

138
Couplage direct
Pas de frquence de coupure basse
Les circuits de polarisation des diffrents tages ne sont pas indpendants.
E.C.
A
vL
~ -40 = gain en circuit ouvert
(2.4k x h
fe
>> 27k)
Darlington
| | O = ~ ~ M h h Z h Z
T
fe
T
fe
T
e
T
fe
e
50 5000
2 1
2
1
Z
e
leve : Z
s
~ 24 kO
Amplificateur de tension stabilis :
2 # 1 # 2 # 1 # EC
v
EC
v
EC
v
EC
v
v
A A A A A
L L
~ =
E.C.
A
v
~ -10
T
3

30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s

v
g

Un exemple :
T
1

T
2

T
4

h
fe
~100
2 suiveurs A
vL
~1
T
1
,T
2
=PNP!!
139
Analyse statique :
3V
3
T
E
I
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 7 . 0
3 3 3
~ ~ ~
V V
T
CE
3 . 2
3
~ T
3
en mode actif
mA I I V V
T
E
T
C
T
E
1 3 . 2
4 4 4
~ ~ ~ V V
T
CE
6 . 3
4
~ T
4
en mode actif
V
CC
polarise en directe les deux
jonctions EB de T
1
et T
2
(transistors PNP)

T
1
en mode actif
V V
T
CE
7 . 0
1
=
0.7V
En statique, v
g
= 0
0.7V
V V
T
CE
4 . 1
2
=
T
2
en mode actif
V V
T
C
6
4
~
V
CC
= 30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s

T
1

T
2

T
3

T
4

2
2
1
et 7 . 5
2
T
FE
E
E E
h
I
I mA I = ~
140
Mais attention.
3V
3
T
E
I
mA mA I I
V V
T
E
T
C
T
E
9 , 0 88 , 0
6 . 0
3 3
3
~ ~ ~
~
V V
T
CE
7 . 5
3
~
mA mA I I V V
T
E
T
C
T
E
2 1 , 2 1 . 5
4 4 4
~ ~ ~ ~
V V
T
CE
18
4
~ T
4
en mode satur !!
0.6V
0.6V
V V
T
CE
2 . 1
2
=
V
CC
= 30V
5k 27k
24k
680
2.4k
v
s

v
g

T
1

T
2

T
3

T
4

refaisons le calcul avec V
BE
=0.6V :
au lieu de 3V
Amplification des drives des composantes statiques
141
Couplage par transformateur :
polarisation par
diviseur de
tension
transmission du signal dun tage l autre par le transformateur
condensateur de dcouplage
(masse en alternatif) (EC)
condensateur d accord:
le circuit rsonnant, LC, limite la
transmission aux frquences
proches de la frquence de
rsonnace
Application majeure: essentiellement en radiofrquences (>500kHz)
exemple: syntonisation d une station radiophonique ou d un canal de tlvision
|
|
.
|

\
|
=
f
c
v
r
Z
A
tage EC
142
Impdance de sortie et amplicateur de puissance
! Pour v
s
constant, P
max
augmente quand Z
s
diminue
A.N. v
s
=1V : Z
s
=10kO P
max
=0.012mW | Z
s
=10O P
max
=12mW
Puissance maximale:
0 =
L
dR
dP
s L
Z R =
s
s
Z
v
P

=
8
2
max
(adaptation dimpdance)
Puissance moyenne fournie par lamplificateur :
( ) ( )
( )
2
2
2
2
2
2 2
s L
s L
L
s
s L
L
L
L
L L
Z R
v R
R
v
Z R
R
R
v
t i t v P
+

=
|
|
.
|

\
|
+
= = =
signal du amplitude v t
L
,
2
1
cos
2
= = e
2.7.7 Amplificateurs de puissance
v
s

Z
s

R
L

tage de sortie
dun amplificateur
charge
i
L

v
L

Z
e

Z
s
R
g

v
g

charge v
g

gain en puissance en conditions
dadaptation dimpdance avec et
sans tage amplificateur = Z
s
/R
g
Etage CC
143
V
cc

v
g

R
1

R
2

R
E

T
2

T
1

Gain en tension :
1 ~
v
A
Limpdance dentre de T
1
est trs leve et ne
charge pas beaucoup T
2

