Propagation de la lumire

dans les nanostructures et

les cristaux photoniques
planaires associs aux guides
Frdric Lacour
donde : fabrication et
22 Fvrier 2005
caractrisation

Introduction

Nanostructures et cristaux photoniques (CP) :

objet de nombreuses recherches depuis une
dizaine dannes.
Structuration priodique du milieu de propagation
Fabrication :

Domaine des micro-ondes : priode de lordre du

millimtre
Domaine optique : priode sub-micronique
Enjeu technologique notamment du point de vue des
prcisions gomtriques requises
CP de type planaire
Nanostructures associes des guides donde.

Proposition : Utilisation dun FIB.

Caractrisation des nanostructures par
microscopie en champ proche optique.

Plan de lexpos
I.
II.
III.

IV.

V.

VI.

Contexte
Modlisation des nanostructures
Fabrication de nanostructures par
FIB
Caractrisation des nanostructures
par microscopie en champ proche
Application des mthodes de
fabrication par FIB au LiNbO3
Conclusion et perspectives

Partie I
Contexte

Les cristaux photoniques

Arrangement priodique de matriaux dilectriques ou mtalliques.

1D

2D

3D

Bande interdite photonique : la lumire ne peut pas se propager pour certaines gammes de
longueur donde

Introduction de lacunes ou de dfauts : possibilit de confinement

cavity

Cavit
I Contexte

waveguide

Guide donde

I-1 Les cristaux photoniques I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

Les cristaux photoniques

bidimensionnels

Deux types :

Structures dconnectes

Structures
connectes

Applications loptique intgre planaire :

I Contexte

Structures 2D + confinement vertical

Dfauts : cration de guides donde ou de cavits
Permet une miniaturisation des principaux
composants optiques
Contrle total de la lumire dans un plan

I-1 Les cristaux photoniques I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

Cristaux photoniques 2D associs des

guides donde

Deux configurations ont t retenues :

Coupleur : Injection par onde vanescente

(D. Mulin,

Thse de doctorat, 2000)

Trous directement gravs sur le guide :

injection par une onde propagative

Simulations prliminaires : coupleur configuration ambitieuse et complexe

Choix des structures validation de la fabrication de nanostructures par FIB

I Contexte

I-1 Les cristaux photoniques

I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

Fabrication dun cristal photonique

bidimentionnel associ un guide donde

Techniques de fabrication issues de la technologie

des semi-conducteurs

Mthode la plus rpandue : lithographie

lectronique MEB associe une technique de
gravure (chimique ou sche)

Avantages : prcision (rsolution jusqu 5nm), ensemble

des motifs gravs en mme temps (homognit de la
structure)
Inconvnient : difficult de positionnements (utilisation de
repres)

Mthode choisie : utilisation dun FIB

I Contexte

Motivation : positionnement de visu par rapport aux guides,

rsolution (moins de 50nm), possibilit de gravure directe

I-1 Les cristaux photoniques

I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

Choix du guide optique

Structure mixte guide/nanostructures

Modes de propagation peu enterrs
(caractrisation par microscopie champ proche)

Choix dune structure multicouche :

confinement vertical de la lumire dans les structures

Guide ruban
structure multicouche
SiO2/SiON/SiO2 sur
substrat de silicium

I Contexte

I-1 Les cristaux photoniques

I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

10

Caractristiques des guides donde

monomodes de 700 nm
900 nm (compatible avec
le laser titane saphir
(700-950nm))

Mode
Calcul par
BPM :

Onde vanescente la
surface du guide

Dcoupe des chantillons la scie

(Disco DAD400) vite le
polissage

I Contexte

I-1 Les cristaux photoniques

I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

11

Partie II
Modlisation des
nanostructures

12

Calcul des diagrammes de bandes

But :

Dterminer les paramtres de la structure

(diamtre des trous, maille, priode de la
matrice)
Dtermination des diagrammes de bande par un
logiciel commercial (RSoft BandSolve) utilisant
la mthode PWE (Plane Wave Expansion)
Conditions :

nef=1.489

Fabrication d<0.75a

I Contexte

II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD III Fabrication de nanostructures

13

Calcul des diagrammes de bandes

Paramtres :
Choix dune matrice
maille triangulaire
d=0.7a

Polarisation TE : Champ E parallle

laxe des structures
I Contexte

II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD III Fabrication de nanostructures

14

Calcul des diagrammes de bandes

Paramtres :
Choix dune matrice
maille triangulaire
d=0.7a

Polarisation TM : Champ H parall

laxe des structures
I Contexte

II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD III Fabrication de nanostructures

15

Calculs 2D-FDTD

Utilisation dun logiciel commercial (FullWave) de FDTD

(Finite-Diference Time-Domain)
La mthode FDTD permet de:

Calculer le spectre de transmission (excitation par impulsion).

