Transistor Amplifier Basics

It is critical to understand the notation used

for voltages and currents in the following
discussion of transistor amplifiers.
This is therefore dealt with explicitly up
front.
As with dynamic resistance in diodes we
will be dealing with a.c. signals
superimposed on d.c. bias levels.

Transistor Amplifier Basics

We will use a capital (upper case) letter for
a d.c. quantity (e.g. I, V).
We will use a lower case letter for a time
varying (a.c.) quantity (e.g. i, v)

Transistor Amplifier Basics

These primary quantities will also need a subscript
identifier (e.g. is it the base current or the collector
current?).
For d.c. levels this subscript will be in upper case.
We will use a lower case subscript for the a.c.
signal bit (e.g. ib).
And an upper case subscript for the total time
varying signal (i.e. the a.c. signal bit plus the d.c.
bias) (e.g. iB).This will be less common.

Transistor Amplifier Basics

ib
+
IB
=
iB

Transistor Amplifier Basics

It is convention to refer all transistor
voltages to the common terminal.
Thus in the CE configuration we would
write VCE for a d.c. collector emitter voltage
and VBE for a d.c. base emitter voltage.

Common Emitter Characteristics

For the present we consider DC behaviour
and assume that we are working in the
normal linear amplifier regime with the
BE junction forward biased and the CB
junction reverse biased

Common Emitter Characteristics

Treating the transistor as a current node:
Also:

IE IC IB
IC IE Ico

Common Emitter Characteristics

Hence:

IC C IB) ICO
which after some rearrangement gives

ICO
IC
IB

1-

Common Emitter Characteristics

Define a common emitter current-transfer
ratio

Such that:

ICO
IC IB

1-

Common Emitter Characteristics

Since reverse saturation current is
negligible the second term on the right hand
side of this equation can usually be
neglected (even though (1- ) is small)
Thus

IC IB

Common Emitter Characteristics

We note, in passing that, if can be regarded as a
constant for a given transistor then

ic ib
For a practical (non-ideal) transistor this is only
true at a particular bias (operating) point.

Common Emitter Characteristics

A small change in causes a much bigger
change in which means that can vary
significantly, even from transistor to
transistor of the same type.
We must try and allow for these variations
in circuit design.

Common Emitter Characteristics

For example;
= 0.98, = 49
= 0.99, = 99
= 0.995, =199

Common Emitter Characteristics

is also known as hFE and may appear on
data sheets and in some textbooks as such.
For a given transistor type data sheets may
specify a range of values

Common Emitter Characteristics

The behaviour of the transistor can be
represented by current-voltage (I-V) curves
(called the characteristic curves of the
device).
As noted previously in the common emitter
(CE) configuration the input is between the
base and the emitter and the output is
between the collector and the emitter.

Common Emitter Characteristics

We can therefore draw an input
characteristic (plotting base current IB
against base-emitter voltage VBE) and
an output characteristic (plotting collector
current Ic against collector-emitter voltage
VCE)

Common Emitter Characteristics

We will be using these characteristic curves
extensively to understand:
How the transistor operates as a linear
amplifier for a.c. signals.
The need to superimpose the a.c. signals on
d.c. bias levels.
The relationship between the transistor and
the circuit in which it is placed.

Common Emitter Characteristics

Once these basics are understood we will
understand:
Why we can replace the transistor by a
small signal (a.c.) equivalent circuit.
How to derive a simple a.c. equivalent
circuit from the characteristic curves.
Some of the limitations of our simple
equivalent circuit.

IDEAL CE INPUT (Base)

Characteristics

IDEAL CE INPUT
Characteristics
The plot is essentially that of a forward biased
diode.
We can thus assume VBE 0.6 V when designing
our d.c. bias circuits.
We can also assume everything we know about
incremental diode resistance when deriving our
a.c. equivalent circuit.
In the non-ideal case IB will vary slightly with
VCE. This need not concern us.

IDEAL CE OUTPUT
(Collector) Characteristics

IDEAL CE OUTPUT
(Collector) Characteristics
Avoid this
saturation
region
where we
try to
forward
bias both
junctions

IDEAL CE OUTPUT

Avoid this cut-off region where we try to reverse

bias both junctions (IC approximately 0)

IDEAL CE OUTPUT
(Collector) Characteristics
The plots are all parallel to the VCE axis (i.e.
IC does not depend on VCE)
The curves strictly obey IC = IB
In particular IC = 0 when IB = 0.
We shall work with the ideal characteristic
and later on base our a.c. equivalent circuit
model upon it.