Darlington
Amplificateur comprenant deux tages metteur-suiveur monts en cascade
Amplificateur de Darlington
Gain en courant :
2 1
2
2
1
1
2
1
1
1
2
1
fe fe
T
b
T
E
T
b
T
E
T
b
T
b
T
b
T
E
T
b
T
E
i
h h
i
i
i
i
i
i
i
i
i
i
A = = = =
v
s

T
1
: h
fe1
T
2
:h
fe2

Impdance dentre du Darlington :
(aprs les rsistances du pont diviseur)
Limpdance dentre leve de T
1
constitue la
rsistance dmetteur (R
E
) de T
2

1
1 2
1
2
>> ~ ~
E fe fe
T
e fe e
R h h Z h Z
Z
e

I
b
(T
2
) trs faible choix de R
1
et R
2

144
( ) ( ) CC tage simple avec CC tage
max max
P Darlington P >>
Impdance de sortie du Darlington :
2 1
2
1
1
2
1 2
2
2
1
fe fe
T
ie
fe
T
ie
fe
T
ie
fe
T
ie
T
s
s
h h
h
h
h
h
h
h
h Z
Z ~
+
~
+
~
puisque
2
2
2 1
1
1
fe
T
ie
E E
fe
T
ie
h
h
I e
kT
I e
h kT
h =

=
V
cc

v
g

R
1

R
2

R
E

T
2

T
1

v
s

1
1
1 2
fe
E
B E
h
I
I I = =
2
E
I
1
E
I
Etage CC unique

:
fe
ie
s
h
h
Z =
| |
FE fe
h h ~
145
Utilis frquemment pour les applications d isolement entre tages (Z
e
trs leve, Z
s
trs faible)
Existe sous forme de composant discret trois bornes, nomm transistor Darlington. Il se
comporte comme un seul transistor gain en courant extrmement lev.
(ex: 2N2785: h
fe
=2000-20000.)
Existe aussi avec des transistors PNP.
Darlington = supertransistor bipolaire.
Utilis frquemment comme tage de sortie des amplificateurs de puissance (Z
s
trs faible)
146
Amplificateur Push-Pull
Dans les montages amplificateur vus prcdemment, les transistors sont chaque instant
en mode actif
Amplificateur de classe A
Avantages:
faible distorsion (en cas damplificateur stabilis)
simplicit
I nconvnients :
Amplitude de sortie limite (typ: 0.2<V
CE
<V
cc
v
CEmax
~V
cc
/2)
Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls
( )
p C cc
I I V P
Q
+ ~
on alimentati
R
1

R
2

R
E

R
C

+V
CC

Q
C
I
p
I
ex: V
cc
= 15V, I
C
=1mA, I
p
= 0.1mA => P ~ 15mW
en absence de signal
Amplificateur classe A / classe B
Amplificateur classe B: transistor bloqu en absence de signal dentre. (ex: Push-Pull)
Avantages:
faible consommation, dynamique de sortie leve
I nconvnients :
Distorsion du signal
147
Push Pull
Transistors bloqus au point de repos
(amplificateur classe B ).
R
1
et R
2
sont telles que (lorsque v
g
=0) on a
Principe de fonctionnement
V 6 . 0 ~ et 6 . 0 ~ < <
PNP
EB
NPN
BE
V V
Transistors bloqus (de justesse): I
B
~0 =>I
C
~0
V
CE
NPN

I
C
NPN

I
C
PNP

0
V
CC

V
CE
PNP

0
-V
CC

PNP
C
NPN
C
CC
PNP
EC
NPN
CE
I I
V V V
~
= +
I
B
~0 I
B
~0
I
C

NPN
CE
Q
V
PNP
CE
Q
V
PNP
EC
CC
NPN
CE
Q Q
V
V
V ~ ~
2
~1.2V
Exemple :
+V
cc

R
L

R
1

R
1

R
2

R
2

v
g

NPN
PNP
P
v
sortie

B
B
I
C
NPN

I
C
PNP

V
P

148
~1.2V
+V
cc

R
L

R
1

R
1

R
2

R
2

v
g

NPN
PNP
P
v
sortie

B
B
Amplitude max : V
CC
/2
L
CE
c
R
v
i =
V
CC
/2
I
B
=0
Droite de charge dynamique
I
C