Montrer linteraction entre la lumire injecte et les
nanostructures (excitation continue).

Paramtres pour les calculs 2D-FDTD :

Trous supposs infinis

Guides donde monomodes de 4m de large
Matrice maille triangulaire de 40x40 trous (a=360nm,
d=200nm)
Propagation dans la direction M
x=z=0.02m
t=2.4 10-17s
PML : paisseur=0.5m

I Contexte II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD

III Fabrication de nanostructures

16

Calculs 2D-FDTD

Spectre de transmission

Polarisation TM
TE

I Contexte II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD

III Fabrication de nanostructures

17

Calculs 2D-FDTD

Distribution en intensit des champs lectrique et

magntique (polarisation TE), matrice de 40x40 trous
(d=200nm, a=360nm)

I Contexte II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD

III Fabrication de nanostructures

18

Calculs 2D-FDTD

Distribution en intensit des champs lectrique et magntique

(polarisation TE)

I Contexte II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD

III Fabrication de nanostructures

19

Partie III
Fabrication de nanostructures
par FIB

20

Fabrication des nanostructures

Matrice priodique de trous,

maille triangulaire
(d=200nm, a=360nm,
Profondeur de gravure :
1m) grave sur les guides
donde
Utilisation du FIB (Faisceau
dions focalis, Focused Ion
Beam)
Avantages :

Haute rsolution ('50nm)

Systme dimagerie associ
Positionnement par rapport
au guide visuel

FIB: double colonne MEB/FIB Orsay

Physics LEO-FIB 4400 (FEMTO-ST,
Besanon) ; FIB FEI Beam Strata 235
(Isis, Strasbourg)

III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

IV Cara

21

Premire mthode : gravure directe par FIB

III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

IV Cara

22

Rsultats

Matrice de maille
triangulaire de 20x20
trous
Diamtre : 200nm
Priode : 360nm
Profondeur de gravure
: 1,2m)

Coupe par FIB

image MEB
image FIBIV Cara

III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

23

Autres structures graves

Matrice triangulaire de
2430 trous circulaires
(d=200nm, a=360nm)

Matrice triangulaire de
2448 trous circulaires
(d=200nm, a=360nm)
avec une ligne de dfauts

Images MEB, Gravures ralises lINIST, Strasbo

III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

IV Cara

24

Discussion

Rglages FIB (astigmatisme, alignement de la

colonne) dlicats risque de saut ou de
drive
Problme du redpt de matriau
profondeur de gravure limite et flancs des
trous inclins.
Solutions proposes :

Utilisation dun gaz ractif

Augmentation du nombre de passages
Combinaison FIB-RIE (Reactive Ion Etching)

III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

IV Cara

Deuxime mthode : action combine FIBRIE

25

Avantages :
gravure FIB 250nm de profondeur (paisseur du mtal)
temps de gravure rduit
Profondeur des trous ne dpend que de la RIE
III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

IV Ca

26

Premiers essais

Gravure du masque
mtallique par FIB

Image FIB

20 minutes de gravure RIE

Thoriquement : ' 1920nm.
Profondeur mesure lAFM
: 100nm
Ncessit dune
optimisation de la gravure
RIE pour les nanostructures.

