Potencia 3

Electrónica de Potencia
UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA

UNIDAD Nº 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
UNIDAD Nº 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
UNIDAD Nº 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS
UNIDAD Nº 4. CONVERTIDORES
Lección 5.- Tiristor

Lección 6.- Gobierno de tiristores y triac
aci nórt c el E. ps E
ePgnI
•Lilen,H. Tiristores y triac. Marcombo.1998

S.E.
•Thyristor data. Mayo 2000. Onsemiconductor; http://www.onsemi.com

ci nórt c el E
éT aí r ei n
05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 1

Introducción
Definición: El tiristor (SCR,

SCR Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado
de Silicio), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones
PN con la disposición PNPN. Está formado por tres terminales, llamados Anodo,
Anodo
Cátodo y Puerta.
Puerta El instante de conmutación, puede ser controlado con toda
precisión actuando sobre el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional,
conmutador casi ideal y rectificador.
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

TEMA 5:TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERÍSTICAS
Estructura
y caracteristica V-I
Conducción
Bloqueo directo
ePgnI
Bloqueo inverso
S.E.
En la fabricación se emplean técnicas de difusión y

ci nórt c el E
éT aí r ei n
crecimiento epitaxial.
epitaxial El material básico es el Si.
TEMA 5:TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERÍSTICAS
Estructura
I C = αI E + I CO
( )
I A = IS1 = IS3 = IS e qv kt − 1 ≈ IS
I B = (1 − α ) ⋅ I E − I CO
I B1 = (1 − α1 ) ⋅ I A − I CO1 α 2 I G + I CO1 + I CO2

IA =
1 − ( α1 + α 2 )
ePgnI
I C2 = α 2 I K + I CO2
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n
I K = I A + IG
La característica real V – I del tiristor está representada

en la figura:
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

TEMA 5:TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERÍSTICAS
Características estáticas:
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y

son los valores máximos que colocan al elemento en en límite de
sus posibilidades: VRWM , VDRM , VT, ITAV , ITRMS , IR, Tj, IH.
Identifica estos parámetros en la hojas de características de los
SCR adjuntos
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Características de control:
Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las

condiciones de disparo.
Para la región puerta - cátodo los fabricantes definen entre otras las siguientes
características: VGFM , VGRM , IGM , PGM , PGAV , VGT , VGNT (VGD ), IGT , IGNT (IGD )
−VGNT (VGD) e IGNT (IGD) que dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los
cuales en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de
dispararse de modo indeseado.
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

TEMA 5:TIRISTORES
Características de control
Construcción de la curva
característica de puerta
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

TEMA 5:TIRISTORES
Características de control
Dentro de esta zona encontramos una

parte en la cual el disparo resulta
inseguro Esta corriente mínima
disminuye al aumentar la temperatura:
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n
PG(AV)
δ=
05/02/03 PGM J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 9
Observar las curvas y parámetros de puerta de las

hojas de características adjuntas( SKT10 de Semikron)
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Angulo de Conducción
La corriente y la tensión
media de un tiristor variarán
en función del instante en
el que se produzca el
disparo,
disparo es decir, todo va a
depender del ángulo de
conducción.
conducción La potencia
entregada y la potencia
consumida por el dispositivo,
también dependerán de él:
cuanto mayor sea éste,

mayor potencia tendremos a
ePgnI
la salida del tiristor

S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

El cto de la figura representa un control simple de potencia con

carga resistiva, calcular:
1.- Tensión de pico en la carga.
2.- Corriente de pico en la carga.
3.- Tensión media en la carga.
4.- Corriente media en la carga.
5.- Realizar un estudio mediante PsPice, obteniendo las formas de
onda para un ángulo de conducción θ = 60º. Comprobar que los
apartados calculados en el ejercicio, coinciden con las
simulaciones.
Datos: Ve(RMS) = 120V f = 50Hz α = 60º RL = 10Ω
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Vp(carga) = Vmáx = Ve(RMS) ⋅ 2 =169.7V

Vp(carga) 169.7
I p(carga) = = = 16.97V
RL 10
 169.7 
Vmed =   ⋅ (1 + cos60º ) = 40.5V
 2 ⋅π 
I máx
I med = ⋅(1 +cos α) =4.051 A
2 ⋅π
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

aci nórt c el E. ps E TEMA 5:TIRISTORES: ESTRUCTURA Y CARACTERÍSTICAS
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

TEMA 5:TIRISTORES: ESTRUCTURAY CARACTERÍSTICAS
Métodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe
estar polarizada en directo y la señal de mando debe permanecer un
tiempo suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un
valor de corriente de ánodo mayor que IL, corriente necesaria para permitir
que el SCR comience a conducir.
Para que, una vez disparado, se mantenga en la zona de conducción
deberá circular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del
estado de conducción al estado de bloqueo directo.
Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:

7.6.1.- Por puerta.
7.6.2.- Por módulo de tensión. (V)

7.6.3.- Por gradiente de tensión (dV/dt)
7.6.4.- Disparo por radiación.
ePgnI
7.6.5.- Disparo por temperatura.