V
CE

droite de charge statique
V
CE
Q
~V
CC
/2
+ Si v
g
>0 NPN actif, PNP bloqu
si v
g
<0 NPN bloqu, PNP actif
metteur suiveur
En prsence dun signal dentre chaque transistor
est alternativement actif ou bloqu ( Push-Pull )
g B p
B p
v V V
V V V
= A ~ A
= 7 . 0
149
Formation du signal de sortie
Signal de sortie:
t
NPN actif
PNP actif
v
sortie

I
C

V
CE

t
L fe
g
NPN
b
R h
v
i ~
PNP
b
i
NPN
I
C

V
EC

PNP
Plus grand domaine de fonctionnement
150
Difficults de cet exemple
I
C

V
CE

t
I
Csat

trop faible
Q
BE
V
transistors bloqus
t
Risque demballement thermique (pas de contre-raction)
positionnement du point de repos
Distorsion de croisement : Si V
BE
trop faible au repos, les deux transistors seront bloques
pendant une fraction du cycle.
151
Polarisation par diodes
Idalement D
1
, D
2
= diodes de caractristiques
apparis aux transistors
+V
cc

R
L

R
1

R
1

NPN
PNP
BE
V 2
D
1

D
2
v
g

v
sortie

Remarques:
L amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington
Z
s
plus faible puissance maximale suprieure
choix de R
1
: I
D
~0
comme V
D
=V
be
I
E
~I
D
~0
I
D

Point de repos
152
! Deux signaux dentre, V
+
, V
-

! Sortie = collecteur d un transistor
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2

E
V
s
I
E

I
E

hypothse : T
1
et T
2
apparis (circuit intgr)
2.7.8 Amplificateur diffrentiel
E
EE
E
R
V
I
2
7 . 0
~
Pour R
B
<<h
fe
R
E
:

2I
E

Rgime statique :
( ) 0 = =
+
V V
Par symtrie : I
E1
=I
E2
=I
E

Tension continue en sortie :
E c CC s
I R V V =
E E EE E E B B R
I R V I R I R V
B
2 7 . 0 2 + ~ << =
153
Rgime dynamique:
Mode diffrentiel:
tage EC
( )
e
ie
fe c
e
ie
fe c
s
v
h
h R
v
h
h R
v = =
Le courant dans R
E
na pas chang, et la tension en E reste constante.
E constitue une masse dynamique !
B
R
B
R
R
c R
c
e
v
e
v
v
s
E
d o le gain en mode diffrentiel :
1 >> = =
ie
fe c
e
s
d
h
h R
v
v
A
! V
+
= entre non-inverseuse
! V
-
= entre inverseuse
" "
e
v V V = =
+
hyp:

1
1
e E E
i I I + =
et
2
2
e E E
i I I =
avec I
E
la composante continue du courant metteur.
Par consquent :
E E E R
I I I I
E
2
2 1
= + =
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2

E
V
s
Pour de signaux dentre de faible amplitude :
2
1
e e
i i ~
154
e
v V V = =
+
hyp:
e E E
i I I + =
1
et
e E E
i I I + =
2
2 tages EC stabiliss indpendants
e
E
c
s
v
R
R
v
2
~
do le gain en mode commun :
C E
E
c
c
R R
R
R
A >> << = pour 1
2
( )
e E E E R
i I I I I
E
+ = + = 2
2 1
( )
e E E E e E E E
i R I R i I R V 2 2 2 + = + =
La tension en E quivaut celle dun tage unique
ayant une rsistance d metteur double. D o le
schma quivalent :
B
R
R
c
R
c
2R
E 2R
E
B
R
v
s
e
v
e
v
E E
Mode commun:
+V
cc
R
c R
c
R
E
-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1
T
2

E
V
s
155
Signaux dentre quelconques :
On peut toujours crire :
md mc
V V
V V V V
V + =