III Fabrication de nanostructures par FIB III-1 Paramtres III-2 Gravure directe III-3 Gravure combine FIB-RIE

IV Ca

27

Partie IV
Caractrisation des
nanostructures
par microscopie en champ
proche

Caractrisation par microscopie en champ

proche

28

Dispositif exprimental

IV Caractrisation des nanostructures par SNOM

IV-1 Dispositif exprimentale IV-2 Caractrisation de guides dondes IV-3

Caractrisation en champ proche des

guides donde optiques

29

Images champ proche dun coupleur (spars

de 8m)
Image topographique
(30x30m)

IV Caractrisation des nanostructures par SNOM

Image optique
correspondante

IV-1 Dispositif exprimentale IV-2 Caractrisation de guides dondes IV

Caractrisation en champ proche des

guides donde optiques

y(A)

30

Sections

Coupe de
limage
topographique

Coupe de limage
optique correspondante

I(U.A.)

xm)

IV Caractrisation des nanostructures par SNOM

xm)

IV-1 Dispositif exprimentale IV-2 Caractrisation de guides dondes IV

Caractrisation en champ proche des

guides donde optiques

31

Comparaison Thorie/exprience

Image optique
exprimentale

I(U.A.)

I(U.A.)

xm)

IV Caractrisation des nanostructures par SNOM

xm)

IV-1 Dispositif exprimentale IV-2 Caractrisation de guides dondes IV

Caractrisation dune nanostructure sans

lacune

32

=850nm
=900nm
Image
topographique
(5x5m)

Image optique
Caractrisation par
correspondante

microscopie en champ
proche :

Une matrice de 40
lignes de trous
Mmes paramtres que
prcdemment
(a=360nm, d=200nm)
Mesure ralise tous les
25nm entre =700nm
et =900nm pour une
polarisation TM

-1 Dispositif exprimentale IV-2 Caractrisation de guides dondes IV-3 Caractrisation de nanostructures sans dfaut IV-4

Caractrisation dune nanostructure

possdant une ligne de trous manquante

33

Caractrisation par
microscopie en champ
proche :

Une matrice de 80 lignes

de trous
Mmes paramtres que
prcdemment
(a=360nm, d=200nm)
1 ligne de trous
manquante dans la
direction de la
propagation au centre du
guide donde
Mesure ralise tous les
25nm entre =700nm et
=900nm pour une
polarisation TM

ondes IV-3 Caractrisation de nanostructures sans dfaut IV-4 Caractrisation de nanostructures avec une ligne de dfaut

Caractrisation dune nanostructure

possdant une ligne de trous manquante

=725nm
Pertes
importantes en
entre de la
nanostructure

Image
Topographique
(10x10m)

34

Image Optique
correspondante

ondes IV-3 Caractrisation de nanostructures sans dfaut IV-4 Caractrisation de nanostructures avec une ligne de dfaut

Caractrisation dune nanostructure

possdant une ligne de trous manquante

Image
Topographique
(10x10m)

35

Image Optique
correspondante

=825nm
Confinement du
champ autour de
la ligne de lacunes.

ondes IV-3 Caractrisation de nanostructures sans dfaut IV-4 Caractrisation de nanostructures avec une ligne de dfaut

Caractrisation dune nanostructure

possdant une ligne de trous manquante

36

Comparaison image exprimentale / simulation FDTD

Distribution de
lintensit du
champ H,
polarisation TM
5040 trous,
maille
triangulaire
a=360nm,
d=200nm
=752nm

ondes IV-3 Caractrisation de nanostructures sans dfaut IV-4 Caractrisation de nanostructures avec une ligne de dfaut

37

Discussion

Structures sans dfaut :

Chute de transmission observe partir

de =875nm
BIP TM thorique : entre 800 et 900nm

Structures avec une ligne de lacune :

Chute de transmission observe vers

900nm (limite du gain linaire du PM)
Modelages dans la structure trs
difrents observs pour des longueurs
donde ponctuels

38

Influence du profil des trous

chantillon
fabriqu:
Efet de BIP pour des
Redpt
cristaux de
photoniques
2D du
matire lors
trs sensibles
deformes
traitement
FIB
nombreux paramtres
coniques
introduisant
principalement des
Angle
proche
de 2.5.
pertes
hors-du-plan
:
Profondeur des trous :
importance du
La profondeur
des trous
recouvrement
entre les
trous etentre
le mode
guid et
(compromis
la thorie

La forme des
trous :
les contraintes
technologiques)
forme cylindrique
ne permet
pas un

Aspect en surface : la
recouvrement
complet
surface doit
tre des
modesrgulire.
guids

Ferrini and al., Appl. Phys. Lett., 82, 7, 2003

-1 Dispositif exprimentale IV-2 Caractrisation de guides dondes IV-3 Caractrisation de nanostructures sans dfaut IV-4