ACTUAL CE OUTPUT
Characteristics
IB =

ACTUAL CE OUPUT
Characteristics
Salient features are:
The finite slope of the plots (IC depends on
VCE)
A limit on the power that can be dissipated.
The curves are not equally spaced (i.e
varies with base current, IB).

ACTUAL CE OUPUT
Characteristics
You will get to measure these curves in the
lab.
There is also a PSPICE sheet DC sweep
analysis and transistor characteristics to
help aid you understanding.

Bipolar Junction Transistor

(BJT)

28

Stuktur divais dan cara kerja fisik

Struktur yang Disederhanakan dan Mode Operasi

Gambar 1. Struktur sederhana transistor npn

Gambar 2. Struktur sederhana transistor pnp

29

Mode kerja BJT

Mode

EBJ

CBJ

Cutoff

Reverse

Reverse

Active

Forward

Reverse

Reverse
Active

Reverse

Forward

Saturation

Forward

Forward

30

Gambar 3: Model rangkaian pengganti sinyal besar untuk BJT npn yang bekerja pada
mode forward active.

31

Karakteristik Arus Tegangan

Gambar 4: Simbol rangkaian BJT

32

Karakteristik Arus Tegangan

Gambar 5: Polaritas tegangan dan aliran arus dalam transistor yang di bias dalam
mode aktif

33

Ringkasan hubungan
arus

tegangan
dari
BJT
i C IS e v V
pada mode aktif
BE

iC IS v BE VT

e

iC IS v BE VT
iE
e

iB

Catatan: untuk transistor pnp, gantilah vBE dengan v

i
i C i E
i B 1 i E E
iC i B

i E 1 i B

34
VT = tegangan termal = kT/q 25 mV pada suhu
ka

Contoh soal 1:

Gambar 6: Rangkaian untuk contoh soal 1

Transistor pada gambar (6.a) mempunyai =

100 dan vBE = 0,7 V pada iC =1mA.
Rancanglah rangkaian sehingga arus 2 mA 35
mengalir melalui collector dan tegangan pada

Jawab:
VC = 5 V CBJ reverse bias BJT pada mode ak
VC = 5 V VRC = 15 5 = 10 V
IC = 2 mA R C2 =
5 k

VBE 0,7 ln 0,717 V

1

vVBE == 00,7
V
pada
i-0,717
harga vBE pada iC = 2
C = 1 mA
V

V
=
V
B
E
IC
2

2,02 mA
0,99

= 100 = 100/101 =0,99

Harga RE diperoleh dari:
IE

RE

VE 15
IE

0,717 15
7,07 k
2,02

36

Tampilan Grafis dari Karakteristik Transistor

Gambar 7: Karakteristik iC vBE dari sebuah transistor npn

37

iC IS ev BE

VT

Karakteristik iC vBE identik dengan karakteristik i v pada dioda.

Karakteristik iE vBE dan iB vBE juga

exponensial dengan IS yang berbeda: IS/
untuk iE dan IS/ untuk iB.
Karena konstanta dari karakteristik
ekponensial, 1/VT, cukup tinggi ( 40), kurva
meningkat sangat tajam.
Untuk vBE < 0,5 V, arus sangat kecil dan dapat38

Gambar 8: Model rangkaian pengganti sinyal besar dari BJT npn yang bekerja di
daerah aktif dalam konfigurasi common-emitter.
39

Karakteristik Common-Emitter

Gambar 9: Karakteristik common-emitter

40

Penguatan arus common-emitter .

didefinisikan sebagai perbandingan antara
total arus pada collector dan total arus pada
base.
mempunyai harga yang konstan untuk
sebuah transistor, tidak tergantung dari kondisi
kerja.
I
dc

CQ

IBQ

Pada
gambar
9, sebuah
bekerja pada
dc juga
dikenal
sebagaitransistor
hFE.
daerah aktif di titik Q yang mempunyai arus
collector ICQ, arus base IBQ dan tegangan
41
collector emitter V . Perbandingan arus

Pada gambar 9 terlihat, dengan tegangan vCE

tetap perubahan iB dari IBQ menjadi (IBQ + iB)
iC kenaikan pada i dari I
menghasilkan
C
CQ
ac
i B v kons tan
menjadi (ICQ + iC)
CE

ac disebut incremental.
ac dan dc biasanya berbeda kira-kira 10%
20%.
ac disebut juga sinyal kecil yang dikenal
juga dengan hfe.
sinyal kecil didefinisikan dan diukur pada
42
vCE konstan, artinya tidak ada komponen