+
+
=
+ +
+
2 2
md mc
V V
V V V V
V =

+
=
+ +

2 2
avec
2
et
2
+ +

=
+
=
V V
V
V V
V
md mc
Do, par le principe de superposition :
|
.
|

\
|
= + =
CMRR
v
v A v A v A v
mc
md d mc c md d s
o
ie
E fe
c
d
h
R h
A
A
CMMR
2
= = = taux de rjection en mode commun
(common mode rejection ratio)
Intrts de lamplificateur diffrentiel : Entres en couplage direct (seule v
md
est amplifie)
Ampli. diffrentielle = tage dentre des Amplificateur oprationnel.
Impdance dentre et CMRR trs levs
156
Polarisation par miroir de courant
Choisir R
E
trs leve pose plusieurs problmes:
ncessite une augmentation de lalimentation
pour maintenir I
c
(donc le gain) constant
incompatible avec la technologie des circuits
intgrs.
1
2
>> =
ie
E fe
h
R h
CMRR Il faut
+V
cc
R
c
R
c
R

-V
EE

+
V

V
B
R
B
R
T
1

T
2

V
s
T
3

D
I
EE

I
E3

Solution = source de courant ( R,D,T
3
)
! il suffit que R
E
soit leve en rgime dynamique !
R
V V
I I
EE cc
E EE
7 . 0
3
+
~ ~
hyp: D et T
3
= apparis
157
Miroir de courant
Hyp: la caractristique I(V) de la diode est identique (apparie) celle de la jonction BE du transistor
R
V
I
al
D
7 . 0
~
comme V
BE
= V
D

I
C
= I
D

I
C
est le miroir de I
D

V
al

R
I
D

I
C

V
D

A
I ne dpend pas du circuit en pointill
vu de A, le circuit se comporte comme une source de
courant idal (tant que le transistor est actif)
en tenant compte de leffet Early, I
C
dpend
lgrement de V
CE

158
Schmas quivalents du circuit vu de A :
V
al

R
I
D

I
C

V
D

A
I
D
R ~h
oe
-1

I
C
=I
D
+V
CE

.
h
oe

schma statique
grands signaux
R ~h
oe
-1

i
C
=v
CE

.
h
oe

schma dynamique
petits signaux
R > 100 kO
159
Schma quivalent de lampli diffrentiel:
h
oe
-1
(effet Early de T
3
) est de lordre de quelques 100kO.
En dynamique, h
oe
-1
joue le mme rle que R
E
et augmente considrablement CMRR.
I
EE

h
oe
-1

-V
EE

+V
cc

V
s

h
oe
-1

v
s

en dynamique
160
Exemple dapplication
Thermostat
161
Figure 2.76
source de courant
paire diffrentielle
A
B
charge active
R
0.5mA
Thermostat
Exemple dapplication
162
Figure 2.76
paire diffrentielle
source de courant
A
B
Si V
A
> V
B

R
0.5mA
Thermostat
Exemple dapplication
163
Figure 2.76
paire diffrentielle
source de courant
A
B
0.6V
A I 6
1 . 0
6 . 0
= =
Si V
A
> V
B

R
0.5mA
Thermostat
Exemple dapplication
164
Figure 2.76
paire diffrentielle
source de courant
A
B
Si V
A
< V
B

0V
A I 0 =
Thermostat
Exemple dapplication
R
0.5mA
165
3. Transistors effet de champ ou FET (field effect transistor)
Un courant (I
D
) peut circuler de
la source S au drain D via le
canal (zone dans le
semiconducteur, proche de
linterface avec la grille):
3.1 Introduction
Caractristiques de base

S D
canal
G
substrat (Si)
I
D

V
DS

V
GS

Le courant circulant dans la grille (I
G
) est ngligeable.
=> I
S
= I
D
!