S.E.
ci nórt c el E
El modo usado es el disparo por puerta. Los disparos por módulo y gradiente de
éT aí r ei n
tensión son modos no deseados.

Características de
conmutación:
Los tiristores necesitan un
tiempo para pasar de
bloqueo a conducción y
viceversa.
viceversa
A.- Tiempo de Encendido

(tON )
El tiempo de encendido (paso

de corte a conducción) tON , lo
dividimos en dos partes:
A1.- Tiempo de retardo.

retardo (td)
ePgnI
A2.- Tiempo de subida.

subida (tr)
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

B.- Tiempo de Apagado (tOFF )

Es el tiempo de paso conducción a corte
Dividimos el tiempo de apagado en dos:

B1.- T de recuperación inversa.
inversa (trr ).
B2.- T de recuperación de puerta.
puerta (tgr ).
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
=tq =t rr +
éT aí r ei n
t off t gr
Características de conmutación:
Es aconsejable tratar de indentificar

los parámetros de conmutación en las

hojas de características
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

TEMA 5:
TIRISTORES: ESTRUCTURA
Y CARACTERÍSTICAS
La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: Por

reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente
de mantenimiento y por anulación de la corriente de ánodo.
ánodo
Parámetros que influyen sobre toff :
 Corriente en conducción (IT).
 Tensión inversa (VR).

 Velocidad de caída de la corriente de ánodo dI/dt.

ePgnI
S.E.
 Pendiente de tensión dVD/dt.

ci nórt c el E
éT aí r ei n
05/02/03  Temperatura de la unión Tj o del contenedor19Tc.

J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar
Disparo por puerta:
Disparo por dc
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n
Disparo por impulso Disparo por puerta:

Disparo por gradiente de tensión:
Disparo indeseado
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Limitaciones del tiristor

Las más importantes son debidas a:
Frecuencia de funcionamiento.
Sobretensiones y pendiente de tensión (dV/dt).
Pendiente de intensidad (dI/dt).
Temperatura.
En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el

fabricante, se pueden utilizar ctos supresores de transitorios.
transitorios Se
conectan en bornes de la alimentacion, en paralelo con el
semiconductor o en paralelo con la carga.
Una solución muy utilizada en la práctica es conectar en paralelo con

ePgnI
el tiristor un cto RC (Red SNUBBER),

SNUBBER para evitar variaciones bruscas
S.E.
ci nórt c el E
de tensión en los extremos del semiconductor:

éT aí r ei n

Limitaciones del tiristor

ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Limitaciones del tiristor: frecuencia

ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Ejemplo de calculo rápido red RC:

El SCR del cto de la figura puede soportar una dVAK /dt = 50V/µs. La
descarga inicial del condensador sobre el SCR debe ser limitada a 3A.
En el momento en que se cierra el interruptor S es conectada la fuente
de tensión VS al circuito.
Si en ese momento se aplica un impulso apropiado a la puerta del
elemento, calcular:
1º) Valor del condensador de la red de protección.

2º) Valor de la resistencia de protección.
Datos: dV/dt = 50V/µs; R = 20Ω ; Imáx = 3A

VS máx 311V
I C (0) = = = 15.55A
RL 20Ω
ePgnI
dV 15.55A
IC = C ⋅ ⇒ C= = 0.311 µF
S.E.
50 V / µs
ci nórt c el E
dt
éT aí r ei n
311V
R= =103.6 =100 Ω
3A
MÉTODOS PARA EL CÁLCULO DE LOS ELEMENTOS DE

PROTECCIÓN:
A.- Método de la constante de tiempo (más utilizado).
B.- Método resonante.
resonante
A.- Método de la constante de tiempo

Con éste método tratamos de buscar el valor mínimo de la constante de
tiempo (τ ) de la dV/dt del dispositivo. Para ello, nos basamos en la figura:
0.63 ⋅ VDRM VAmáx

τ= R =
 dV  ( I TSM −I L ) ⋅K
 dt 
min
τ K= F de seguridad. (0.4 ... 0.1)

C=
ePgnI
RL
VAmáx
R min =
S.E.
ci nórt c el E
 dI 
éT aí r ei n
 ⋅C
La misión de la resistencia calculada es proteger al SCR cuando se produce la
descarga instantánea del condensador al inicio de la conducción.
 dt 