BJT sebagai Penguat dan sebagai Saklar

Pemakaian BJT:
sebagai penguat:
BJT bekerja pada mode aktif.
BJT berperan sebagai sebuah sumber arus yang dikendalikan oleh
tegangan (VCCS).
Perubahan pada tegangan base-emitter,vBE, akan menyebabkan
perubahan pada arus collector, iC.
BJT dipakai untuk membuat sebuah penguatan transkonduktansi.
Penguatan tegangan dapat diperoleh dengan melalukan arus
collector ke sebuah resistansi, RC.
Agar penguat menjadi penguat linier, transistor harus diberi bias,
dan sinyal akan ditumpangkan pada tegangan bias dan sinyal yang
akan diperkuat harus dijaga tetap kecil
sebagai saklar
BJT bekerja pada mode cutoff dan mode jenuh
43

Cara kerja sinyal besar Karakteristik Transfer

Gambar 10. (a) Rangkaian dasar penguat common emitter

(b) Karakteristik transfer dari rangkaian (a)
44

Rangkaian dasar penguat common-emitter terlihat pada gambar 10.

Tegangan masukan total vI (bias + sinyal) dipasang di antara base dan
emitter (ground)
Tegangan keluaran total vO (bias + sinyal) diambil di antara collector dan
emitter (ground)
Resistor RC mempunyai 2 fungsi:
Untuk menentukan bias yang diinginkan pada collector
Mengubah arus collector, iC, menjadi tegangan keluaran vOC atau vO
Tegangan catu VCC diperlukan untuk memberi bias pada BJT dan untuk
mencatu daya yang diperlukan untuk kerja penguat.
Karakteristik transfer tegangan dari rangkaian CE terlihat pada gambar 10(b).
vO = vCE = VCC RCiC

45

vI = vBE < 0,5 V transistor cutoff.

0 < vI < 0,5 V, iC kecil sekali, dan vO akan sama dengan tegangan catu VCC
(segmen XY pada kurva)

vI > 0,5 V transistor mulai aktif, iC naik, vO turun.

Nilai awal vO tinggi, BJT bekerja pada mode aktif yang menyebabkan
penurunan yang tajam pada kurva karakteristik transfer tegangan (segmen
YZ), Pada segmen ini:

iC IS ev EB VT
IS e v I

VT

v O VCC RCIS ev I

VT

46

Mode aktif berakhir ketika vO = vCE turun

sampai 0,4 V di bawah tegangan base (vBE atau
vI) CBJ on dan transistor memasuki mode
Vtitik
V Z pada kurva).
jenuh (lihat
I

R
Pada daerah jenuh
kenaikan vBE menyebabkan
vPada
sedikit
saja.BJT
vCEmenunjukkan
= VCEsat berkisar
daerah
jenuh,
CE turun
antara
0,1 yang
0,2 rendah,
V. ICsat juga
konstan
harga:
resistansi
RCEsat
antara pada
collector
dan emitter. Jadi ada jalur yang mempunyai
resistansi rendah antara collector dan ground,
sehingga dapat dianggap sebagai saklar
tertutup.
47
Csat

CC

CEsat

Penguatan Penguat.
Agar BJT bekerja sebagai penguat, maka harus diberi bias pada daerah aktif yang
ditentukan oleh tegangan dc base emitter VBE dan tegangan dc collector emitter
VT keadaan ini:
VCE. Arus collector IVCBEpada

IC IS e

VCE VCC RCIC

Jika sinyal vi akan diperkuat, sinyal ini

ditumpangkan pada VBE dan harus dijaga kecil
(lihat gambar 10(b)) agar tetap pada segmen
yang linier dari kurva transfer di sekitar titik
bias Q.
Koefiesin arah dari segmen linier ini sama
48
dengan penguatan tegangan dari penguat

Penguatan sinyal kecil Av:

v O VCC RCIS ev i
Av

dv O
dv I

VT

v I VBE

Av

1
IS eVBE
VT

Av

IC RC
V
RC
VT
VT

VT

RC

VRC VCC VCE

Perhatikan:
penguat CE: inverting, artinya sinyal
keluaran berbeda 180 dengan sinyal
masukan.
peguatan tegangan dari penguat CE adalah
49
perbandingan antara penurunan tegangan pada

Contoh soal 2
IS =
10-15 A, sebuah resistansi collector RC = 6,8
k dan catu daya VCC = 10 V.
a. Tentukan harga tegangan bias VBE yang
diperlukan untuk mengoperasikan transistor
pada VCE = 3,2 V. Berapakah harga IC nya?
b.Carilah penguatan tegangan Av pada titik
bias. Jika sebuah sinyal masukan sinusoida
dengan amplitudo 5 mV ditumpangkan pada
VBE, carilah amplitudo sinyal keluaran
50
sinusoida.
Sebuah rangkaian CE menggunakan sebuah BJT yang mempunyai

Analisis Grafis

Gambar 11 Rangkaian yang akan dianalisa

secara grafis

51

Perhatikan gambar 11 yang mirip dengan

rangkaian terdahulu hanya ada tambahan
resitansi pada base, RB.