I
D
, V
DS
constant, est command par la tension
de grille source (V
GS
) effet du champ
lectrique
Composant trois bornes : S, D et G, (parfois quatre: substrat)

FET canal N : courant port par les lectrons, de S vers D
(sens positif de I
D
: de D vers S)
FET canal P : courant port par les trous, de S vers D
(sens positif de I
D
: de S vers D)
166
Allure gnrale des caractristiques de sortie :
( )
GS
V
DS D
V I
V
DS


Rgime
linaire
Mode actif














~rsistance
module par
V
GS

~ source de
courant
commande par
V
GS

limite de zones
I
D

V
GS
=

cst
167
Diffrences entre FET et transistor bipolaire :
I
G
<<I
B

Impdance dentre trs grande (parfois > 10
14
O)
Montages de polarisation plus simples
Rgime linaire
pente = f(V
GS
) rsistance variable (pas dquivalent pour le bipolaire)
V
DSsat
> V
CEsat
: tension rsiduelle du transistor en mode satur plus leve.
Rgime de saturation (mode actif)
I
D
command par une tension
transconductance (au lieu de h
fe
)

Dispersion de fabrication plus leve sur g
m
que sur h
fe

gs
d
m
dV
dI
g =
Caractristiques transverses en mode actif :
Bipolaire : V
CE
cst, I
C
=I
B
ou I
C
=o I
E

FET: V
DS
cst, I
D
= f(V
GS
) = relation non-linaire
dpend du type de FET.
168
figure 3.2 p 115
Diffrences entre FET et transistor bipolaire :
169
Diffrents types de FET
J FET : FET jonction : La grille et le canal forme une jonction PN
S D
G
JFET canal P
G
D
JFET canal N
S
Transistor normalement passant

I
D
est maximal pour V
GS
= 0, et diminue lorsquon augmente V
GS
(en valeur absolue).
I
D
est nulle lorsque V
GS
dpasse une valeur limite V
GSoff
.

Canal P : V
GS
>0 la charge positive sur la grille repousse les trous

Canal N : V
GS
<0 la charge ngative sur la grille repousse les lectrons
170
MOSFET (Mtal Oxyde Semiconducteur FET) enrichissement :

La grille et le canal forment un condensateur plaques //, lisolant tant loxyde du silicium.
MOSFET : canal N canal P
transistor normalement bloqu .


I
D
est nul lorsque V
GS
= 0 et augmente ds que V
GS
dpasse une valeur seuil V
s

Canal P : V
s
<0 la charge ngative sur la grille attire les trous


Canal N: V
s
>0 la charge positive sur la grille attire les lectrons


G
S
D
G
S
substrat
substrat
171
Exemples:
La ligne pointille indique que le canal est inexistant tant que V
GS
< V
seuil


Le substrat est gnralement reli la source.

Les transistors MOSFET appauvrissement :
comportement similaire au JFET, mais V
GS
>0 (canal N) autoris
trs peu utiliss
non traits en cours.
Dautres symboles sont parfois utiliss pour les mmes composants

172
P GS
sat
DS
V V V + =
I
D
(mA)
V
DS
(V)
2 4 6 8
0
4
8
12
16
V
GS
=-1V
V
GS
=0
V
GS
(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
V
GS
=-1V
V
GS
=0
DSS
I
V
GSoff

( )
2
2
1
off
off
GS GS
GS
GS
DSS D
V V k
V
V
I I =
|
|
.
|

\
|
~
transistor
bloqu
V
P

Caractristiques dun JFET canal N : Conditions de fonctionnement : V
GS
s 0 , V
DS
> 0

pour V
GS
< V
GSoff
, I
D
~ 0, transistor bloqu.



pour V
GS
>0, le courant I
G
augmente rapidement (zone non utilise).

tension de pincement V
P
~- V
GSoff

sat
DS DS
V V >
Pour :
sat
DS DS
V V >
Pour :
sat
DS DS
V V <
Rgime de saturation
( )
DS
DS
GS GS D
V
V
V V k I
off

(

~
2
2
Rgime linaire
2
of f
GS
DSS
V
I
k =
173
V
GS
(V)
I
D
I
D
V
s V
DS
(V)
Caractristiques dun MOSFET canal N :
S GS DS
V V V
sat
=
sat
DS DS
V V >
( )
2
s GS D
V V k I = Pour :
sat
DS DS
V V >
Pour :
sat
DS DS
V V <
Rgime de saturation
( )
DS
DS
s GS D
V
V
V V k I
(