39

Partie V
Application de la mthode de
fabrication des nanostructures
par FIB au LiNbO3

40

Contexte

Niobate de Lithium, LiNbO 3

Nombreuses proprits optiques (ferro-lectrique, pizo-lectrique, lectro-optique, photorfractif, acousto-optique)

Fort indice de rfraction : nLiNbO3, =1.55m2.2
Domaine de transparence de 0,4m 4m

Un des matriaux les plus utiliss pour la ralisation de composants optiques

Candidat pour la ralisation de cristaux photoniques reconfigurables
Matriau difficilement usinable par les techniques de gravure traditionnelles
Rares rsultats de nanostructurations (Restouin et al. Opt. Mater. 22, 2003)

risation des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion

41

Existence dune BIP dans le LiNbO3

Calculs raliss
laide de BeamProp
(N. Bodin)

Existence dune BIP TM totale pour d>0,4a

Paramtres pour la fabrication : d=0,5a (compromis
entre technologie et simulation)
0.321<a<0.349

risation des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion

Fabrication de nanostructures sur LiNbO3

par FIB

Procdure de gravure directe par FIB

Procdure de gravure combine FIB-RIE

42

risation des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion

43

Rsultats par gravure directe par FIB

Image FIB de la coupe dune matrice 4 4

Diamtre des trous

1m de profondeur :
432nm
Toujours le problme du
redpt

risation des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion

44

Gravure combine FIB-RIE

Le FIB ne sert qu graver le masque mtallique

Rsultats difrents selon le diamtre des trous
d1=250nm

Images MEB

d2=130nm

Profondeur de gravure mesur au bout de 10min de RIE-SF 6 : 500nm

risation des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion

45

Partie VI
Conclusion et perspectives

46

Conclusion

Dveloppement de deux mthodes de

fabrication de nanostructures par FIB sur deux
matriaux (silice et niobate de lithium)
Subsiste quelques dfauts (redpt de matriau)
Efficacit prouve notamment pour la ralisation
de structures sur des matriaux difficilement
usinables (LiNbO3)
Caractrisation des nanostructures par
microscopie en champ proche :

Cartographie en surface du champ se propageant dans

le structure
Efficacit prouve pour la caractrisation de structure
fort confinement de champ (structure avec lacunes)

des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion et perspectives

47

Perpectives

Optimisations ncessaires :

Gravure FIB directe : difrentes solutions ont t

proposes pour viter le redpt
Gravure combine FIB-RIE : optimisation de la RIE pour les
nanostructures

Nanostructuration du niobate de lithium

RIE peu ractive : acquisition prochaine dune Deep-RIE

ddie au LiNbO3

Caractrisation en champ proche : suppose des guides

peu enterrs
Ralisation de composants actifs cristaux photoniques
sur LiNbO3

des nanostructures par SNOM V Applications des mthodes de fabrication par FIB au LiNbO 3 VI Conclusion et perspectives

Quelques exemples de Zone de

Brillouin

Zone de Brillouin : cellule lmentaire de lespace rciproque

48

49

Thorie des cristaux photoniques

Milieu linaire, non-absorbant et isotrope

Permittivit dilectrique relative, relle et priodique
r(!r )
quations de Maxwell donnent lquation matre (milieu nonabsorbant, linaire et isotropes):

Thorme de Floquet-Bloch :

O
est fonction de la priodicit du rseau.
Permet la simplification de lquation matre.

Obtention des courbes de dispersion ( k ) et des diagrammes de bande (mthode des ondes planes)

50

tude spectrale

Spectre de
transmission
exprimental

Variation de
850nm 980nm
Ne montre pas de
relles bandes
interdites

51

Fabrication des guides donde

Fabrication ralise par A. Sabac

I Contexte

I-1 Les cristaux photoniques

I-2 Configuration adopte

II Modlisation des nanostructures III Fabrication

52

Remerciements

Elose Devaux (INIST, Strasbourg)

Andrei Sabac
Maria Pilar Bernal
Nadge Bodin
Matthieu Rousset

53

Calcul des diagrammes de bandes

d=0.7a

I Contexte

II Modlisation des nanostructures II-1 Calcul des BIP II-2 Calculs 2D-FDTD III Fabrication de nanostructures