Gambar 12. Konstruksi grafis untuk menentukan arus

gambar 11

dc base pada rangkaian di

Analisis grafis dilakukan sebagai berikut:

1.Tentukan titik bias dc; set vi = 0 dan
gunakan cara seperti pada gambar 12 untuk
menentukan arus dc pada base IB.
52

Gambar 13. Konstruksi grafis untuk menentukan arus dc collector IC dan tegangan
collectoremitter VCE pada rangkaian pada gambar 11

vCE = VCC iCRC

iC

VCC
1

v CE
RC RC

Hubungan di atas adalah hubungan linier yang

digambarkan dengan sebuah garis lurus seperti
53

Gambar 14 (a). Penentuan grafis komponen sinyal vbe dan ib ketika komponen sinyal
vi ditumpangkan pada tegangan dc VBB.
54

Gambar 14 (b). Penentuan grafis komponen sinyal vce dan ic ketika komponen sinyal
vi ditumpangkan pada tegangan dc VBB.
55

Cara kerja sebagai saklar.

BJT bekerja sebagai saklar: gunakan mode cut
off dan mode jenuh.

Gambar 16: Rangkaian sederhana yang digunakan untuk menunjukkan mode

operasi yang berbeda dari BJT.
56

Harga masukan vI bervariasi.

vI < 0,5 V iB = 0, iC = 0 dan vC = VCC
simpul C terputus dari ground saklar
dalam keadaan terbuka.
vI > 0,5 Vv
transistor on. Pada
V
i
R
kenyataannya
agar arus mengalir, vBE harus
sama dengan 0,7 V, dan vI harus lebih tinggi
Dan arus collector menjadi:
B

BE

Arus base
akan menjadi:
i = i
C

57

Persamaan ini hanya berlaku untuk daerah aktif

artinya CBJ tidak forward bias atau vC > vB
0,4 V.
vC = VCC RCiC
VCC 0,3
vI naik, iBRakan
C
IC ( EOS )

Jika
naik, dan iC akan naik juga,
Akibatnya vCE akan turun. Jika vCE turun sampai
Dengan asumsi VBE 0,7 V dan
vB 0,4V, transistor
akan meninggalkan daerah
I
I

aktif dan memasuki

daerah jenuh. Titik edgeof-saturation (EOS) ini didefinisikan:
58
C ( EOS )

B ( EOS )

Harga vI yang diperlukan untuk mendorong

transistor ke EOS dapat ditentukan dengan
persamaan:
VI(EOS) = IB(EOS)RB + VBE

Menaikkan vI > VI(EOS) menaikkan arus base

yang akan mendorong transistor ke daerah
VCC VCEsat
Csat semakin dalam. V
jenuh Iyang
CE akan sedikit
RC
menurun.
Asumsikan untuk transistor dalam keadaan
jenuh, VCEsat 0,2 V. Arus collector akan tetap59

Memaksakan lebih banyak arus pada base

mempunyai pengaruh yang kecil pada ICEsat
dan VCEsat. Pada keadaan ini saklar tertutup
dengan resistansi RCEsat yang rendah dan
tegangan offset VCEsat yang rendah.
forced

ICEsat
IB

Pada keadaan jenuh, transistor dapat dipaksa

Perbandingan
antara Iyang
IB(EOS) disebut faktor ov
bekerja pada harga
B dandiinginkan.yang
lebih rendah harga normal.

60

Contoh soal 3:
Transistor pada gambar 17 mempunyai
berkisar antara 50 150.
Carilah harga RB yang menyebabkan transistor
pada keadaan jenuh dengan faktor overdrive
lebih besar dari 10.
Gambar 17

Jawab:
Transistor dalam keadaan jenuh, tegangan collector
VC = VCEsat 10
0,2
V
0,2
ICsat

9,8 mA

61

Untuk membuat transistor jenuh dengan

I
9,8diperlukan arus base
yang paling
rendah,
I

0,196 mA

50
paling sedikit:
Untuk faktor overdrive = 10, arus base harus:
IB = 10 x 0,196 = 1,96 mA
B ( EOS )

Csat

min

5 0,7
1,96
RB

Jadi RB yang diperlukan:

RB

4,3
2,2 k
1,94

62

Contoh soal 4:
Tentukan harga tegangan pada semua simpul
dan arus pada semua cabang. Asumsikan =
100

Gambar 18

63

Gambar 18

64