~
2
2
Rgime linaire
pour V
GS
< V
S
, I
D
~ 0, transistor bloqu



V
GS
-V
S
= tension dattaque de grille .
transistor
bloqu
174
En rsum :
J
V
GSoff
V
GSoff
V
s

V
s

sat
DS DS
V V >
175
3.2 Schmas quivalents petits signaux
Rgime linaire :
=
G
S
D
rsistance fonction de V
GS

R
DS

I
D
V
DS
Q
P GS DS
V V V + =
ordre de grandeur: O O = k R
on
DS
10 05 . 0
J FET: R
DS(on)
= R
DS
pour V
GS
~ 0 MOSFET enrichissement: R
DS(on)
= R
DS
pour V
GS
leve (~10V).
( ) O > < = M V V R R
off off
GS GS DS DS
N) (canal
Pour V
GS
> V
P
, et V
DS
<V
GS
+V
P
:


( )
(

+
1
~
2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
avec k = constante
dpendant du composant
Condition: V
DS
suffisamment faible (<V
GS
+V
P
), souvent infrieure 0.5V.
Dans ces conditions, Source et Drain peuvent tre inverss.
176
Rgime de saturation :
I
D
V
DS
Q
I
D
est command par V
GS

GS
V =
Pour
sat
DS DS
V V >
, I
D
est commande par V
GS

( )
2
S GS D
V V k I ~
schma linaire quivalent:
G
D
S
gs
v
ds
v
gs m
v g
i
d

tient compte de laugmentation de v
ds
avec i
d
(quivalent de leffet Early)

caractristique I
D
(V
GS
) non-linaire : g
m
(V
DS
)
I
D
(mA)
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
-2 -1.5 -1 -0.5
V
GSoff
Q
DS
V
GS
D
m
V
I
g
c
c
=
gs m d
v g i =
avec
=transconductance
177
off
off GS
DSS
mo
GS
GS
mo m
V
I
g
V
V
g g
2
avec , 1 =
|
|
.
|

\
|
=
= pente pour V
GS
=0
Ordre de grandeur : g
m
=1 - 10 mA/V (mS ou mmho) ( ) O =

k g
m
1 1 . 0
1
g
m
varie linairement avec V
GS
.
J FET
MOSFET enrichissement
( )
s GS m
V V k g = 2
178
Dipersion de fabrication
Q
Q
Polarisation automatique par rsistance de source dun JFET:
+V
DD

R
S

R
D

R
G

I
D

I
D

G
S
D I
G
~ 0
3.3 Quelques circuits de polarisation
Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos

=
|
|
.
|

\
|
~
S
GS
D
GS
GS
DSS D
R
V
I
V
V
I I
off
2
1
I
D
, V
GS
, V
DS
.
V
GSQ
GS
S
D
V
R
I
1
=
Q
V
DSQ
S D
DS DD
D
R R
V V
I
+

=
Q
V
P
V
GS
I
D
I
D
V
DS
GS
V =
179
Polarisation par raction de drain (MOSFET enrichissement)
D
DS DD
D
R
V V
I

=
DS GS G
V V I = ~ 0
DS GS G
V V I = ~ 0
V
GS
(V)
I
D
.
I
D
V
DS
(V)
|
GS
V
V
DD

Q
R
G

R
D

+V
DD

S
D
180
Sources de courant JFET
3.4 Applications des FET
+V
DD

charge
DSS D GS
I I V = = 0
Avantage du JFET: polarisation de la grille inutile.

Inconvnient : dispersion de fabrication sur I
DSS
.