Limitaciones de la pendiente de intensidad (dI/dt)
Una variación rápida de la intensidad puede dar lugar a una

destrucción del tiristor.(creación
tiristor de puntos calientes)
Un procedimiento posible es añadir una inductancia L para conseguir que la

pendiente de la intensidad (dI/dt) no sobrepase el valor especificado en las
características del estado de conmutación.

conmutación
V
V  −
R ⋅t
 L=
I A = ⋅ 1 − e L  dI A
R 
ePgnI
 dt máx
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Supongamos que el tiristor está

colocado según la figura. Calcular
aplicando el método de la cte de
tiempo el cto de protección contra
dV/dt y dI/dt.
Datos: VRMS = 208V; IL = 58A; R = 5Ω ;
SCR: VDRM = 500V; ITSM = 250A;dI/dt = VAmáx =208 ⋅ 2 =294V

13.5 A/µs; dV/dt = 50V/µs
0.63 ⋅ VDRM
τ= = 6.3µs
VAmáx VAmáx  dV 
R min = = 4.15Ω  dt 
RS = = 3.83Ω  dI 
( I TSM − I L ) ⋅ K  ⋅C
min
ePgnI
 dt  τ
C= = 1.26µF
S.E.
ci nórt c el E
VAmáx R
éT aí r ei n
L= = 21.7 µH
dI
dt
sobreintensidades El fusible debe de conducir la

corriente nominal del dispositivo
La energía permitida para el
fusible i2t < i2t dispositivo
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Limitaciones de la temperatura
Si los períodos de bloqueo y de conducción en un tiristor son repetitivos, la

potencia media disipada en un tiristor será:
1 T
T ∫0
PAV = ⋅ VAK ⋅ I A ⋅ dt + Potencia de puerta.
Podemos decir que las pérdidas con una tensión de

alimentación dada y una carga fija, aumentan con el
ángulo de conducción (α ).
Si la conducción se inicia en t1 y termina en t2, la potencia
media de perdidas será:
1 t2
PAV = ⋅∫ VAK ⋅I A ⋅d
t
T t 1
PAV = V0 ⋅ I A(AV) + R ⋅ ( I A(RMS))

ePgnI
VAK = V0 + I A ⋅ R 2
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

I A(RMS)
a=f =
I A(AV)
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parámetros más

importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada
también la potencia media que disipa el elemento en el caso más
ePgnI
desfavorable, procederemos a calcular el disipador o radiador más

S.E.
apropiado para poder evacuar el calor generado por el elemento

ci nórt c el E
éT aí r ei n
semiconductor al medio ambiente.

Un SCR (BTY 91) con Rjc = 1.6ºC/W y con Rcd = 0.2ºC/W, alimenta
a una carga resistiva de 10Ω a partir de una señal alterna de
220VRMS . Si la conducción del SCR es completa (α = 0º).
Calcular el disipador para una temperatura ambiente de 40ºC
utilizando la gráfica representada en la figura.
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n
220 ⋅ 2
I TAV = (1 + cosα ) = 10A
2π ⋅ R
Extinción del tiristor. Tipos de conmutación.
Entenderemos por extinción,

extinción el proceso mediante el cual, obligaremos al tiristor que
estaba en conducción a pasar a corte.
corte En el momento en que un tiristor empieza a
conducir, perdemos completamente el control sobre el mismo.
intensidad por el tiristor
Conmutación Natural se anula por si misma
-a.-) Libre
-b.-) Asistida
Conmutación Forzada
Secuencia lógica de la
-a.-) Por contacto mecánico fuente primaria
-b.-) Por cto resonante

-Serie
-Paralelo
ePgnI
S.E.
-c.-) Por carga de condensador

ci nórt c el E
éT aí r ei n
-d.-) Por tiristor auxiliar

Conmutación forzada.
Para provocar la conmutación del tiristor, será necesario anular la

corriente anódica durante un tiempo suficiente para que el tiristor pueda
pasar a corte. Este intervalo de tiempo tiene una gran importancia, puesto
que si su duración es inferior a un valor determinado por toff (valor intrínseco
al tiristor utilizado) no tendrá lugar la conmutación del dispositivo.
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Sea el circuito de la figura. Para un tiempo de apagado del tiristor de toff

= 15µs, determinar si se podrá producir la conmutación óptima del
mismo para el valor de capacidad adoptado.
Datos: E = 100V; R0 = 5Ω ; C = 5µ F
 R− t⋅C 
VC (t ) = A + B e 0  ; VC (0) = A + B
 