I
DSS
= augmente avec V
DS
rsistance de sortie non infinie
I
Source de courant ajustable par la rsistance variable.
D
GS
D
GS
GS
DSS D
I
R
V
I
V
V
I I
of f

=
|
|
.
|

\
|
~
2
1
R
181
Source de courant plus grande impdance de sortie
+V
DD

charge
T
1

T
2

T
2
et T
1
tel que I
DSS
(T
2
) > I
DSS
(T
1
)
source de courant ordinaire
T
1
I = I
DSS
(T
1
)



V
GS
(T
2
) est telle que I
D
(T
2
) = I
DSS
(T
1
)
V
DS
(T
1
) =V
GS
(T
2
)
I
influence de le charge sur V
DS
(T
1
) attnue

I

varie moins avec la charge
impdance de sortie plus grande.
182
Amplificateur source commune
JFET
v
gs

g
m
v
gs

R
D

R
G

v
g

v
s

hypothse: Mode actif , C trs leves
Z
e

Impdance dentre :
G e
R Z =
Gain en tension (circuit ouvert) :
D m v
R g A =
g
m
= fonction de V
GS
distorsion quadratique
Exemple :
R
D

R
S

R
G
V
CC

C
C
C
v
g

v
s

S
D
Impdance de sortie :
D S
R Z =
Z
s

(R
G
peut tre prise trs grande, de lordre du MO ou plus)
183
Stabilisation par une rsistance de source :
Gain en tension :
gs m s gs g
v g r v v + = et
D gs m s
R v g v =
do :
s
m
D
m s
D m
g
s
v
r
g
R
g r
R g
v
v
A
+
=
+
= =
1
1
Linfluence de g
m
sur le gain est rduite si r
s
>>1/g
m
. Le gain en tension est plus faible.
JFET
v
gs

g
m
v
gs

R
D

R
G

v
g

v
s

r
S

R
D

R
S

R
G

V
CC

r
S

v
g

v
s

S
D
r
s
introduit une contre-raction:

s s g gs
v r v v + =
(v
s
et v
g
en opposition de phase, A
v
<0)
184
v
g

R
G

G
S
D
v
GS

g
m
v
GS

JFET
v
s

R
S

v
e

Amplificateur drain commun (ou source suiveuse )
Gain en tension (circuit ouvert) : 1
1
1
~
+
=
+
=

S m
S
S m
S m
v
R g
R
R g
R g
A
Z
e

Impdance dentre :
G e
R Z =
R
S

R
G

V
CC

v
g

v
s

S
D
Impdance de sortie :
1
1
1
//
1
.
. .

=
+
=
+
= =
m s
m s
m s
s m
s
s
s
s
g R
g R
g R
R g
R
i
v
Z
c c
o c
Z
s

185
Pour V
GS
> V
GSoff
et V
DS
<V
GS
+V
P
:
( )
(

+
1
~
2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
ex:
v
entre

v
sortie

V
com

R
entre
DS
DS
sortie
v
R R
R
v
+
=
= attnuateur variable, command par V
com

En choississant
on
DS
R R >> , v
sortie
varie entre ~0 et v
entre

Imperfection:
R
DS
dpend de V
DS
rponse non-linaire
Rsistance commande
186
( )
P com
DS
V V k
R
+
~
1
Amlioration possible:
v
entre

v
sortie

V
com

R
R
1

R
1

2 2
com DS
GS
V V
V + = ( ) 0 ~
G
I
Linarit presque parfaite
( )
(

+
1
~
2
DS
P GS
DS
V
V V k
R
187
Application: Commande lectronique de gain
exemple: 15V
75k
50k
5k
1F
1F
100k
100k
signal
dentre
signal de sortie
V
com

( )
( )
( )
p com
com DS
v
com DS E
c
v
V V
V R
k
A
k V R
k
r
R
A
+ ~
= ~
5
6 , 5 //
5
Etage EC avec r
E
=R
DS
(//200k//5.6k)
5.6k
il faut R
DS
< 5.6k
amlioration possible: charge active pour R
E
.
188
Interrupteur FET
Exemple dapplication:
(Convertisseur N-A
cf Morgan)
189
Inverseur logique
aucun courant drain circule,
quelque soit le niveau de sortie
CMOS= Complementary MOS)
190
A B C InA InB Q1 Q2 Q3 Q4 Out
0 0 1 0V 0V O O F F 5V
0 1 1 0V 5V O F O F 5V
1 0 1 5V 0V F O F O 5V
1 1 0 5V 5V F F O O 0V
Fonction logique de base : la porte NAND
191
192