 
 R− t⋅C 
VC (∞) = A ; VC (t ) = VC (∞) + ( VC (0) − VC (∞) )  e 0 
 
 
 R− tq⋅C 
VC (t ) = -E + ( E + E )  e 0 
 
 
 −tq 
0 = − E + 2E e R 0 ⋅C 
 
 
ePgnI
t q =0.693 ⋅ R 0 ⋅C
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n
t q = 0.693 ⋅ R 0 ⋅ C = 0.693 ⋅ 5 ⋅ 5 ⋅10 -6 = 17.33 µs > toff

Fundamento de conmutación por cto resonante
1
f =
2π LC
di 1
L + ∫ idt + v C (t = 0) = 0
dt C
C
i(t) = + VC senwt
L
v C (t) = + VC coswt
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

Conmutación por carga de conden-sador

La extinción del tiristor se consigue con el circuito de
la figura:
figura
En el cto anterior podemos distinguir 2 partes: cto de potencia constituido

por la fuente E, el tiristor T1 y la carga RO (resistiva pura); y el cto auxiliar de
ePgnI
bloqueo formado por R, C y un tiristor auxiliar T2.

S.E.
ci nórt c el E
El cto puede se comparado con un biestable asimétrico de potencia,

potencia en el
éT aí r ei n
que los tiristores conducen de forma alternada.

TRIAC GTO ZTO FOTOTIRISTORES SITH ASCR MCT
TRIAC Dispositivo de tres terminales con capacidad de

controlar el paso de corriente en ambas
direcciones (dispositivo bidireccional),
bidireccional muy
utilizado en la regulación de corriente alterna.
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

GTO (Gate - Turn - Off)

Dispositivo semiconductor de potencia que combina características de un
tiristor convencional con las de un transistor bipolar, presentando la ventaja
de poder pasar de conducción a bloqueo mediante la aplicación de un
impulso negativo a la puerta
Es equivalente a una resistencia la cual es

incapaz de bloquear voltaje. Para continua
el dispositivo no presenta ningún
problema, no obstante, si queremos
bloquear cualquier voltaje inverso,
deberemos conectar en serie con el GTO
un diodo. Si deseamos que pase la

corriente, deberemos conectar un diodo en
antiparalelo con el dispositivo.
ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

ePgnI
S.E.
ci nórt c el E
éT aí r ei n

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Electrónica de Potencia

UNIDAD Nº 0. INTRODUCCIÓN A LA ASIGNATURA

Lección 5.- Tiristor

•Lilen,H. Tiristores y triac. Marcombo.1998

•Thyristor data. Mayo 2000. Onsemiconductor; http://www.onsemi.com

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 1

Definición: El tiristor (SCR,

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 2

En la fabricación se emplean técnicas de difusión y

I B1 = (1 − α1 ) ⋅ I A − I CO1 α 2 I G + I CO1 + I CO2

La característica real V – I del tiristor está representada

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 5

Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 6

Determinan la naturaleza del cto de mando que mejor responde a las

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 7

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 8

Dentro de esta zona encontramos una

Observar las curvas y parámetros de puerta de las

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 10

cuanto mayor sea éste,

la salida del tiristor

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 11

El cto de la figura representa un control simple de potencia con

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 12

Vp(carga) = Vmáx = Ve(RMS) ⋅ 2 =169.7V

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 13

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 14

Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:

7.6.2.- Por módulo de tensión. (V)

7.6.5.- Disparo por temperatura.

tensión son modos no deseados.

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 15

A.- Tiempo de Encendido

El tiempo de encendido (paso

dividimos en dos partes:

A1.- Tiempo de retardo.

A2.- Tiempo de subida.

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 16

B.- Tiempo de Apagado (tOFF )

Dividimos el tiempo de apagado en dos:

Es aconsejable tratar de indentificar

los parámetros de conmutación en las

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 18

La extinción del tiristor se producirá por dos motivos: Por

Parámetros que influyen sobre toff :

 Corriente en conducción (IT).

 Tensión inversa (VR).

 Velocidad de caída de la corriente de ánodo dI/dt.

 Pendiente de tensión dVD/dt.

05/02/03  Temperatura de la unión Tj o del contenedor19Tc.

Disparo por puerta:

Disparo por impulso Disparo por puerta:

Disparo por gradiente de tensión:

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 21

Limitaciones del tiristor

En ctos donde el valor de dV/dt sea superior al valor dado por el

semiconductor o en paralelo con la carga.

Una solución muy utilizada en la práctica es conectar en paralelo con

el tiristor un cto RC (Red SNUBBER),

de tensión en los extremos del semiconductor:

05/02/03 J.D.Aguilar Peña; http://voltio.ujaen.es/jaguilar 22

Limitaciones del tiristor